JPH05275964A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温シールでもパッド電極とパッシベーショ
ン膜が適用できるような電極構造を有する弾性表面波フ
ィルタを提供する。 【構成】 基板上に、すだれ状電極と、その上に形成さ
れるパッシベーション膜と、そのコンタクト部にパッド
電極を有する弾性表面波フィルタにおいて、Ｃｒ／Ａｕ
パッド電極１５の中央部直下のＡｌ−Ｃｕ合金層（すだ
れ状電極）１１にホールを形成し、かつ、ＳｉＯ2 膜１
２の縁部を挟んでＡｌ−Ｃｕ合金層（すだれ状電極）１
１とＣｒ／Ａｕパッド電極１５のコンタクトがＣｒ／Ａ
ｕパッド電極１５の周辺部で取れるようにしている。
ン膜が適用できるような電極構造を有する弾性表面波フ
ィルタを提供する。 【構成】 基板上に、すだれ状電極と、その上に形成さ
れるパッシベーション膜と、そのコンタクト部にパッド
電極を有する弾性表面波フィルタにおいて、Ｃｒ／Ａｕ
パッド電極１５の中央部直下のＡｌ−Ｃｕ合金層（すだ
れ状電極）１１にホールを形成し、かつ、ＳｉＯ2 膜１
２の縁部を挟んでＡｌ−Ｃｕ合金層（すだれ状電極）１
１とＣｒ／Ａｕパッド電極１５のコンタクトがＣｒ／Ａ
ｕパッド電極１５の周辺部で取れるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話や伝送など
の無線機器に使用される弾性表面波フィルタ（Ｓｕｒｆ
ａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ−Ｆｉｌｔｅｒ：
以後、特別の場合を除きＳＡＷ−Ｆという）に係り、特
にその電極膜構造に関するものである。
の無線機器に使用される弾性表面波フィルタ（Ｓｕｒｆ
ａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ−Ｆｉｌｔｅｒ：
以後、特別の場合を除きＳＡＷ−Ｆという）に係り、特
にその電極膜構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＡＷ−Ｆは図３に示すように、
圧電基板ａ上に電気信号を弾性表面波に、あるいは弾性
表面波を電気信号に変換する弾性表面波変換器、いわゆ
るすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ−Ｔｒａｎ
ｓｄｕｃｅｒ）ｂを相い対向して構成する。入力側のす
だれ状電極ｂに電気信号を印加すると、表面波が圧電基
板ａの圧電効果により励振され、さらに圧電基板ａの表
面に沿って伝播する。出力側のすだれ状電極ｂに達した
表面波は、再び電気信号に変換される。
圧電基板ａ上に電気信号を弾性表面波に、あるいは弾性
表面波を電気信号に変換する弾性表面波変換器、いわゆ
るすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ−Ｔｒａｎ
ｓｄｕｃｅｒ）ｂを相い対向して構成する。入力側のす
だれ状電極ｂに電気信号を印加すると、表面波が圧電基
板ａの圧電効果により励振され、さらに圧電基板ａの表
面に沿って伝播する。出力側のすだれ状電極ｂに達した
表面波は、再び電気信号に変換される。
【０００３】安価で量産性に優れるモールドパッケージ
や樹脂シールパッケージを上記のようなＳＡＷ−Ｆに適
用するために、本願の発明者はパッシベーション膜を有
するＳＡＷ−Ｆを開発した。
や樹脂シールパッケージを上記のようなＳＡＷ−Ｆに適
用するために、本願の発明者はパッシベーション膜を有
するＳＡＷ−Ｆを開発した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造のＳＡＷ−Ｆは、樹脂シールなどシール温度が１５
０〜２００℃と比較的低温であれば問題なく使えるが、
これを高温半田シールやガラスシール等の３００℃以上
のシール温度を必要とする製品では、ＡｕとＡｌの合金
化により、パープルプレイグが形成され、ワイヤボンデ
ィング性が劣化してしまうといった問題があった。
構造のＳＡＷ−Ｆは、樹脂シールなどシール温度が１５
０〜２００℃と比較的低温であれば問題なく使えるが、
これを高温半田シールやガラスシール等の３００℃以上
のシール温度を必要とする製品では、ＡｕとＡｌの合金
化により、パープルプレイグが形成され、ワイヤボンデ
ィング性が劣化してしまうといった問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、以上述べ
た高温シールでも、Ａｕパッド電極とＳｉＯ2 などのパ
ッシベーション膜が適用できるような電極構造を有する
弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
た高温シールでも、Ａｕパッド電極とＳｉＯ2 などのパ
ッシベーション膜が適用できるような電極構造を有する
弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、圧電基板上に、すだれ状電極と、その上
に形成されるパッシベーション膜と、該パッシベーショ
ン膜に形成されるコンタクト部にＣｒ／Ａｕパッド電極
を有する弾性表面波フィルタにおいて、前記Ｃｒ／Ａｕ
パッド電極の中央部直下のすだれ状電極にホールを形成
し、かつ、前記パッシベーション膜の縁部を挟んで前記
すだれ状電極と前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極のコンタクト
を前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極の周辺部で取れるようにし
たものである。
成するために、圧電基板上に、すだれ状電極と、その上
に形成されるパッシベーション膜と、該パッシベーショ
ン膜に形成されるコンタクト部にＣｒ／Ａｕパッド電極
を有する弾性表面波フィルタにおいて、前記Ｃｒ／Ａｕ
パッド電極の中央部直下のすだれ状電極にホールを形成
し、かつ、前記パッシベーション膜の縁部を挟んで前記
すだれ状電極と前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極のコンタクト
を前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極の周辺部で取れるようにし
たものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、上記したように、圧電基板上
に、すだれ状電極と、その上に形成されるパッシベーシ
ョン膜と、該パッシベーション膜に形成されるコンタク
ト部にＣｒ／Ａｕパッド電極を有する弾性表面波フィル
タにおいて、ワイヤボンディングのＡｕの直下のＡｌす
だれ状電極をなくし、ＳｉＯ2 パッシベーション膜の縁
部を挟んでＡｌすだれ状電極の縁部がＣｒ−Ａｕパッド
電極とオーバーラップし、パープルプレイグ形成領域を
電気的コンタクトが取れる範囲に小さくして、かつワイ
ヤボンディングに支障がないようにした。
に、すだれ状電極と、その上に形成されるパッシベーシ
ョン膜と、該パッシベーション膜に形成されるコンタク
ト部にＣｒ／Ａｕパッド電極を有する弾性表面波フィル
タにおいて、ワイヤボンディングのＡｕの直下のＡｌす
だれ状電極をなくし、ＳｉＯ2 パッシベーション膜の縁
部を挟んでＡｌすだれ状電極の縁部がＣｒ−Ａｕパッド
電極とオーバーラップし、パープルプレイグ形成領域を
電気的コンタクトが取れる範囲に小さくして、かつワイ
ヤボンディングに支障がないようにした。
【０００８】したがって、ワイヤボンディングエリアに
はパープルプレイグが発生することはない。
はパープルプレイグが発生することはない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明による実施例を示す弾性表面波フ
ィルタの断面図である。この図において、１０はＬｉＴ
ａＯ3 ウェハ（圧電基板）、１１はＡｌ−Ｃｕ合金層
（すだれ状電極）、１２はＳｉＯ2 膜、１３はＣｒ、１
４はＡｕ、１５はＣｒ／Ａｕパッド電極、１６はボンデ
ィング（Ａｕ）ワイヤである。
明する。図１は本発明による実施例を示す弾性表面波フ
ィルタの断面図である。この図において、１０はＬｉＴ
ａＯ3 ウェハ（圧電基板）、１１はＡｌ−Ｃｕ合金層
（すだれ状電極）、１２はＳｉＯ2 膜、１３はＣｒ、１
４はＡｕ、１５はＣｒ／Ａｕパッド電極、１６はボンデ
ィング（Ａｕ）ワイヤである。
【００１０】図２は本発明による実施例を示す弾性表面
波フィルタの製造工程断面図である。まず、図２（ａ）
に示すように、ＬｉＴａＯ3 ウェハ（圧電基板）１０上
にＡｌ−Ｃｕ合金層１１を約１０００Å蒸着し、リフト
オフ工法を用いてＡｌ−Ｃｕ合金層１１のパターン形成
する。ここで、ボンディング部には径Ｓ1 のホールを形
成する。因みに、径Ｓ1 は、例えば１００μｍである。
波フィルタの製造工程断面図である。まず、図２（ａ）
に示すように、ＬｉＴａＯ3 ウェハ（圧電基板）１０上
にＡｌ−Ｃｕ合金層１１を約１０００Å蒸着し、リフト
オフ工法を用いてＡｌ−Ｃｕ合金層１１のパターン形成
する。ここで、ボンディング部には径Ｓ1 のホールを形
成する。因みに、径Ｓ1 は、例えば１００μｍである。
【００１１】次に、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
層１２を約５００Åスパッタし、リフトオフ工程を用い
てＳｉＯ2 層１２のパターンを形成する。因みに、ここ
で、Ａｌ−Ｃｕ合金層１１のエッジとＳｉＯ2 層１２の
縁部間の幅Ｓ2 は１５μｍとした。その上に、図２
（ｃ）に示すように、Ｃｒ１３、Ａｕ１４を連続蒸着す
る。
層１２を約５００Åスパッタし、リフトオフ工程を用い
てＳｉＯ2 層１２のパターンを形成する。因みに、ここ
で、Ａｌ−Ｃｕ合金層１１のエッジとＳｉＯ2 層１２の
縁部間の幅Ｓ2 は１５μｍとした。その上に、図２
（ｃ）に示すように、Ｃｒ１３、Ａｕ１４を連続蒸着す
る。
【００１２】次に、図２（ｄ）に示すように、リフトオ
フ工程でＣｒ／Ａｕパッド電極１５のパターンを形成す
る。因みに、ここで、ＳｉＯ2 膜１２とＣｒ／Ａｕパッ
ド電極１５のオーバーラップ幅Ｓ3 は５μｍとした。そ
の後、Ａｕワイヤ１６を使ってワイヤボンディングす
る。上記したように、ＳｉＯ2 膜１２とＣｒ／Ａｕパッ
ド電極１５のオーバーラップ幅Ｓ3 は５μｍとし、Ａｌ
−Ｃｕ合金層１１とＣｒ／Ａｕパッド電極１５のオーバ
ーラップ幅Ｓ2 は１５μｍとした。
フ工程でＣｒ／Ａｕパッド電極１５のパターンを形成す
る。因みに、ここで、ＳｉＯ2 膜１２とＣｒ／Ａｕパッ
ド電極１５のオーバーラップ幅Ｓ3 は５μｍとした。そ
の後、Ａｕワイヤ１６を使ってワイヤボンディングす
る。上記したように、ＳｉＯ2 膜１２とＣｒ／Ａｕパッ
ド電極１５のオーバーラップ幅Ｓ3 は５μｍとし、Ａｌ
−Ｃｕ合金層１１とＣｒ／Ａｕパッド電極１５のオーバ
ーラップ幅Ｓ2 は１５μｍとした。
【００１３】その後、図示していないが、高温半田シー
ルにより蓋を取りつける。なお、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々
の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
ルにより蓋を取りつける。なお、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々
の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、圧電基板上に、すだれ状電極と、その上に形成
されるパッシベーション膜と、該パッシベーション膜に
形成されるコンタクト部にＣｒ／Ａｕパッド電極を有す
る弾性表面波フィルタにおいて、ワイヤボンディングの
ためのＣｒ／Ａｕパッド電極直下のＡｌすだれ状電極を
除去するようにしたので、高温シールによるパープルプ
レイグ形成がもたらすワイヤボンディング強度劣化を避
けることができる。
よれば、圧電基板上に、すだれ状電極と、その上に形成
されるパッシベーション膜と、該パッシベーション膜に
形成されるコンタクト部にＣｒ／Ａｕパッド電極を有す
る弾性表面波フィルタにおいて、ワイヤボンディングの
ためのＣｒ／Ａｕパッド電極直下のＡｌすだれ状電極を
除去するようにしたので、高温シールによるパープルプ
レイグ形成がもたらすワイヤボンディング強度劣化を避
けることができる。
【００１５】これにより、ＳｉＯ2 パッシベーション膜
とＡｌすだれ状電極とＣｒ／Ａｕパッド電極を有する弾
性表面波フィルタのパッケージを樹脂シールのみでな
く、ガラスシールや高温半田シールなどの高温シールま
で適用拡大することができる。したがって、このパッケ
ージのシール部分にボイドなどによる気密不良があって
も弾性表面波フィルタはパッシベーション膜を有するた
め、特性劣化を招くことはない。
とＡｌすだれ状電極とＣｒ／Ａｕパッド電極を有する弾
性表面波フィルタのパッケージを樹脂シールのみでな
く、ガラスシールや高温半田シールなどの高温シールま
で適用拡大することができる。したがって、このパッケ
ージのシール部分にボイドなどによる気密不良があって
も弾性表面波フィルタはパッシベーション膜を有するた
め、特性劣化を招くことはない。
【図１】本発明の実施例を示す弾性表面波フィルタの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例を示す弾性表面波フィルタの製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図３】従来の弾性表面波フィルタの一部破断斜視図で
ある。
ある。
１０ ＬｉＴａＯ3 ウェハ（圧電基板） １１ Ａｌ−Ｃｕ合金層（すだれ状電極） １２ ＳｉＯ2 膜 １３ Ｃｒ １４ Ａｕ １５ Ｃｒ／Ａｕパッド電極 １６ ボンディングワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 木部 隆志 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 江原 永典 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に、すだれ状電極と、その上
に形成されるパッシベーション膜と、該パッシベーショ
ン膜に形成されるコンタクト部にＣｒ／Ａｕパッド電極
を有する弾性表面波フィルタにおいて、 前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極の中央部直下のすだれ状電極
にホールを形成し、かつ、前記パッシベーション膜の縁
部を挟んで前記すだれ状電極と前記Ｃｒ／Ａｕパッド電
極のコンタクトを前記Ｃｒ／Ａｕパッド電極の周辺部で
取れるようにしたことを特徴とする弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波フィルタにお
いて、前記パッシベーション膜はＳｉＯ2 であり、前記
すだれ状電極はＡｌ−Ｃｕからなる弾性表面波フィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30016791A JP2991837B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30016791A JP2991837B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275964A true JPH05275964A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2991837B2 JP2991837B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=17881556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30016791A Expired - Fee Related JP2991837B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991837B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261571A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US6650205B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041315A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
| JPS62183133A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02248109A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波デバイス |
| JPH02278909A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30016791A patent/JP2991837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041315A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
| JPS62183133A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02248109A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波デバイス |
| JPH02278909A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261571A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP4731026B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2011-07-20 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| US6650205B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| US6744336B1 (en) * | 2001-03-29 | 2004-06-01 | Clarisay, Incorporated | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2991837B2 (ja) | 1999-12-20 |
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