CN115109963A - 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 - Google Patents

一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN115109963A
CN115109963A CN202210751609.7A CN202210751609A CN115109963A CN 115109963 A CN115109963 A CN 115109963A CN 202210751609 A CN202210751609 A CN 202210751609A CN 115109963 A CN115109963 A CN 115109963A
Authority
CN
China
Prior art keywords
coating
crystal oscillator
minutes
silver
copper alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210751609.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115109963B (zh
Inventor
蔡苇
韩来庆
高荣礼
李双
符春林
颜立力
邓小玲
秦晓凤
陈刚
王振华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taijing Chongqing Electronics Co ltd
Chongqing University of Science and Technology
Original Assignee
Taijing Chongqing Electronics Co ltd
Chongqing University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taijing Chongqing Electronics Co ltd, Chongqing University of Science and Technology filed Critical Taijing Chongqing Electronics Co ltd
Priority to CN202210751609.7A priority Critical patent/CN115109963B/zh
Publication of CN115109963A publication Critical patent/CN115109963A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115109963B publication Critical patent/CN115109963B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
    • C22C5/08Alloys based on silver with copper as the next major constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • C23C14/5806Thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺,具体成分包括银、铋和铜,按照质量比为96.80%≤Ag≤97.12%,1.62%≤Bi≤2.14%和0.96%≤Cu≤1.68%。0.52%≤In≤0.90%,0.20%≤La≤0.65%和0.12%≤Sb≤0.50%组成。采用银、铋和铜合金材料作为晶振电极后,提高了热冲击时,频率的稳定性;所采用的镀膜工艺,操作便捷,成膜均匀,同时也解决了频率漂移的问题,所采用的退火工艺,改善了金属薄膜的致密性、晶粒的均匀性、晶粒高温稳定性,可以防止晶粒的二次结晶,从而提升了金属薄膜的抗疲劳特性。

Description

一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺
技术领域
本发明晶体振荡器的生产制造技术领域,具体涉及一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺。
背景技术
信息技术是当代社会发展的三大支柱之一,而物联网是新一代信息技术的重要组成部分。无线通信是实现物联网信息无线传输的关键,是进一步提升信息消费规模和效益的重要保障。无线通信离不开基础元器件—晶体振荡器(晶振)来提供其基础频率波及时钟。石英晶振是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,是无线通信硬件的“心脏”。工作温度内的稳定性是晶振的主要特性之一,直接影响整个无线通信的可靠性、稳定性。晶体老化是造成频率变化的又一重要因素,晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化,从而影响无线通信的稳定性。近年来,我们发现随着无线技术的不断升级、传输速度及传输数据量不断提高并加大,对频率精度的要求越来越严苛。然后目前存在的一个重要问题是晶体振荡器在受到瞬间环境变化(热冲击)后,频率产生大幅的波动,影响到无线通信的稳定性,甚至造成掉线。经过分析发现,造成晶体受到瞬间环境变化后频率产生大幅的波动,其原因是金属电极在高温下被氧化或出现再结晶等现象,影响到电极的导电性和质量。晶体表面质量的增加导致频率的漂移。
虽然使用金作为电极膜可获得极稳定的频率特性,但其价格却比银高出数十倍,其成本也上升了20-40%,这将导致在市场上的竞争力大幅下滑,无法赢得市场。质量与成本,成了晶振行业在市场上的两难困境。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提出一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺,经过热冲击时,其频率稳定,变化量小,并且制作成本较低,具体技术方案如下:
一种晶体振荡器银铋铜合金电极,具体成分包括银、铋和铜,按照质量比为96.80%≤Ag≤97.12%,1.62%≤Bi≤2.14%和0.96%≤Cu≤1.68%。
作为优化:还包括0.52%≤In≤0.90%,0.20%≤La≤0.65%和0.12%≤Sb≤0.50%组成。
所述晶体振荡器银铋铜合金电极的镀膜工艺,具体步骤为:
步骤一:镀膜室清理;
步骤二:准备基底,清洗载玻片,关上真空室;
步骤三:启动真空机电源电源,预热8-15分钟;
步骤四:接通电子衍射仪电源;
步骤五:保持真空室和真空室储气瓶均低于6.7帕;
步骤六:接通冷却水,打开油扩散泵,预热30-50分钟;
步骤七:预热完毕,观察真空计的示数,当示数低于0.1帕时,打开灯丝,电离计接通,不断转换最大量程,直到示数小于5帕;
步骤八:镀膜开始,根据钨丝热红程度调节电流大小;
步骤九:观察镀膜情况,当观察到钨丝的红光被遮挡镀膜完毕。慢慢关闭电流开关,然后关闭镀膜开关和镀膜档;
步骤十:关闭高真空蝶阀,切断油扩散泵电源;
步骤十一:冷却5-10分钟后,关闭机械泵,对真空室充气,充气完毕,打开镀膜室,取出产品,观察镀膜情况;
步骤十二:结束。
所述晶体振荡器银铋铜合金电极的镀膜退火工艺,具体步骤为:
步骤一:放入镀膜,每分钟增加5-10℃的速度升温至700℃到900℃,保持25-35分钟;
步骤二:降温到550-650℃,保持25-35分钟;
步骤三:升温到700-750℃,保持25-35分钟;
步骤四:降温到450-550℃,保持25-35分钟;
步骤五:升温到600-650℃,保持25-35分钟;
步骤六:降温到350-450℃,保持25-35分钟;
步骤七:停止加温,自然冷却。
本发明的有益效果为:采用银、铋和铜合金材料作为晶振电极后,提高了热冲击时,频率的稳定性;所采用的镀膜工艺,操作便捷,成膜均匀,同时也解决了频率漂移的问题,所采用的退火工艺,改善了金属薄膜的致密性、晶粒的均匀性、晶粒高温稳定性,可以防止晶粒的二次结晶,从而提升了金属薄膜的抗疲劳特性。
附图说明
图1为本发明中银铋铜合金材料耐热测试图。
图2为本发明中使用银和合金薄膜晶振的耐热冲击特性曲线。
图3为本发明中使用银和合金薄膜晶振负载谐振频率的老化稳定特性曲线。
图4为本发明中退火工艺合金的耐热性晶粒微观图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种晶体振荡器银铋铜合金电极,在银内添加相对较多的铋(Bi)及铜(Cu)以及其它少量元素,形成银-铋-铜(Ag-Bi-Cu:ABC)合金电极材料。具体含量为(按照质量比):96.80%≤Ag≤97.12%,1.62%≤Bi≤2.14%,0.96%≤Cu≤1.68%,0.52%≤In≤0.90%,0.20%≤La≤0.65%,0.12%≤Sb≤0.50%;
如图1所示,在高温环境下,采用银铋铜合金电极可以抑制晶粒尺寸的增大,提高热稳定性,在图1中,左边为加温前的晶粒状态,右边为加温后的晶粒状态;
如图2所示:对于使用银铋铜合金薄膜的晶振而言,经过热冲击之后,晶振的频率变化不超过1.25ppm,表现出良好的频率稳定特性,可用于无线通信。而对于纯的银电极而言,经过热冲击之后,晶振的频率变化大于3.75ppm,表现出较差的频率稳定特性,无法用于无线通信。总体而言,晶振使用新型Ag合金电极膜后,可改善纯银膜的耐热冲击性能。
如图3所示:晶振使用合金薄膜时具有良好的稳定性,经过1008小时后FL变化量都小于2.5ppm,而使用纯银作为电极时,变化量大于5.75ppm。结果表明,晶振使用银铋铜合金薄膜时,可改善纯银膜的频率老化稳定性。
真空镀膜工艺为:
S1:镀膜室的清理与准备。由于真空室的盖子难以打开,所以先向真空室内充气一段时间,盖了便可轻易取下。清理镀膜室,出去真空室内的残余金属,壁上的沉积物可以用酒精清洗。将金属锡丝折成勾状,采用6个,置于金属钨丝上,最好能和钨丝充分接触,但个能使得钨丝部分短接。
S2:准备基底:清洗载玻片。在真空室顶部装好基底,关好真空室。
S3:打开复合真空机电源,预热十分钟。
S4:电子衍射仪接通电源,把三通阀往外拉到底,打开机械泵(这时机械泵开始抽真空室的空),先把复合真空计打到左测量档,观察指针变化,发现变化很慢,再打到右测量档,发现指针示数变化比较快,说明右侧的测量档测量的为真空室的气压。
S5:把复合真空计打在右测量档,观察示数,当示数低于6.7帕时,把复合真空计打在左测量档,然后把三通阀往里推到底,仍然使示数低于6.7帕,这时再把复合真空计打到右测量档,观察示数(此时真空室的压强),如果发现示数高于6.7帕,那么把三通阀往外拉到底,让机械泵继续抽真空室。同样,如果储气瓶的气压高于6.7帕,则抽完真空室后仍需要把三通阀往里推到底,让机械泵抽储气室。让机械泵反复抽真空室和储气瓶的气压,要使真空室储气瓶的气压都低于6.7帕。
S6:接通冷却水,打开油扩散泵,预热40分钟。
S7:预热完毕,保证真空室和储气瓶的压强都低于6.7帕,把测量档打在右侧,把三通阀往里推到底,然后打开高真空蝶阀。
S8:观察真空计的示数,当示数低于0.1帕时,打开灯丝,电离计接通,按要求不断转换最大量程,直到示数小于5帕(此时可关闭电离计,先关闭灯丝,再关闭电离计)。
S9:镀膜开始,先换挡到镀膜档,再打开镀膜开关,逐渐转动“灯丝一镀膜调节”加大电流到40A。根据钨丝热红程度调节电流大小。
S10:观察镀膜情况,当明显观察到钨丝的红光被遮挡或者从侧面看出现类似镜子侧面的紫光时,说明镀膜完毕。慢慢关闭电流开关,然后关闭镀膜开关和镀膜档。
S11:关闭高真空蝶阀,切断油扩散泵电源。
S12:冷却数分钟后,关闭机械泵,对真空室充气,充气完毕,打开镀膜室,取出样品,观察镀膜情况。
S13:待油扩散泵冷却到室温,切断冷却水。整理仪器。
抽真空时注意事项:
油扩散泵:
1、开启前,必须将真空室和储气瓶的真空度预抽至6.7帕以上,在加热前要先通冷却水
2、使用时,时刻关注油扩散泵是否处于工作要求的条件
3、实验结束,先关闭电离真空计,在充气前关闭油扩散泵,关机前要断开加热炉的电源,冷却20分钟以后再关冷却水电离规管:
1、高真空测量前,注意电离规管的使用范围:10-1帕以上的真空度(或10-1帕以下的压强),因此要使真空度高于10-1帕;
2、高真空测量时,要留意,预计实验条件有没有可能将会不满足预计使用条件;
3、高真空测量后,关机时,先关电离规管,后关高真空蝶阀;
冷却水:
1、油扩散泵加热前,同时通冷却水;
2、油扩散泵使用时,时刻注意水温、流量是否正常;
3、油扩散泵冷却至室温后,先关闭机械泵,最后再关闭冷却水;
退火工艺为:
进行退火时,我们先设定管式炉的退火温度为800℃,将薄膜放入管式炉中,同时通入氮气。然后以每分钟5-10度的速度升温到800℃,保温30分钟;然后将温度降低到600℃,再保温30分钟。之后,然后将温度从600℃升到700℃,再保温30分钟,之后将温度降低到500℃,再保温30分钟。接下来,将温度从500℃升到600℃,再保温30分钟,之后将温度降低到400℃,再保温30分钟。每一次的温度,其中800℃,700℃600℃,500℃,都可以出入50度。
如图4所示,其中左边为烘烤前,右边为烘烤温度在325℃,随着真空中烘烤温度的增加(325℃),合金的晶粒尺寸基本没有什么改变。但相对于普通的退火工艺来说,我们采用的这种多进多退的退火方法在一定程度上可以抑制晶粒尺寸的增大,提高热稳定性。

Claims (4)

1.一种晶体振荡器银铋铜合金电极,其特征在于,具体成分包括银、铋和铜,按照质量比为96.80%≤Ag≤97.12%,1.62%≤Bi≤2.14%和0.96%≤Cu≤1.68%。
2.根据权利要求1所述晶体振荡器银铋铜合金电极,其特征在于,还包括0.52%≤In≤0.90%,0.20%≤La≤0.65%和0.12%≤Sb≤0.50%组成。
3.根据权利要求1或者2所述晶体振荡器银铋铜合金电极的镀膜工艺,其特征在于,具体步骤为:
步骤一:镀膜室清理;
步骤二:准备基底,清洗载玻片,关上真空室;
步骤三:启动真空机电源电源,预热8-15分钟;
步骤四:接通电子衍射仪电源;
步骤五:保持真空室和真空室储气瓶均低于6.7帕;
步骤六:接通冷却水,打开油扩散泵,预热30-50分钟;
步骤七:预热完毕,观察真空计的示数,当示数低于0.1帕时,打开灯丝,电离计接通,不断转换最大量程,直到示数小于5帕;
步骤八:镀膜开始,根据钨丝热红程度调节电流大小;
步骤九:观察镀膜情况,当观察到钨丝的红光被遮挡镀膜完毕。慢慢关闭电流开关,然后关闭镀膜开关和镀膜档;
步骤十:关闭高真空蝶阀,切断油扩散泵电源;
步骤十一:冷却5-10分钟后,关闭机械泵,对真空室充气,充气完毕,打开镀膜室,取出产品,观察镀膜情况;
步骤十二:结束。
4.根据权利要求1或者2所述晶体振荡器银铋铜合金电极的镀膜退火工艺,其特征在于,具体步骤为:
步骤一:放入镀膜,每分钟增加5-10℃的速度升温至700℃到900℃,保持25-35分钟;
步骤二:降温到550-650℃,保持25-35分钟;
步骤三:升温到700-750℃,保持25-35分钟;
步骤四:降温到450-550℃,保持25-35分钟;
步骤五:升温到600-650℃,保持25-35分钟;
步骤六:降温到350-450℃,保持25-35分钟;
步骤七:停止加温,自然冷却。
CN202210751609.7A 2022-06-29 2022-06-29 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 Active CN115109963B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210751609.7A CN115109963B (zh) 2022-06-29 2022-06-29 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210751609.7A CN115109963B (zh) 2022-06-29 2022-06-29 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115109963A true CN115109963A (zh) 2022-09-27
CN115109963B CN115109963B (zh) 2023-11-17

Family

ID=83330397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210751609.7A Active CN115109963B (zh) 2022-06-29 2022-06-29 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115109963B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54111698A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electric contact material
CN1073292A (zh) * 1991-12-12 1993-06-16 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 银基合金电接触材料
JPH0918280A (ja) * 1995-07-04 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子とその製造方法
JPH10177821A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 電気接点及びその製造法
CN1574135A (zh) * 2003-05-27 2005-02-02 田中贵金属工业株式会社 电触点材料及开关
JP2006070345A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Kobe Steel Ltd フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜およびAg基合金スパッタリングターゲット、並びにフラットパネルディスプレイ
WO2008001740A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Charge conductrice
CN102154572A (zh) * 2011-05-25 2011-08-17 宁波汉博贵金属合金有限公司 一种梯度内氧化法制备银氧化锡氧化铟电接触材料的工艺方法及其材料
US20120248943A1 (en) * 2009-12-25 2012-10-04 Toshinori Ogashiwa Oscillator Electrode Material Having Excellent Aging Characteristics, Piezoelectric Oscillator Using The Material And Sputtering Target Comprising The Material
CN102864325A (zh) * 2012-09-12 2013-01-09 宁波汉博贵金属合金有限公司 多元稀土银电接点及其制备方法和用途
JP2014174459A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Stanley Electric Co Ltd リフレクター、および、その製造方法
CN104073676A (zh) * 2014-07-15 2014-10-01 汕头市骏码凯撒有限公司 一种半导体用键合银合金丝及其制造方法
JP2016044349A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 正明 中澤 銀合金
CN105908004A (zh) * 2016-06-21 2016-08-31 南通志邦新材料科技有限公司 一种触点金属材料
CN105934308A (zh) * 2014-02-10 2016-09-07 三菱电机株式会社 接合材料、接合方法以及电力用半导体装置
CN106191495A (zh) * 2016-07-12 2016-12-07 西安工程大学 基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54111698A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electric contact material
CN1073292A (zh) * 1991-12-12 1993-06-16 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 银基合金电接触材料
JPH0918280A (ja) * 1995-07-04 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子とその製造方法
JPH10177821A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 電気接点及びその製造法
CN1574135A (zh) * 2003-05-27 2005-02-02 田中贵金属工业株式会社 电触点材料及开关
JP2006070345A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Kobe Steel Ltd フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜およびAg基合金スパッタリングターゲット、並びにフラットパネルディスプレイ
WO2008001740A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Charge conductrice
US20120248943A1 (en) * 2009-12-25 2012-10-04 Toshinori Ogashiwa Oscillator Electrode Material Having Excellent Aging Characteristics, Piezoelectric Oscillator Using The Material And Sputtering Target Comprising The Material
CN102154572A (zh) * 2011-05-25 2011-08-17 宁波汉博贵金属合金有限公司 一种梯度内氧化法制备银氧化锡氧化铟电接触材料的工艺方法及其材料
CN102864325A (zh) * 2012-09-12 2013-01-09 宁波汉博贵金属合金有限公司 多元稀土银电接点及其制备方法和用途
JP2014174459A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Stanley Electric Co Ltd リフレクター、および、その製造方法
CN105934308A (zh) * 2014-02-10 2016-09-07 三菱电机株式会社 接合材料、接合方法以及电力用半导体装置
CN104073676A (zh) * 2014-07-15 2014-10-01 汕头市骏码凯撒有限公司 一种半导体用键合银合金丝及其制造方法
JP2016044349A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 正明 中澤 銀合金
CN105908004A (zh) * 2016-06-21 2016-08-31 南通志邦新材料科技有限公司 一种触点金属材料
CN106191495A (zh) * 2016-07-12 2016-12-07 西安工程大学 基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘洁雅: "真空晶体镀膜的前景及应用", no. 05, pages 138 *
高荣礼等: "面向无线通信的晶体振荡器高频稳定性关键电极材料研发及产业化", pages 1 - 6 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115109963B (zh) 2023-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Smith et al. Reactive magnetron deposition of transparent conductive films
CN110195208B (zh) 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法
CN115149903A (zh) 一种银钯铜晶体振荡器电极及工艺
CN110106490B (zh) 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法
CN115109963A (zh) 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺
CN112875655A (zh) 一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法和应用
Sasaki et al. Surface tension variation of molten silicon measured by the ring method
CN115216665B (zh) 一种晶体振荡器合金电极及工艺
CN110106485A (zh) 一种负温度系数热敏薄膜及其制备方法
CN100565716C (zh) 透明导电薄膜及其制备方法
US3560364A (en) Method for preparing thin unsupported films of silicon nitride
CN114455939A (zh) 一种高阻值高b值的ntc热敏电阻材料及其制备方法
CN113667941B (zh) 一种中熵热敏薄膜及其制备方法和应用
CN114790571A (zh) 一种具有高奈尔温度的磁性拓扑绝缘体TaCoTe2单晶的制备方法
CN114112085A (zh) 一种高效率mems高温薄膜热电偶传感器的制造方法
JP5728618B2 (ja) チタンをドープした三元系ケイ酸塩薄膜及びその製造方法、並びにその応用
JPH0544017A (ja) 窒化ケイ素膜の形成方法
CN105200389B (zh) 一种提高氧化物薄膜激光损伤阈值的热处理设备与方法
CN115491648B (zh) 在固溶体材料中兼具多级反射状态和低相变压力的性能调控方法
US20210305031A1 (en) Method for manufacturing thin film resistive layer
CN111261489B (zh) 光电倍增管用光电阴极、制备方法及光电倍增管
US11702731B2 (en) Method for forming a film of an oxide of In, Ga, and Zn
WO2022156540A1 (en) Transparent and high-k thin film prepared by pulsed laser deposition
CN116240493A (zh) 一种直流磁控溅射制备非晶态La-Mn-O薄膜的方法
CN103924188A (zh) 大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant