CN110106490B - 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明涉及一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法,属于高熵合金、耐高温技术领域。
背景技术
20世纪九十年代提出的高熵合金相对于传统合金存在以下优点:一是高熵合金中每种元素均为主要元素,原子百分比可以均匀分布,其合金的性质由其组成元素共同决定;二是高熵中的多种元素混合会产生不同程度的高熵效应,致使合金倾向于生成结构单一的固溶体,大大减少产生金属间化合物的可能,性能更为优异。三是高熵合金结构和性能对元素含量的改变有较大的敏感性,可通过小范围改变元素含量而有效地调节合金的性能。
难熔高熵合金因大多数组成元素为高熔点元素,表现出优异的高温性能,是非常有潜力的高温合金之一。目前难熔高熵合金制备方法主要有真空熔炼和粉末冶金技术等,但熔炼技术对温度要求较高,且制备的合金内部内应力较大,成分偏析严重;粉末冶金技术要求高压压制、高温烧结,烧结温度高达1000℃左右,对压力以温度要求较高,且模具设计周期长,所需成本高。因此,块体难熔高熵合金的制备面临本质困难。
磁控溅射技术作为一种成熟的镀膜技术得到了广泛应用。相比其它镀膜技术,它有以下优点:①具有高速低温特点,镀膜效率较高;②薄膜溅射率可以根据入射电压和Ar气流通量来调节,具有可重复性和可控性等特点;③设备拥有微机控制的样品转盘,所制得的薄膜纯度高、致密均匀、附着性好;使用具有一定配比的合金贴片复合靶溅射,可以得到具有相近配比的合金薄膜。磁控溅射主要包括直流和射频磁控溅射两种,直流磁控溅射在反应溅射沉积中通常易出现“靶中毒”、“放电打弧”等现象,导致溅射过程难以控制,薄膜易出现致密性差以及不均匀等问题。而射频磁控溅射则可防止此类问题的出现,并具有溅射速率快、沉积速率高以及镀膜均匀等优点。
本发明要解决的技术问题是:为解决难熔高熵合金传统制备方法中制备温度高、块体材料应力大以及成本高等问题。在低温条件下用射频磁控溅射技术制备一种性能可调、致密均匀的耐高温NbMoTaWV薄膜。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法,使用射频磁控溅射技术,在单晶硅基体上通过调节V元素的含量获得性能可调节的耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜。
本发明采用的技术方案是:一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜,耐高温高熵合金薄膜具有如下通式:NbMoTaWV x ,x=0~2,Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1: x;呈纳米柱状晶形态,单相BCC结构;该耐高温高熵合金薄膜使用射频磁控溅射技术制备,其电阻率在45~100.0 区间连续变化,硬度在7~15Gpa区间连续变化。
所述的一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜的制备方法,采用的具体步骤如下:
(一)制备合金溅射靶材
选用纯度均不低于99.9%的纯金属组元制备高纯度合金靶材,用以下两种方式:一是将NbMoTaWV五种金属组元直接熔炼成合金靶,靶材金属组元的配比可调;二是制备组合靶,先将NbMoTaW四种组成元素熔炼成原子百分比为1:1:1:1的合金靶,再将V片粘贴在四元合金靶的主溅射区,制备成NbMoTaWV五元组合合金靶;
(二)制备耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜
清洗基片:选用单晶Si基片,依次经酒精、乙醇和去离子水超声清洗,各10分钟,然后将单晶硅片放入5%的氢氟酸溶液中腐蚀2~3分钟,再用去离子水冲洗干净,用N2吹干放入真空室;
磁控溅射制备薄膜:将真空抽至3.0×10-4Pa以下后开始工作,首先充入高纯氩气至气压稳定,随后设置相应设备参数:电源类型选用射频电源、工作气压为1.5Pa、溅射功率为100W,靶基距为8~12cm;设置完毕后起辉,设定溅射时间进行溅射;溅射完毕后,设备冷却30min后取出薄膜样品。
所述薄膜用于微电子器件材料、耐高温材料以及高硬耐磨材料。
采用上述技术方案制备的耐高温NbMoTaWV高熵合金薄膜,呈纳米柱状晶形态,单相BCC结构。薄膜的V元素含量可通过控制添加V片的数量进行调节,使用射频磁控溅射技术,薄膜制备简便,成分易调控。
本发明的有益效果是:这种耐高温NbMoTaWV高熵合金薄膜可通过调整V元素含量来控制其性能的变化。射频磁控溅射法制备薄膜过程简易,获得的薄膜均匀致密、表面平整,薄膜成分易调控,从而可轻易调整硬度、电阻率等性能,拓宽了薄膜的应用领域,可应用于微电子器件、耐高温材料以及高硬耐磨等领域。
此外,该薄膜在以下两方面具有明显优势:首先在电学性能方面,电阻率稳定性很好,可在600℃下保持稳定;阻值变化范围大且可调节,可以针对不同应用材料调整其电阻率。其次在机械性能方面,难熔高熵合金膜在硬度、化学稳定性等方面性能优异。可应用在耐高温以及高硬耐磨等领域。
附图说明
图1是NbMoTaWV0.62高熵合金薄膜的电阻率-温度关系曲线。
图2是NbMoTaWV1.51高熵合金薄膜的电阻率-温度关系曲线。
图中:横坐标是温度,单位为K,纵坐标是电阻率,由图可知本发明制备的难熔高熵合金薄膜NbMoTaWV0.62和NbMoTaWV1.51均具有优异耐高温性能。
具体实施方式
下面结合技术方案详细叙述本发明的具体实施例。
实施例1:射频磁控溅射方法制备NbMoTaWV0.62薄膜
(一)制备合金溅射靶材
制备合金靶:按照Nb: Mo: Ta:W原子百分比1:1:1:1称取各金属组元质量熔炼成靶材,纯度为99.9%;将切好的Ф8mmV片均匀粘贴到所述四元靶材主溅射区制备成五元组合合金靶;
(二)制备耐高温NbMoTaWV高熵合金薄膜
清洗基片:选用单晶Si基片,依次经酒精、乙醇和去离子水超声清洗(各10分钟),然后将单晶硅片放入5%的氢氟酸溶液中腐蚀2~3分钟,再用去离子水冲洗干净,用N2吹干放入真空室;
磁控溅射制备薄膜:抽真空至3.0×10-4 Pa以下,充入高纯氩气至气压稳定,选用射频电源,工作气压为1.5Pa,溅射功率为100W,靶基距为8~12cm,起辉后,进行预溅射40min,预溅射完成后,进行正式溅射90min。溅射完毕后,设备冷却30min后可取出薄膜样品。
(三)分析
采用日本岛津公司的EPMA-1600电子探针分析仪测定薄膜成分,为NbMoTaWV0.62,膜厚由扫描电子显微镜截面分析得出,为480nm。硬度由MTS XP纳米压痕仪进行测试,为11.56Gpa。薄膜室温电阻率由四探针进行测试,为60.14。高温电阻率由两端法测定,如图1所示,其电阻率可在室温到600℃范围能保持恒定。
(四)应用
这种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜可用于微电子器件材料、耐高温材料以及高硬耐磨材料。
实施例2:磁控溅射方法制备NbMoTaW1.19V1.51薄膜
Claims (3)
2.根据权利要求1所述的一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜的制备方法,其特征是:采用的具体步骤如下:
(一)制备合金溅射靶材
选用纯度均不低于99.9%的纯金属组元制备高纯度合金靶材,用以下两种方式:一是将NbMoTaWV五种金属组元直接熔炼成合金靶,靶材金属组元的配比可调;二是制备组合靶,先将NbMoTaW四种组成元素熔炼成原子百分比为1:1:1:1的合金靶,再将V片粘贴在四元合金靶的主溅射区,制备成NbMoTaWV五元组合合金靶;
(二)制备耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜
清洗基片:选用单晶Si基片,依次经酒精、乙醇和去离子水超声清洗,各10分钟,然后将单晶硅片放入5%的氢氟酸溶液中腐蚀2~3分钟,再用去离子水冲洗干净,用N2吹干放入真空室;
磁控溅射制备薄膜:将真空抽至3.0×10-4Pa以下后开始工作,首先充入高纯氩气至气压稳定,随后设置相应设备参数:电源类型选用射频电源、工作气压为1.5Pa、溅射功率为100W,靶基距为8~12cm;设置完毕后起辉,设定溅射时间进行溅射;溅射完毕后,设备冷却30min后取出薄膜样品。
3.根据权利要求1所述的耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜的应用,其特征在于:所述薄膜用于微电子器件材料、耐高温材料以及高硬耐磨材料。
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