JP2014174459A - リフレクター、および、その製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】銀合金膜を反射膜として用いながら、高い耐硫化性と耐塩水性を兼ね備えたリフレクターを提供する。
【解決手段】基材１上に、銀合金からなる反射膜２と、接着層となる薄い金属層３と、保護膜６とを順に積層した構成である。保護膜６は、酸化珪素膜４と、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜５の積層構造である。酸化珪素膜４が接着層３により密着性よく反射膜１を覆うため、塩水の浸透を抑制して耐塩水性を向上させる。ＤＬＣ膜５は、硫黄をはじく作用により耐硫化性を向上させる。これにより、耐久性の高いリフレクターを提供できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、反射率の高い銀合金膜を用いたリフレクターに関し、特に、耐久性に優れたリフレクターに関する。

アルミニウム膜よりも反射率の高い銀膜または銀合金（銀マグネシウム、銀パラジウム、銀白金、銀ロジウム）膜を反射膜として用い、高い反射率を実現可能なリフレクターが、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１には、銀膜を耐熱性に優れた二酸化珪素またはＤＬＣ（Diamond Like Carbon）またはイットリウム等の酸化物からなるオーバーコート層で被覆し、銀膜が空気中等の酸素、水分、亜硫酸ガス等と反応して変色するのを防止することを提案している。銀膜とオーバーコート層との間には、フッ化マグネシウム等からなる中間層を配置し、オーバーコート層を形成する際に用いるプラズマによって銀膜が変色するのを防いでいる。

ＤＬＣは、グラファイト構造とダイヤモンド構造が混在したアモルファスカーボンであり、高硬度・高耐摩耗・低摩擦・高絶縁性・赤外透過性・高ガスバリア性・生体適合性等の特性を備えることが知られている（非特許文献１）。非特許文献１には、ＰＩＧ（Penning Ionization Gauge）タイプのプラズマガンを用い、プラズマＣＶＤ法により炭化水素系ガスを原料としてＤＬＣ膜を形成する方法等が開示されている。具体的には、ＰＩＧタイプのプラズマガンを用いて、プラズマ密度が１０^１１／ｃｍ^３台のプラズマを発生させ、アセチレン等の炭化水素ガス由来のイオンやラジカル等を生成して、基板に入射させている。基板には、正負電圧を所定の周波数で供給する。これにより、基板温度〜２５０℃の低温で、３μｍ／ｈ〜最大５．５μｍ／ｈの成膜レートでＤＬＣが成膜されることが開示されている。

特開２００１−１３３０９号公報

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.87, No.8 August 2011 548-555

銀や銀合金膜を反射膜として用いるリフレクターは、高い反射率が期待できるが、銀や銀合金（銀マグネシウム、銀パラジウム、銀白金、銀ロジウム）膜は、特許文献１のようにプラズマから銀膜を保護する中間層や、その上にオーバーコート層を配置したとしても耐久性が十分ではない。特に、自動車灯体用リフレクター等のように、高い耐硫化性および耐塩水性が要求される用途に銀や銀合金膜を反射膜として用いた場合、著しい反射率の低下を生じるため使用することが困難である。

また、ＤＬＣ膜を銀膜または銀合金膜の上に備えるリフレクターを製造する場合、従来の非特許文献１の製造方法では成膜速度が遅く（最大５．５μｍ／ｈ）、製造効率が悪い。

本発明の目的は、銀合金膜を反射膜として用いながら、高い耐硫化性と耐塩水性を兼ね備えたリフレクターを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明のリフレクターは、基材と、基材上に配置された銀合金からなる反射膜と、反射膜の上に配置された金属薄膜の接着層と、接着層の上に配置された保護膜とを有し、保護膜は、酸化珪素膜とＤＬＣ膜とを含む構成とする。

本発明のリフレクターは、酸化珪素膜が接着層により密着性よく反射膜を覆うため、塩水の浸透を抑制して耐塩水性を向上させる。ＤＬＣ膜は、硫黄をはじく作用により耐硫化性を向上させる。これにより、耐久性の高いリフレクターを提供できる。

実施形態のリフレクターの断面図。 実施形態の成膜装置のブロック図。 プラズマガンの具体的な構成を示すブロック図。

本発明の実施形態について図面を用いて説明する。

本実施形態のリフレクターの構造について説明する。図１は、本実施形態のリフレクターの断面図である。図１のように、本実施形態のリフレクターは、基材１上に、銀合金からなる反射膜２と、接着層となる薄い金属層３と、保護膜６とを順に積層した構成である。保護膜６は、酸化珪素膜４と、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜５の積層構造である。

基材１は、樹脂製や金属製等、リフレクターとして要求される耐熱性や耐久性を満たすものであれば所望の材質のものを用いることができる。例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）製の基材を用いることができる。基材１は、反射膜２の反射特性を向上させるため、表面が滑らかであることが望ましい。具体的には、表面は、鏡面であることが望ましい。

反射膜２は、純銀よりも耐硫化性および耐塩水性に優れた銀合金から成ることが望ましい。銀合金としては、例えば、Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金や、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｎｄ合金、Ａｇ−Ｍｇ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｒｈ合金を用いることができる。Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金の場合、その組成は、Ｂｉが0.85at％、Ｃｕが2.0at％、残部Ａｇであることが、耐硫化性および耐塩水性に優れているため好ましい。反射膜２の膜厚は、所望の反射率を得られる厚さであることが望ましく、例えば、反射率９０％以上のリフレクターである場合、反射膜２は、５０ｎｍ以上であることが望ましい。反射膜２は、スパッタ法や蒸着法等の所望の成膜方法によって形成することが可能である。

接着層となる薄い金属層３は、反射膜２と保護膜６との接着性を向上させるために配置されている。金属層３を構成する金属として、Ｔｉ、Ｃｒ等を用いることができる。金属層３の厚さは、反射膜２の反射率を低下させないために薄いことが望ましい。例えば、１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることが望ましく、特に、１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが望ましい。特に、Ｔｉからなる金属層３は、上記厚さの範囲であれば透明性が高く、かつ、銀合金製の反射膜２と酸化珪素膜４との密着性を向上させる性能が高いため望ましい。金属層３は、所望の成膜方法により形成することができる。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法により金属層３を形成することができる。

保護膜６を構成する酸化珪素膜４は、硬度が高く保護膜として作用し、リフレクターの耐久性を向上させる。また、金属層３と積層されることにより、反射膜２への密着性が向上し、塩水が反射膜２に浸透するのを抑制する作用を発揮する。酸化珪素膜４はＳｉＯ_２膜である場合、透明性が高いため望ましい。酸化珪素膜４の厚さは、透明性を確保し、かつ、塩水浸透抑制効果を発揮するために１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましく、特に、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが望ましい。酸化珪素膜４は、所望の成膜方法により形成することができる。例えば、ＲＦマグネトロンスパッタ法や、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）を原料としたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。

保護膜６を構成するＤＬＣ膜５は、グラファイト構造とダイヤモンド構造が混在したアモルファスカーボン（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon）からなる。ＤＬＣには、硫黄を弾く効果があり、ＤＬＣ膜５を備えることにより、反射膜２へ硫化物の到達が抑制される。よって、リフレクターの耐硫化性が向上する。また、ＤＬＣ膜５は、高硬度・高耐摩耗・高ガスバリア性もあり、リフレクターの耐久性を向上させる。ＤＬＣ膜５の厚さは、透明性を確保するために１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましく、特に、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが望ましい。ＤＬＣ膜５は、炭化水素系ガスを原料としたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。特に、ＣＨ_４を原料とした直流高密度プラズマＣＶＤ法により成膜する場合、成膜速度が速く製造効率を向上させることができる。直流高密度プラズマＣＶＤ法については、後で詳しく説明する。

このような積層構造の本実施形態のリフレクターは、ＤＬＣ膜５の作用により耐硫化性が高い。また、金属層３の作用により、酸化珪素膜４が反射膜２に密着するため、塩水浸透抑制効果も得られる。よって、反射膜２として銀合金を用いても、銀合金が硫黄や塩素イオンによって化学反応を生じたり、凝集を生じたりしにくく、銀合金の高い反射率を維持することができる。また、金属層３は、膜厚が薄いため、透過率が高く、酸化珪素膜４およびＤＬＣ膜５も透過率が高いため、反射膜２の上に、これらの膜を積層しても反射膜２の反射率を大きく低下させない。よって、銀合金の反射膜２の高い反射率を維持することができ、例えば９０％以上の反射率を長期間維持できる。

なお、保護膜６の酸化珪素膜４とＤＬＣ膜５の積層順を入れ替えることも可能である。この場合、ＤＬＣ膜５が金属層３に接触するが、金属層３はＤＬＣ膜５との密着性も高い。また、ＤＬＣ膜５と酸化珪素膜４との密着性も高いため、酸化珪素膜４とＤＬＣ膜５の積層順を入れ替えても塩水浸透抑制効果と硫化物を弾く効果を発揮することができる。よって、耐硫化性および耐塩水性が高く、銀合金からなる反射膜２の反射特性が低下しにくい、耐久性のよいリフレクターを提供することができる。

また、本発明では、ＤＬＣ膜５の成膜に図２の成膜装置を用いることにより、成膜速度を向上させることができる。この装置は、カソードからアノードに到達する間のプラズマを利用し、プラズマの電子密度が高いアノード近傍で成膜を行うことにより、成膜対象（基材）近傍のプラズマ密度を従来の非特許文献１の装置よりもひと桁高くすることができる。しかも、プラズマ中心に近い位置にフローティング電位で成膜対象（基材１）を配置することにより、成膜対象が強力にマイナスにバイアスされるようにする。これにより、大量のカーボンイオンを成膜対象に供給し、成膜速度を大きくする。

図２の成膜装置は、直流アーク放電高密度プラズマを用いるＣＶＤ成膜装置である。図２に示すように、この成膜装置は、成膜室１１とプラズマガン１００と排気ポンプ（不図示）とを備えている。プラズマガン１００は、成膜室１１の側面に設けられたプラズマ導入口２１に取り付けられている。成膜室１１内には、成膜対象の基材（ここでは基板）１０を支持する基板ホルダー１３と、原料ガス導入管１７と、プラズマガン１００のアノード５４が配置されている。アノード５４は、成膜室１１のプラズマ導入口２１と対向する位置に配置されている。

プラズマガン１００は、プラズマガン容器１０３と、カソード５１と、キャリアガス導入口１０２とを備えている。プラズマガン１００の一例としては、図３に示すように、筒状のプラズマガン容器１０３に、カソード５１、第１中間電極５２、第２中間電極５３をプラズマガン中心軸１０１に沿って順に配置したものを用いることができる。カソード５１、第１中間電極５２および第２中間電極５３は、不図示のガイシによって相互に絶縁されている。カソード５１は、アーク放電に適した公知のカソード構造である。図３の構造では、カソード５１にキャリアガス導入口１０２が備えられている。第１および第２中間電極５２、５３は、それぞれ中央に所定の径の貫通孔（オリフィス）５２ａ，５３ａを有している。この貫通孔５２ａ，５３ａが、プラズマガン容器１０３の圧力を成膜室１１よりも陽圧に維持し、圧力勾配を形成する。

また、図２のように、プラズマガン１００の外周、成膜室１１の中央部外周、および、アノード５４の近傍には、電磁コイル２２、２３、２４がプラズマガン中心軸１０１と同軸で配置されている。これら電磁コイル２２、２３、２４の形成する磁場によって、プラズマガン１００内および成膜室１１内でプラズマをプラズマガン中心軸１０１を中心に収束し、高密度化する。

成膜室１１のアノード５４の前には、成膜対象である基材１を保持するための基板ホルダー１３が配置されている。これにより、成膜室１１内でプラズマの電子密度がもっとも高いと思われるアノード近傍で、かつ、プラズマ中心軸（プラズマガン中心軸１０１）に近い位置に基材１を配置することができる。基材１は、フローティング電位である。すなわち、基材１には、電極等によりバイアス電圧を印加していない。なお、基板ホルダー１３の向きは、図３では、主平面をプラズマガン中心軸１０１にほぼ垂直に向けられているが、本発明はこの向きに限定されるものではなく、基板ホルダー１３の主平面を他の向きに配置することも可能である。

成膜室１１の基板ホルダー１３の下方には、原料ガス導入管１７が配置されている。

図２および図３の成膜装置を用いて、図１の層構成のリフレクターを製造する方法について説明する。

成膜対象である基材１は、形状が板状のものに限られず、所望の形状のものを用いる。また、基材１をヒーターで高温に加熱する必要はないため、樹脂製の基材１を用いることが可能である。基材１には、予め反射膜２、金属層３および酸化珪素膜４が積層されている。基材１は、図２の基板ホルダー１３に取り付けておく。

まず、プラズマガン１００の内部および成膜室１１内を所定の圧力まで排気する。プラズマガン１００にキャリアガスとしてＨｅガスを供給し、直流電源１６からカソード５１とアノード５４間に電圧を印加する。また、第１および第２の中間電極５２，５３には、ホーロー抵抗１２０，１２１を介して所定の電圧を直流電源１６から印加する。この電圧印加により、カソード５１にグロー放電を生じさせ、その後、アーク放電に移行させ、熱電子を放出させる。放出された熱電子は、貫通孔５２ａ、５３ａを通過して成膜室１１内の空間を進み、アノード５４へ到達する。これにより、プラズマガン中心軸１０１に沿って直流アーク放電プラズマ１０５を成膜室１１内に発生させることができる。

プラズマ１０５は、プラズマガン１００の外周、成膜室１１の中央外周、およびアノード近傍に配置された電磁コイル２２，２３，２４の形成する磁場によって、プラズマガン中心軸１０１に中心に収束され高密度化する。

また、このプラズマガン１００は、アノードを通り過ぎたプラズマを成膜室内に引き出す反射型ではなく、成膜室１１内のプラズマ導入口２１との対向面にアノード５４を配置し、カソード５１からアノード５４に到達するまでのプラズマを利用するため、電子密度を高くすることができる。具体的には、電子密度１０^１２／ｃｍ^３台、すなわち１×１０^１２／ｃｍ^３以上を達成することができる。

基材１は、成膜室１１内で最も電子密度が高いと思われるアノード近傍、かつ、プラズマ１０５の中心軸に近い位置に設置されているため、プラズマ１０５によって強力にマイナスにバイアスされる。原料ガス導入管１７から、炭化水素ガス（例えばＣＨ_４）を供給すると、高密度のプラズマ１０５によりカーボンイオンが大量に生成され、プラズマ１０５によって強力にマイナスにバイアスされた基材１に供給される。これにより、基材１上にＣＶＤ法によりアモルファスカーボン膜を大きな成膜速度で形成することができる。例えば、６〜２０μm／ｈの成膜速度でＤＬＣ膜５を基材１上に形成できる。形成したいＤＬＣ膜５の膜厚が３μmである場合、成膜時間は３０分以下である。

基材１は、ヒーターなどによる加熱は行わないが、プラズマにより１００℃程度以下に加熱されていると思われる。

このように、本実施形態の成膜装置では、成膜室１１内にアノード５４を配置し、カソード５１からアノード５４に到達するまでのプラズマを用いることにより、電子密度１０^１２／ｃｍ^３台のプラズマ１０５を生じさせることができる。電子密度が高いアノード近傍で、かつ、プラズマ中心に近い位置にフローティング電位で基板を配置することにより、基材１が強力にマイナスにバイアスされるため、大量のカーボンイオンを基材１に供給でき、アモルファスカーボン膜の成膜速度を大きくすることができる。この成膜方法により、大きな成膜速度でＤＬＣ膜を形成することができるという効果が得られる。

また、上述の成膜方法では、ＤＬＣ膜５のみを図２の成膜装置で成膜したが、反射膜２、金属層３および酸化珪素膜４のうちの１以上についても図２の成膜装置で成膜することが可能である。例えば、反射膜２および金属層３は、成膜装置１１内にこれらの膜の成膜材料が入れられた坩堝を配置し、坩堝をヒーターで加熱するか、もしくは、プラズマ１０５を坩堝内に引き込んで加熱し、成膜材料の蒸気を基材１上に堆積させることにより、蒸着法で成膜することができる。また、酸化珪素膜４は、原料ガス導入管１７からＨＭＤＳＯガスを導入し、プラズマ１０５を用いてプラズマＣＶＤ法により基材１上に成膜することができる。また、これらの成膜方法を用いることにより、図２の成膜装置を用いて反射膜２からＤＬＣ膜５までを連続成膜することも可能である。連続成膜を行うことにより、成膜室１１の真空を破ることなく、すべての膜の成膜を行うことができるため、成膜時間を短縮でき、製造効率が向上する。

以下、本発明の実施例について説明する。

実施例として、図１の層構成のリフレクターを製造した。まず、ポリカーボネート基材１上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｇ−Ｂｉ(0.85at%)−Ｃｕ(2.0at%)合金をターゲットとして、Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金の反射膜２を厚さ１２０ｎｍで成膜した。反射膜２の上に金属層３として、Ｔｉを厚さ１〜２ｎｍの厚さにＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜した。つぎに、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、酸化珪素（ＳｉＯ_２）膜４を金属層３の上に成膜した。最後に、図２の成膜装置を用いてＤＬＣ膜５をＣＨ_４を原料として直流高密度プラズマＣＶＤにより、厚さ３０ｎｍで成膜した。これにより、実施例のリフレクターを製造した。

また、比較例１として、ポリカーボネート基材１上に反射膜２のみを成膜したリフレクターを製造した。反射膜２の成膜方法は、上記実施例と同様である。

比較例２として、ポリカーボネート基材１上に反射膜２とＤＬＣ膜５のみをこの順に成膜したリフレクターを製造した。これらの膜の成膜方法は、上記実施例と同様である。

比較例３として、ポリカーボネート基材１上に反射膜２と酸化珪素（ＳｉＯ_２）膜４のみをこの順に成膜したリフレクターを製造した。これらの膜の成膜方法は、上記実施例と同様である。

比較例４として、ポリカーボネート基材１上に反射膜２と、金属層３と、酸化珪素（ＳｉＯ_２）膜４のみをこの順に成膜したリフレクターを製造した。これらの膜の成膜方法は、上記実施例と同様である。

比較例５として、ポリカーボネート基材１上に反射膜２と、酸化珪素（ＳｉＯ_２）膜４と、ＤＬＣ膜５のみをこの順に成膜したリフレクターを製造した。これらの膜の成膜方法は、上記実施例と同様である。

（硫化試験および塩水試験）
得られた実施例のリフレクタの試料と、比較例１〜５のリフレクタの試料に対して、硫化試験と塩水試験をそれぞれ行った。

硫化試験は、５ｗｔ％濃度の（ＮＨ_４）_２Ｓ_ｘ雰囲気に試料を２時間暴露する試験である。試験の前後の試料の反射率を測定し、波長５６０ｎｍの光に対する反射率低下の割合を求めた。

塩水試験は、５ｗｔ％濃度のＮａＣｌ水溶液に試料を４８時間浸漬する試験である。試験の前後の試料の反射率を測定し、波長５６０ｎｍの光に対する反射率低下の割合を求めた。

（評価結果）
硫化試験と塩水試験の結果を表１に示す。

(1)〜(5)は、それぞれ比較例１〜５の試料の試験結果であり、(6)は、実施例の試料の試験結果である。

表１において、試験の前後で、波長５６０ｎｍの光に対する反射率の低下が５％以下であるものを○、反射率の低下が５％より大きく１０％以下であるものを△、反射率の低下が１０％より大きいものを×で示している。

表１から明らかなように、比較例１の試料は、硫化試験の試料および塩水試験の試料ともに、反射率が１０％より低下し、×判定であった。Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金の反射膜２は、ＢｉおよびＣｕが反射膜の表面近傍に高い濃度で存在し、これらが酸化物となるため、純銀の反射膜と比較すると耐硫化性および耐塩水性が高いが、保護膜６がない状態では、自動車灯体用リフレクター等のように高い耐硫化性および耐塩水性が要求される用途には使用できないことがわかる。

比較例２の試料は、反射膜２の上にＤＬＣ膜５を備えているため、ＤＬＣ膜の硫黄を弾く作用により、硫化試験では反射率の低下が５％以内であり、○判定であった。しかし、塩水試験では、ＤＬＣ膜５に塩素イオンが浸透して反射膜２に到達したため、反射膜２の銀が凝集した。このため、反射率が大きく低下し、×判定であった。

比較例３の試料は、反射膜２の上に直接酸化珪素膜４を備えているが、硫化試験および塩水試験ともに反射率が低下して×判定であり、保護膜として機能を発揮できないことが確認された。特に、塩水試験では、酸化珪素膜４が剥がれ、反射膜２の銀が凝集し、反射率が大きく低下していた。

比較例４の試料は、反射膜２の上に金属層３を配置して、その上に酸化珪素膜４を配置しているため、金属層３の作用により、酸化珪素膜４が反射膜２に密着し、塩水の浸透が抑制され、塩水試験は△判定であった。ただし、酸化珪素膜４では耐硫化性が低いため、硫化試験は×判定であった。

比較例５の試料は、反射膜の上に、直接酸化珪素膜４を配置し、その上にＤＬＣ膜５を配置しており、ＤＬＣ膜５の硫黄を弾く作用により、硫化試験は○判定であった。しかしながら、金属層３を配置していないため、酸化珪素膜４と反射膜２との密着性が弱く、塩水試験では酸化珪素膜４が剥がれ、×判定であった。

これらに対し、実施例の試料は、Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金の自体の耐久性、金属層３を配置したことによる酸化珪素膜４と反射膜２との密着性の向上による塩水浸透抑制効果、ＤＬＣ膜５による硫黄を弾く効果が総合的に発揮され、硫化試験および塩水試験のいずれについても○判定であった。これにより、本発明の膜構成のリフレクターが耐硫化性および耐塩水性がいずれも高いことが確認された。

１…基材、２…反射膜、３…金属層、４…酸化珪素膜、５…ＤＬＣ膜、１１…成膜室、１３…基板ホルダー、１６…直流電源、１７…原料ガス導入管、２１…プラズマ導入口、２２、２３，２４…電磁コイル、５１…カソード、５２…第１中間電極、５３…第２中間電極、５４…アノード、１００…プラズマガン、１０１…プラズマガン中心軸、１０２…キャリアガス導入口、１０３…プラズマガン容器、１０５…プラズマ、１２０，１２１…ホーロー抵抗

Claims (10)

1. 基材と、前記基材上に配置された銀合金からなる反射膜と、前記反射膜の上に配置された金属薄膜の接着層と、前記接着層の上に配置された保護膜とを有し、
   前記保護膜は、酸化珪素膜と、ＤＬＣ膜とを含むことを特徴とするリフレクター。
2. 請求項１に記載のリフレクターであって、前記接着層は、Ｔｉ層であることを特徴とするリフレクター。
3. 請求項１または２に記載のリフレクターであって、前記銀合金は、Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ合金であることを特徴とするリフレクター。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリフレクターであって、前記保護膜は、前記接着層の上に、前記酸化珪素膜と前記ＤＬＣ膜とをこの順に積層した構成であることを特徴とするリフレクター。
5. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリフレクターであって、前記保護膜は、前記接着層の上に、前記ＤＬＣ膜と前記酸化珪素膜とをこの順に積層した構成であることを特徴とするリフレクター。
6. 基材と、前記基材上に配置された銀合金からなる反射膜と、前記反射膜の上に配置された金属薄膜の接着層と、前記接着層の上に配置された、酸化珪素膜とＤＬＣ膜とを含む保護膜とを備えたリフレクターの製造方法であって、
   前記ＤＬＣ膜は、
   プラズマガンのカソードとアノードの間であって、前記アノードの前記カソードと対向する面の前に前記基材を配置し、
   前記カソードから前記アノードに向かってプラズマを発生させ、前記プラズマにより前記基材をマイナスにバイアスし、前記プラズマに炭化水素ガスを供給することによりカーボンイオンを生成し、前記基材に堆積させることにより成膜する、
   ことを特徴とするリフレクターの製造方法。
7. 請求項６に記載のリフレクターの製造方法において、前記基材は、フローティング電位であることを特徴とするリフレクターの製造方法。
8. 請求項６または７に記載のリフレクターの製造方法において、前記プラズマは、最も密度が高い部分の電子密度が１×１０^１２／ｃｍ^３以上であることを特徴とするリフレクターの製造方法。
9. 請求項６ないし８のいずれか１項に記載のリフレクターの製造方法において、前記アノードと前記カソードとの間の中央部で、前記プラズマに収束磁場を印加することを特徴とするリフレクターの製造方法。
10. 請求項６ないし９のいずれか１項に記載のリフレクターの製造方法において、前記カソードと前記アノード間の放電電流は、１０Ａよりも大きいことを特徴とするリフレクターの製造方法。

Images