JPS6135401A - 反射鏡 - Google Patents
反射鏡Info
- Publication number
- JPS6135401A JPS6135401A JP15845484A JP15845484A JPS6135401A JP S6135401 A JPS6135401 A JP S6135401A JP 15845484 A JP15845484 A JP 15845484A JP 15845484 A JP15845484 A JP 15845484A JP S6135401 A JPS6135401 A JP S6135401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- tic
- mirror
- reflectivity
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0858—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising a single metallic layer with one or more dielectric layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
- B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0664—Carbonitrides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/0825—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only
- G02B5/0833—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only comprising inorganic materials only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ・ 産業上の利用分野
本発明はレーザプリンタに使用される走査鏡等の反射鏡
に関するものである０ 口・従来の技術 ］ンピュータの端末として用いられるレーザビームプリ
ンタは小型化の要求から、光源がＨｅ−Ｎｅレーザ管か
ら半導体レーザに変って来つつある。半導体レーザの発
振波長は７８０ｎｍであるから、半導体レーザを用いた
レーザビームプリンタでは走査鏡の反射性能も’７８０
ｎｍ付近で充分高いものが望まれる。
に関するものである０ 口・従来の技術 ］ンピュータの端末として用いられるレーザビームプリ
ンタは小型化の要求から、光源がＨｅ−Ｎｅレーザ管か
ら半導体レーザに変って来つつある。半導体レーザの発
振波長は７８０ｎｍであるから、半導体レーザを用いた
レーザビームプリンタでは走査鏡の反射性能も’７８０
ｎｍ付近で充分高いものが望まれる。
通常反射鏡にはＡＪが用いられる。ＡＪは反射率、耐久
性？製造の安定性等が全般的に優れている。反射率だけ
で比較するとＡｇの方がＡｌより優れているが、経時変
化が著るしい。所でＡＪ等の反射率の波長特性を第３図
に示す。この図でみると、Ａｌは半導体レーザの発振波
長付近で反射率が若干低下していることが判る。これを
長波長域で高い反射率（９８チ程度）を有するＡｕ、
ＣＵ等と比較すると、’ｉ’８０ｎｍ付近ではＡＩは
Ａｕ、Ｃｕ等よシ１５チ程度反射率が低い。他方光源と
してはなるべく低出力のものを用いる方が経済的である
から、光学系の光損失はなるべく少なくしだい。そのた
め走査鏡の反射率は極力向上を計る必要性がある。Ａｕ
、Ｃｕ並みの反射率を得るには、これらの金属を蒸着す
ればよいが、Ｃｕは酸化し易いため反射率の低下を来た
し、Ａｕは経時変化はないが蒸着したときの付着性が悪
く鏡面の清掃が困難である。増反対コートを施しても反
射率を高めることができるが、増反射章−トは薄膜の干
渉作用によって反射率を高めるものであるから、製造上
、膜厚の制御を完全に行うことが必要である。しかしレ
ーザビームプリンタの走査鏡にポリゴンミラーを用いる
場合、薄膜の蒸着王公 程では平面鏡の場合のような一軸倉転治具だけでは不充
分で、ポリゴンミラーを自転させる治具も必要であシ、
通常はプラネタリ治具とよばれる自公転治具を用いるが
、光学的薄膜の厚さを完全に制御することはきわめて困
難であり、製品の反射率のばらつきが大きくなると云う
問題があった。
性？製造の安定性等が全般的に優れている。反射率だけ
で比較するとＡｇの方がＡｌより優れているが、経時変
化が著るしい。所でＡＪ等の反射率の波長特性を第３図
に示す。この図でみると、Ａｌは半導体レーザの発振波
長付近で反射率が若干低下していることが判る。これを
長波長域で高い反射率（９８チ程度）を有するＡｕ、
ＣＵ等と比較すると、’ｉ’８０ｎｍ付近ではＡＩは
Ａｕ、Ｃｕ等よシ１５チ程度反射率が低い。他方光源と
してはなるべく低出力のものを用いる方が経済的である
から、光学系の光損失はなるべく少なくしだい。そのた
め走査鏡の反射率は極力向上を計る必要性がある。Ａｕ
、Ｃｕ並みの反射率を得るには、これらの金属を蒸着す
ればよいが、Ｃｕは酸化し易いため反射率の低下を来た
し、Ａｕは経時変化はないが蒸着したときの付着性が悪
く鏡面の清掃が困難である。増反対コートを施しても反
射率を高めることができるが、増反射章−トは薄膜の干
渉作用によって反射率を高めるものであるから、製造上
、膜厚の制御を完全に行うことが必要である。しかしレ
ーザビームプリンタの走査鏡にポリゴンミラーを用いる
場合、薄膜の蒸着王公 程では平面鏡の場合のような一軸倉転治具だけでは不充
分で、ポリゴンミラーを自転させる治具も必要であシ、
通常はプラネタリ治具とよばれる自公転治具を用いるが
、光学的薄膜の厚さを完全に制御することはきわめて困
難であり、製品の反射率のばらつきが大きくなると云う
問題があった。
この点Ａｕ、Ｃｕ等の金属膜の場合、金属としての高反
射率を利用するので成る膜厚以上であれば反射率は飽和
するから膜厚の制御管理は容易であるが・前述したよう
に経時変化２機械的強度等で問題があった。この点はＡ
ｕ、Ｃｕ等の蒸着面に誘電体の保護膜をコート干ること
で成る程度改善されるが、それでもＡｔ上の増反対コー
トを行ったものより耐久性の上では劣っている。また保
護膜自体透明層であるから干渉作用が起るため増反対コ
ートと同様の厚さ制御が必要である。
射率を利用するので成る膜厚以上であれば反射率は飽和
するから膜厚の制御管理は容易であるが・前述したよう
に経時変化２機械的強度等で問題があった。この点はＡ
ｕ、Ｃｕ等の蒸着面に誘電体の保護膜をコート干ること
で成る程度改善されるが、それでもＡｔ上の増反対コー
トを行ったものより耐久性の上では劣っている。また保
護膜自体透明層であるから干渉作用が起るため増反対コ
ートと同様の厚さ制御が必要である。
ハ・ 本発明が解決しようとする問題点本発明は７８０
ｎｍ付近で充分高い反射率を呈し、かつ高い耐久性を有
し、しかも製造の容易な反射鏡を得ようとするものであ
る０ 二１問題解決のだめの手段 本発明は第１図に示すように適宜の鏡面基板１上にＴｉ
Ｎ或はＴｉＮとＴｉＣの混合物の層２を形成し、ＴｉＮ
或はＴｊｊＣの混合物の長波長域における高反射率特性
を利用するものである０こ＼でＴｉＣを用いるのは、Ｔ
ｉＮだけでも相当高い反射率が得られるが、ＴｉＣを少
量加えることでより高い反射率が得られるからで、Ｔｉ
Ｃ単独で用いないのは、ＴｉＣ単独では近赤外での反射
率が高くないからである。
ｎｍ付近で充分高い反射率を呈し、かつ高い耐久性を有
し、しかも製造の容易な反射鏡を得ようとするものであ
る０ 二１問題解決のだめの手段 本発明は第１図に示すように適宜の鏡面基板１上にＴｉ
Ｎ或はＴｉＮとＴｉＣの混合物の層２を形成し、ＴｉＮ
或はＴｊｊＣの混合物の長波長域における高反射率特性
を利用するものである０こ＼でＴｉＣを用いるのは、Ｔ
ｉＮだけでも相当高い反射率が得られるが、ＴｉＣを少
量加えることでより高い反射率が得られるからで、Ｔｉ
Ｃ単独で用いないのは、ＴｉＣ単独では近赤外での反射
率が高くないからである。
札実施例
ＴｉＮ或はＴｉＮとＴｉＣの混合物層の形成はイオンブ
レーティング法或は反応性スパッタリング法による。イ
オンブレーティング法は真空中でＴ１を抵抗加熱或は電
子ビーム照射によって蒸発させ、直流電界或は高周波電
界による放電でイオン化し、予め真空槽内に導入しであ
るＮ２ガスと化学反応させて基板上にＴｉＮとして付着
させるものである。ＴｉＣの場合も同様の方法でＮ２の
Ｃ□Ｈス 代シに÷千す１ガスを用いる。反応性スパッタリングは
普通の陰極スパッタリングと同じ方法で、放電ガス中に
反応ガスを導入するものであシ、今の場合、Ｔｉをスパ
ッタリング電極とし、反応ガスとして、ＴｉＮの場合は
Ｎ２．ＴｉＣの場合はＣＨ４等を用いる。以下に一実施
例を示す。
レーティング法或は反応性スパッタリング法による。イ
オンブレーティング法は真空中でＴ１を抵抗加熱或は電
子ビーム照射によって蒸発させ、直流電界或は高周波電
界による放電でイオン化し、予め真空槽内に導入しであ
るＮ２ガスと化学反応させて基板上にＴｉＮとして付着
させるものである。ＴｉＣの場合も同様の方法でＮ２の
Ｃ□Ｈス 代シに÷千す１ガスを用いる。反応性スパッタリングは
普通の陰極スパッタリングと同じ方法で、放電ガス中に
反応ガスを導入するものであシ、今の場合、Ｔｉをスパ
ッタリング電極とし、反応ガスとして、ＴｉＮの場合は
Ｎ２．ＴｉＣの場合はＣＨ４等を用いる。以下に一実施
例を示す。
この実施例はイオンブレーティング法によるもので、イ
オンブレーティングの装置の概要を第４図に示す。３は
真空容器であり、４が基板１を下面に保持する試料取付
台であシ、外部からモータ内 駆動によシ水平面りで回転せしめられるようになってい
る。５が駆動用モータである。６がＴ１の蒸発源のルツ
ボで、電子銃７からの電子ビームの衝撃により加熱する
ようになっている。電子銃７の出力は２．４４Ｗで、加
速電圧８ＫＶ、電子線電流３００ｍＡとした。８はイオ
ン化電圧篭源で、ルツボ６とイオン化電極９との間を４
電位勾配は３０ Ｖ ／ ｃｍ程度が適当であった。１
０はガス導入系でアシ、１１は基板１とＴｉ源との間に
印加する基板１側を負とするイオン加速電圧の電圧源で
＝４− ある。
オンブレーティングの装置の概要を第４図に示す。３は
真空容器であり、４が基板１を下面に保持する試料取付
台であシ、外部からモータ内 駆動によシ水平面りで回転せしめられるようになってい
る。５が駆動用モータである。６がＴ１の蒸発源のルツ
ボで、電子銃７からの電子ビームの衝撃により加熱する
ようになっている。電子銃７の出力は２．４４Ｗで、加
速電圧８ＫＶ、電子線電流３００ｍＡとした。８はイオ
ン化電圧篭源で、ルツボ６とイオン化電極９との間を４
電位勾配は３０ Ｖ ／ ｃｍ程度が適当であった。１
０はガス導入系でアシ、１１は基板１とＴｉ源との間に
印加する基板１側を負とするイオン加速電圧の電圧源で
＝４− ある。
基板としてステンレスを用いた。真空槽内をま積比であ
る。ステンレスの基板には一２００■の電圧を与える。
る。ステンレスの基板には一２００■の電圧を与える。
上記の方法で作成したＴｉＮ＋ＴｉＣ混合物の反射特性
を第２図に示す。同図にはＡＩ単独、ＡＩに増反対コー
トを施したものの反射特性も併せて示しである。本発明
による鏡の反射率は７日。
を第２図に示す。同図にはＡＩ単独、ＡＩに増反対コー
トを施したものの反射特性も併せて示しである。本発明
による鏡の反射率は７日。
ｎ’ｍ付近で９０〜９５％でありＡｌに増反対コートを
施したものと同等或はそれ以上の反射率を示している。
施したものと同等或はそれ以上の反射率を示している。
上の実施例では基板としてステンレスを用いているが、
レーザビームプリンタの走査鏡基材としてはステンレス
の他ＡＩ、ガラス等が用いられるが、これらの基材に対
してもイオンブレーティングは容易に行うことができる
０なお反射層はＴ１ＮとＴｉＣの積層構造としてもよい
。
レーザビームプリンタの走査鏡基材としてはステンレス
の他ＡＩ、ガラス等が用いられるが、これらの基材に対
してもイオンブレーティングは容易に行うことができる
０なお反射層はＴ１ＮとＴｉＣの積層構造としてもよい
。
へ、効果
本発明による反射鏡は上述したように長波長域で高い反
射率を示して半導体レーザを用いたレーザビームプリン
タの走査鏡として特に好適であり、反射膜の構成も単層
であシ、かつ干渉利用の増反対コートと異り膜厚を厳密
に調整する必要がないから膜厚制御も容易である。また
形成される膜は硬質クロムメッキと同等或はそれ以上の
硬度を有するもので、清掃に対する不安はなく経時変化
も勿論なく、耐久性は甚だ優れている。
射率を示して半導体レーザを用いたレーザビームプリン
タの走査鏡として特に好適であり、反射膜の構成も単層
であシ、かつ干渉利用の増反対コートと異り膜厚を厳密
に調整する必要がないから膜厚制御も容易である。また
形成される膜は硬質クロムメッキと同等或はそれ以上の
硬度を有するもので、清掃に対する不安はなく経時変化
も勿論なく、耐久性は甚だ優れている。
第１図は本発明に係る反射鏡の断面図、第２図は本発明
の一実施例の鏡の反射特性を示すグラフ、第３図はに’
ｌ、Ａｕ、Ｃｕの反射特性を示すグラフ、第４図は本発
明を実施するイオンブレーティング装置の概要を示す側
面図である。 １・・・基板、２・・・ＴｉＮ或はＴ ｉ Ｎ、４Ｔ
ｉ Ｃ今混合吻尋層。 代理人 弁理士 縣 浩 介 味
の一実施例の鏡の反射特性を示すグラフ、第３図はに’
ｌ、Ａｕ、Ｃｕの反射特性を示すグラフ、第４図は本発
明を実施するイオンブレーティング装置の概要を示す側
面図である。 １・・・基板、２・・・ＴｉＮ或はＴ ｉ Ｎ、４Ｔ
ｉ Ｃ今混合吻尋層。 代理人 弁理士 縣 浩 介 味
Claims (1)
- 基板上にＴｉＮ或はＴｉＮとＴｉＣの混合層を形成した
ことを特徴とする反射鏡。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15845484A JPS6135401A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 反射鏡 |
| US06/759,603 US4753504A (en) | 1984-07-27 | 1985-07-26 | Mirror structure for laser printer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15845484A JPS6135401A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135401A true JPS6135401A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15672102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15845484A Pending JPS6135401A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 反射鏡 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4753504A (ja) |
| JP (1) | JPS6135401A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219004A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Canon Inc | 多層膜反射鏡 |
| FR2679064A1 (fr) * | 1991-07-10 | 1993-01-15 | Philips Electronique Lab | Dispositif a neutrons incluant un miroir multicouches. |
| JP2011150039A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | ストロボ装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07104304B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1995-11-13 | 大阪酸素工業株式会社 | ガス中の微量水分量測定装置 |
| US5126873A (en) * | 1991-06-18 | 1992-06-30 | Xerox Corporation | Reflective surface coating for a uniform intensity of a polarized beam of a rotating polygon mirror optical scanning system |
| US5355244A (en) * | 1991-09-18 | 1994-10-11 | Ricoh Company Ltd. | Optical scanner for reducing shading |
| EP0550896A1 (en) * | 1992-01-10 | 1993-07-14 | Eastman Kodak Company | Uniform reflectance optical mirror |
| US5837362A (en) * | 1995-11-21 | 1998-11-17 | O'connell; Lawrence E. | Mirror with scratch resistant surface |
| JP3495951B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 走査光学装置及び画像形成装置 |
| JP2001075026A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Seikoh Giken Co Ltd | 反射ミラー形光ファイバスイッチ |
| US6749309B1 (en) * | 2001-09-27 | 2004-06-15 | Gsi Lumonics Corporation | Optical element for scanning system and method of manufacture thereof |
| DE102008025583A1 (de) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Tesa Ag | Pigmentschicht und Verfahren zur dauerhaften Beschriftung eines Substrats mittels energiereicher Strahlung |
| PL2078614T3 (pl) | 2008-01-11 | 2014-10-31 | Tesa Se | Warstwa pigmentowa i metoda trwałego znakowania substratu za pomocą promieniowania wysokoenergetycznego |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2962388A (en) * | 1954-03-12 | 1960-11-29 | Metallgesellschaft Ag | Process for the production of titanium carbide coatings |
| US3979500A (en) * | 1973-05-02 | 1976-09-07 | Ppg Industries, Inc. | Preparation of finely-divided refractory powders of groups III-V metal borides, carbides, nitrides, silicides and sulfides |
| US3959557A (en) * | 1974-11-04 | 1976-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Wear-resistant, nonabrading tic article and process for making |
| JPS5833101B2 (ja) * | 1978-11-13 | 1983-07-18 | 横浜機工株式会社 | 耐熱性反射板 |
| JPS5754914A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-01 | Canon Inc | Plural beam scanning optical system having variable magnification function |
| US4355859A (en) * | 1980-09-29 | 1982-10-26 | Xerox Corporation | Field replaceable laser apparatus for raster scanner |
| NL8301824A (nl) * | 1983-05-24 | 1984-12-17 | Philips Nv | Optisch element bestaande uit een doorzichtig substraat en een antireflectieve bekleding voor het golflengtegebied in het nabije infrarood. |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15845484A patent/JPS6135401A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-26 US US06/759,603 patent/US4753504A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219004A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Canon Inc | 多層膜反射鏡 |
| FR2679064A1 (fr) * | 1991-07-10 | 1993-01-15 | Philips Electronique Lab | Dispositif a neutrons incluant un miroir multicouches. |
| JP2011150039A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | ストロボ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4753504A (en) | 1988-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6210542B1 (en) | Process for producing thin film, thin film and optical instrument including the same | |
| JP2929779B2 (ja) | 炭素被膜付撥水ガラス | |
| US7041391B2 (en) | Method for forming thin films | |
| JPS6135401A (ja) | 反射鏡 | |
| US6130002A (en) | Process for producing organically modified oxide, oxynitride or nitride layers by vacuum deposition | |
| JP3846641B2 (ja) | 光導波路製造方法 | |
| US4963394A (en) | Method for producing thin metal films by vapor-deposition | |
| JPH0685004B2 (ja) | 高耐久性赤外反射鏡 | |
| WO1982004158A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique | |
| JPH0152470B2 (ja) | ||
| US5604620A (en) | Light deflector | |
| JP3332271B2 (ja) | 反射鏡及びその製造方法 | |
| JPH07216543A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH0812373A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH0314906B2 (ja) | ||
| RU2025749C1 (ru) | Зеркало и способ формирования его защитного покрытия | |
| JPS5969658A (ja) | 真空メツキ法による太陽エネルギ−の選択吸収膜の形成方法 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JPS6149387B2 (ja) | ||
| JPH0444812B2 (ja) | ||
| JP3362877B2 (ja) | 平滑薄膜の形成方法 | |
| JPH01177361A (ja) | アルミニウム光反射膜の製造方法 | |
| JP2921853B2 (ja) | 保護層を有する銀部材の製造方法 | |
| JPH06265701A (ja) | 光学的構成要素、そのための膜及び成膜方法 | |
| JPH06116711A (ja) | アルミナ膜の製膜方法 |