JP5506275B2 - 熱線遮蔽フィルム - Google Patents

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本発明は、熱線遮蔽フィルムに関し、特に、基材として合成樹脂フィルムを用いた場合にも、ガラス基材と同等の熱線遮蔽性能を有する熱線遮蔽フィルムに関する。
従来からガラスには、多様な要望と共に、多種多様な機能が付加されている。このような機能として例えば、熱線遮蔽機能や、防汚機能、飛散防止機能などがある。ガラスに熱線遮蔽機能や、防汚機能を付与するためには、それぞれ必要とされる機能を有する薄膜をガラスに直接形成することが行われている。
一方、飛散防止機能を付加するために、合成樹脂フィルムを貼着することが行われている(特許文献1)。
また、飛散防止機能と共に、熱線遮蔽機能や防汚機能を付与することも行われている。(特許文献2、特許文献3)
特開2000−79660号公報(特許請求の範囲、段落番号0002) 特開2008−20525号公報(段落番号0023) 特開2000−94584号公報(従来の技術)
しかし、このような合成樹脂フィルムに熱線遮蔽機能や防汚機能を有する薄膜を形成する場合、ガラスに直接、薄膜を形成した場合と比べて、熱線遮蔽機能や防汚機能が劣るといった問題がある。
そこで、本発明では、ガラスに成膜した場合と同等の熱線遮蔽性や、防汚性を有する熱線遮蔽フィルムを提供することを目的とする。
上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、基材を合成樹脂フィルムとした場合には、各機能性薄膜の成膜に必要とされる400℃以上の高温処理を行うことができないため、ガラスを基材とした場合に比べて、薄膜の結晶密度が低くなり、熱線遮蔽性や防汚性が低下していることを見出し、これを解決するに至った。
即ち、本発明の熱線遮蔽フィルムは、合成樹脂フィルム上に、熱線反射膜を有してなり、前記熱線反射膜の表面に、プラズマ照射、イオン浄化、電子照射、レーザー照射、加熱のいずれかの方法を行った後、前記熱線反射膜上に、成膜圧力1×10 -2 〜5(Pa)、スパッタ電力10〜80(w)とした高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜を有してなり、前記高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜の密度は、バルク金属の密度を1とした場合に、0.8以上であることを特徴とするものである。
前記高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜上に、保護膜及び/又は防汚膜を有することを特徴とするものである。
そして、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜が、酸化チタン、酸窒化チタン、窒化チタン、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれることを特徴とするものである。
本発明の熱線遮蔽フィルムは、ガラスに成膜した場合と同等の熱線遮蔽性、防汚性を有するものとすることができる。
一般的な熱線遮蔽フィルムの一実施形態を示す断面図 本発明の熱線遮蔽フィルムの一実施形態を示す断面図 本発明の熱線遮蔽フィルムの他の実施形態を示す断面図 本発明の熱線遮蔽フィルムの他の実施形態を示す断面図
本発明の熱線遮蔽フィルムの実施の形態について説明する。本発明の熱線遮蔽フィルムは、合成樹脂フィルム上に、熱線反射膜を有してなり、前記熱線反射膜上に、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜を有してなることを特徴とするものである。
一般的な熱線遮蔽フィルムの構成を、図1を参照し、説明する。熱線遮蔽フィルムは、合成樹脂フィルム1上に、誘電体膜2(A)、熱線反射膜3、誘電体膜2(B)がこの順に設けられている。また、熱線反射膜3を保護する目的で、誘電体膜2(B)側に保護膜4が設けられる場合もある。
本発明の熱線遮蔽フィルムとしては、例えば、図2のように合成樹脂フィルム1上に、誘電体膜2(A)、熱線反射膜3、誘電体膜2(B)、保護膜4、防汚膜5が設けられており、誘電体膜2(B)、保護膜4、防汚膜5の少なくともいずれか一つの膜を、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とした構成とすることができる。
また、例えば図3のように、合成樹脂フィルム1上に、誘電体膜2(A)、熱線反射膜3、誘電体膜2(B)がこの順に設けられ、保護膜と防汚膜とを兼ねた膜として高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜6が設けられた構成とすることも可能である。
さらに、図4のように、合成樹脂フィルム1、誘電体膜2(A)、熱線反射膜3がこの順に設けられ、熱線反射膜3上に、誘電体膜2(B)、保護膜、防汚膜とを兼ねた膜として高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜6が設けられた構成とすることも可能である。
基材として用いられる合成樹脂フィルムとしては、ポリエステル、ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン)、ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィン、セルロース樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミド、塩化ビニル系樹脂、フッ素樹脂などの合成樹脂フィルムなどがあげられる。その中でも平面性に優れるものが好適に用いられ、特に延伸加工、二軸延伸加工されたポリエステルフィルムが機械的強度、寸法安定性に優れ、さらに腰が強いため好ましい。また、耐候性の点から、アクリル樹脂基材、フッ素樹脂基材を用いることが好ましい。厚みは、10〜400μm程度が好ましく、飛散防止性を考慮すると、50μm以上が好ましい。
次に、熱線反射膜には、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、錫などの金属やその合金を用いることができ、なかでも、可視光線の吸収がほとんどない銀やその合金を用いた薄膜とすることが好ましい。また、このような熱線反射膜は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法などの気相成長法のほか、メッキ法などを用いて成膜することができる。
また、熱線反射膜は、高密度薄膜とすることが、可視光領域の透明性を向上させることや、赤外領域の反射性を向上させることができるため好ましい。このような高密度薄膜を成膜する方法としては、基板上に堆積した原子、分子が基板上または堆積膜内で移動し最密構造にする方法や、堆積する原子、分子に仕掛けを施し堆積後基板上または膜内で自発的移動し最密構造化する方法、これら方法が複合化された方法などがある。例えば、高温処理することなく、低温条件で、このような高密度薄膜を成膜する方法としては、波長を選択したレーザーにより堆積表面だけを局所的に加熱することにより基板フィルムに熱ダメージを与えることなく膜の高密度化を行う方法や、多光子吸収を利用するフェムト秒レーザーを用いる方法、堆積原子、分子に大きな運動エネルギーを与える方法として、高磁場マグネトロンスパッタ等により0.1〜0.01Paの高真空アルゴン中でのスパッタ成膜をする方法、堆積する基板そのものに負のバイアスを印加しプラズマ中に存在するアルゴン正イオンによるイオン衝撃を用いるバイアススパッタ成膜法、基板に数百〜1000ボルトの負のバイアスを印加し、正に真空蒸着の蒸発源直上にバイアスコイルを設置し直流または高周波電圧を印加しプラズマ放電させその中を蒸発原子、分子が通過する際に3〜5%のイオン化した原子、分子を加速堆積させ膜面に大きなエネルギーを導入して局所発熱させる方法などがある。また、熱線反射膜を成膜前に、プラズマ照射、ラジカル照射、イオン浄化、電子照射、レーザー照射、過熱などにより、合成樹脂フィルムまたは、誘電体膜(A)の表面を清浄化し、成膜圧力が1×10-2〜10(Pa)とし、スパッタ電力が10〜80(w)とすることで、薄膜の結晶化密度を向上させる方法を用いることができる。
なお、本発明の高密度薄膜は、バルク金属と同等の密度を有する金属薄膜を意味する。高密度薄膜の密度は、バルク金属の密度を1とした場合、0.8以上であることが好ましい。銀薄膜を例にすると、一般的にスパッタなどで成膜された銀薄膜は、バルク銀(10.5g/cm3)より密度の低い薄膜(7.4g/cm3程度)となるが、本発明に用いられる高密度銀薄膜の密度は、8.4〜10.0g/cm3程度である。このような金属薄膜の密度は、X線の反射(XRD測定)からシュミレーションにより算出する方法や、金属薄膜の重量測定と形状膜厚から密度を算出する方法などで確認することもできる。
このように熱線反射膜を高密度薄膜とすることにより、赤外領域での反射性を向上させつつ、可視光領域の透過性とを両立させることができる。特に、銀の場合には、高密度薄膜とすることによって、通常の銀薄膜に比べ、大気中の水や、酸素、硫黄、塩素などの成分による腐食を抑えることができる。
このような熱線反射膜の厚みは、赤外領域の反射性と可視光領域の透過性とのバランスにより一概にいえないが、5〜20nmが好ましい。なお、高密度薄膜とすることによって、高密度でない通常の薄膜と同等の厚みの場合には、可視光領域の透過性を低下させないで、赤外領域の反射性を向上させることができる。また、可視光領域の透過性や、赤外領域の反射性が同等の場合には、高密度薄膜とすることによって厚みを薄くすることができる。
誘電体膜(A)、(B)には、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ケイ素、酸化インジウム、酸窒化チタン、窒化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素などの金属酸化物や金属窒化物を用いることができる。また、このような誘電体膜は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法などの気相成長法のほか、ゾル−ゲル法などの塗布法を用いて成膜することができる。
また、誘電体膜(B)は、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることが、熱線反射膜の劣化を防止できることや、透明性を向上させることができるため好ましい。高温処理することなく、低温条件で、誘電体膜(B)を高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とするには、熱線反射膜の高密度化の場合と同様にすることで可能である。また、成膜雰囲気をAr+酸素や、Ar+水を導入しながら成膜し、必要に応じて、200℃程度の熱処理をする方法により高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜を成膜することもできる。また、このほかにも、Bi等を0.01〜0.6重量%添加することにより高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜を成膜することができる。
このように誘電体膜(B)を、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることで、後述する保護層を設けることなく、熱線反射膜を大気中の水や、酸素、硫黄、塩素から保護することができる。また、誘電体膜(B)は、防汚性を有する高密度金属酸化物膜とすることにより、後述する保護膜、防汚膜の機能を兼ね備えた誘電体膜(B)とすることもできる。
このような誘電体膜の厚みは、熱線反射膜の設計により一概にいえないが、10〜50nmが好ましい。なお、誘電体膜を、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とする場合には、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜としない場合と比べ、屈折率の高いものとすることできる。また、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることによって、膜厚を薄くし可視光透過率、生産性を向上させることができる。
保護膜は、酸化チタン、酸窒化チタン、窒化チタン、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素などからなる金属酸化物や金属窒化物膜である。このような保護膜は、誘電体膜と同様に成膜することができる。このような保護膜の厚みは、20nm以上が好ましい。
保護膜は、熱線反射膜を大気中の水や、酸素、硫黄、塩素から、通常の金属酸化物膜及び/又は金属窒化物膜より保護するためのものである。この保護膜により、熱線反射膜の劣化による透明性の低下、熱線反射性の低下を防止することができる。
保護膜を高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とした場合には、熱線反射膜を大気中の水や、酸素、硫黄、塩素から、通常の金属酸化物膜及び/又は金属窒化物膜より保護することができるため、今まで熱線反射膜の劣化により使用することができなかった、室外用途の熱線遮蔽フィルムとして使用することができる。また、保護膜を高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とする場合は、保護膜を高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜としない場合と比べ、保護膜の厚みを薄くすることができる。さらに、後述する防汚膜を、ゾル−ゲル法などの塗布法を用いて成膜する場合に、塗布溶剤による熱線反射膜の劣化を防止することができる。
また、保護膜は、防汚性を有する高密度金属酸化物膜とすることにより、後述する防汚膜の機能を兼ね備えた保護膜とすることもできる。
防汚膜は、例えば、光の照射によって、超親水作用や強い酸化作用を発現し、防汚膜に付着し難くすることや、防汚膜に付着した有機物を分解することで防汚性を発揮する膜である。
防汚膜には、酸化チタン、酸化タングステンなどの防汚性を有する金属酸化物を用いることができる。これらの中で、特に、酸化チタンが取り扱い性に優れているため、好ましい。このような金属酸化物膜は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法などの気相成長法のほか、ゾル−ゲル法などの塗布法を用いて成膜することができる。
また、防汚膜は、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることが好ましい。このような高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることにより、結晶性が高くなり、高い防汚性を付与することができる。このような高密度酸化物膜は、上述の誘電体膜と同様に成膜することで成膜することができる。
このような防汚膜の厚みは、気相成長法を用いた場合には、10〜50nm、より好ましくは、20〜40nmであり、塗布法を用いた場合には、4〜50nmが好ましい
また、熱線遮蔽フィルムの合成樹脂フィルムの他方の面には、粘着層を設けることが好ましい。このような粘着層を設けることによって、被着体へ容易に貼着することができる。
このような粘着層としては、一般に使用されるアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤などの公知の透明粘着剤が使用できる。本発明の熱線遮蔽フィルムは、透明性が必要な用途が多いことから、粘着剤も透明でそれ自体高い耐候性を有していることが望ましい。このような粘着剤としては、ウレタン架橋性またはエポキシ架橋性の高分子量のアクリル系の粘着剤が適している。また、帯電防止などの性能を持つ粘着剤を使用しても良い。
粘着層の厚みとしては、透明性を阻害せず、適度な粘着性が得られるよう、下限として0.5〜30μm以上、好ましくは1〜15μmの範囲が望ましい。また、粘着層には、表面に離型処理を施した離型フィルムを貼り合わせることも適宜行うことができる。
以上のように本実施形態によれば、熱線反射膜上の、誘電体膜(B)、保護膜、防汚膜の少なくともいずれか一つの膜を、高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜とすることにより、ガラスに成膜した場合と同等の熱線遮蔽性、透明性、耐候性、防汚性を有するものとすることができる。
また、熱線反射膜上に、防汚性を有する高密度金属酸化物膜を成膜することにより、誘電体膜(B)、保護層、防汚膜とを兼ね備えた膜とすることができ、多層化による透明性の低下を防止することができる。また、工程の短縮、コストの削減を図ることができる。
以下、実施例により本発明を更に説明する。なお、「部」、「%」は特に示さない限り、重量基準とする。
[実施例1]
[誘電体膜(A)の成膜]
基板ホルダーにポリエチレンテレフタレートフィルムをセットし、1.1Paになるまでアルゴンガスを、バリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入した。その後、RF電源からマッチングボックスを通して、TiOターゲットに高周波電力(450W)を投入し、誘電体膜(A)を、成膜した。誘電体膜(A)の厚みは、30nmであった。また、誘電体膜(A)をXRD測定した結果、密度は、2.9g/cm3であった。なお、バルク酸化チタンの密度は、4.2g/cm3であった。
誘電体膜(A)のスパッタリング処理条件
ターゲット:TiO2
導入ガス:アルゴン
成膜圧力:1.1Pa
[熱線反射膜の成膜]
成膜に先立ち誘電体膜(A)表面をプラズマにさらしイオンや電子による表面吸着汚染層の除去による洗浄を行った後、基板ホルダーに誘電体膜(A)まで積層された基材をセットし、5Paになるまでアルゴンガスを、バリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入した。その後、RF電源からマッチングボックスを通して、Agターゲットに高周波電力(40W)を投入し、成膜し、熱線反射膜として、高密度銀薄膜を形成した。高密度銀薄膜の厚みは、10nmであった。また、高密度銀薄膜をXRD測定した結果、密度は、8.9g/cm3であった。なお、バルク銀の密度は、バルク銀10.5g/cm3であった。
プラズマ処理条件
導入ガス:アルゴン
処理時間:2分
高密度銀薄膜のスパッタリング処理条件
ターゲット:Ag
導入ガス:アルゴン
成膜圧力:5Pa
スパッタ電力:40W
基板−ターゲット間距離:12cm
さらに、高密度銀薄膜上に、誘電体膜(B)を、誘電体膜(A)と同様にして形成した。
[保護膜兼、防汚膜の成膜]
次に、基板ホルダーに誘電体膜(B)まで積層された基材をセットし、真空排気口を介して1.33×10-3Paまでチェンバ本体内を真空排気する。次に、水タンクからの水を真空度が2.0×10-1Paになるまで、バリアブルリークバルブを介し、チェンバ本体内に導入する。さらに、トータルとして4×10-1Paになるまでアルゴンガスをバリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入する。その後、RF電源からマッチングボックスを通して、TiOターゲットに高周波電力を投入し、成膜する。次に、200℃で熱処理を行い、結晶化を促進し、高密度酸化チタン膜が設けられた熱線遮蔽フィルムを得た。高密度酸化チタン薄膜の厚みは、20nmであった。また、高密度酸化チタン薄膜をXRD測定した結果、密度は、3.6g/cm3であった。なお、バルク酸化チタンの密度は、4.2g/cm3であった。
高密度酸化チタン薄膜のスパッタリング条件
ターゲット:TiO2
導入ガス:アルゴン+50%H2
成膜圧力:4×10-1Pa
スパッタ電力:250W
[実施例2]
実施例1の誘電体膜(B)を設けない以外は、実施例1と同様にして、実施例2の熱線遮蔽フィルムを得た。
[実施例3]
実施例1の防汚膜の代わりに、下記防汚膜に代えた以外は、実施例1と同様にして実施例3の熱線遮蔽フィルムを得た。
[保護膜兼、防汚膜の成膜]
真空槽内に、誘電体膜(B)まで積層された基材をセットし、電子ビームのエミッション電流を180mA、加速電圧を6kV、酸素ガス分圧を4×10-2Paとし、基板温度を200℃に調整しながら、成膜し、高密度酸化チタン膜が設けられた熱線遮蔽フィルムを得た。高密度酸化チタン薄膜の厚みは、35nmであった。また、高密度酸化チタン薄膜をXRD測定した結果、密度は、3.4g/cm3であった。
高密度酸化チタン薄膜の真空蒸着条件
ターゲット:TiO2
酸素ガス分圧:4×10-2Pa
エミッション電流:180mA
加速電圧:6kV
[比較例1]
実施例1の熱線反射膜を、下記の熱線反射膜に代え、誘電体膜(B)上に、保護膜兼、防汚膜を設けなかった以外は、実施例1と同様にして比較例1の熱線遮蔽フィルムを得た。
[熱線反射膜の成膜]
基板ホルダーに、誘電体膜(A)まで積層された基材をセットし、1Paになるまでアルゴンガスを、バリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入した。その後、DC電源からマッチングボックスを通して、Agターゲットに高周波電力(400W)を投入し、銀薄膜を成膜した。銀薄膜の厚みは、10nmであった。また、銀薄膜をXRD測定した結果、密度は、7.4g/cm3であった。
銀薄膜のスパッタリング処理条件
ターゲット:Ag
導入ガス:アルゴン
成膜圧力:6.67Pa
スパッタ電力:400W
基板−ターゲット間距離:10cm
[参考例1]
実施例1のポリエチレンテレフタレートに代えてフロートガラス板を用い、さらに熱線反射膜と防汚膜を、下記の熱線反射膜、防汚膜に代えた以外は、実施例1と同様にして参考例1の熱線遮蔽ガラスを得た。
[熱線反射膜の成膜]
基板ホルダーに、厚さ3mmのフロートガラス板に誘電体膜(A)まで積層された基材をセットし、1Paになるまでアルゴンガスを、バリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入した。その後、DC電源からマッチングボックスを通して、Agターゲットに高周波電力(40W)を投入し、成膜した後、銀薄膜を成膜した透明基板を雰囲気温度500℃の恒温炉で5分間加熱したのち、炉外に取り出し放冷することにより、熱線反射膜として、銀薄膜を形成した。高密度銀薄膜の厚みは、15nmであった。また、高密度銀薄膜をXRD測定した結果、密度は、8.9g/cm3であった。
高密度銀薄膜のスパッタリング処理条件
ターゲット:Ag
導入ガス:アルゴン
成膜圧力:5Pa
スパッタ電力:40W
基板−ターゲット間距離:12cm
[保護膜兼、防汚膜の成膜]
基板ホルダーに誘電体膜(B)まで積層された基材をセットし、真空排気口を介して1.33×10-3Paまでチェンバ本体内を真空排気する。トータルとして4×10-1Paになるまでアルゴンガスを、バリアブルリークバルブを介してチェンバ本体内に導入する。その後、RF電源からマッチングボックスを通して、TiOターゲットに高周波電力を投入し、成膜する。次に、500℃で熱処理を行い、結晶化を促進し、高密度酸化チタン膜が設けられた熱線遮蔽ガラス得た。高密度酸化チタン薄膜の厚みは、32nmであった。また、高密度酸化チタン薄膜をXRD測定した結果、密度は、3.6g/cm3であった。
高密度酸化チタン薄膜のスパッタリング条件
ターゲット:TiO2
導入ガス:アルゴン
成膜圧力:4×10-1Pa
スパッタ電力:250W
実施例1〜3、比較例1、参考例1で得られた熱線遮蔽フィルムおよび熱線遮蔽ガラスについて、下記項目の評価を行った。結果を表1に示す。
[耐候性の評価]
実施例1〜3、比較例1、参考例1の熱線遮蔽フィルムおよび熱線遮蔽ガラスをJIS−B7753―1993によるサンシャインカーボンアーク灯耐候性試験(b)方法に基づいて、サンシャインカーボンアークウェザーメーター(スガ試験機社)によって、防汚膜側から光を照射すると共に、一定間隔で水の霧を吹き付けた耐候性促進試験を2000時間行った熱線遮蔽フィルムおよび熱線遮蔽ガラスについて、その外観評価を行った。試験前と試験後で、透過率が5%を超えて低下したものを「×」、透過率の変化が5%以内であったものを「○」とした。
[防汚性の評価]
実施例1〜3、比較例1、参考例1の熱線遮蔽フィルムおよび熱線遮蔽ガラスを、20℃、65%RH雰囲気で6時間放置した後、接触角測定器(協和界面科学社)を用いて防汚膜に純水を1.0μl滴下して、5秒後の接触角を評価した。純水接触角が15°未満のものを「◎」、純水接触角が15°以上25°未満のものを「○」、純水接触角が25°以上50°未満のものを「△」、純水接触角が50°以上のものを「×」とした。
Figure 0005506275
実施例1〜3の熱線遮蔽フィルムは、高温で熱処理を行うことなく、高密度酸化チタン膜を成膜したものである。熱線反射膜上に、高密度酸化チタン膜を有することにより、熱線反射膜として用いた高密度銀薄膜の劣化を抑制することができ、耐候性が良好なものとなった。また、最表面が高密度酸化チタン膜であるため、防汚性にも優れるものとなった。
実施例2の熱線遮蔽フィルムは、熱線反射膜上に、高密度酸化チタン膜だけを有するものであるため、透過性にも優れるものとなった。また、熱線反射膜として、高密度銀薄膜を用いているため、合成樹脂フィルム上に高い防汚性を示す高密度酸化チタン膜を設けられているが、合成樹脂フィルムが劣化することがなかった。
比較例1の熱線遮蔽フィルムは、熱線反射膜上に、酸化チタン膜を有するものであるが、酸化チタン膜が高密度化されていないため、熱線反射膜として用いた高密度銀薄膜の劣化を抑制することができず、耐候性に劣るものとなった。また、最表面の酸化チタン膜が高密度化されていないため、防汚性が発現せず、防汚性に劣るものとなった。
参考例1の熱線遮蔽ガラスは、酸化チタン膜をスパッタ成膜後に高温で熱処理することで、高密度化したものである。熱線反射膜上に、高密度酸化チタン膜を有するため、熱線反射膜として用いた高密度銀薄膜の劣化を抑制することができ、耐候性が良好なものとなった。
1・・・合成樹脂フィルム
2・・・誘電体膜
3・・・熱線反射膜
4・・・保護膜
5・・・防汚膜
6・・・高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜

Claims (3)

  1. 合成樹脂フィルム上に、熱線反射膜を有してなり、前記熱線反射膜の表面に、プラズマ照射、イオン浄化、電子照射、レーザー照射、加熱のいずれかの方法を行った後、前記熱線反射膜上に、成膜圧力1×10 -2 〜5(Pa)、スパッタ電力10〜80(w)とした高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜を有してなり、前記高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜の密度は、バルク金属の密度を1とした場合に、0.8以上であることを特徴とする熱線遮蔽フィルム。
  2. 前記高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜上に、保護膜及び/又は防汚膜を有することを特徴とする請求項記載の熱線遮蔽フィルム。
  3. 前記高密度金属酸化物膜及び/又は高密度金属窒化物膜が、酸化チタン、酸窒化チタン、窒化チタン、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれることを特徴とする請求項1又は2記載の熱線遮蔽フィルム。
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