JP4656926B2 - Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 - Google Patents
Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4656926B2 JP4656926B2 JP2004356329A JP2004356329A JP4656926B2 JP 4656926 B2 JP4656926 B2 JP 4656926B2 JP 2004356329 A JP2004356329 A JP 2004356329A JP 2004356329 A JP2004356329 A JP 2004356329A JP 4656926 B2 JP4656926 B2 JP 4656926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- transparent conductive
- conductive film
- ito transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
基板の厚さが0.7mm以下の場合では、成膜時に基板が輻射熱を受けて、成膜中の基板温度の著しい上昇が生じる。
図1に示すように、ITO透明導電膜を成膜する基板1を補助基板2に接触させて固定する。
補助基板2には、熱容量の大きい部材を用いることが望ましい。熱容量の大きいものとして、各種金属、各種ガラス、セラミックスおよびそれらの複合部材を用いることができる。なお、ガラスであれば、比較的低コストで得られかつ表面の平滑性が良いフロート法によるソーダライムガラスの使用が簡便である。
また、基板1に入射する輻射熱が小さい場合には、補助基板2に高耐熱性の樹脂が使いやすい。
図2,図3および図4は、図1の破線部における断面図で、図2はピン31を用いて固定する方法を示し、図3はバネ32を用いて固定する方法を示す。また図4は、真空用接着テープ33で固定する方法を示す。
電気的・光学的・機械的な特性が、場所によって大きく異なるような成膜とはならない。
有機高分子を主とする基板にITO透明導電膜を成膜する場合、基板の温度上昇は30℃以下にすることが望ましく、基板に入射する成膜中の熱量2〜20Jに対して、基板の温度上昇を30℃以下とするには、鉄やアルミなどの金属製の補助基板では、0.2〜3mmの厚みにすることが好ましい。またガラスやアルミナなどのセラミックス製の補助基板では、厚みを0.3〜4mmとすることが好ましく、PETフィルムを補助基板に用いる場合も0.2〜3mmの厚さにすることが好ましい。補助基板にポリカーボネート板を用いる場合には、0.5〜6mmの厚みとすることが好ましい。
補助基板2の厚みは、10mm以下の厚さとすることが望ましい。10mm程度の厚みの補助基板を用いると、温度上昇を10℃以下にすることも可能となる。
基板1が、ガラスを主とする基板では、成膜前の基板1の温度が常温から220℃の温度範囲にあり、成膜中の基板1の温度上昇は50℃以下とすることが望ましい。この場合は、温度上昇を小さくするための補助基板2の厚みは、有機高分子を主とする基板の場合に用いる補助基板の半分程度でよく、補助基板の厚みは0.2〜5mmの範囲とすることが望ましい。
基板温度が成膜開始時に220℃以下が望ましい理由は、成膜時に例えば270℃を超える温度で成膜しても、プラズマガンを用いるイオンプレーティング法でITOを成膜する場合、比抵抗はほとんど変わらないためである。
図5に示す成膜装置を用いた。蒸発原料には、(株)高純度化学研究所製のITO粉粒体(Snの含有量は酸化物換算で5wt%)を使用した。これを、カーボン製のルツボに充填し、真空チャンバーの底部に設置した。20cm角に切り出したPETフィルム(厚さ100μm;東洋紡績(株)製2軸延伸ポリエステルフィルムE5101)を基板1に用いた。別途、補助基板として、同じ大きさのソーダライムガラス基板(厚さ5mmt)を準備した。
次いで、PETフィルムの基板1を約110℃に加熱したのち、圧力勾配型プラズマガン5に放電用アルゴンガスを25sccm流し、さらに、酸素ガス導入ノズル14より酸素ガスを25sccm流した。次に圧力勾配型プラズマガンの出力が2.5kWになるまで徐々に電力を印加し、圧力勾配型ホロカソードプラズマガン4からプラズマビーム11を発生させてITO蒸発原料18に照射し、ITO蒸発原料18を加熱して蒸発させた。このとき、真空チャンバー4内の圧力が0.1Paとなるように真空排気装置16の排気能力を制御した。プラズマビーム、真空チャンバー4内の圧力、ITO蒸発原料18の蒸発が安定した後、真空チャンバー4内のプラズマビーム11が形成され上方に設けられている図示しないシャッターを45秒間開け、PETフィルムの基板1上にITO透明導電膜を成膜した。
ITO透明導電膜の成膜と併行して、ITO蒸発原料18の蒸発時の輻射熱によるPETフィルムの温度変化を調べたところ、成膜開始時の108℃から成膜の45秒間で、最高温度は117℃で、温度上昇は9℃以下であった。
実施例1と同じ成膜装置を用いてITO透明導電膜を成膜した。
図6に示す成膜装置を用いてITO透明導電膜を成膜した。
実施例1と同じ厚さと大きさのPETフィルムを基板1に用い、補助基板2を用いず、基板1を直接、基板支持ホルダーに真空用テープで貼り付けた。
実施例1と同じ厚さと大きさのPETフィルムを補助基板に固定せずに、直接、基板支持ホルダーに真空用テープで貼り付け、実施例1と同じ図5に示す成膜装置を用いた。
実施例1で使用した成膜装置を用いた。厚さ0.4mmのカラーフィルター付きソーダライムガラスは、直接基板支持ホルダー7に固定した。この際、基板のカラーフィルター付きソーダライムガラスの裏面には何も接触しておらず、カラーフィルター付きソーダライムガラスが受けた輻射熱は、実施例2と異なって伝熱効果による冷却が期待できない構造になっていた。
実施例3と同じ図6に示す成膜装置を用いた。また、実施例3と同様にPETフィルムを基板1として用いた。
実施例3と同じ成膜装置を用い、厚さ0.4mmのソーダライムガラスを補助基板に固定せずに、直接、基板搬送トレイ7´に真空用テープで貼り付けた。この際、基板であるソーダライムガラスの裏面には何も接触しておらず、基板1が受けた輻射熱は、実施例3と異なって伝熱効果による冷却が期待できない構造になっていた。
2 補助基板
3 固定具
4 真空チャンバー
5 圧力勾配型プラズマガン
6 ルツボ
7 基板支持ホルダー
7´ 基板搬送トレイ
8 Ta製のパイプ
9 LaB6製の円盤
10 放電用アルゴンガス
11 プラズマビーム
12 基板加熱用ヒーター
13 温度計
14 酸素ガス導入ノズル
15 酸素ガス
16 真空排気装置
17 真空計
18 ITO蒸発原料
19 集束コイル
20 磁石
21 プラズマ雰囲気
22 搬送ロール
31 固定ピン
32 固定バネ
33 真空用接着テープ
Claims (4)
- プラズマガンを用いるイオンプレーティング法によるITO透明導電膜の成膜方法において、基板が補助基板に接触されて保持され、基板がプラズマからの受ける輻射熱を補助基板に伝熱させながら基板にITO透明導電膜を成膜することを特徴とするITO透明導電膜の成膜方法。
- 基板が有機高分子を主とする基板であり、ITO透明導電膜の成膜時において、成膜する前の基板温度が常温から150℃の範囲にあり、厚み0.2〜10mmの補助基板を用いて基板の温度上昇を30℃以下にして成膜することを特徴とする請求項1に記載のITO透明導電膜の成膜方法。
- 基板がガラスを主とする基板であり、成膜前の基板の温度が常温から220℃の温度範囲にあり、厚み0.2〜5mmの補助基板を用いて基板の温度上昇を50℃以下にして成膜することを特徴とする請求項1に記載のITO透明導電膜の成膜方法。
- 基板の厚さが厚さ0.7mm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のITO透明導電膜の成膜方法によるITO透明導電膜付き基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004356329A JP4656926B2 (ja) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004356329A JP4656926B2 (ja) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006164818A JP2006164818A (ja) | 2006-06-22 |
JP4656926B2 true JP4656926B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=36666578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004356329A Expired - Fee Related JP4656926B2 (ja) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4656926B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4597149B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-12-15 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
WO2012128051A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 三洋電機株式会社 | 透明導電膜の製造方法および太陽電池の製造方法 |
KR101366694B1 (ko) * | 2012-09-12 | 2014-02-25 | 한국성전(주) | 투명도전성 필름 전(前)열처리 장치 |
CN104651796B (zh) * | 2013-11-19 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜的电阻调节方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0586458A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-04-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH11131222A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Moriroku Company Ltd | イオンプレーティング装置 |
JP2002047559A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ito膜及びその成膜方法 |
JP2002060929A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ito膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP2002124145A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板の製造装置 |
-
2004
- 2004-12-09 JP JP2004356329A patent/JP4656926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0586458A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-04-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH11131222A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Moriroku Company Ltd | イオンプレーティング装置 |
JP2002047559A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ito膜及びその成膜方法 |
JP2002060929A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ito膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP2002124145A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006164818A (ja) | 2006-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100736664B1 (ko) | Ito 투명 전도성 필름을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20150129732A (ko) | 투명한 스크래치 저항성 윈도우를 생성하기 위하여 산소 분압을 포함하는 분위기에서 알루미늄 공급원을 사용하여 기판에 알루미늄 산화물을 성장시키는 방법 | |
JP2006297868A (ja) | 金属積層体 | |
JP5014656B2 (ja) | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 | |
JP7308960B2 (ja) | 透明導電性フィルム、および透明導電性フィルムの製造方法 | |
JP4656926B2 (ja) | Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付き基板 | |
JP2004148673A (ja) | 透明ガスバリア膜、透明ガスバリア膜付き基体およびその製造方法 | |
WO2015152481A1 (ko) | 고경도 박막형 투명 박판 글라스, 이의 제조 방법, 고경도 박막형 투명 박판 도전성 글라스 및 이를 포함하는 터치 패널 | |
Weller et al. | Flash Lamp Annealing of ITO thin films on ultra-thin glass. | |
JP4580636B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
CN111996491A (zh) | 一种太阳吸收率可设计的热控涂层及制备方法 | |
JP2006147235A (ja) | Ito透明導電膜付きフィルム | |
Rademacher et al. | Sputtering of dielectric single layers by metallic mode reactive sputtering and conventional reactive sputtering from cylindrical cathodes in a sputter-up configuration | |
JP2009174060A (ja) | 成膜装置の基板トレイ | |
JP5506275B2 (ja) | 熱線遮蔽フィルム | |
JP4526248B2 (ja) | Ito透明導電膜付き基板の製法およびito透明導電膜付き基板 | |
Zhao et al. | Effect of sputtering pressure on the structure and properties of SiO2 films prepared by magnetron sputtering | |
JP6057450B2 (ja) | Ito透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
Harada et al. | High rate deposition of TiO2 and SiO2 films by radical beam assisted deposition (RBAD) | |
JP4693401B2 (ja) | Ito透明導電膜の成膜方法およびito透明導電膜付きカラーフィルター基板 | |
KR100689157B1 (ko) | 알루미늄 실리콘 합금 피막 제조 방법 | |
JP2010031346A (ja) | 酸化亜鉛薄膜及び薄膜積層体 | |
JP5206111B2 (ja) | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シートの製造方法 | |
JP4520107B2 (ja) | 透光性薄膜およびその製造方法 | |
Lambooy et al. | A method to confine thin solid organic films between flat rigid walls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071001 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100325 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101221 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |