JP7237150B2

JP7237150B2 - 透明導電性フィルム

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Publication number: JP7237150B2
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Authority: JP
Inventors: 圭太碓井; 大輔梶原
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Filing date: 2021-03-18
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Description

本発明は、透明導電性フィルムに関する。

従来、透明な基材フィルムと透明な導電層（透明導電層）とを厚さ方向に順に備える透明導電性フィルムが知られている。透明導電層は、例えば、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および光センサなどの各種デバイスにおける透明電極をパターン形成するための導体膜として用いられる。透明導電層の形成過程では、例えば、まず、スパッタリング法によって基材フィルム上に透明導電材料の非晶質膜が形成される（成膜工程）。次に、基材フィルム上の非晶質の透明導電層が加熱によって結晶化される（結晶化工程）。成膜工程におけるスパッタリング法では、従来、ターゲット（成膜材料供給材）に衝突してターゲット表面の原子を弾き出すためのスパッタリングガスとして、アルゴンなどの不活性ガスが用いられる。このような透明導電性フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。

特開２０１７－７１８５０号公報

透明導電性フィルムの製造効率の観点からは、結晶化工程での加熱による透明導電層の結晶化の速度は、高い方が好ましい。また、透明導電層には、低抵抗であることが要求される。特に透明電極用途の透明導電層には、その要求が強い。

本発明は、透明導電層において、加熱による高い結晶化速度を実現するとともに、結晶化後の低抵抗を実現するのに適した、透明導電性フィルムを提供する。

本発明［１］は、透明基材と非晶質の透明導電層とを厚さ方向にこの順で備え、前記透明導電層が、クリプトンを含有し、５.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、透明導電性フィルムを含む。

本発明［２］は、前記透明導電層がインジウム含有導電性酸化物を含む、上記［１］に記載の透明導電性フィルムを含む。

本発明［３］は、前記比抵抗が１０×１０^－４Ω・ｃｍ以下である、上記［１］または［２］に記載の透明導電性フィルムを含む。

本発明［４］は、前記透明導電層が２０ｎｍ以上の厚さを有する、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムを含む。

本発明［５］は、前記透明導電層が、１３０℃で６０分間の加熱処理後に２.２×１０^－４Ω・ｃｍ未満の比抵抗を有する、上記［１］から［４］のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムを含む。

本発明の透明導電性フィルムは、透明導電層が、クリプトンを含有し且つ５.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有することから、透明導電層において高い結晶化速度を実現するとともに、結晶化後の低抵抗を実現するのに適する。

本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の断面模式図である。本発明の透明導電性フィルムの変形例の断面模式図である。本変形例において、透明導電層は、第１領域と第２領域とを透明樹脂基材側からこの順で含む。図１に示す透明導電性フィルムの製造方法を表す。図３Ａは、樹脂フィルムを用意する工程を表し、図３Ｂは、樹脂フィルム上に機能層を形成する工程を表し、図３Ｃは、機能層上に透明導電層を形成する工程を表す。図１に示す透明導電性フィルムにおいて、透明導電層がパターニングされた場合を表す。図１に示す透明導電性フィルムにおいて、非晶質の透明導電層が結晶質の透明導電層に転化された場合を表す。スパッタリング法により透明導電層を形成する際の酸素導入量と、形成される透明導電層の表面抵抗との関係を示すグラフである。

図１は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態である透明導電性フィルムＸの断面模式図である。透明導電性フィルムＸは、透明基材１０と、透明導電層２０とを、厚さ方向Ｔの一方側に向かってこの順で備える。透明導電性フィルムＸ、透明基材１０、および透明導電層２０は、それぞれ、厚さ方向Ｔに直交する方向（面方向）に広がる形状を有する。透過性導電フィルムＸは、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに備えられる一要素である。

透明基材１０は、樹脂フィルム１１と、機能層１２とを、厚さ方向Ｔの一方側に向かってこの順で備える。

樹脂フィルム１１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。樹脂フィルム１１の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。樹脂フィルム１１の材料としては、透明性および強度の観点から、好ましくは、ポリエステル樹脂およびポリオレフィン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つが用いられ、より好ましくは、ＣＯＰおよびＰＥＴからなる群より選択される少なくとも一つが用いられる。

樹脂フィルム１１における機能層１２側表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。

樹脂フィルム１１の厚さは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは１５μｍ以上である。このような構成は、透明導電性フィルムＸの強度を確保するのに適する。樹脂フィルム１１の厚さは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、更に好ましくは６０μｍ以下である。このような構成は、透明導電性フィルムＸの柔軟性を確保して良好な取扱い性を実現するのに適する。

樹脂フィルム１１の全光線透過率（ＪＩＳＫ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。樹脂フィルム１１の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

機能層１２は、本実施形態では、樹脂フィルム１１における厚さ方向Ｔの一方面上に位置する。また、本実施形態では、機能層１２は、透明導電層２０の露出表面（図１では上面）に擦り傷が形成されにくくするためのハードコート層である。

ハードコート層は、硬化性樹脂組成物の硬化物である。硬化性樹脂組成物が含有する樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。また、硬化性樹脂組成物としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂組成物、および、熱硬化型の樹脂組成物が挙げられる。高温加熱せずに硬化可能であるために透明導電性フィルムＸの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂組成物としては、好ましくは、紫外線硬化型の樹脂組成物が用いられる。紫外線硬化型の樹脂組成物の具体例としては、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載のハードコート層形成用組成物が挙げられる。また、硬化性樹脂組成物は微粒子を含有してもよい。

ハードコート層としての機能層１２の厚さは、好ましくは０.１μｍ以上、より好ましくは０.３μｍ以上、更に好ましくは０.５μｍ以上である。このような構成は、透明導電層２０において充分な耐擦過性を発現させるのに適する。ハードコート層としての機能層１２の厚さは、機能層１２の透明性を確保する観点からは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。

機能層１２における透明導電層２０側表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。

透明基材１０の厚さは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは１５μｍ以上である。このような構成は、透明導電性フィルムＸの強度を確保するのに適する。透明基材１０の厚さは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、更に好ましくは６０μｍ以下である。このような構成は、透明導電性フィルムＸの柔軟性を確保して良好な取扱い性を実現するのに適する。

透明基材１０の全光線透過率（ＪＩＳＫ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。透明基材１０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

透明基材１０における、透明導電層２０とは反対側の表面には、アンチブロッキング層が設けられてもよい。このような構成は、透明基材１０がロールの形態をとる場合に透明基材１０どうしが貼り付いてしまうこと（ブロッキング）を防止する観点から好ましい。アンチブロッキング層は、例えば、微粒子含有の硬化性樹脂組成物から形成できる。

透明導電層２０は、本実施形態では、透明基材１０における厚さ方向Ｔの一方面上に位置する。透明導電層２０は、光透過性と導電性とを兼ね備えた非晶質膜である。非晶質の透明導電層２０は、加熱によって結晶質の透明導電層（後記の透明導電層２０'）に転化されて、抵抗が下がる。

透明導電層２０は、透明導電材料から形成された層である。透明導電材料は、主成分として、例えば導電性酸化物を含有する。

導電性酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも一種類の金属または半金属を含有する金属酸化物が挙げられる。具体的には、導電性酸化物としては、インジウム含有導電性酸化物およびアンチモン含有導電性酸化物が挙げられる。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。アンチモン含有導電性酸化物としては、例えばアンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な導電性とを実現する観点からは、導電性酸化物としては、好ましくはインジウム含有導電性酸化物が用いられ、より好ましくはＩＴＯが用いられる。このＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。

導電性酸化物としてＩＴＯが用いられる場合、当該ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）および酸化スズ（ＳｎＯ_２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、特に好ましくは７質量％以上である。ＩＴＯにおけるインジウム原子数に対するスズ原子数の比率（スズ原子数／インジウム原子数）は、好ましくは０.０１以上、より好ましくは０.０３以上、更に好ましくは０.０５以上、特に好ましくは０.０７以上である。これら構成は、透明導電層２０の耐久性を確保するのに適する。また、ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）および酸化スズ（ＳｎＯ_２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１３質量％以下、更に好ましくは１２質量％以下である。ＩＴＯにおけるインジウム原子数に対するスズ原子数の比率（スズ原子数／インジウム原子数）は、好ましくは０.１６以下、より好ましくは０.１４以下、更に好ましくは０.１３以下である。これら構成は、加熱により結晶化しやすい透明導電層２０を得るのに適する。ＩＴＯにおけるインジウム原子数に対するスズ原子数の比率は、例えば、測定対象物について、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy）によってインジウム原子とスズ原子の存在比率を特定することにより、求められる。ＩＴＯにおける酸化スズの上記含有割合は、例えば、そのようにして特定されたインジウム原子とスズ原子の存在比率から、求められる。ＩＴＯにおける酸化スズの上記含有割合は、スパッタ成膜時に用いるＩＴＯターゲットの酸化スズ（ＳｎＯ_２）含有割合から判断してもよい。

透明導電層２０における酸化スズ含有割合は、厚さ方向Ｔにおいて非一様であってもよい。例えば、透明導電層２０は、図２に示すように、酸化スズ含有割合が相対的に高い第１領域２１と、酸化スズ含有割合が相対的に低い第２領域２２とを、透明基材１０側からこの順で含んでもよい。図２では、第１領域２１と第２領域２２との境界が仮想線によって描出されている。第１領域２１の組成と第２領域２２の組成とが有意には異ならない場合、第１領域２１と第２領域２２との境界は、明確には判別できない場合もある。

第１領域２１における酸化スズ含有割合は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは７質量％以上、更に好ましくは９質量％以上である。第１領域２１における酸化スズ含有割合は、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１３質量％以下、更に好ましくは１１質量％以下である。第２領域２２における酸化スズ含有割合は、好ましくは０.５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、更に好ましくは２質量％以上である。第２領域２２における酸化スズ含有割合は、好ましくは８質量％以下、より好ましくは６質量％以下、更に好ましくは４質量％以下である。透明導電層２０の厚さにおける第１領域２１の厚さの割合は、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、更に好ましくは７０％以上である。また、透明導電層２０の厚さにおける第２領域２２の厚さの割合は、好ましくは５０％以下、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下である。これら構成は、透明導電層２０を結晶化させて得られる透明導電層２０'の低抵抗化の観点から好ましい。

透明導電層２０は、希ガス原子としてクリプトン（Ｋｒ）を含有する。透明導電層２０における希ガス原子は、本実施形態では、後述のスパッタリング法においてスパッタリングガスとして用いられる希ガス原子に由来する。本実施形態において、透明導電層２０は、スパッタリング法で形成された膜（スパッタ膜）である。

Ｋｒ含有スパッタ膜である透明導電層２０は、Ａｒ含有スパッタ膜である非晶質透明導電層よりも、加熱による高い結晶化速度を実現するのに適する。すなわち、透明導電層２０がＫｒを含有する構成は、透明導電層２０において高い結晶化速度を実現するのに適する。また、Ｋｒ含有スパッタ膜である透明導電層２０は、Ａｒ含有スパッタ膜である非晶質透明導電層よりも、加熱によって良好な結晶成長を実現して大きな結晶粒を形成するのに適し、従って、低抵抗の透明導電層２０'を得るのに適する（透明導電層２０'内の結晶粒が大きいほど、透明導電層２０'の抵抗は低い）。透明導電層２０および透明導電層２０'におけるＫｒの存否は、例えば、実施例に関して後述する蛍光Ｘ線分析によって同定される。

透明導電層２０におけるＫｒ含有割合は、好ましくは、厚さ方向Ｔの全域において０.０００１原子％以上である。透明導電層２０は、希ガス原子含有割合が０.０００１原子％未満である領域を、厚さ方向Ｔの少なくとも一部に含んでもよい（即ち、厚さ方向Ｔの一部では、厚さ方向Ｔと直交する面方向の断面における希ガス原子の存在割合が０.０００１原子％未満であってもよい）。また、透明導電層２０におけるＫｒの含有割合は、厚さ方向Ｔの全域において、好ましくは１原子％以下、より好ましくは０.５原子％以下、更に好ましくは０.３原子％以下、特に好ましくは０.２原子％以下である。このような構成は、非晶質の透明導電層２０を加熱により結晶化させて結晶質の透明導電層２０'を形成する時に、良好な結晶成長を実現して大きな結晶粒を形成するのに適し、従って、低抵抗の透明導電層２０'を得るのに適する。

透明導電層２０におけるＫｒの含有割合は、厚さ方向Ｔにおいて非一様であってもよい。例えば、厚さ方向Ｔにおいて、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸増または漸減してもよい。或いは、厚さ方向Ｔにおいて、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸増する部分領域が透明基材１０側に位置し、且つ、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸減する部分領域が透明基材１０とは反対側に位置してもよい。或いは、厚さ方向Ｔにおいて、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸減する部分領域が透明基材１０側に位置し、且つ、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸増する部分領域が透明基材１０とは反対側に位置してもよい。

透明導電層２０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは２０ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上である。このような構成は、透明導電層２０を結晶化させて得られる透明導電層２０'の低抵抗化の観点から好ましい。また、透明導電層２０の厚さは、例えば１０００ｎｍ以下であり、好ましくは３００ｎｍ未満、より好ましくは２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下、ことさらに好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ未満、最も好ましくは１４８ｎｍ以下である。このような構成は、透明導電層２０を結晶化させて得られる透明導電層２０'を備える透明導電性フィルムＸにおいて、反りを抑制するのに適する。

透明導電層２０の比抵抗は、５.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは５.８×１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは６.０×１０^－４Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは６.２×１０^－４Ω・ｃｍ以上、特に好ましくは６.４×１０^－４Ω・ｃｍ以上である。透明導電層２０の比抵抗は、好ましくは１０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは８×１０^－４Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは７.５×１０^－４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは７.３×１０^－４Ω・ｃｍ以下である。比抵抗に関するこれら構成は、透明導電層２０を結晶化させて得られる透明導電層２０'の低抵抗化の観点から好ましい。具体的には、次のとおりである。

比抵抗が５.５×１０^－４Ω・ｃｍを下回って低すぎる非晶質透明導電膜には、局所的に結晶化が進行している部分が有意数含まれ、そのような透明導電膜の加熱による結晶化の過程では、前記部分が、大きな結晶粒の形成を阻む（透明導電膜内の結晶粒が大きいほど同膜の抵抗は低い）。一方、比抵抗が１０×１０^－４Ω・ｃｍを上回って高すぎる非晶質透明導電膜では、結晶化により抵抗が低下しても、充分な低抵抗を実現できない。

比抵抗は、表面抵抗に厚さを乗じて求められる。また、比抵抗は、例えば、透明導電層２０をスパッタ成膜する時の各種条件の調整により、制御できる。当該条件としては、例えば、透明導電層２０が成膜される下地（本実施形態では透明基材１０）の温度、成膜室内への酸素導入量、成膜室内の気圧、および、ターゲット上の水平磁場強度が挙げられる。

透明導電層２０の、１３０℃で６０分間の加熱処理後の比抵抗は、例えば２.５×１０^－４Ω・ｃｍ以下であり、好ましくは２.２×１０^－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは２×１０^－４Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは１.９×１０^－４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは１.８×１０^－４Ω・ｃｍ以下である。また、透明導電層２０の、１３０℃で６０分間の加熱処理後の比抵抗は、好ましくは０.１×１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは１.０×１０^－４Ω・ｃｍ以上である。これら構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などにおいて透明導電層に求められる低抵抗性を確保するのに適する。

透明導電層２０の全光線透過率（ＪＩＳＫ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。また、透明導電層２０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

透明導電層が非晶質であることは、例えば、次のようにして判断できる。まず、透明導電層（透明導電性フィルムＸでは、透明基材１０上の透明導電層２０）を、濃度５質量％の塩酸に、２０℃で１５分間、浸漬する。次に、透明導電層を、水洗した後、乾燥する。次に、透明導電層の露出平面（透明導電性フィルムＸでは、透明導電層２０における透明基材１０とは反対側の表面）において、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定する。この測定において、端子間抵抗が１０ｋΩを超える場合、透明導電層は非晶質である。

透明導電性フィルムＸは、例えば以下のように製造される。

まず、図３Ａに示すように、樹脂フィルム１１を用意する。

次に、図３Ｂに示すように、樹脂フィルム１１の厚さ方向Ｔの一方面上に機能層１２を形成する。樹脂フィルム１１上への機能層１２の形成により、透明基材１０が作製される。

ハードコート層としての上述の機能層１２は、樹脂フィルム１１上に、硬化性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を硬化させることによって形成できる。硬化性樹脂組成物が紫外線化型樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって前記塗膜を硬化させる。硬化性樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。

樹脂フィルム１１上に形成された機能層１２の露出表面は、必要に応じて、表面改質処理される。表面改質処理としてプラズマ処理する場合、不活性ガスとして例えばアルゴンガスを用いる。また、プラズマ処理における放電電力は、例えば１０Ｗ以上であり、また、例えば５０００Ｗ以下である。

次に、図３Ｃに示すように、透明基材１０上に透明導電層２０を形成する。具体的には、スパッタリング法により、透明基材１０における機能層１２上に材料を成膜して透明導電層２０を形成する。

スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用するのが好ましい。透明導電性フィルムＸの製造において、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を使用する場合、長尺状の透明基材１０を、装置が備える繰出しロールから巻取りロールまで走行させつつ、当該透明基材１０上に材料を成膜して透明導電層２０を形成する。また、当該スパッタリング法では、一つの成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよいし、透明基材１０の走行経路に沿って順に配置された複数の成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよい（上述の第１領域２１と第２領域２２とを含む透明導電層２０を形成する場合には、複数の成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用する）。

スパッタリング法では、具体的には、スパッタ成膜装置が備える成膜室内に真空条件下でスパッタリングガス（不活性ガス）を導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を透明基材１０における機能層１２上に堆積させる。

成膜室内のカソード上に配置されるターゲットの材料としては、透明導電層２０を形成するための上述の導電性酸化物が用いられ、好ましくはインジウム含有導電性酸化物が用いられ、より好ましくはＩＴＯが用いられる。

スパッタリングガスとしては、Ｋｒが用いられる。スパッタリングガスは、Ｋｒ以外の不活性ガスを含んでもよい。Ｋｒ以外の不活性ガスとしては、例えば、Ｋｒ以外の希ガス原子が挙げられる。Ｋｒ以外の希ガス原子としては、例えば、ＡｒおよびＸｅが挙げられる。スパッタリングガスがＫｒ以外の不活性ガスを含有する場合、その含有割合は、好ましくは５０体積％以下、より好ましくは４０体積％以下、更に好ましくは３０堆積％以下である。

スパッタリング法は、好ましくは、反応性スパッタリング法である。反応性スパッタリング法では、スパッタリングガスに加えて反応性ガスが、成膜室内に導入される。

反応性スパッタリング法において成膜室に導入されるスパッタリングガスおよび酸素の合計導入量に対する、酸素の導入量の割合は、例えば０.０１流量％以上であり、また、例えば１５流量％以下である。

スパッタリング法による成膜（スパッタ成膜）中の成膜室内の気圧は、例えば０.０２Ｐａ以上であり、また、例えば１Ｐａ以下である。

スパッタ成膜中の透明基材１０の温度は、例えば１００℃以下である。スパッタ成膜中の透明基材１０からのアウトガスを抑制するには、当該透明基材１０を冷却するのが好ましい。スパッタ成膜中の透明基材１０からのアウトガスの抑制は、高い結晶化速度を有する透明導電層２０を得るのに役立つ。このような観点から、スパッタ成膜中の透明基材１０の温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１０℃以下、さらに好ましくは５℃以下、特に好ましくは０℃以下であり、また、例えば－５０℃以上、好ましくは－２０℃以上、より好ましくは－１０℃以上、さらに好ましくは－７℃以上である。

ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源およびＲＦ電源が挙げられる。電源としては、ＤＣ電源とＲＦ電源とを併用してもよい。スパッタ成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば５０Ｖ以上であり、また、例えば５００Ｖ以下、好ましくは４００Ｖ以下である。

例えば以上のようにして、透明導電性フィルムＸを製造できる。

透明導電性フィルムＸにおける透明導電層２０は、図４に模式的に示すように、パターニングされてもよい。所定のエッチングマスクを介して透明導電層２０をエッチング処理することにより、透明導電層２０をパターニングできる。パターニングされた透明導電層２０は、例えば、配線パターンとして機能する。

また、透明導電性フィルムＸにおける透明導電層２０は、加熱により、結晶質の透明導電層２０'（図５に示す）に転化される。加熱の手段としては、例えば、赤外線ヒーターおよびオーブン（熱媒加熱式オーブン，熱風加熱式オーブン）が挙げられる。加熱時の環境は、真空環境および大気環境のいずれでもよい。好ましくは、酸素存在下での加熱が実施される。加熱温度は、高い結晶化速度を確保する観点からは、例えば１００℃以上であり、好ましくは１２０℃以上である。加熱温度は、透明基材１０への加熱の影響を抑制する観点から、例えば２００℃以下であり、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１７０℃以下、更に好ましくは１６５℃以下である。加熱時間は、例えば１分以上であり、好ましくは５分以上である。加熱時間は、例えば３００分以下であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは９０分以下である。透明導電層２０の上述のパターニングは、結晶化のための加熱より前に実施されてもよいし、結晶化のための加熱より後に実施されてもよい。

透明導電層２０'の比抵抗は、例えば２.５×１０^－４Ω・ｃｍ以下であり、好ましくは２.２×１０^－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは２×１０^－４Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは１.９×１０^－４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは１.８×１０^－４Ω・ｃｍ以下である。また、透明導電層２０'の比抵抗は、好ましくは０.１×１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは１.０×１０^－４Ω・ｃｍ以上である。これら構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などにおいて透明導電層に求められる低抵抗性を確保するのに適する。

透明導電性フィルムＸにおいては、上述のように、透明導電層２０が、クリプトンを含有し、且つ５.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。そのため、透明導電性フィルムＸは、透明導電層２０において、高い結晶化速度を実現するとともに、結晶化後の低抵抗を実現するのに適する。

透明導電性フィルムＸにおいて、機能層１２は、透明基材１０に対する透明導電層２０（透明導電層２０の結晶化後では透明導電層２０'。以下同じ）の高い密着性を実現するための密着性向上層であってもよい。機能層１２が密着性向上層である構成は、透明基材１０と透明導電層２０との間の密着力を確保するのに適する。

機能層１２は、透明基材１０の表面（厚さ方向Ｔの一方面）の反射率を調整するための屈折率調整層（index-matching layer）であってもよい。機能層１２が屈折率調整層である構成は、透明基材１０上の透明導電層２０がパターニングされている場合に、当該透明導電層２０のパターン形状を視認されにくくするのに適する。

機能層１２は、透明基材１０から透明導電層２０を実用的に剥離可能にするための剥離機能層であってもよい。機能層１２が剥離機能層である構成は、透明基材１０から透明導電層２０を剥離して、当該透明導電層２０を他の部材に転写するのに適する。

機能層１２は、複数の層が厚さ方向Ｔに連なる複合層であってもよい。複合層は、好ましくは、ハードコート層、密着性向上層、屈折率調整層、および剥離機能層からなる群より選択される２以上の層を含む。このような構成は、選択される各層の上述の機能を、機能層１２において複合的に発現するのに適する。好ましい一形態では、機能層１２は、樹脂フィルム１１上において、密着性向上層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｔの一方側に向かってこの順で備える。好ましい他の形態では、機能層１２は、樹脂フィルム１１上において、剥離機能層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｔの一方側に向かってこの順で備える。

透明導電性フィルムＸは、物品に対して貼り合わされ、且つ必要に応じて透明導電層２０'がパターニングされた状態で、利用される。透明導電性フィルムＸは、例えば固着機能層を介して、物品に対して貼り合わされる。

物品としては、例えば、素子、部材、および装置が挙げられる。すなわち、透明導電性フィルム付き物品としては、例えば、透明導電性フィルム付き素子、透明導電性フィルム付き部材、および透明導電性フィルム付き装置が挙げられる。

素子としては、例えば、調光素子および光電変換素子が挙げられる。調光素子としては、例えば、電流駆動型調光素子および電界駆動型調光素子が挙げられる。電流駆動型調光素子としては、例えば、エレクトロクロミック（ＥＣ）調光素子が挙げられる。電界駆動型調光素子としては、例えば、ＰＤＬＣ（polymer dispersed liquid crystal）調光素子、ＰＮＬＣ（polymer network liquid crystal）調光素子、および、ＳＰＤ（suspended particle device）調光素子が挙げられる。光電変換素子としては、例えば太陽電池などが挙げられる。太陽電池としては、例えば、有機薄膜太陽電池および色素増感太陽電池が挙げられる。部材としては、例えば、電磁波シールド部材、熱線制御部材、ヒーター部材、およびアンテナ部材が挙げられる。装置としては、例えば、タッチセンサ装置、照明装置、および画像表示装置が挙げられる。

上述の固着機能層としては、例えば、粘着層および接着層が挙げられる。固着機能層の材料としては、透明性を有し且つ固着機能を発揮する材料であれば、特に制限なく用いられる。固着機能層は、好ましくは、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、天然ゴム、および合成ゴムが挙げられる。凝集性、接着性、適度な濡れ性などの粘着特性を示すこと、透明性に優れること、並びに、耐候性および耐熱性に優れることから、前記樹脂としては、アクリル樹脂が好ましい。

固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、透明導電層２０'の腐食抑制のために、腐食防止剤を配合してもよい。固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、透明導電層２０'のマイグレーション抑制のために、マイグレーション防止剤（例えば、特開２０１５－０２２３９７号に開示の材料）を配合してもよい。また、固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、物品の屋外使用時の劣化を抑制するために、紫外線吸収剤を配合してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、シュウ酸アニリド化合物、シアノアクリレート化合物、および、トリアジン化合物が挙げられる。

また、透明導電性フィルムＸの透明基材１０を、物品に対して固着機能層を介して固定した場合、透明導電性フィルムＸにおいて透明導電層２０'（パターニング後の透明導電層２０'を含む）は露出する。このような場合、透明導電層２０'の当該露出面にカバー層を配置してもよい。カバー層は、透明導電層２０'を被覆する層であり、透明導電層２０'の信頼性を向上させ、また、透明導電層２０'の受傷による機能劣化を抑制できる。そのようなカバー層は、好ましくは、誘電体材料から形成されており、より好ましくは、樹脂と無機材料との複合材料から形成されている。樹脂としては、例えば、固着機能層に関して上記した樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、無機酸化物およびフッ化物が挙げられる。無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、および酸化カルシウムが挙げられる。フッ化物としては、例えばフッ化マグネシウムが挙げられる。また、カバー層（樹脂および無機材料の混合物）には、上記の腐食防止剤、マイグレーション防止剤、および紫外線吸収剤を配合してもよい。

本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。本発明は実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替することができる。

〔実施例１〕
透明基材としての長尺のシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（商品名「ゼオノアＺＦ１６」，厚さ４０μｍ，日本ゼオン社製）の一方の面に、第１硬化性組成物を塗布して第１塗膜を形成した。第１硬化性組成物は、多官能ウレタンアクリレート含有コーティング液（商品名「ＵＮＩＤＩＣＲＳ２９－１２０」，ＤＩＣ社製）１００質量部と、架橋アクリル・スチレン樹脂粒子（商品名「ＳＳＸ１０５」，粒子径３μｍ，積水樹脂社製）０.０７質量部とを含有する。次に、第１塗膜を乾燥させた後、紫外線照射により、第１塗膜を硬化させてアンチブロッキング（ＡＢ）層（厚さ１μｍ）を形成した。次に、ＣＯＰフィルムの他方の面に、第２硬化性組成物を塗布して第２塗膜を形成した。第２硬化性組成物は、架橋アクリル・スチレン樹脂粒子（商品名「ＳＳＸ１０５」）を含有させなかったこと以外は第１硬化性組成物と同様に調整した組成物である。次に、第２塗膜を乾燥させた後、紫外線照射により、第２塗膜を硬化させてハードコート（ＨＣ）層（厚さ１μｍ）を形成した。以上のようにして、透明基材を作製した。

次に、反応性スパッタリング法により、透明基材におけるＨＣ層上に、厚さ４０ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した（透明導電層形成工程）。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）を使用した。装置内での透明基材の走行速度は４.０ｍ／分とした。スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。

ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの第１焼結体（酸化スズ濃度は１０質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用い、ＤＣ電源の出力は１９.１ｋＷとした。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。成膜温度（透明導電層が積層される透明基材の温度）は－５℃とした。また、装置が備える成膜室内の到達真空度が０.９×１０^－４Ｐａに至るまで成膜室内を真空排気した後、成膜室内に、スパッタリングガスとしてのＫｒと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、成膜室内の気圧を０.２Ｐａとした。成膜室に導入されるＫｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約２流量％であり、その酸素導入量は、図６に示すように、表面抵抗－酸素導入量曲線の領域Ｒ内であって、形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が１７０Ω／□になるように調整した。図６に示す表面抵抗－酸素導入量曲線は、酸素導入量以外の条件は上記と同じ条件で透明導電層を反応性スパッタリング法で形成した場合の、透明導電層の表面抵抗の酸素導入量依存性を、予め調べて作成できる。

以上のようにして、実施例１の透明導電性フィルムを作製した。実施例１の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ４０ｎｍ）は、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯからなる。

〔実施例２〕
透明導電層形成工程における次のこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例２の透明導電性フィルムを作製した。スパッタ成膜のＤＣ電源出力を２５.１ｋＷとした。形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が１３０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ、厚さ５０ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した。

実施例２の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ５０ｎｍ）は、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯからなる。

〔実施例３〕
透明導電層形成工程における次のこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例３の透明導電性フィルムを作製した。スパッタ成膜のＤＣ電源出力を１５.８ｋＷとした。形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が２２０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ、厚さ３２ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した。

実施例３の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ３２ｎｍ）は、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯからなる。

〔実施例４〕
透明導電層形成工程における次のこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例４の透明導電性フィルムを作製した。透明基材を走行速度５.４ｍ／分で走行させつつ、スパッタ成膜装置が備える第１成膜室での第１スパッタ成膜と、同装置が備える第２成膜室での第２スパッタ成膜とを、順次に実施した。第１スパッタ成膜では、透明基材上に透明導電層の第１領域（厚さ２２.５ｎｍ）を形成した。第２スパッタ成膜では、第１領域上に透明導電層の第２領域（厚さ２.５ｎｍ）を形成した。

第１スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの第１焼結体（酸化スズ濃度は１０質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用い、ＤＣ電源の出力は１４.９ｋＷとした。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。成膜温度は－５℃とした。また、第１成膜室内の到達真空度が０.９×１０^－４Ｐａに至るまで第１成膜室内を真空排気した後、第１成膜室内に、スパッタリングガスとしてのＫｒと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、第１成膜室内の気圧を０.２Ｐａとした。第１成膜室に導入されるＫｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約２流量％であり、その酸素導入量は、形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が２８０Ω／□になるように調整した。

第２スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの第２焼結体（酸化スズ濃度は３質量％）を用いた。ＤＣ電源の出力は２.０ｋＷとした。また、第２成膜室内の到達真空度を０.９×１０^－４Ｐａにした後、第２成膜室内に、スパッタリングガスとしてのＫｒと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、第２成膜室内の気圧を０.２Ｐａとした。第２スパッタ成膜における他の条件は、第１スパッタ成膜と同じである。

以上のようにして、実施例４の透明導電性フィルムを作製した。実施例４の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ２５ｎｍ）は、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯ（酸化スズ濃度１０質量％）からなる第１領域（厚さ２２ｎｍ）と、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯ（酸化スズ濃度３質量％）からなる第２領域（厚さ２.５ｎｍ）とを、透明基材側から順に有する。透明導電層の厚さに対し、第１領域の厚さの割合は９０％であり、第２領域の厚さの割合は１０％である。

〔比較例１〕
透明導電層形成工程における次のこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、比較例１の透明導電性フィルムを作製した。透明基材の走行速度を５.４ｍ／分とした。スパッタ成膜時のＤＣ電源出力を２０.８ｋＷとした。スパッタリングガスとしてＡｒを用いた。形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が２２０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ、厚さ３２ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した。

比較例１の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ３２ｎｍ）は、Ａｒ含有の非晶質ＩＴＯからなる。

〔比較例２〕
透明導電層形成工程における次のこと以外は、実施例４の透明導電性フィルムと同様にして、比較例２の透明導電性フィルムを作製した。第１スパッタ成膜において、ＤＣ電源出力を１８.５ｋＷとし、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が２２０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ厚さ２８.８ｎｍの第１領域を形成した。第２スパッタ成膜において、ＤＣ電源出力を２.３ｋＷとし、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が２２０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ厚さ３.２ｎｍの第２領域を形成した。

比較例２の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ３２ｎｍ）は、Ａｒ含有の非晶質ＩＴＯ（酸化スズ濃度１０質量％）からなる第１領域（厚さ２８.８ｎｍ）と、Ａｒ含有の非晶質ＩＴＯ（酸化スズ濃度３質量％）からなる第２領域（厚さ３.２ｎｍ）とを、透明基材側から順に有する。透明導電層の厚さに対し、第１領域の厚さの割合は９０％であり、第２領域の厚さの割合は１０％である。

〔比較例３〕
透明導電層形成工程において、形成されるＩＴＯ膜の表面抵抗の値が１４０Ω／□になるように酸素導入量を調整しつつ厚さ３２ｎｍの非晶質の透明導電層を形成したこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、比較例３の透明導電性フィルムを作製した。比較例３の透明導電性フィルムの透明導電層（厚さ３２ｎｍ）は、Ｋｒ含有の非晶質ＩＴＯからなる。

〈透明導電層の厚さ〉
実施例１～４および比較例１～３における各透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、実施例１～４および比較例１～３における各透明導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」，Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。

実施例４および比較例２における各透明導電層の第１領域の厚さは、当該第１領域の上に第２領域を形成する前の中間作製物から断面観察用サンプルを作製し、当該サンプルのＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。実施例４および比較例２における各透明導電層の第２領域の厚さは、透明導電層の総厚から第１領域の厚さを差し引いて求めた。

〈比抵抗〉
実施例１～４および比較例１～３における各透明導電層について、加熱処理後の比抵抗を調べた。加熱処理では、加熱手段として熱風オーブンを使用し、加熱温度を１３０℃とし、加熱時間を６０分間とした。ＪＩＳＫ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、透明導電層の表面抵抗を測定した後、表面抵抗値と透明導電層の厚さとを乗じることにより、比抵抗（Ω・ｃｍ）を求めた。加熱処理後の比抵抗の値を表１に示す。表１には、加熱処理前の比抵抗の値も示す。

〈透明導電層内のＫｒ原子の確認〉
実施例１～４および比較例３における各透明導電層がＫｒ原子を含有することは、次のようにして確認した。まず、走査型蛍光Ｘ線分析装置（商品名「ＺＳＸＰｒｉｍｕｓＩＶ」，リガク社製）を使用して、下記の測定条件にて蛍光Ｘ線分析測定を５回繰り返し、各走査角度の平均値を算出し、Ｘ線スペクトルを作成した。そして、作成されたＸ線スペクトルにおいて、走査角度２８.２°近傍にピークが出ていることを確認することにより、透明導電層にＫｒ原子が含有されることを確認した。

＜測定条件＞
スペクトル；Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度(deg)：２７.０～２９.５
ステップ(deg)：０.０２０
速度(deg/分)：０.７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００～３００

〈結晶化速度〉
実施例１～５および比較例１～３の各透明導電性フィルムについて、透明導電層の結晶化速度を調べた。具体的には、まず、透明導電性フィルムから測定用のサンプル（５ｃｍ×５ｃｍ）を切り出した。次に、測定装置のステージ上にサンプルをセットした。測定装置は、Accent Optical Technologies社製のホール効果測定器「ＨＬ５５００ＰＣ」のステージを、ヒーター付きのステージ（商品名「ＪＨＴＭ-３００ＨＣ-００１Ａ」，日本サーマルエンジニアリング社製」に取り換えることによって用意した。次に、この装置において、ステージを昇温速度３６℃／分で１３０℃に昇温させた後、１３０℃到達時点から１分おきに２０分まで、サンプルの表面抵抗を測定した（測定は、ＪＩＳＫ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法による）。次に、測定された各抵抗値について、一つ前（１分前）の測定で得られた抵抗値を基準とする抵抗値変化率を求めた。そして、抵抗値変化率が最初に１％以下となった抵抗値にとっての基準抵抗値の測定時間を、結晶化時間とした（例えば、実施例３の透明導電性フィルムのサンプルでは、１３０℃到達時点から４分後の抵抗値を基準とする５分後の抵抗値の変化率が、１％以下となった最初の抵抗値変化率であったので、結晶化時間は４分である）。その結果を表１に示す。比較例３の測定用サンプルでは、１３０℃到達時点から２０分までの間に抵抗値変化率が１％以下とはならなかった。すなわち、比較例３の透明導電性フィルムにおける透明導電層の結晶化速度は、２０分超（＞２０分）であった。

本発明の透明導電性フィルムは、例えば、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および光センサなどの各種デバイスにおける透明電極をパターン形成するための導体膜の供給材として用いることができる。

Ｘ透明導電性フィルム
Ｔ厚さ方向
１０透明基材
１１樹脂フィルム
１２機能層
２０，２０’ 透明導電層

Claims

透明基材と非晶質の透明導電層とを厚さ方向にこの順で備え、
前記透明導電層が、クリプトンを含有し、５.５×１０^－４Ω・ｃｍ以上８×１０^－４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有し、１３０℃で６０分間の加熱処理によって結晶質に転化して２.５×１０^－４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、透明導電性フィルム。
前記透明導電層がインジウム含有導電性酸化物を含む、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
前記透明導電層が２０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１または２のいずれか一つに記載の透明導電性フィルム。