WO2024166683A1 - 調光フィルム - Google Patents

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WO2024166683A1
WO2024166683A1 PCT/JP2024/002009 JP2024002009W WO2024166683A1 WO 2024166683 A1 WO2024166683 A1 WO 2024166683A1 JP 2024002009 W JP2024002009 W JP 2024002009W WO 2024166683 A1 WO2024166683 A1 WO 2024166683A1
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electrode layer
layer
film
light
less
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PCT/JP2024/002009
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望 藤野
凌祐 田邉
智宏 竹安
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日東電工株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • G—PHYSICS
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a light control film.
  • the light-controlling film includes a light-controlling section and a transparent substrate film that supports the light-controlling section.
  • the light-controlling section includes, for example, a transparent conductive layer, a light-controlling layer, and a transparent conductive layer, in that order in the thickness direction.
  • the light-controlling layer is sandwiched between two transparent conductive layers.
  • the light-controlling layer is formed from an electrochromic (EC) material.
  • the EC material is a material that can be reversibly changed between a colored non-transparent state and a colorless transparent state, for example, by electrochemical oxidation-reduction.
  • Each transparent conductive layer is an electrode layer.
  • the light-controlling layer By turning on and off the voltage between the electrodes (transparent conductive layers), the light-controlling layer is switched, for example, between a non-transparent state (light-shielding state) and a transparent state (non-light-shielding state).
  • a non-transparent state light-shielding state
  • a transparent state non-light-shielding state
  • the transmittance of light such as visible light
  • light-control films are required to have heat-blocking properties against sunlight.
  • the electrode transparent conductive layer
  • the electrode contains free electrons as carriers that have significant reflectivity to heat rays in sunlight (electromagnetic waves such as near-infrared rays that transmit heat by radiation).
  • heat rays in sunlight electromagnetic waves such as near-infrared rays that transmit heat by radiation.
  • such electrodes are provided over the entire surface of the light-control layer. In other words, the surface area of the light-control film that is occupied by the electrodes is large.
  • the heat-blocking properties of the film against sunlight can be efficiently controlled by adjusting the number of carriers in the electrodes.
  • the present invention is based on such findings.
  • the present invention provides a light control film that is suitable for achieving good heat shielding properties against sunlight.
  • the present invention includes a light-control film comprising a base film, a first electrode layer, a light-control layer, and a second electrode layer in this order in the thickness direction, wherein the first electrode layer is an indium-containing conductive oxide layer, has a resistivity of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, is a crystalline layer having an average crystal grain size of 300 nm or less in the plane direction, and has a region including a plurality of crystal grains in the thickness direction.
  • the present invention [2] includes the light control film described in [1] above, in which the indium-containing conductive oxide layer is an indium tin composite oxide layer having a tin oxide ratio of 11 mass% or more.
  • the present invention [3] includes the light control film described in [1] or [2] above, in which the second electrode layer is an indium-containing conductive oxide layer.
  • the present invention [4] includes the light control film described in [3] above, in which the indium-containing conductive oxide in the second electrode layer is an indium tin composite oxide having a tin oxide ratio of 11 mass% or more.
  • the present invention [5] includes the light-controlling film according to any one of the above [1] to [4], wherein the second electrode layer has a resistivity of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less.
  • the present invention [6] includes the light control film according to any one of [1] to [5] above, in which the second electrode layer is a crystalline layer having an average crystal grain size in the plane direction of 300 nm or less.
  • the present invention [7] includes the light control film described in [6] above, in which the second electrode layer has a region containing a plurality of crystal grains in the thickness direction.
  • the present invention [8] includes the light control film according to any one of [1] to [7] above, in which the base film has a near-infrared absorbing layer and/or a near-infrared reflective layer.
  • the present invention [9] includes the light control film described in any one of [1] to [8] above, which has an average transmittance of 50% or less at wavelengths of 800 nm to 1,300 nm.
  • the light control film of the present invention comprises a base film, a first electrode layer, a light control layer, and a second electrode layer in this order in the thickness direction
  • the first electrode layer is an indium-containing conductive oxide layer having a resistivity of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, a crystalline layer having an average crystal grain size of 300 nm or less in the plane direction, and a region containing a plurality of crystal grains in the thickness direction.
  • Such a light control film is suitable for ensuring the number of free electrons (number of carriers) per unit area in a planar view in the first electrode layer. The greater the number of free electrons per unit area in the first electrode layer, the higher the reflectivity of the first electrode layer against heat rays in sunlight.
  • the light control film of the present invention is suitable for achieving good heat shielding property against sunlight.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a light control film of the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the light control film shown in FIG. 1 .
  • 2 is an enlarged cross-sectional view of another portion of the light control film shown in FIG. 1 .
  • 4 shows some steps in an example of a method for producing the light-controlling film shown in Fig. 1.
  • Fig. 4A shows a substrate film preparation step
  • Fig. 4B shows a transparent conductive layer formation step
  • Fig. 4C shows a crystallization step
  • Fig. 4D shows a light-controlling layer formation step.
  • 4D shows a lamination step subsequent to the step shown in FIG. 4D.
  • the light control film X as one embodiment of the present invention comprises a base film 10 (first base film), an electrode layer 20 (first electrode layer), a light control layer 30, an electrode layer 40 (second electrode layer), and a base film 50 (second base film) in this order in the thickness direction H.
  • the base film 10 has a first surface 10a and a second surface 10b opposite the first surface 10a.
  • the electrode layer 20 is disposed on the first surface 10a.
  • the electrode layer 20 and the first surface 10a are in contact with each other.
  • the light control layer 30 is disposed on the electrode layer 20.
  • the light control layer 30 and the electrode layer 20 are in contact with each other.
  • the electrode layer 40 is disposed on the light control layer 30.
  • the electrode layer 40 and the light control layer 30 are in contact with each other.
  • the base film 50 is disposed on the electrode layer 40.
  • the base film 50 has a first surface 50a on the electrode layer 40 side and a second surface 50b on the opposite side to the first surface 50a.
  • the electrode layer 40 and the first surface 50a are in contact with each other.
  • the light control film X has a sheet shape that extends in a direction (plane direction) perpendicular to the thickness direction H.
  • the substrate film 10 and the electrode layer 20 form a substrate film Y1 with an electrode.
  • the base film 10 includes a resin film 11 and a cured resin layer 12, which are arranged in this order in the thickness direction H.
  • the cured resin layer 12 is in contact with the resin film 11.
  • the cured resin layer 12 forms the first surface 10a of the base film 10.
  • the resin film 11 is a base material that ensures the strength of the light control film X.
  • the resin film 11 is also a transparent resin film that has flexibility.
  • the material of the resin film 11 include polyester resin, polyolefin resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, and polystyrene resin.
  • the polyester resin include polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate.
  • the polyolefin resin include polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymer.
  • the acrylic resin include polymethacrylate. From the viewpoints of transparency and strength, the material of the resin film 11 is preferably polyester resin, and more preferably PET.
  • the surface of the resin film 11 on the side of the cured resin layer 12 may be subjected to a surface modification treatment.
  • surface modification treatments include corona treatment, plasma treatment, ozone treatment, primer treatment, glow treatment, and coupling agent treatment (the same applies to the surface modification treatment for the resin film 51 described below).
  • the thickness of the resin film 11 is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more, and even more preferably 30 ⁇ m or more, from the viewpoint of ensuring the strength of the light control film X.
  • the thickness of the resin film 11 is preferably 300 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or less, and even more preferably 150 ⁇ m or less, from the viewpoint of ensuring the handleability of the resin film 11 in the roll-to-roll method.
  • the thickness of the resin film 11 is preferably 10 to 300 ⁇ m, more preferably 20 to 200 ⁇ m, and even more preferably 30 to 150 ⁇ m, from the viewpoint of achieving both the strength and the handleability of the light control film X.
  • the visible light transmittance of the resin film 11 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the transparency required for the light control film X when the light control film is in a transparent state.
  • the visible light transmittance of the resin film 11 is, for example, 100% or less.
  • the visible light transmittance is defined as the transmittance in the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the cured resin layer 12 is an optical adjustment layer (refractive index adjustment layer) for improving the optical characteristics of the light control film X.
  • the cured resin layer 12 may have a function of blocking moisture and organic gases generated from the resin film 11 in the transparent conductive layer formation process (FIG. 4B) described later.
  • the cured resin layer 12 is a cured product of a curable first resin composition.
  • the first resin composition contains a resin.
  • the resin include melamine resin, alkyd resin, organic silane condensate, polyester resin, acrylic urethane resin, acrylic resin (excluding acrylic urethane resin), urethane resin (excluding acrylic urethane resin), amide resin, silicone resin, and epoxy resin.
  • the resin in the first resin composition is preferably at least one selected from the group consisting of melamine resin, alkyd resin, and organic silane condensate.
  • the first resin composition may be a UV-curable resin composition or a heat-curable resin composition.
  • the thickness of the cured resin layer 12 is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, even more preferably 20 nm or more, and even more preferably 30 nm or more, from the viewpoint of improving the light transmission characteristics of the light control film X.
  • the thickness of the cured resin layer 12 is preferably 1000 nm or less, more preferably 100 nm or less, even more preferably 50 nm or less, and even more preferably 40 nm or less, from the viewpoint of thinning the light control film X.
  • the thickness of the cured resin layer 12 is preferably 5 to 1000 nm, more preferably 10 to 100 nm, even more preferably 20 to 50 nm, and even more preferably 30 to 40 nm, from the viewpoint of achieving both the light transmission characteristics and thinning of the light control film X.
  • the substrate film 10 may have another cured resin layer on the opposite side of the resin film 11 from the cured resin layer 12.
  • the other cured resin layer include a hard coat layer and an anti-blocking layer.
  • the other cured resin layer in the substrate film 10 is shown by a phantom line as cured resin layer 13.
  • the other cured resin layer is, for example, a cured product of a curable second resin composition.
  • the second resin composition contains a resin.
  • the resin include polyester resin, acrylic urethane resin, acrylic resin (excluding acrylic urethane resin), urethane resin (excluding acrylic urethane resin), amide resin, silicone resin, epoxy resin, and melamine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the second resin composition may be an ultraviolet-curable resin composition or a thermosetting resin composition.
  • the second resin composition may contain particles.
  • the particles include inorganic oxide particles and organic particles.
  • materials for the inorganic oxide particles include silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, tin oxide, indium oxide, cadmium oxide, and antimony oxide.
  • materials for the organic particles include polymethyl methacrylate, polystyrene, polyurethane, acrylic-styrene copolymer, benzoguanamine, melamine, and polycarbonate.
  • the particles are preferably inorganic oxide particles, and more preferably at least one selected from the group consisting of silica particles and zirconia particles.
  • the thickness of the other cured resin layer is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, and even more preferably 2 ⁇ m or more, from the viewpoint of ensuring the functionality of the cured resin layer.
  • the thickness of this cured resin layer is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less, and even more preferably 3 ⁇ m or less, from the viewpoint of making the light control film X thinner.
  • the thickness of this cured resin layer is preferably 0.5 to 10 ⁇ m, more preferably 1 to 5 ⁇ m, and even more preferably 2 to 3 ⁇ m, from the viewpoint of achieving both ensuring the functionality of the layer and making the light control film X thinner.
  • the thickness of the base film 10 is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 30 ⁇ m or more, even more preferably 50 ⁇ m or more, and even more preferably 60 ⁇ m or more. From the viewpoint of making the light-control film X thinner, the thickness of the base film 10 is preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 300 ⁇ m or less, even more preferably 200 ⁇ m or less, and even more preferably 150 ⁇ m or less.
  • the thickness of the base film 10 is preferably 10 to 500 ⁇ m, more preferably 30 to 300 ⁇ m, even more preferably 50 to 200 ⁇ m, and even more preferably 60 to 150 ⁇ m.
  • the visible light transmittance of the base film 10 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the transparency required for the light-control film X when the light-control film is in a transparent state.
  • the visible light transmittance of the base film 10 is, for example, 100% or less.
  • the substrate film 10 preferably has a near-infrared absorbing layer and/or a near-infrared reflective layer (each layer is not shown).
  • a near-infrared absorbing layer refers to a layer that exhibits significant absorption ability for near-infrared rays (wavelengths 700 nm to 2500 nm).
  • a near-infrared reflective layer refers to a layer that exhibits significant reflection ability for near-infrared rays (wavelengths 700 nm to 2500 nm).
  • the near-infrared absorbing layer may be disposed between the resin film 11 and the cured resin layer 12, or may be disposed on the opposite side of the resin film 11 to the cured resin layer 12.
  • the resin film 11 may be a near-infrared absorbing layer, or may have a multi-layer structure including a near-infrared absorbing layer.
  • the near-infrared absorbing layer includes, for example, a near-infrared absorbing agent and a binder resin.
  • the near-infrared absorbing agent include inorganic near-infrared absorbing agents and organic near-infrared absorbing agents.
  • Examples of the inorganic near-infrared absorbing agent include CFM complex oxide particles and tungsten oxide particles.
  • the CFM complex oxide is a complex oxide of copper, iron, and manganese.
  • Examples of the material for the binder resin include the materials described above for the resin film 11.
  • the near-infrared reflective layer may be disposed between the resin film 11 and the cured resin layer 12, or may be disposed on the opposite side of the resin film 11 to the cured resin layer 12.
  • the resin film 11 may be a near-infrared reflective layer, or may have a multilayer structure including a near-infrared reflective layer.
  • the near-infrared reflective layer has, for example, a multilayer structure including a plurality of thin resin layers having different optical properties, and preferably has a multilayer structure in which a first thin resin layer and a second thin resin layer having different optical properties are alternately arranged in the thickness direction H.
  • the optical properties include, for example, the in-plane average refractive index.
  • the difference in the in-plane average refractive index between the first thin resin layer and the second thin resin layer is preferably 0.01 or more, more preferably 0.03 or more, and preferably 0.15 or less, more preferably 0.12 or less.
  • the number of laminated thin resin layers forming the multilayer structure is, for example, 20 or more, and, for example, 700 or less. Examples of materials for the thin resin layers include the materials described above for the resin film 11.
  • the electrode layer 20 is a layer that has both optical transparency and electrical conductivity. Such an electrode layer 20 is formed from a transparent conductive material. In other words, the electrode layer 20 is a transparent conductive layer.
  • the electrode layer 20 is formed from an indium-containing conductive oxide as a transparent conductive material. That is, the electrode layer 20 is an indium-containing conductive oxide layer.
  • indium-containing conductive oxides include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO), and indium gallium zinc oxide (IGZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IGO indium gallium oxide
  • IGZO indium gallium zinc oxide
  • the indium-containing conductive oxide is preferably ITO. This ITO may contain a metal or semi-metal other than In and Sn in an amount less than the respective contents of In and Sn.
  • the ratio of the tin oxide content to the total content of indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) in ITO is preferably 11 mass % or more, more preferably 12 mass % or more, and even more preferably 12.5 mass % or more, from the viewpoint of appropriately suppressing the growth of crystal grains in the transparent conductive layer in the crystallization step ( FIG. 4C ) described below and ensuring the number of carriers in the electrode layer 20.
  • the tin oxide ratio is preferably 18 mass % or less, more preferably 16 mass % or less, and even more preferably 14 mass % or less, from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 20.
  • the tin oxide ratio is preferably 11 to 18 mass %, more preferably 12 to 16 mass %, and even more preferably 12.5 to 14 mass %, from the viewpoint of both ensuring the number of carriers and reducing the resistance.
  • the tin oxide ratio in ITO can be identified, for example, as follows. First, the abundance ratio of indium atoms (In) and tin atoms (Sn) in ITO as a measurement target is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy. From the abundance ratios of In and Sn in ITO, the ratio of the number of Sn atoms to the number of In atoms in ITO is obtained. This gives the tin oxide ratio in ITO. The tin oxide ratio in ITO can also be determined from the tin oxide (SnO 2 ) content of the ITO target used during sputtering film formation.
  • the electrode layer 20 is a crystalline layer.
  • the electrode layer 20 being a crystalline layer is preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 20, and is also preferable for achieving good infrared reflection characteristics in the electrode layer 20 and the light control film X.
  • an electrode layer formed from a conductive oxide is a crystalline layer (crystalline film)
  • a crystalline layer crystalline film
  • the electrode layer is immersed in hydrochloric acid with a concentration of 5% by mass at 20°C for 15 minutes.
  • the electrode layer is washed with water and then dried.
  • the resistance between a pair of terminals separated by a distance of 15 mm is measured on the exposed surface of the electrode layer. In this measurement, if the inter-terminal resistance is 10 k ⁇ or less, the electrode layer can be determined to be a crystalline layer.
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 20 is 300 nm or less, preferably 270 nm or less, more preferably 240 nm or less, and even more preferably 220 nm or less, from the viewpoint of ensuring the number of carriers (number of free electrons) in the electrode layer 20 (the smaller the crystal grains in the electrode layer 20, the greater the total length of the grain boundaries and the greater the number of carriers).
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 20 is, for example, 30 nm or more, preferably 100 nm or more, more preferably 150 nm or more, even more preferably 180 nm or more, and even more preferably 200 nm or more, from the viewpoint of ensuring the number of carriers in the electrode layer 20 and achieving low resistivity at the same time.
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 20 is preferably 100 to 300 nm, more preferably 150 to 270 nm, even more preferably 180 to 240 nm, and even more preferably 200 to 220 nm, from the viewpoint of achieving both the number of carriers and low resistivity in the electrode layer 20.
  • the average crystal grain size in the electrode layer 20 is preferably within the above range.
  • Methods for adjusting the average crystal grain size of the electrode layer 20 include, for example, adjusting the composition of the electrode layer 20, adjusting the thickness of the electrode layer 20, and adjusting the film formation temperature in the transparent conductive layer formation process (FIG. 4B) described below. Adjustment of the composition of the electrode layer 20 includes adjusting the composition of the target used in sputtering film formation in the transparent conductive layer formation process, and adjusting the ratio of the amount of oxygen introduced.
  • the method for measuring the average crystal grain size of the electrode layer is as described below in the examples.
  • the electrode layer 20 has a region (particle stacking region) containing multiple crystal grains in the thickness direction H.
  • the number of particles in the particle stacking region in the thickness direction H is 2, 3, or 4 or more.
  • FIG. 2 shows an example in which the electrode layer 20 has a particle stacking region containing two crystal grains 21 in the thickness direction H.
  • the electrode layer 20 having a particle stacking region is suitable for ensuring the length (total length) of the grain boundary L in the electrode layer 20 and ensuring the number of carriers.
  • a method for confirming that the electrode layer (electrode layers 20, 40) has a particle stacking region is as described below in the examples.
  • the resistivity of the electrode layer 20 is 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, preferably 2.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, more preferably 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, and even more preferably 1.8 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less, from the viewpoint of ensuring the number of carriers (number of free electrons) in the electrode layer 20.
  • a low resistivity of the electrode layer 20 is also preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 20.
  • the resistivity of the electrode layer 20 is preferably 0.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, even more preferably 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more, and even more preferably 1.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, from the viewpoint of achieving a good crystallization rate of the transparent conductive layer (from which the electrode layer 20 is formed) in the crystallization step (FIG. 4C ) described later.
  • the resistivity of the electrode layer 20 is preferably 0.5 ⁇ 10 ⁇ 4 to 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 to 2.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm, even more preferably 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 to 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm, and even more preferably 1.5 ⁇ 10 ⁇ 4 to 1.8 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm.
  • the resistivity of the electrode layer 20 is calculated by multiplying the surface resistance of the electrode layer 20 by its thickness. The specific method of calculating the resistivity is as described later in the examples.
  • the resistivity of the electrode layer 20 can be adjusted, for example, by adjusting various conditions when the electrode layer 20 is formed by sputtering.
  • Such conditions include, for example, the temperature of the base (the substrate film 10 in this embodiment) on which the electrode layer 20 is formed, the amount of oxygen introduced into the film formation chamber, the air pressure in the film formation chamber, and the horizontal magnetic field strength above the target.
  • the number of carriers (number of free electrons) in a plan view (plane direction) of the electrode layer 20 is preferably 10 ⁇ 10 15 cm -2 or more, more preferably 12 ⁇ 10 15 cm -2 or more, even more preferably 14 ⁇ 10 15 cm -2 or more, and even more preferably 14.5 ⁇ 10 15 cm -2 or more, from the viewpoint of ensuring the heat shielding properties of the electrode layer 20.
  • This number of carriers represents the number of carriers (free electrons) per unit area (1 square centimeter) in a plan view of the electrode layer 20.
  • the number of carriers in a plan view of the electrode layer 20 is preferably 100 ⁇ 10 15 cm -2 or less, more preferably 60 ⁇ 10 15 cm -2 or less, even more preferably 40 ⁇ 10 15 cm -2 or less, and even more preferably 20 ⁇ 10 15 cm -2 or less.
  • the carrier number of the electrode layer 20 is preferably 10 ⁇ 10 15 to 100 ⁇ 10 15 cm -2 , more preferably 12 ⁇ 10 15 to 60 ⁇ 10 15 cm -2 , even more preferably 14 ⁇ 10 15 to 40 ⁇ 10 15 cm -2 , and even more preferably 14.5 ⁇ 10 15 to 20 ⁇ 10 15 cm -2 .
  • Examples of methods for adjusting the carrier number of the electrode layer 20 include adjusting the composition of the electrode layer 20, adjusting the thickness of the electrode layer 20, and adjusting the film formation temperature in the transparent conductive layer formation step ( FIG. 4B ) described below. Adjustment of the composition of the electrode layer 20 includes adjusting the composition of the target used in sputtering film formation in the transparent conductive layer formation step, and adjusting the ratio of the amount of oxygen introduced.
  • the method for measuring the number of carriers in the electrode layers (electrode layers 20, 40) is as described below in relation to the examples.
  • the thickness of the electrode layer 20 is preferably 50 nm or more, more preferably 80 nm or more, even more preferably 100 nm or more, and even more preferably 120 nm or more, from the viewpoint of ensuring the number of carriers in the electrode layer 20.
  • a thick electrode layer 20 is also preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 20.
  • the thickness of the electrode layer 20 is preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, even more preferably 170 nm or less, and even more preferably 140 nm or less, from the viewpoint of ensuring the bending resistance of the electrode layer 20 (suppressing cracking of the electrode layer 20 when bent).
  • the thickness of the electrode layer 20 is preferably 50 to 300 nm, more preferably 80 to 200 nm, even more preferably 100 to 170 nm, and even more preferably 120 to 140 nm, from the viewpoint of ensuring the number of carriers in the electrode layer 20, reducing the resistance, and bending resistance.
  • the visible light transmittance of the electrode layer 20 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the required transparency in the light-control film X when the light-control film is in a transparent state.
  • the visible light transmittance of the electrode layer 20 is, for example, 100% or less.
  • the content of rare gas atoms in the electrode layer 20 is preferably 0.3 atomic % or less, more preferably 0.2 atomic % or less, and even more preferably 0.1 atomic % or less, and is, for example, 0.0001 atomic % or more.
  • Examples of rare gas atoms include argon (Ar), krypton (Kr), and xenon (Xe).
  • the rare gas atoms are derived from, for example, the sputtering gas used in the transparent conductive layer formation process (FIG. 4B) described later (sputtering gas is mixed in).
  • Methods for identifying the content of rare gas atoms in the electrode layer 20 include, for example, fluorescent X-ray analysis and Rutherford backscattering spectrometry (RBS) (the same applies to the method for identifying the content of rare gas atoms in the electrode layer 40 described later).
  • fluorescent X-ray analysis and Rutherford backscattering spectrometry RBS
  • the dimming layer 30 is formed from a material that can be reversibly changed between a colored non-transparent state (light-blocking state) and a transparent state (non-light-blocking state) by the action of, for example, an electric current or an electric field.
  • Examples of the dimming layer 30 include an electrochromic (EC) dimming layer, a dimming layer containing polymer dispersed liquid crystal (PDLC), a dimming layer containing polymer network liquid crystal (PNLC), and a suspended particle device (SPD) dimming layer.
  • EC electrochromic
  • PDLC polymer dispersed liquid crystal
  • PNLC polymer network liquid crystal
  • SPD suspended particle device
  • the EC light control layer is formed from an EC material.
  • the EC material is a material that can be reversibly changed between a colored non-transparent state (light-shielding state) and a transparent state (light-non-shielding state) by electrochemical oxidation and reduction.
  • EC materials include inorganic EC materials and organic EC materials.
  • Inorganic EC materials include, for example, tungsten oxide, vanadium oxide, molybdenum oxide, iridium oxide, rhodium oxide, and indium nitride.
  • Organic EC materials include, for example, polyaniline, viologen, and polyoxotungstate.
  • Polymer-dispersed liquid crystals have a structure in which liquid crystals are phase-separated within the polymer.
  • Polymer-network liquid crystals have a structure in which liquid crystals are dispersed in a polymer network, and the liquid crystals in the polymer network form a continuous phase.
  • liquid crystal compounds include nematic liquid crystal compounds, smectic liquid crystal compounds, and cholesteric liquid crystal compounds.
  • nematic liquid crystal compounds examples include biphenyl-based compounds, phenylbenzoate-based compounds, cyclohexylbenzene-based compounds, azoxybenzene-based compounds, azobenzene-based compounds, azomethine-based compounds, terphenyl-based compounds, biphenylbenzoate-based compounds, cyclohexylbiphenyl-based compounds, phenylpyridine-based compounds, cyclohexylpyrimidine-based compounds, and cholesterol-based compounds.
  • the thickness of the light-controlling layer 30 is preferably 1 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and even more preferably 10 ⁇ m or more, from the viewpoint of ensuring a large difference in visible light transmittance between the non-transparent state and the transparent state in the light-controlling film X.
  • the thickness of the light-controlling layer 30 is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 80 ⁇ m or less, from the viewpoint of making the light-controlling film X thin and ensuring high transmittance in the transparent state.
  • the thickness of the light-controlling layer 30 is preferably 1 to 200 ⁇ m, more preferably 5 to 100 ⁇ m, and even more preferably 10 to 80 ⁇ m, from the viewpoint of achieving both the above-mentioned visible light transmittance difference in the light-controlling film X and the above-mentioned thinness and high transmittance.
  • the base film 50 and the electrode layer 40 form the electrode-equipped base film Y2.
  • the base film 50 includes a resin film 51 and a cured resin layer 52, which are arranged in this order in the thickness direction H.
  • the cured resin layer 52 is in contact with the resin film 51.
  • the cured resin layer 52 forms the first surface 50a of the base film 50.
  • the resin film 51 is a base material that ensures the strength of the light control film X.
  • the resin film 51 is a flexible and transparent resin film. Examples of materials for the resin film 51 include the materials described above as the materials for the resin film 11.
  • the surface of the resin film 51 on the side of the cured resin layer 52 may be subjected to a surface modification treatment.
  • the preferred thickness and preferred visible light transmittance of the resin film 51 are the same as those described above for the resin film 11.
  • the cured resin layer 52 is an optical adjustment layer (refractive index adjustment layer) for improving the optical characteristics of the light control film X.
  • the cured resin layer 52 may have a function of blocking moisture and organic gases generated from the resin film 51 in the transparent conductive layer formation process.
  • the cured resin layer 52 is a cured product of a curable third resin composition.
  • the third curable resin composition contains a resin. Examples of the resin of the third resin composition include the resins described above with respect to the first resin composition.
  • the third resin composition may be an ultraviolet-curable resin composition or a thermosetting resin composition.
  • the thickness of the cured resin layer 52 is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, even more preferably 20 nm or more, and even more preferably 30 nm or more, from the viewpoint of improving the light transmission characteristics of the light control film X.
  • the thickness of the cured resin layer 52 is preferably 1000 nm or less, more preferably 100 nm or less, even more preferably 50 nm or less, and even more preferably 40 nm or less, from the viewpoint of thinning the light control film X.
  • the thickness of the cured resin layer 52 is preferably 5 to 1000 nm, more preferably 10 to 100 nm, even more preferably 20 to 50 nm, and even more preferably 30 to 40 nm, from the viewpoint of achieving both the light transmission characteristics and thinning of the light control film X.
  • the substrate film 50 may have another cured resin layer (e.g., a hard coat layer and an anti-blocking layer) on the opposite side of the resin film 51 from the cured resin layer 52.
  • another cured resin layer e.g., a hard coat layer and an anti-blocking layer
  • FIG. 1 the other cured resin layer in the substrate film 50 is shown by a phantom line as the cured resin layer 53.
  • the visible light transmittance of the base film 50 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the transparency required for the light-control film X when the light-control film is in a transparent state.
  • the visible light transmittance of the base film 50 is, for example, 100% or less.
  • the substrate film 50 preferably has a near-infrared absorbing layer and/or a near-infrared reflective layer (each layer is not shown).
  • the near-infrared absorbing layer may be disposed between the resin film 51 and the cured resin layer 52, or may be disposed on the opposite side of the resin film 51 to the cured resin layer 52.
  • the resin film 51 may be a near-infrared absorbing layer, or may have a multi-layer structure including a near-infrared absorbing layer.
  • the near-infrared absorbing layer includes, for example, a near-infrared absorbing agent and a binder resin. Examples of the near-infrared absorbing agent include the near-infrared absorbing agents described above for the base film 10. Examples of materials for the binder resin include the materials described above for the resin film 11.
  • the near-infrared reflective layer may be disposed between the resin film 51 and the cured resin layer 52, or may be disposed on the opposite side of the resin film 51 to the cured resin layer 52.
  • the resin film 51 may be a near-infrared reflective layer, or may have a multi-layer structure including a near-infrared reflective layer. Examples of the near-infrared reflective layer include the near-infrared reflective layer described above with respect to the base film 10.
  • the electrode layer 40 is a layer that has both optical transparency and electrical conductivity.
  • the electrode layer 40 is formed from a transparent conductive material. That is, the electrode layer 40 is a transparent conductive layer.
  • the transparent conductive material include indium-containing conductive oxides and antimony-containing conductive oxides.
  • the indium-containing conductive oxides include indium tin composite oxide (ITO), indium zinc composite oxide (IZO), indium gallium composite oxide (IGO), and indium gallium zinc composite oxide (IGZO).
  • the antimony-containing conductive oxides include antimony tin composite oxide (ATO).
  • the transparent conductive material is preferably an indium-containing conductive oxide, and more preferably ITO. That is, the electrode layer 40 is preferably an indium-containing conductive oxide layer, and more preferably an ITO layer. ITO may contain a metal or semimetal other than In and Sn in an amount less than the respective contents of In and Sn.
  • the ratio of the content of tin oxide to the total content of indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) in ITO is preferably 11% by mass or more, more preferably 12% by mass or more, and even more preferably 12.5% by mass or more, from the viewpoint of appropriately suppressing the growth of crystal grains in the transparent conductive layer in the crystallization step ( FIG. 4C ) described later and ensuring the number of carriers in the electrode layer 40.
  • the tin oxide ratio in the electrode layer 40 is preferably 18% by mass or less, more preferably 16% by mass or less, and even more preferably 14% by mass or less, from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 40.
  • the tin oxide ratio in the electrode layer 40 is preferably 11 to 18% by mass, more preferably 12 to 16% by mass, and even more preferably 12.5 to 14% by mass, from the viewpoint of both ensuring the number of carriers and reducing the resistance.
  • the electrode layer 40 is preferably a crystalline layer.
  • the electrode layer 40 being a crystalline layer is preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 40, and is also preferable for achieving good infrared reflection characteristics in the electrode layer 40 and the light control film X.
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 40 is preferably 300 nm or less, more preferably 270 nm or less, even more preferably 240 nm or less, and even more preferably 220 nm or less, from the viewpoint of ensuring the number of carriers (number of free electrons) of the electrode layer 40 (the smaller the crystal grains in the electrode layer 40, the greater the total length of the grain boundaries and the greater the number of carriers).
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 40 is preferably 100 nm or more, more preferably 150 nm or more, even more preferably 180 nm or more, and even more preferably 200 nm or more, from the viewpoint of ensuring the bending resistance of the electrode layer 40 (suppressing cracking of the electrode layer 40 when bent).
  • the average crystal grain size in the surface direction of the electrode layer 40 is preferably 100 to 300 nm, more preferably 150 to 270 nm, even more preferably 180 to 240 nm, and even more preferably 200 to 220 nm, from the viewpoint of both ensuring the number of carriers and ensuring the bending resistance of the electrode layer 40.
  • the average crystal grain size in the electrode layer 40 be within the above range.
  • the method for adjusting the average crystal grain size of the electrode layer 40 is the same as the method for adjusting the average crystal grain size of the electrode layer 20 described above.
  • the electrode layer 40 preferably has a particle stacking region that includes multiple crystal grains in the thickness direction H.
  • the number of particles in the particle stacking region in the thickness direction H is 2, 3, or 4 or more.
  • FIG. 3 shows an example in which the electrode layer 40 has a particle stacking region that includes two crystal grains 41 in the thickness direction H.
  • the electrode layer 40 having a particle stacking region is suitable for ensuring the length (total length) of the grain boundaries L in the electrode layer 40 and ensuring the number of carriers.
  • the resistivity of the electrode layer 40 is preferably 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, more preferably 2.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, even more preferably 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, and even more preferably 1.8 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less, from the viewpoint of ensuring the number of carriers (number of free electrons) in the electrode layer 40.
  • a low resistivity of the electrode layer 40 is also preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 40.
  • the resistivity of the electrode layer 40 is preferably 0.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, even more preferably 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, and even more preferably 1.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or more, from the viewpoint of achieving a good crystallization rate of the transparent conductive layer (from which the electrode layer 40 is formed) in the crystallization step.
  • the resistivity of the electrode layer 40 is preferably 0.5 ⁇ 10 -4 to 2.5 ⁇ 10 -4 ⁇ cm, more preferably 1.0 ⁇ 10 -4 to 2.2 ⁇ 10 -4 ⁇ cm, even more preferably 1.3 ⁇ 10 -4 to 2.0 ⁇ 10 -4 ⁇ cm, and even more preferably 1.5 ⁇ 10 -4 to 1.8 ⁇ 10 -4 ⁇ cm.
  • the method for adjusting the resistivity of the electrode layer 40 is the same as that for the electrode layer 20 described above.
  • the number of carriers (number of free electrons) in a plan view (plane direction) of the electrode layer 40 is preferably 10 ⁇ 10 15 cm -2 or more, more preferably 12 ⁇ 10 15 cm -2 or more, even more preferably 14 ⁇ 10 15 cm -2 or more, and even more preferably 14.5 ⁇ 10 15 cm -2 or more, from the viewpoint of ensuring the heat shielding properties of the electrode layer 40.
  • the number of carriers in a plan view of the electrode layer 40 may be less than 10 ⁇ 10 15 cm -2 .
  • the number of carriers (number of free electrons) in a plan view of the electrode layer 40 is preferably 100 ⁇ 10 15 cm -2 or less, more preferably 60 ⁇ 10 15 cm -2 or less, even more preferably 40 ⁇ 10 15 cm -2 or less, and even more preferably 20 ⁇ 10 15 cm -2 or less , from the viewpoint of ensuring the visible light transmittance of the electrode layer 40.
  • the number of carriers in the electrode layer 40 is preferably 10 ⁇ 10 to 100 ⁇ 10 cm, more preferably 12 ⁇ 10 to 60 ⁇ 10 cm, even more preferably 14 ⁇ 10 to 40 ⁇ 10 cm , and even more preferably 14.5 ⁇ 10 to 20 ⁇ 10 cm from the viewpoint of ensuring both the heat shielding property and the visible light transmittance of the electrode layer 40.
  • the method for adjusting the number of carriers in the electrode layer 40 is the same as the method for adjusting the number of carriers in the electrode layer 20 described above.
  • the thickness of the electrode layer 40 is preferably 50 nm or more, more preferably 80 nm or more, even more preferably 100 nm or more, and even more preferably 120 nm or more, from the viewpoint of ensuring the number of carriers in the electrode layer 40.
  • a thick electrode layer 40 is also preferable from the viewpoint of reducing the resistance of the electrode layer 40.
  • the thickness of the electrode layer 40 is preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, even more preferably 170 nm or less, and even more preferably 140 nm or less, from the viewpoint of ensuring the bending resistance of the electrode layer 40 (suppressing cracking of the electrode layer 40 when bent).
  • the thickness of the electrode layer 40 is preferably 50 to 300 nm, more preferably 80 to 200 nm, even more preferably 100 to 170 nm, and even more preferably 120 to 140 nm, from the viewpoint of the number of carriers, reducing the resistance, and bending resistance of the electrode layer 40.
  • the visible light transmittance of the electrode layer 40 is, for example, 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the transparency required for the transparent state of the light-control film in the light-control film X.
  • the visible light transmittance of the electrode layer 40 is, for example, 100% or less.
  • the content of rare gas atoms in the electrode layer 40 is preferably 0.3 atomic % or less, more preferably 0.2 atomic % or less, and even more preferably 0.1 atomic % or less, for example 0.0001 atomic % or more, from the viewpoint of reducing the resistance (reducing the specific resistance) of the electrode layer 40.
  • Examples of rare gas atoms include argon (Ar), krypton (Kr), and xenon (Xe).
  • the rare gas atoms are derived from, for example, the sputtering gas used in the transparent conductive layer formation process (FIG. 4B) described below (sputtering gas is mixed in).
  • the visible light transmittance (in a transparent state) of the light control film X is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 85% or more, from the viewpoint of ensuring the transparency of the light control film X.
  • the visible light transmittance of the base film 10 is, for example, 100% or less.
  • the average transmittance of the light-control film X at wavelengths of 800 nm to 1300 nm is preferably 50% or less, more preferably 40% or less, and even more preferably 30% or less, from the viewpoint of ensuring good heat shielding properties against sunlight in the light-control film X.
  • the average transmittance of the light-control film X is, for example, 0% or more, and preferably 10% or more.
  • the light-control film X preferably has such an average transmittance (wavelengths of 800 nm to 1300 nm) in the non-transparent state or the transparent state, and more preferably has such an average transmittance (wavelengths of 800 nm to 1300 nm) in both the non-transparent state and the transparent state.
  • the light control film X is manufactured, for example, as follows.
  • a substrate film 10 is prepared.
  • the substrate film 10 can be produced by forming a cured resin layer 12 on a resin film 11.
  • the cured resin layer 12 can be formed by applying the above-mentioned first resin composition to the resin film 11 to form a coating film, and then curing the coating film.
  • the first resin composition contains a thermosetting resin
  • the coating film is cured by heating.
  • the first resin composition contains an ultraviolet-curable resin
  • the coating film is cured by ultraviolet irradiation.
  • the exposed surface of the cured resin layer 12 formed on the resin film 11 is subjected to a surface modification treatment as necessary.
  • argon gas for example, is used as an inert gas.
  • the discharge power in the plasma treatment is, for example, 10 W or more, and, for example, 5000 W or less.
  • the above-mentioned other cured resin layer 13 may be formed on the opposite side of the resin film 11 from the cured resin layer 12.
  • an amorphous transparent conductive layer 20' is formed on the base film 10 (transparent conductive layer forming process). Specifically, a transparent conductive material is deposited on the cured resin layer 12 of the base film 10 by a sputtering method to form the transparent conductive layer 20'.
  • a sputter deposition device capable of performing the deposition process by a roll-to-roll method.
  • a material is deposited on the long substrate film 10 while the substrate film 10 is running from the unwinding roll to the take-up roll of the device, to form the transparent conductive layer 20'.
  • a sputter deposition device with one deposition chamber may be used, or a sputter deposition device with multiple deposition chambers arranged in sequence along the running path of the substrate film 10 may be used.
  • a sputtering gas (inert gas) is introduced under vacuum conditions into a deposition chamber equipped with a sputter deposition apparatus, while a negative voltage is applied to a target placed on a cathode in the deposition chamber.
  • This generates a glow discharge to ionize gas atoms, and the gas ions collide with the target surface at high speed, ejecting the target material from the target surface, and the ejected target material is deposited on the substrate film 10.
  • a sintered conductive oxide as described above for the electrode layer 20 is used as the target material.
  • a sputtering gas is a rare gas atom.
  • a rare gas atom is argon (Ar), krypton (Kr), and xenon (Xe).
  • the sputtering method is preferably a reactive sputtering method.
  • a sputtering gas (inert gas) and oxygen as a reactive gas are introduced into the film formation chamber.
  • the ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of sputtering gas and oxygen introduced into the film formation chamber is preferably 1.5 flow% or more, more preferably 2.0 flow% or more, and even more preferably 2.2 flow% or more, from the viewpoint of ensuring the number of carriers in the electrode layer 20.
  • the ratio of the amount of oxygen introduced is preferably 3.2 flow% or less, more preferably 2.8 flow% or less, and even more preferably 2.6 flow% or less, from the viewpoint of ensuring good crystallinity of the electrode layer 20.
  • the ratio of the amount of oxygen introduced is preferably 1.5 to 3.2 flow%, more preferably 2.0 to 2.8 flow%, and even more preferably 2.2 to 2.6 flow%, from the viewpoint of achieving both the number of carriers and the crystallinity of the electrode layer 20.
  • the air pressure in the deposition chamber during deposition by sputtering is, for example, 0.02 Pa or more, preferably 0.1 Pa or more, more preferably 0.2 Pa or more, and is, for example, 1 Pa or less, preferably 0.7 Pa or less, more preferably 0.5 Pa or less.
  • the film formation temperature in the sputtering method (the temperature of the substrate film 10 during sputter film formation) is preferably 50°C or less, more preferably 30°C or less, even more preferably 10°C or less, even more preferably 0°C or less, and even more preferably -5°C or less, from the viewpoint of properly forming an amorphous transparent conductive layer that can grow into crystals in the subsequent crystallization process.
  • the film formation temperature is, for example, -30°C or more or -20°C or more.
  • Power sources for applying voltage to the target include, for example, DC power sources, AC power sources, MF power sources, and RF power sources.
  • a combination of DC and RF power sources may be used as the power source.
  • the absolute value of the discharge voltage during sputter deposition is, for example, 50 V or more and, for example, 500 V or less.
  • the horizontal magnetic field strength on the target is, for example, 10 mT or more and, for example, 100 mT or less.
  • the transparent conductive layer 20' (FIG. 4B) on the base film 10 is crystallized by heating to form an electrode layer 20 (crystalline transparent conductive layer) (crystallization step).
  • the base film Y1 with electrodes is produced.
  • heating means include an infrared heater and an oven (heat medium heating oven, hot air heating oven).
  • the heating temperature is preferably 100° C. or higher, more preferably 120° C. or higher, from the viewpoint of ensuring a high crystallization rate.
  • the heating temperature is preferably 200° C. or lower, more preferably 170° C. or lower, and even more preferably 150° C. or lower, from the viewpoint of suppressing the influence of heating on the base film 10.
  • the heating time is, for example, less than 600 minutes, preferably less than 120 minutes, more preferably 90 minutes or lower, and even more preferably 60 minutes or lower, and is, for example, 1 minute or more, preferably 5 minutes or more.
  • the dimming layer 30 is formed on the electrode layer 20.
  • the inorganic EC material is formed into a film on the electrode layer 20 by, for example, a dry coating method.
  • a dry coating method a sputtering method is preferable.
  • an organic EC material is used as the material for forming the dimming layer 30, the organic EC material is formed into a film on the electrode layer 20 by, for example, a wet coating method.
  • the electrode-attached substrate film Y2 (substrate film 50, electrode layer 40) is prepared. Specifically, the method is the same as that for preparing the electrode-attached substrate film Y1 ( Figures 4A to 4C).
  • the electrode-attached substrate film Y1 with the light-adjusting layer 30 and the electrode-attached substrate film Y2 are integrated.
  • the electrode-attached substrate films Y1 and Y2 and the light-adjusting layer 30 are integrated so that the light-adjusting layer 30 is sandwiched between the electrode-attached substrate films Y1 and Y2.
  • the light-control film X can be manufactured.
  • the voltage between the electrode layers 20, 40 is turned on and off to switch the light-control layer 30 between a non-transparent state (light-blocking state) and a transparent state (light-non-blocking state).
  • a light-control film X is, for example, a light-control film that is attached to the window glass of a building or vehicle.
  • the transmittance of light, such as visible light, through the window glass with the light-control film X attached can be switched by turning on and off the voltage between the electrode layers 20, 40.
  • the light-controlling film X has an indium-containing conductive oxide layer in which the electrode layer 20 has a resistivity of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less, is a crystalline layer with an average crystal grain size of 300 nm or less in the plane direction, and has a particle lamination region containing a plurality of crystal grains in the thickness direction.
  • Such a light-controlling film X is suitable for ensuring the number of free electrons (number of carriers) per unit area in the planar view of the electrode layer 20. The greater the number of free electrons in the electrode layer 20, the higher the reflectivity of the electrode layer 20 against heat rays in sunlight, and therefore the higher the heat-blocking property of the light-controlling film X.
  • the light-controlling film X is suitable for achieving good heat-blocking properties against sunlight.
  • Such a light-controlling film X is suitable as a light-controlling film for outdoor use.
  • Examples of light-controlling films for outdoor use include light-controlling films for sunroofs of cars such as private cars, and light-controlling films for windows of buildings such as houses and buildings.
  • the light control film X preferably has an indium-containing conductive oxide layer 40, which is a crystalline layer having a resistivity of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less and an average crystal grain size of 300 nm or less in a plan view, and has a particle lamination region including a plurality of crystal grains in the thickness direction.
  • the light control film X is provided with the electrode layer 40 in addition to the electrode layer 20, which helps to realize good heat shielding properties against sunlight in the light control film.
  • Example 1 First, a roll of polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 100 ⁇ m, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was prepared as a long resin film. Next, a thermosetting resin composition C1 was applied to one side (first surface) of the PET film to form a coating film.
  • the resin composition C1 contains 100 parts by mass of melamine resin, 100 parts by mass of alkyd resin, and 50 parts by mass of an organic silane condensate.
  • the coating film on the PET film was heated and thermoset. The heating temperature was 185° C. The heating time was 1 minute. As a result, a first cured resin layer was formed as an optical adjustment layer having a thickness of 35 nm.
  • a UV-curable resin composition C2 was applied to the other side (second surface) of the PET film to form a coating film.
  • the coating film was cured by UV irradiation.
  • a second cured resin layer was formed as a hard coat (HC) layer having a thickness of 2 ⁇ m.
  • HC hard coat
  • a 125 nm thick amorphous transparent conductive layer was formed on the first cured resin layer of the base film by reactive sputtering (transparent conductive layer formation process).
  • a roll-to-roll sputter deposition device DC magnetron sputter deposition device
  • This device is equipped with a deposition chamber in which the deposition process can be carried out while the work film is running by the roll-to-roll method.
  • the sputter deposition conditions in this process are as follows:
  • the sputtering deposition apparatus was evacuated until the ultimate vacuum in the deposition chamber reached 0.5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and then argon (Ar) as a sputtering gas (inert gas) and oxygen as a reactive gas were introduced into the deposition chamber, and the pressure in the deposition chamber was set to 0.3 Pa.
  • the ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of argon and oxygen introduced into the deposition chamber was set to 2.4 flow rate %.
  • a sintered body of indium oxide and tin oxide ITO with a tin oxide ratio of 12.5 mass %) was used as the target (first target).
  • a DC power supply was used as the power supply for applying a voltage to the target.
  • the horizontal magnetic field strength above the target was 90 mT.
  • the deposition temperature (the temperature of the substrate film on which the transparent conductive layer is laminated) was set to ⁇ 8° C.
  • the resistivity of the formed transparent conductive layer (amorphous) was 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm.
  • the amorphous transparent conductive layer was crystallized by heating in a hot air oven (crystallization process).
  • the heating temperature was 150°C.
  • the heating time was 2 hours.
  • a crystalline transparent conductive layer with a thickness of 125 nm was formed as an electrode layer.
  • This film with an electrode layer comprises a base film (second cured resin layer/resin film/first cured resin layer) and an electrode layer on the base film.
  • the laminated film of Example 1 was produced.
  • This laminated film is a pseudo-light control film with a laminated structure similar to that of a light control film (this film has a pseudo shape and does not have a light control function).
  • the laminated film of Example 1 has a first base film, a first electrode layer with a thickness of 125 nm, a pseudo-light control layer, a second electrode layer with a thickness of 125 nm, and a second base film, in that order in the thickness direction.
  • Comparative Example 1 A laminated film of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the laminated film of Example 1, except for the following.
  • a second target was used instead of the first target, and the ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of argon and oxygen introduced into the film formation chamber was set to 3.4 flow%.
  • the second target was a sintered body of indium oxide and tin oxide, and was ITO with a tin oxide ratio of 10.0 mass%. In addition, a crystallization process was not performed.
  • Comparative Example 2 A laminated film of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the laminated film of Example 1, except for the following.
  • an amorphous transparent conductive layer (thickness 24 nm) was formed on the first cured resin layer of the substrate film by reactive sputtering.
  • a second target ITO sintered body with a tin oxide ratio of 10.0 mass%) was used instead of the first target, and the film formation temperature was changed from -8°C to 20°C.
  • the laminated film of Comparative Example 2 has a first base film, a first electrode layer having a thickness of 24 nm, a pseudo-dimming layer, a second electrode layer having a thickness of 24 nm, and a second base film, in that order in the thickness direction.
  • FIB Fluorused Ion Beam
  • the cross section of the electrode layer in the first sample was observed by FE-TEM, and the thickness of the electrode layer was measured in the observed image.
  • an FE-TEM device product name "JEM-2800", manufactured by JEOL
  • the acceleration voltage was set to 200 kV.
  • a region containing a plurality of crystal grains in the thickness direction was confirmed.
  • the electrode layer of Comparative Example 1 did not undergo the crystallization process as described above, and was an amorphous layer.
  • ⁇ Resistivity> The resistivity of the electrode layer (transparent conductive layer) of the electrode layer-attached film obtained in the process of producing each laminated film in the Examples and Comparative Examples was examined. Specifically, the surface resistance of the electrode layer was first measured by a four-terminal method in accordance with JIS K7194 (1994). Next, the resistivity ( ⁇ cm) of the electrode layer was calculated by multiplying the surface resistance value by the thickness of the electrode layer. The results are shown in Table 1.
  • TEM transmission electron microscope
  • the solar transmittance (Te) and solar reflectance (Re) in the wavelength range of 300 nm to 2500 nm were measured using a spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi Corporation). In this measurement, the measurement interval was 5 nm.
  • the measurement results are shown in Table 1.
  • Solar radiation refers to radiation in the wavelength range of 300 nm to 2500 nm.
  • the solar transmittance (Te) is calculated by the spectrophotometer from a predetermined product-sum calculation that includes the spectral transmittance and the spectral solar irradiance in the formula.
  • the solar reflectance (Re) is calculated by the spectrophotometer from a predetermined product-sum calculation that includes the spectral reflectance and the spectral solar irradiance in the formula.
  • the solar heat gain coefficient was determined for each of the laminate films of the Examples and Comparative Examples. Specifically, the solar heat gain coefficient of the laminate film was determined by the following formulas (1) to (3) based on ISO 13837:2021. In formula (1), Tts represents the solar heat gain coefficient and is an index of heat shielding properties.
  • Tts Te + Qi (1)
  • Qi Ae ⁇ ⁇ hi/(hi + he) ⁇ (2)
  • Ae 100- Te - Re (3)
  • formulas (1) to (3) are as follows.
  • Tts indicates the percentage (%) of the total energy passing through the sample when the total energy of the light (irradiated light) irradiated to the sample (laminated film) is 100%.
  • Te indicates the percentage of the energy of the light (transmitted light) that passes through the sample out of the light irradiated to the sample.
  • the solar transmittance obtained in the above measurement was used as Te.
  • Qi represents the secondary heat flow rate passing through the sample and is calculated by formula (2). The smaller this value, the less heat is transmitted to the sample and the higher the thermal insulation.
  • Ae indicates the percentage of the energy absorbed by the sample out of the energy of the light irradiated to the sample and is calculated by formula (3).
  • h is a parameter that indicates the ease of heat transmission in the same direction as the light passing direction in the sample. 8W/( m2 ⁇ K) was used as h.
  • he is a parameter indicating the ease of heat transfer in the sample in the direction opposite to the light transmission direction. 21 W/( m2 ⁇ K) was used as he.
  • Re indicates the ratio of the energy of the light reflected by the sample (reflected light) to the light irradiated to the sample. The solar reflectance obtained in the above measurement was used as Re.
  • the light-control film of the present invention is suitable for outdoor use, such as light-control films for sunroofs in cars and windows in houses and buildings.
  • X light control film H; thickness direction Y1, Y2: electrode-attached substrate film 10, 50; substrate film 11, 51; resin film 12, 52; cured resin layer 20; electrode layer (first electrode layer) 30 Light control layer 40 Electrode layer (second electrode layer)

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Abstract

本発明の調光フィルム（Ｘ）は、基材フィルム（１０）と、電極層（２０）と、調光層（３０）と、電極層（４０）とを、厚さ方向（Ｈ）にこの順で備える。電極層（２０）は、インジウム含有導電性酸化物層である。電極層２０は、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有する。電極層（２０）は、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向（Ｈ）において複数の結晶粒を含む領域を有する。

Description

調光フィルム
　本発明は、調光フィルムに関する。
　建物および乗り物等の窓ガラスに貼り合わされる調光フィルムが知られている。調光フィルムは、調光部と、当該調光部を支持する透明な基材フィルムとを備える。調光部は、例えば、透明導電層と、調光層と、透明導電層とを、厚さ方向にこの順で備える。調光層は、二つの透明導電層によって挟まれる。調光層は、エレクトクロミック（ＥＣ）材料から形成される。ＥＣ材料は、例えば、電気化学的酸化還元により、有色の非透明状態と無色の透明状態との間で可逆的に変化可能な材料である。各透明導電層は、電極層である。電極（透明導電層）間の電圧のオン・オフにより、調光層が、例えば、非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で切り替えられる。このような調光フィルムが貼り合わされた窓ガラスでは、電極間の電圧のオン・オフにより、当該調光フィルム付き窓ガラスに対する可視光などの光の透過率が、切り替えられる（光透過率のスイッチング制御）。このような調光フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。
特開２０１９－１０１２０６号公報
　建物内および乗り物内の快適性向上および冷房負荷の低減等の観点から、調光フィルムには、太陽光に対する遮熱性を有することが求められる。
　一方、本発明者らは、調光フィルムに関し、次のような知見を得た。電極（透明導電層）は、太陽光中の熱線（放射によって熱を伝える近赤外線等の電磁波）に対して有意な反射性を有する自由電子を、キャリアとして含有する。調光フィルムでは、そのような電極が、調光層に対して全面的に設けられている。すなわち、調光フィルムにおける面方向での電極の占有面積割合は、大きい。このような調光フィルムでは、電極におけるキャリア数の調整により、太陽光に対する同フィルムの遮熱性を効率よく制御できる。本発明は、このような知見に基づく。
　本発明は、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適した調光フィルムを提供する。
　本発明［１］は、基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備える調光フィルムであって、前記第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であり、前記第１電極層が、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、前記第１電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、調光フィルムを含む。
　本発明［２］は、前記インジウム含有導電性酸化物層が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物層である、上記［１］に記載の調光フィルムを含む。
　本発明［３］は、前記第２電極層が、インジウム含有導電性酸化物層である、上記［１］または［２］に記載の調光フィルムを含む。
　本発明［４］は、前記第２電極層における前記インジウム含有導電性酸化物が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物である、上記［３］に記載の調光フィルムを含む。
　本発明［５］は、前記第２電極層が、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有する、上記［１］から［４］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。
　本発明［６］は、前記第２電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層である、上記［１］から［５］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。
　本発明［７］は、前記第２電極層が、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、上記［６］に記載の調光フィルムを含む。
　本発明［８］は、前記基材フィルムが、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する、上記［１］から［７］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。
　本発明［９］は、波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率が５０％以下である、上記［１］から［８］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。
　本発明の調光フィルムは、上記のように、基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備え、第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する。このような調光フィルムは、第１電極層における平面視の単位面積あたりの自由電子数（キャリア数）を確保するのに適する。第１電極層における単位面積あたりの自由電子数が多いほど、当該第１電極層の、太陽光中の熱線に対する反射性は高い。熱線に対する第１電極層の反射性が高いほど、そのような第１電極層を備える調光フィルムの、熱線に対する遮蔽性（遮熱性）は高い。したがって、本発明の調光フィルムは、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適する。
本発明の調光フィルムの一実施形態の断面模式図である。 図１に示す調光フィルムの部分拡大断面図である。 図１に示す調光フィルムの他の部分拡大断面図である。 図１に示す調光フィルムの製造方法の一例における一部の工程を表す。図４Ａは基材フィルム用意工程を表し、図４Ｂは透明導電層形成工程を表し、図４Ｃは結晶化工程を表し、図４Ｄは調光層形成工程を表す。 図４Ｄに示す工程の後の貼合せ工程を表す。
　本発明の一実施形態としての調光フィルムＸは、基材フィルム１０（第１基材フィルム）と、電極層２０（第１電極層）と、調光層３０と、電極層４０（第２電極層）と、基材フィルム５０（第２基材フィルム）とを、厚さ方向Ｈにこの順で備える。基材フィルム１０は、第１面１０ａと、当該第１面１０ａとは反対側の第２面１０ｂとを有する。電極層２０は、第１面１０ａ上に配置されている。電極層２０と第１面１０ａとは、互いに接する。調光層３０は、電極層２０上に配置されている。調光層３０と電極層２０とは、互いに接する。電極層４０は、調光層３０上に配置されている。電極層４０と調光層３０とは、互いに接する。基材フィルム５０は、電極層４０上に配置されている。基材フィルム５０は、電極層４０側の第１面５０ａと、当該第１面５０ａとは反対側の第２面５０ｂとを有する。電極層４０と第１面５０ａとは、互いに接する。また、調光フィルムＸは、厚さ方向Ｈと直交する方向（面方向）に広がるシート形状を有する。
　調光フィルムＸにおいて、基材フィルム１０と電極層２０とは、電極付き基材フィルムＹ１を形成する。
　基材フィルム１０は、本実施形態では、樹脂フィルム１１と、硬化樹脂層１２とを、厚さ方向Ｈに順に備える。硬化樹脂層１２は、樹脂フィルム１１に接する。硬化樹脂層１２は、基材フィルム１０の第１面１０ａを形成する。
　樹脂フィルム１１は、調光フィルムＸの強度を確保する基材である。また、樹脂フィルム１１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。樹脂フィルム１１の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。樹脂フィルム１１の材料は、透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂であり、より好ましくはＰＥＴである。
　樹脂フィルム１１における硬化樹脂層１２側の表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる（後記の樹脂フィルム５１に関する表面改質処理についても同様である）。
　樹脂フィルム１１の厚さは、調光フィルムＸの強度を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、更に好ましくは３０μｍ以上である。樹脂フィルム１１の厚さは、ロールトゥロール方式における樹脂フィルム１１の取り扱い性を確保する観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１５０μｍ以下である。樹脂フィルム１１の厚さは、調光フィルムＸの強度と取り扱い性との両立の観点から、好ましくは１０～３００μｍ、より好ましくは２０～２００μｍ、更に好ましくは３０～１５０μｍである。
　樹脂フィルム１１の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。樹脂フィルム１１の可視光透過率は、例えば１００％以下である。可視光透過率とは、波長３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲での透過率とする。
　硬化樹脂層１２は、本実施形態では、調光フィルムＸの光学特性を良化するための光学調整層（屈折率調整層）である。硬化樹脂層１２は、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）において、樹脂フィルム１１から発生する水分や有機ガスを遮断する機能を有してもよい。硬化樹脂層１２は、本実施形態では、硬化型の第１樹脂組成物の硬化物である。第１樹脂組成物は、樹脂を含有する。当該樹脂としては、例えば、メラミン樹脂、アルキド樹脂、有機シラン縮合物、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられる。これら樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第１樹脂組成物中の樹脂は、基材フィルム１０に対する電極層２０の密着性を確保する観点から、好ましくは、メラミン樹脂、アルキド樹脂および有機シラン縮合物からなる群より選択される少なくとも一つである。また、第１樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。
　硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性を良化する観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、一層好ましくは３０ｎｍ以上である。硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは５０ｎｍ以下、一層好ましくは４０ｎｍ以下である。硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性と薄型化との両立の観点から、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは１０～１００ｎｍ、更に好ましくは２０～５０ｎｍ、一層好ましくは３０～４０ｎｍである。
　基材フィルム１０は、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に他の硬化樹脂層を有してもよい。他の硬化樹脂層としては、例えば、ハードコート層およびアンチブロッキング層が挙げられる。図１では、基材フィルム１０における他の硬化樹脂層を、硬化樹脂層１３として仮想線で示す。
　他の硬化樹脂層は、例えば、硬化型の第２樹脂組成物の硬化物である。第２樹脂組成物は、樹脂を含有する。当該樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第２樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。
　第２樹脂組成物は、粒子を含有してもよい。当該粒子としては、例えば、無機酸化物粒子および有機粒子が挙げられる。無機酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。粒子は、好ましくは無機酸化物粒子であり、より好ましくは、シリカ粒子およびジルコニア粒子からなる群より選択される少なくとも一つである。
　他の硬化樹脂層の厚さは、当該硬化樹脂層の機能を確保する観点から、好ましくは０.５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは２μｍ以上である。この硬化樹脂層の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。この硬化樹脂層の厚さは、同層の機能確保と調光フィルムＸの薄型化との両立の観点から、好ましくは０.５～１０μｍ、より好ましくは１～５μｍ、更に好ましくは２～３μｍである。
　基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの取り扱い性を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上、更に好ましくは５０μｍ以上、一層好ましくは６０μｍ以上である。基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは２００μｍ以下、一層好ましくは１５０μｍ以下である。基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの取り扱い性と薄型化との両立の観点から、好ましくは１０～５００μｍ、より好ましくは３０～３００μｍ、更に好ましくは５０～２００μｍ、一層好ましくは６０～１５０μｍである。
　基材フィルム１０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム１０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。
　基材フィルム１０は、好ましくは、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する（各層は図示略）。近赤外線吸収層とは、近赤外線（波長７００ｎｍ～２５００ｎｍ）に対して有意な吸収能を示す層を意味する。近赤外線反射層とは、近赤外線（波長７００ｎｍ～２５００ｎｍ）に対して有意な反射能を示す層を意味する。
　近赤外線吸収層は、樹脂フィルム１１と硬化樹脂層１２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム１１が、近赤外線吸収層であってもよいし、近赤外線吸収層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線吸収層は、例えば、近赤外線吸収剤と、バインダー樹脂とを含む。近赤外線吸収剤としては、例えば、無機近赤外線吸収剤および有機近赤外線吸収剤が挙げられる。無機近赤外線吸収剤としては、例えば、ＣＦＭ複合酸化物粒子および酸化タングステン粒子が挙げられる。ＣＦＭ複合酸化物とは、銅と鉄とマンガンとの複合酸化物である。バインダー樹脂の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。
　近赤外線反射層は、樹脂フィルム１１と硬化樹脂層１２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム１１が、近赤外線反射層であってもよいし、近赤外線反射層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線反射層は、例えば、光学特性の異なる複数の樹脂薄層を含む多層構造を有し、好ましくは、光学特性の異なる第１樹脂薄層および第２樹脂薄層が厚さ方向Ｈに交互に配置された多層構造を有する。光学特性としては、例えば、面内平均屈折率が挙げられる。第１樹脂薄層と第２樹脂薄層との面内平均屈折率の差は、好ましくは０.０１以上、より好ましくは０.０３以上であり、また、好ましくは０.１５以下、より好ましくは０.１２以下である。多層構造を形成する樹脂薄層の積層数は、例えば２０以上であり、また、例えば７００以下である。樹脂薄層の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。
　電極層２０は、光透過性と導電性とを兼ね備える層である。このような電極層２０は、透明導電材料から形成されている。すなわち、電極層２０は透明導電層である。
　電極層２０は、透明導電材料としてのインジウム含有導電性酸化物から形成されている。すなわち、電極層２０は、インジウム含有導電性酸化物層である。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、インジウム含有導電性酸化物は、好ましくはＩＴＯである。このＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。
　ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）および酸化スズ（ＳｎＯ２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合（酸化スズ割合）は、後述の結晶化工程（図４Ｃ）にて透明導電層中の結晶粒の成長を適度に抑制して、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１１質量％以上、より好ましくは１２質量％以上、更に好ましくは１２.５質量％以上である。酸化スズ割合は、電極層２０の低抵抗化の観点から、好ましくは１８質量％以下、より好ましくは１６質量％以下、更に好ましくは１４質量％以下である。酸化スズ割合は、上記のキャリア数の確保と上記の低抵抗化との両立の観点から、好ましくは１１～１８質量％、より好ましくは１２～１６質量％、更に好ましくは１２.５～１４質量％である。
　ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、例えば次のようにして同定できる。まず、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により、測定対象物としてのＩＴＯにおけるインジウム原子（Ｉｎ）とスズ原子（Ｓｎ）の存在比率を求める。ＩＴＯ中のＩｎおよびＳｎの各存在比率から、ＩＴＯ中のＩｎの原子数に対するＳｎの原子数の比率を求める。これにより、ＩＴＯにおける酸化スズ割合が得られる。また、ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、スパッタ成膜時に用いるＩＴＯターゲットの酸化スズ（ＳｎＯ２）含有割合からも特定できる。
　電極層２０は、結晶質層である。電極層２０が結晶質層であることは、電極層２０の低抵抗化の観点から好ましく、また、電極層２０および調光フィルムＸにおいて良好な赤外線反射特性を実現するのに好ましい。
　導電性酸化物から形成された電極層（調光フィルムＸでは電極層２０,４０）が結晶質層（結晶質膜）であることは、例えば、次の方法によって判断できる。まず、電極層を、濃度５質量％の塩酸に、２０℃で１５分間、浸漬する。次に、電極層を、水洗した後、乾燥する。次に、電極層の露出平面において、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定する。この測定において、端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合に、当該電極層が結晶質層であると判断できる。
　電極層２０（結晶質層）の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、３００ｎｍ以下であり、好ましくは２７０ｎｍ以下、より好ましくは２４０ｎｍ以下、更に好ましくは２２０ｎｍ以下である（電極層２０において、結晶粒が小さいほど、粒界の合計長さは増大し、キャリア数は増大する傾向がある）。電極層２０の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０において、調光フィルムの電極にとって好適な低比抵抗を確保する観点から、例えば３０ｎｍ以上であり、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、更に好ましくは１８０ｎｍ以上、一層好ましくは２００ｎｍ以上である。電極層２０の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０のキャリア数の確保と低比抵抗との両立の観点から、好ましくは１００～３００ｎｍ、より好ましくは１５０～２７０ｎｍ、更に好ましくは１８０～２４０ｎｍ、一層好ましくは２００～２２０ｎｍである。電極層２０の厚さ方向Ｈにおける基材フィルム１０からの距離にかかわらず、電極層２０における平均結晶粒径は、上記の範囲をとるのが好ましい。電極層２０の平均結晶粒径の調整方法としては、例えば、電極層２０の組成の調整、電極層２０の厚さの調整、および後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）での成膜温度の調整が挙げられる。電極層２０の組成の調整は、透明導電層形成工程における、スパッタ成膜に用いられるターゲットの組成の調整、および、酸素導入量の割合の調整を含む。電極層（電極層２０,４０）の平均結晶粒径の測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。
　電極層２０は、厚さ方向Ｈにおいて複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）を有する。粒子積層領域における、厚さ方向Ｈの粒子数は、２、３または４以上である。図２には、電極層２０が、厚さ方向Ｈにおいて２つの結晶粒２１を含む粒子積層領域を有する場合を、例示的に示す。電極層２０が粒子積層領域を有することは、電極層２０において、粒界Ｌの長さ（合計長さ）を確保して、キャリア数を確保するのに適する。電極層（電極層２０,４０）が粒子積層領域を有することの確認方法は、実施例に関して後述するとおりである。
　電極層２０の比抵抗は、電極層２０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、２.５×１０－４Ω・cm以下であり、好ましくは２.２×１０－４Ω・cm以下、より好ましくは２.０×１０－４Ω・cm以下、更に好ましくは１.８×１０－４Ω・cm以下である。電極層２０の比抵抗が低いことは、電極層２０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層２０の比抵抗は、後記の結晶化工程（図４Ｃ）において透明導電層（この層から電極層２０が形成される）の良好な結晶化速度を実現する観点から、好ましくは０.５×１０－４Ω・cm以上、より好ましくは１.０×１０－４Ω・cm以上、更に好ましくは１.３×１０－４Ω・cm以上、一層好ましくは１.５×１０－４Ω・cm以上である。電極層２０の比抵抗は、電極層２０のキャリア数の確保と結晶化速度との両立の観点から、好ましくは０.５×１０－４～２.５×１０－４Ω・cm、より好ましくは１.０×１０－４～２.２×１０－４Ω・cm、更に好ましくは１.３×１０－４～２.０×１０－４Ω・cm、一層好ましくは１.５×１０－４～１.８×１０－４Ω・cmである。電極層２０の比抵抗は、電極層２０の表面抵抗に厚さを乗じて求められる。比抵抗を求める方法は、具体的には、実施例に関して後述するとおりである。電極層２０の比抵抗の調整方法としては、例えば、電極層２０をスパッタ成膜する時の各種条件の調整が挙げられる。その条件としては、例えば、電極層２０が成膜される下地（本実施形態では基材フィルム１０）の温度、成膜室内への酸素導入量、成膜室内の気圧、および、ターゲット上の水平磁場強度が挙げられる。
　電極層２０の平面視（面方向）におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層２０での遮熱性確保の観点から、好ましくは１０×１０１５cm－２以上、より好ましくは１２×１０１５cm－２以上、更に好ましくは１４×１０１５cm－２以上、一層好ましくは１４.５×１０１５cm－２以上である。このキャリア数は、電極層２０の平面視における単位面積（１平方センチメートル）あたりのキャリア（自由電子）の個数を表す。電極層２０の平面視におけるキャリア数は、電極層２０の可視光透過率を確保する観点から、好ましくは１００×１０１５cm－２以下、より好ましくは６０×１０１５cm－２以下、更に好ましくは４０×１０１５cm－２以下、一層好ましくは２０×１０１５cm－２以下である。電極層２０のキャリア数は、電極層２０の遮熱性確保と可視光透過率との両立の観点から、好ましくは１０×１０１５～１００×１０１５cm－２、より好ましくは１２×１０１５～６０×１０１５cm－２、更に好ましくは１４×１０１５～４０×１０１５cm－２、一層好ましくは１４.５×１０１５～２０×１０１５cm－２である。電極層２０のキャリア数の調整方法としては、例えば、電極層２０の組成の調整、電極層２０の厚さの調整、および後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）での成膜温度の調整が挙げられる。電極層２０の組成の調整は、透明導電層形成工程における、スパッタ成膜に用いられるターゲットの組成の調整、および、酸素導入量の割合の調整を含む。電極層（電極層２０,４０）のキャリア数の測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。
　電極層２０の厚さは、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、一層好ましくは１２０ｎｍ以上である。電極層２０が厚いことは、電極層２０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層２０の厚さは、電極層２０の耐屈曲性（屈曲時の電極層２０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１７０ｎｍ以下、一層好ましくは１４０ｎｍ以下である。電極層２０の厚さは、電極層２０のキャリア数の確保、低抵抗化および耐屈曲性の観点から、好ましくは５０～３００ｎｍ、より好ましくは８０～２００ｎｍ、一層好ましくは１００～１７０ｎｍ、更に好ましくは１２０～１４０ｎｍである。
　電極層２０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、例えば５０％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。また、電極層２０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。
　電極層２０における希ガス原子の含有割合は、電極層２０の低抵抗化（低比抵抗化）の観点から、好ましくは０.３原子％以下、より好ましくは０.２原子％以下、更に好ましくは０.１原子％以下であり、また、例えば０.０００１原子％以上である。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。希ガス原子は、例えば、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）で用いられるスパッタリングガスに由来する（スパッタリングガスが混入したものである）。電極層２０における希ガス原子の含有割合の同定方法としては、例えば、蛍光Ｘ線分析およびラザフォード後方散乱分光分析（ＲＢＳ)が挙げられる（後記の電極層４０における希ガス原子の含有割合の同定方法についても同様である）。
　調光層３０は、例えば、電流または電界の作用によって有色の非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で可逆的に変化可能な材料から形成されている。調光層３０としては、例えば、エレクトクロミック（ＥＣ）調光層、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：polymer dispersed liquid crystal）を含む調光層、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：polymer network liquid crystal）を含む調光層、および、ＳＰＤ（suspended particle device）調光層が挙げられる。
　ＥＣ調光層は、ＥＣ材料から形成される。ＥＣ材料は、電気化学的酸化還元により、有色の非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で可逆的に変化可能な材料である。ＥＣ材料としては、無機ＥＣ材料および有機ＥＣ材料が挙げられる。無機ＥＣ材料としては、例えば、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化イリジウム、酸化ロジウム、および窒化インジウムが挙げられる。有機ＥＣ材料としては、例えば、ポリアニリン、ビオロゲン、およびポリオキソタングステートが挙げられる。
　高分子分散型液晶は、高分子内において液晶が相分離した構造を有する。高分子ネットワーク型液晶は、高分子ネットワーク中に液晶が分散された構造を有し、高分子ネットワーク中の液晶は、連続相を形成している。これらにおいて、液晶化合物としては、例えば、ネマティック型液晶化合物、スメクティック型液晶化合物、および、コレステリック型液晶化合物が挙げられる。ネマティック型液晶化合物としては、例えば、ビフェニル系化合物、フェニルベンゾエート系化合物、シクロヘキシルベンゼン系化合物、アゾキシベンゼン系化合物、アゾベンゼン系化合物、アゾメチン系化合物、ターフェニル系化合物、ビフェニルベンゾエート系化合物、シクロヘキシルビフェニル系化合物、フェニルピリジン系化合物、シクロヘキシルピリミジン系化合物、および、コレステロール系化合物が挙げられる。
　調光層３０の厚さは、調光フィルムＸにおいて、非透明状態と透明状態との間で可視光透過率の大きな差を確保する観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、更に好ましくは１０μｍ以上である。調光層３０の厚さは、調光フィルムＸの薄型化および透明状態での高透過性の確保の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下である。調光層３０の厚さは、調光フィルムＸにおける上記の可視光透過率差と上記の薄型化および高透過性との両立の観点から、好ましくは１～２００μｍ、より好ましくは５～１００μｍ、更に好ましくは１０～８０μｍである。
　調光フィルムＸにおいて、基材フィルム５０と電極層４０とは、電極付き基材フィルムＹ２を形成する。
　基材フィルム５０は、本実施形態では、樹脂フィルム５１と、硬化樹脂層５２とを、厚さ方向Ｈに順に備える。硬化樹脂層５２は、樹脂フィルム５１に接する。硬化樹脂層５２は、基材フィルム５０の第１面５０ａを形成する。
　樹脂フィルム５１は、調光フィルムＸの強度を確保する基材である。また、樹脂フィルム５１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。樹脂フィルム５１の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１の材料として上記した材料が挙げられる。樹脂フィルム５１における硬化樹脂層５２側の表面は、表面改質処理されていてもよい。樹脂フィルム５１の好ましい厚さおよび好ましい可視光透過率については、樹脂フィルム１１に関して上述した好ましい厚さおよび好ましい可視光透過率と同様である。
　硬化樹脂層５２は、本実施形態では、調光フィルムＸの光学特性を良化するための光学調整層（屈折率調整層）である。硬化樹脂層５２は、透明導電層形成工程において、樹脂フィルム５１から発生する水分や有機ガスを遮断する機能を有してもよい。硬化樹脂層５２は、本実施形態では、硬化型の第３樹脂組成物の硬化物である。第３硬化型樹脂組成物は、樹脂を含有する。第３樹脂組成物の樹脂としては、例えば、第１樹脂組成物に関して上記した樹脂が挙げられる。また、第３樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。
　硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性を良化する観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、一層好ましくは３０ｎｍ以上である。硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは５０ｎｍ以下、一層好ましくは４０ｎｍ以下である。硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性と薄型化との両立の観点から、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは１０～１００ｎｍ、更に好ましくは２０～５０ｎｍ、一層好ましくは３０～４０ｎｍである。
　基材フィルム５０は、基材フィルム１０に関して上述したのと同様に、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に他の硬化樹脂層（例えば、ハードコート層およびアンチブロッキング層）を有してもよい。図１では、基材フィルム５０における他の硬化樹脂層を、硬化樹脂層５３として仮想線で示す。
　基材フィルム５０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム５０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。
　基材フィルム５０は、好ましくは、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する（各層は図示略）。
　基材フィルム５０において、近赤外線吸収層は、樹脂フィルム５１と硬化樹脂層５２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム５１が、近赤外線吸収層であってもよいし、近赤外線吸収層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線吸収層は、例えば、近赤外線吸収剤と、バインダー樹脂とを含む。近赤外線吸収剤としては、例えば、基材フィルム１０に関して上記した近赤外線吸収剤が挙げられる。バインダー樹脂の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。
　基材フィルム５０において、近赤外線反射層は、樹脂フィルム５１と硬化樹脂層５２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム５１が、近赤外線反射層であってもよいし、近赤外線反射層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線反射層としては、例えば、基材フィルム１０に関して上記した近赤外線反射層が挙げられる。
　電極層４０は、光透過性と導電性とを兼ね備える層である。電極層４０は、透明導電材料から形成されている。すなわち、電極層４０は透明導電層である。透明導電材料としては、例えば、インジウム含有導電性酸化物およびアンチモン含有導電性酸化物が挙げられる。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。アンチモン含有導電性酸化物としては、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、透明導電材料は、好ましくはインジウム含有導電性酸化物であり、より好ましくはＩＴＯである。すなわち、電極層４０は、好ましくはインジウム含有導電性酸化物層であり、より好ましくはＩＴＯ層である。ＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。
　電極層４０がＩＴＯから形成される場合、ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）および酸化スズ（ＳｎＯ２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合（酸化スズ割合）は、後述の結晶化工程（図４Ｃ）にて透明導電層中の結晶粒の成長を適度に抑制して、電極層４０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１１質量％以上、より好ましくは１２質量％以上、更に好ましくは１２.５質量％以上である。電極層４０での酸化スズ割合は、電極層４０の低抵抗化の観点から、好ましくは１８質量％以下、より好ましくは１６質量％以下、更に好ましくは１４質量％以下である。電極層４０での酸化スズ割合は、上記のキャリア数の確保と上記の低抵抗化との両立の観点から、好ましくは１１～１８質量％、より好ましくは１２～１６質量％、更に好ましくは１２.５～１４質量％である。
　電極層４０は、好ましくは結晶質層である。電極層４０が結晶質層であることは、電極層４０の低抵抗化の観点から好ましく、また、電極層４０および調光フィルムＸにおいて良好な赤外線反射特性を実現するのに好ましい。
　電極層４０（結晶質層）の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２７０ｎｍ以下、更に好ましくは２４０ｎｍ以下、一層好ましくは２２０ｎｍ以下である（電極層４０において、結晶粒が小さいほど、粒界の合計長さが増大し、キャリア数が増大する）。電極層４０の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０の耐屈曲性（屈曲時の電極層４０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、更に好ましくは１８０ｎｍ以上、一層好ましくは２００ｎｍ以上である。電極層４０の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０のキャリア数の確保と耐屈曲性の確保との両立の観点から、好ましくは１００～３００ｎｍ、より好ましくは１５０～２７０ｎｍ、更に好ましくは１８０～２４０ｎｍ、一層好ましくは２００～２２０ｎｍである。電極層４０の厚さ方向Ｈにおける基材フィルム５０からの距離にかかわらず、電極層４０における平均結晶粒径は、上記の範囲をとるのが好ましい。電極層４０の平均結晶粒径の調整方法については、電極層２０の平均結晶粒径の調整方法として上記したのと同様である。
　電極層４０は、好ましくは、厚さ方向Ｈにおいて複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。粒子積層領域における、厚さ方向Ｈの粒子数は、２、３または４以上である。図３には、電極層４０が、厚さ方向Ｈにおいて２つの結晶粒４１を含む粒子積層領域を有する場合を、例示的に示す。電極層４０が粒子積層領域を有することは、電極層４０において、粒界Ｌの長さ（合計長さ）を確保して、キャリア数を確保するのに適する。
　電極層４０の比抵抗は、電極層４０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、好ましくは２.５×１０－４Ω・cm以下、より好ましくは２.２×１０－４Ω・cm以下、更に好ましくは２.０×１０－４Ω・cm以下、一層好ましくは１.８×１０－４Ω・cm以下である。電極層４０の比抵抗が低いことは、電極層４０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層４０の比抵抗は、結晶化工程での透明導電層（この層から電極層４０が形成される）の良好な結晶化速度を実現する観点から、好ましくは０.５×１０－４Ω・cm以上、より好ましくは１.０×１０－４Ω・cm以上、更に好ましくは１.３×１０－４Ω・cm以上、一層好ましくは１.５×１０－４Ω・cm以上である。電極層４０の比抵抗は、電極層４０のキャリア数の確保と結晶化速度との両立の観点から、好ましくは０.５×１０－４～２.５×１０－４Ω・cm、より好ましくは１.０×１０－４～２.２×１０－４Ω・cm、更に好ましくは１.３×１０－４～２.０×１０－４Ω・cm、一層好ましくは１.５×１０－４～１.８×１０－４Ω・cmである。電極層４０の比抵抗の調整方法については、電極層２０の比抵抗の調整方法として上記したのと同様である。
　電極層４０の平面視（面方向）におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層４０での遮熱性確保の観点から、好ましくは１０×１０１５cm－２以上、より好ましくは１２×１０１５cm－２以上、更に好ましくは１４×１０１５cm－２以上、一層好ましくは１４.５×１０１５cm－２以上である。電極層４０の平面視におけるキャリア数は、１０×１０１５cm－２未満であってもよい。電極層４０の平面視におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層４０の可視光透過率を確保する観点から、好ましくは１００×１０１５cm－２以下、より好ましくは６０×１０１５cm－２以下、更に好ましくは４０×１０１５cm－２以下、一層好ましくは２０×１０１５cm－２以下である。電極層４０のキャリア数は、電極層４０の遮熱性確保と可視光透過率との両立の観点から、好ましくは１０×１０１５～１００×１０１５cm－２、より好ましくは１２×１０１５～６０×１０１５cm－２、更に好ましくは１４×１０１５～４０×１０１５cm－２、一層好ましくは１４.５×１０１５～２０×１０１５cm－２である。電極層４０のキャリア数の調整方法については、電極層２０のキャリア数の調整方法として上記したのと同様である。
　電極層４０の厚さは、電極層４０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、一層好ましくは１２０ｎｍ以上である。電極層４０が厚いことは、電極層４０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層４０の厚さは、電極層４０の耐屈曲性（屈曲時の電極層４０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１７０ｎｍ以下、一層好ましくは１４０ｎｍ以下である。電極層４０の厚さは、電極層４０のキャリア数、低抵抗化および耐屈曲性の観点から、好ましくは５０～３００ｎｍ、より好ましくは８０～２００ｎｍ、一層好ましくは１００～１７０ｎｍ、更に好ましくは１２０～１４０ｎｍである。
　電極層４０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、例えば５０％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。また、電極層４０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。
　電極層４０における希ガス原子の含有割合は、電極層４０の低抵抗化（低比抵抗化）の観点から、好ましくは０.３原子％以下、より好ましくは０.２原子％以下、更に好ましくは０.１原子％以下であり、また、例えば０.０００１原子％以上である。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。希ガス原子は、例えば、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）で用いられるスパッタリングガスに由来する（スパッタリングガスが混入したものである）。
　調光フィルムＸの可視光透過率（透明状態時）は、調光フィルムＸの透明性を確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム１０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。
　調光フィルムＸの、波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率は、調光フィルムＸにおいて、太陽光に対する良好な遮熱性を確保する観点から、好ましくは５０％以下、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下である。調光フィルムＸの同平均透過率は、例えば０％以上であり、好ましくは１０％以上である。調光フィルムＸは、好ましくは、非透明状態または透明状態にてこのような平均透過率（波長８００ｎｍ～１３００ｎｍ）の値をとり、より好ましくは、非透明状態および透明状態の両状態にてこのような平均透過率（波長８００ｎｍ～１３００ｎｍ）の値をとる。
　調光フィルムＸは、例えば以下のように製造される。
　まず、図４Ａに示すように、基材フィルム１０を用意する。基材フィルム１０は、樹脂フィルム１１上に硬化樹脂層１２を形成することによって作製できる。硬化樹脂層１２は、樹脂フィルム１１上に、上記の第１樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を硬化させることによって形成できる。第１樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。第１樹脂組成物が紫外線化型樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって前記塗膜を硬化させる。樹脂フィルム１１上に形成された硬化樹脂層１２の露出表面は、必要に応じて、表面改質処理される。表面改質処理としてプラズマ処理する場合、不活性ガスとして例えばアルゴンガスを用いる。また、プラズマ処理における放電電力は、例えば１０Ｗ以上であり、また、例えば５０００Ｗ以下である。また、樹脂フィルム１１における硬化樹脂層１２とは反対側には、上記の他の硬化樹脂層１３（図１）を形成してもよい。
　次に、図４Ｂに示すように、基材フィルム１０上に、非晶質の透明導電層２０’を形成する（透明導電層形成工程）。具体的には、スパッタリング法により、基材フィルム１０における硬化樹脂層１２上に透明導電材料を成膜して透明導電層２０’を形成する。
　スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用するのが好ましい。調光フィルムＸの製造において、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を使用する場合、長尺の基材フィルム１０を、装置が備える繰出しロールから巻取りロールまで走行させつつ、当該基材フィルム１０上に材料を成膜して透明導電層２０’を形成する。また、当該スパッタリング法では、一つの成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよいし、基材フィルム１０の走行経路に沿って順に配置された複数の成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよい。
　スパッタリング法では、具体的には、スパッタ成膜装置が備える成膜室内に真空条件下でスパッタリングガス（不活性ガス）を導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を基材フィルム１０上に堆積させる。ターゲットの材料としては、例えば、電極層２０に関して上述した導電性酸化物の焼結体が用いられる。スパッタリングガスとしては、例えば、希ガス原子が挙げられる。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。
　スパッタリング法は、好ましくは、反応性スパッタリング法である。反応性スパッタリング法では、例えば、スパッタリングガス（不活性ガス）と反応性ガスとしての酸素が、成膜室内に導入される。反応性スパッタリング法において成膜室に導入されるスパッタリングガスおよび酸素の合計導入量に対する、酸素の導入量の割合は、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１.５流量％以上、より好ましくは２.０流量％以上、更に好ましくは２.２流量％以上である。酸素導入量の割合は、電極層２０の良好な結晶性を確保する観点から、好ましくは３.２流量％以下、より好ましくは２.８流量％以下、更に好ましくは２.６流量％以下である。酸素導入量の割合は、電極層２０のキャリア数と結晶性との両立の観点から、好ましくは１.５～３.２流量％、より好ましくは２.０～２.８流量％、更に好ましくは２.２～２.６流量％である。
　スパッタリング法による成膜（スパッタ成膜）中の成膜室内の気圧は、例えば０.０２Ｐａ以上、好ましくは０.１Ｐａ以上、より好ましくは０.２Ｐａ以上であり、また、例えば１Ｐａ以下、好ましくは０.７Ｐａ以下、より好ましくは０.５Ｐａ以下である。
　スパッタリング法における成膜温度（スパッタ成膜中の基材フィルム１０の温度）は、次の結晶化工程で結晶成長できる非晶質の透明導電層を適切に形成する観点から、好ましくは５０℃以下、より好ましくは３０℃以下、更に好ましくは１０℃以下、一層好ましくは０℃以下、より一層好ましくは－５℃以下である。成膜温度は、例えば、－３０℃以上または－２０℃以上である。
　ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、およびＲＦ電源が挙げられる。電源としては、ＤＣ電源とＲＦ電源とを併用してもよい。スパッタ成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば５０Ｖ以上であり、また、例えば５００Ｖ以下である。ターゲット上の水平磁場強度は、例えば１０ｍＴ以上であり、また、例えば１００ｍＴ以下である。
　次に、図４Ｃに示すように、基材フィルム１０上の透明導電層２０’（図４Ｂ）を加熱によって結晶化させて、電極層２０（結晶質の透明導電層）を形成する（結晶化工程）。これにより、電極付き基材フィルムＹ１が作製される。加熱の手段としては、例えば、赤外線ヒーターおよびオーブン（熱媒加熱式オーブン，熱風加熱式オーブン）が挙げられる。加熱温度は、高い結晶化速度を確保する観点から、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。加熱温度は、基材フィルム１０への加熱の影響を抑制する観点から、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下である。加熱時間は、例えば６００分未満、好ましくは１２０分未満、より好ましくは９０分以下、更に好ましくは６０分以下であり、また、例えば１分以上、好ましくは５分以上である。
　次に、図４Ｄに示すように、電極層２０上に調光層３０を形成する。調光層３０を形成する材料として無機ＥＣ材料を用いる場合、例えば、ドライコーティング法によって無機ＥＣ材料を電極層２０上に成膜する。ドライコーティング法としては、スパッタリング法が好ましい。調光層３０を形成する材料として有機ＥＣ材料を用いる場合、例えば、ウェットコーティング法によって有機ＥＣ材料を電極層２０上に成膜する。
　一方、電極付き基材フィルムＹ２（基材フィルム５０，電極層４０）を作製する。具体的には、電極付き基材フィルムＹ１の作製方法（図４Ａ～図４Ｃ）と同様である。
　次に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、調光層３０を伴う電極付き基材フィルムＹ１と電極付き基材フィルムＹ２とを一体化させる。具体的には、電極付き基材フィルムＹ１,Ｙ２によって調光層３０が挟まれるように、電極付き基材フィルムＹ１,Ｙ２および調光層３０を一体化させる。
　以上のようにして、調光フィルムＸを製造できる。調光フィルムＸにおいては、電極層２０,４０間の電圧のオン・オフにより、調光層３０が、非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で切り替えられる。このような調光フィルムＸは、例えば、建物および乗り物等の窓ガラスに組付けられる調光フィルムである。調光フィルムＸが貼り合わされた窓ガラスでは、電極層２０,４０間の電圧のオン・オフにより、当該調光フィルムＸ付き窓ガラスに対する可視光などの光の透過率が、切り替えられる。
　調光フィルムＸは、上記のように、電極層２０が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。このような調光フィルムＸは、電極層２０の平面視における単位面積あたりの自由電子数（キャリア数）を確保するのに適する。電極層２０における当該自由電子数が多いほど、太陽光中の熱線に対する電極層２０の反射性は高く、従って、調光フィルムＸの遮熱性は高い。したがって、調光フィルムＸは、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適する。このような調光フィルムＸは、屋外向け調光フィルムとして好適である。屋外向け調光フィルムとしては、例えば、自家用車等の車のサンルーフ用の調光フィルム、家屋およびビル等の建物の窓用の調光フィルムが挙げられる。
　調光フィルムＸは、上記のように、好ましくは、電極層４０が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、平面視における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。調光フィルムＸが電極層２０に加えて電極層４０を備えることは、調光フィルムにおいて、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに役立つ。
　本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替できる。
〔実施例１〕
　まず、長尺の樹脂フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ１００μｍ，三菱ケミカル社製）のロールを用意した。次に、ＰＥＴフィルムの一方面（第１面）に、熱硬化型の樹脂組成物Ｃ１を塗布して塗膜を形成した。樹脂組成物Ｃ１は、１００質量部のメラミン樹脂と、１００質量部のアルキド樹脂と、５０質量部の有機シラン縮合物とを含む。次に、ＰＥＴフィルム上の塗膜を、加熱して熱硬化させた。加熱温度は１８５℃とした。加熱時間は１分とした。これにより、厚さ３５ｎｍの光学調整層としての第１硬化樹脂層を形成した。次に、ＰＥＴフィルムの他方面（第２面）に、紫外線硬化型の樹脂組成物Ｃ２を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。これにより、厚さ２μｍのハードコート（ＨＣ）層としての第２硬化樹脂層を形成した。以上のようにして、基材フィルム（第１硬化樹脂層／基材フィルム／第２硬化樹脂層）を作製した。
　次に、反応性スパッタリング法により、基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、厚さ１２５ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した（透明導電層形成工程）。本工程では、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（ＤＣマグネトロンスパッタ成膜装置）を使用した。同装置は、ロールトゥロール方式でワークフィルムを走行させつつ成膜プロセスを実施できる成膜室を備える。本工程におけるスパッタ成膜の条件は、次のとおりである。
　スパッタ成膜においては、成膜室内の到達真空度が０.５×１０－４Ｐａに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、成膜室内に、スパッタリングガス（不活性ガス）としてのアルゴン（Ａｒ）と、反応性ガスとしての酸素とを導入し、成膜室内の気圧を０.３Ｐａとした。成膜室に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は２.４流量％とした。また、ターゲット（第１ターゲット）としては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ割合が１２.５質量％のＩＴＯ）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。成膜温度（透明導電層が積層される基材フィルムの温度）は－８℃とした。形成された透明導電層（非晶質）の比抵抗は、６.５×１０－４Ω・cmであった。
　次に、非晶質の透明導電層を、熱風オーブン内での加熱によって結晶化させた（結晶化工程）。加熱温度は１５０℃とした。加熱時間は２時間とした。これにより、厚さ１２５ｎｍの結晶質の透明導電層を電極層として形成した。
　以上のようにして、電極層付フィルムのロールを作製した。この電極層付フィルムは、基材フィルム（第２硬化樹脂層／樹脂フィルム／第１硬化樹脂層）と、基材フィルム上の電極層とを備える。
　次に、電極層付フィルムのロールから、２枚の電極層付フィルムを切り出した。次に、一方の電極層付フィルム（第１の電極層付フィルム）における電極層上に、粘着剤（品名「ＬＵＣＩＡＣＳ ＣＳ９８６１ＵＡ」，日東電工社製）を塗付することにより、疑似調光層として厚さ２５μｍの粘着剤層を形成した。次に、他方の電極層付フィルム（第２の電極層付フィルム）の電極層側を粘着剤層に貼り合わせた。すなわち、２枚の電極層付フィルムを、粘着剤層を介して接合した。
　以上のようにして、実施例１の積層フィルムを作製した。この積層フィルムは、調光フィルム類似の積層構成を有する疑似調光フィルムである（このフィルムは、疑似的な形態を有するフィルムであり、調光機能を有しない）。実施例１の積層フィルムは、具体的には、第１の基材フィルムと、厚さ１２５ｎｍの第１の電極層と、疑似調光層と、厚さ１２５ｎｍの第２の電極層と、第２の基材フィルムとを、厚さ方向にこの順で有する。
〔比較例１〕
　次のこと以外は実施例１の積層フィルムと同様にして、比較例１の積層フィルムを作製した。
　透明導電層形成工程の反応性スパッタリング法において、第１ターゲットに代えて第２ターゲットを用い、成膜室に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を３.４流量％とした。第２ターゲットは、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体であって、酸化スズ割合が１０.０質量％のＩＴＯである。また、結晶化工程を実施しなかった。
〔比較例２〕
　次のこと以外は実施例１の積層フィルムと同様にして、比較例２の積層フィルムを作製した。
　透明導電層形成工程において、反応性スパッタリング法により、基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、非晶質の透明導電層（厚さ２４ｎｍ）を形成した。同工程では、第１ターゲットに代えて第２ターゲット（酸化スズ割合が１０.０質量％のＩＴＯ焼結体）を用い、且つ、成膜温度を－８℃に代えて２０℃とした。
　比較例２の積層フィルムは、第１の基材フィルムと、厚さ２４ｎｍの第１の電極層と、疑似調光層と、厚さ２４ｎｍの第２の電極層と、第２の基材フィルムとを、厚さ方向にこの順で有する。
〈電極層の厚さ〉
　実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層の厚さを、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）での観察（ＦＥ－ＴＥＭ観察）により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工により、実施例および比較例における各電極層の断面観察用サンプル（第１サンプル）を作製した（ＦＩＢマイクロサンプリング法）。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（品名「ＦＢ２２００」，Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、第１サンプルにおける電極層の断面をＦＥ－ＴＥＭによって観察し、当該観察画像において電極層の厚さを測定した。同観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。また、実施例１の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）を確認できた。比較例１の電極層は、上記のように結晶化工程を経ておらず、非晶質層であった。具体的には、比較例１の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、同電極が非晶質層であることが確認され、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）は確認できなかった。また、比較例２の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、粒子積層領域を確認できなかった。
〈比抵抗〉
　実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層（透明導電層）について、比抵抗を調べた。具体的には、まず、ＪＩＳ Ｋ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、電極層の表面抵抗を測定した。次に、表面抵抗値と電極層の厚さとを乗じることにより、電極層の比抵抗（Ω・cm）を求めた。その結果を表１に示す。
〈平均結晶粒径〉
　まず、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察用のサンプルを作製した。具体的には、電極層からウルトラミクロトーム（Leica製）によって薄片を切り出した。このとき、ウルトラミクロトームによる切断面が電極層の面方向と略平行となるように薄片を切り出した。次に、この薄片について、透過型電子顕微鏡（品名「ＨＴ７８２０」，日立ハイテクノロジーズ社製）によって観察（平面視観察）および撮影を実施し、ＴＥＭ観察画像を得た。観察の倍率は、５００００倍とした。次に、ＴＥＭ観察画像において、１.５μｍ×１.５μｍの正方形の領域を任意に選定した後、この領域内に含まれる複数の結晶粒を特定し、結晶粒ごとに、結晶粒の最大長さを求めた。この最大長さを、結晶粒の粒径とした。次に、領域内の複数の結晶粒の粒径の平均値を求めた。その値を平均結晶粒径として表１に示す。
〈キャリア数〉
　実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のキャリア数（cm－２）を、ホール効果測定装置（品名「ＨＬ５５００ＰＣ」，バイオラッド社製）によって測定した。測定結果を表１に示す。
〈透過率，反射率〉
　実施例および比較例の各積層フィルムについて、分光光度計Ｕ－４１００（ＨＩＴＡＣＨＩ社製）により、波長３００ｎｍ～２５００ｎｍの範囲における日射透過率（Ｔe）および日射反射率（Ｒe）を測定した。本測定では、測定ピッチを５ｎｍとした。測定結果を表１に示す。日射とは、波長３００ｎｍ～２５００ｎｍの範囲の放射をいう。日射透過率（Ｔe）は、分光透過率と分光日射照度とを式中に含む所定の積和計算から、分光光度計によって算出される。日射反射率（Ｒe）は、分光反射率と分光日射照度とを式中に含む所定の積和計算から、分光光度計によって算出される。
〈日射熱取得率〉
　実施例および比較例の各積層フィルムについて、日射熱取得率を求めた。具体的には、積層フィルムの日射熱取得率を、ＩＳＯ １３８３７：２０２１に基づき、下記の式（１）～（３）によって求めた。式（１）において、Ｔtsは、日射熱取得率を表し、遮熱性の指標となる。
　　Ｔts ＝ Ｔe ＋ Ｑi　　　　　　　　　（１）
　　Ｑi ＝ Ａe ×｛ｈi／(ｈi ＋ ｈe)｝　（２）
　　Ａe ＝ １００－ Ｔe － Ｒe　　　　　（３）
　実施例および比較例の各積層フィルムにとり、式（１）～（３）については以下のとおりである。Ｔtsは、試料に（積層フィルム）に対して照射される光（照射光）の総エネルギーを１００％とした場合の、当該試料を通過するエネルギーの合計の割合（％）を示す。Ｔeは、試料に対する照射光のうち当該試料を透過する光（透過光）のエネルギーを、割合で示す。Ｔeとして、上記測定で得られた日射透過率を用いた。Ｑiは、試料を通過する二次熱流速を表し、式（２）によって求められる。この値が小さいほど、試料は熱を伝えにくく、断熱性が高いことを意味する。式（２）において、Ａeは、試料に対する照射光のエネルギーのうち当該試料によって吸収されるエネルギーを割合で示し、式（３）によって求められる。ｈiは、試料における、光通過方向と同方向への熱の伝わりやすさを示すパラメータである。ｈiとして８Ｗ/（ｍ２・Ｋ）を用いた。ｈeは、試料における、光通過方向とは逆の方向への熱の伝わりやすさを示すパラメータである。ｈeとして２１Ｗ/（ｍ２・Ｋ）を用いた。式（３）において、Ｒeは、試料に対する照射光のうち当該試料にて反射される光(反射光)のエネルギーを、割合で示す。Ｒeとして、上記測定で得られた日射反射率を用いた。
　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれるものである。
　本発明の調光フィルムは、自家用車等の車のサンルーフ用の調光フィルム、家屋およびビル等の建物の窓用の調光フィルムなどの屋外向け調光フィルムとして好適である。
Ｘ　　　　　調光フィルム
Ｈ　　　　　厚さ方向
Ｙ１，Ｙ２　電極付き基材フィルム
１０，５０　基材フィルム
１１，５１　樹脂フィルム
１２，５２　硬化樹脂層
２０　　　　電極層（第１電極層）
３０　　　　調光層
４０　　　　電極層（第２電極層）

Claims (9)

  1. 　基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備える調光フィルムであって、
    　前記第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であり、
    　前記第１電極層が、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、
    　前記第１電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、
    厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、調光フィルム。
  2. 　前記インジウム含有導電性酸化物層が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物層である、請求項１に記載の調光フィルム。
  3. 　前記第２電極層が、インジウム含有導電性酸化物層である、請求項１に記載の調光フィルム。
  4. 　前記第２電極層における前記インジウム含有導電性酸化物が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物である、請求項３に記載の調光フィルム。
  5. 　前記第２電極層が、２.５×１０－４Ω・cm以下の比抵抗を有する、請求項１に記載の調光フィルム。
  6. 　前記第２電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層である、
    請求項１に記載の調光フィルム。
  7. 　前記第２電極層が、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、請求項６に記載の調光フィルム。
  8. 　前記基材フィルムが、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する、請求項１に記載の調光フィルム。
  9. 　波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率が５０％以下である、請求項１から８のいずれか一つに記載の調光フィルム。
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