CN115315760A - 透明导电层和透明导电性片 - Google Patents

Abstract

透明导电层3具备第一主面5和在厚度方向上与第一主面5相对的第二主面6。透明导电层3具有：第一晶界7，其在剖视时的两个端部边缘23均朝着第一主面5敞开，且两个端部边缘23之间的中间区域25不接触第二主面6；以及第一晶粒31，其被第一晶界7隔开，且仅面向第一主面5。透明导电层3含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

Description

透明导电层和透明导电性片

技术领域

本发明涉及透明导电层和透明导电性片。

背景技术

以往，具备结晶质的透明导电层的透明导电性片是已知的。

例如，提出了具备透光性导电层的透光性导电薄膜，所述透光性导电层具有多个晶粒(例如参照下述专利文献1)。

专利文献1所记载的透光性导电层中存在将上述多个晶粒隔开的晶界从透光性导电层的上表面遍及至下表面的晶界。

另外，专利文献1的透光性导电层通过蚀刻而形成布线图案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-41059号公报

发明内容

发明要解决的问题

透光性导电层出于形成布线图案、外观设计性等理由而有时被蚀刻。近年来，为了提高蚀刻工序的生产率，对透光性导电层要求高蚀刻速度。但是，专利文献1中记载的透光性导电层存在无法满足上述要求的不良情况。

另外，对这种透光性导电层要求低电阻。

本发明提供电阻低且蚀刻速度高的透明导电层和透明导电性片。

用于解决问题的方案

本发明[1]是一种透明导电层，其具备第一主面和在厚度方向上与前述第一主面相对的第二主面，所述透明导电层具有：晶界，其在剖视时的两个端部边缘均朝着前述第一主面敞开，且两个端部边缘之间的中间区域不接触第二主面；以及第一晶粒，其被前述晶界隔开，且仅面向前述第一主面，所述透明导电层含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电层，其包括区域，所述区域是在与前述厚度方向正交的面方向上延伸的单一层。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电层，其还具有第二晶界，所述第二晶界朝着将前述第一主面的一个端部边缘与前述第二主面的一个端部边缘连结的侧面敞开。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电层，其中，前述透明导电层的材料为含锡的氧化物。

本发明[5]包括一种透明导电性片，其具备：上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电层；以及基材层，其位于前述透明导电层的前述第二主面侧。

发明的效果

本发明的透明导电层具有晶界和第一晶粒，所述晶界在剖视时的两个端部边缘均朝着第一主面敞开，且两个端部边缘之间的中间区域不接触第二主面，所述第一晶粒被晶界隔开，且仅面向第一主面。

在该透明导电层中，若蚀刻液接触第一主面，则蚀刻液容易从两个端部边缘向晶界中浸入。因此，被该晶界隔开的第一晶粒容易发生剥离。其结果，透明导电层的蚀刻速度高。

另外，该透明导电层包含原子序数比氩原子大的稀有气体原子。详细而言，利用溅射法来制造透明导电层时，源自溅射气体的原子被收进透明导电层中。这种源自溅射气体的原子会阻碍透明导电层的结晶化。其结果，透明导电层的电阻率变高。

另一方面，该透明导电层是使用原子序数比氩原子大的稀有气体作为溅射气体而得到的。原子序数比氩原子大的稀有气体的原子量大，因此，能够抑制源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子被收进透明导电层中。换言之，该透明导电层虽然包含源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子，但如上所述，其量受到抑制。因此，利用源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子，能够抑制透明导电层的结晶化受损。其结果，能够降低透明导电层的电阻率。

本发明的透明导电性片具备本发明的透明导电层。因此，电阻低且蚀刻速度高。

附图说明

图1是表示本发明的透明导电层和透明导电性片的一个实施方式的示意图。

图2表示图1所示的透明导电性片中的透明导电层的剖视图。

图3是表示本发明的透明导电层和透明导电性片的制造方法的一个实施方式的示意图。图3的A表示在第一工序中准备透明基材的工序。图3的B表示在第一工序中在透明基材的厚度方向的一个面配置硬涂层的工序。图3的C表示在基材层的厚度方向的一个面配置透明导电层的第二工序。图3的D表示将透明导电层加热的第三工序。

图4是表示非晶性的透明导电层的电阻率与氧导入量的关系的图。

图5表示本发明的透明导电层的变形例(第四晶粒被两个第三晶界隔开的变形例)的示意图。

图6表示本发明的透明导电层的变形例(包含与第一主面、第二主面、侧面均不相向的第五晶粒的变形例)的示意图。

图7表示本发明的透明导电层的变形例(第一晶界不含分支点的变形例)的示意图。

图8表示本发明的透明导电性片的变形例(具备不含第一稀有气体原子的透明导电层的变形例)的示意图。

具体实施方式

参照图1和图2来说明本发明的透明导电层和透明导电性片的一个实施方式。需要说明的是，在图2中明确地示出多个晶粒4(后述)，另外，为了将第一晶界7(后述)～第三晶界9(后述))与引出线和假想线(链线)加以区分，用深浅互不相同的灰色来描画多个晶粒4。

<透明导电性片>

如图1所示那样，该透明导电性片1具有规定厚度，且具有沿着与厚度方向正交的面方向延伸的片形状。该透明导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层3。具体而言，透明导电性片1具备基材层2和透明导电层3，所述透明导电层3配置在基材层2的厚度方向的一个面上。

<基材层>

基材层2是用于确保透明导电性片1的机械强度的透明基材。基材层2沿着面方向延伸。基材层2具有基材第一主面21和基材第二主面22。基材第一主面21为平坦面。基材第二主面22相对于基材第一主面21隔开间隔地相对配置在厚度方向的另一面侧。需要说明的是，基材层2位于透明导电层3的第二主面6(后述)侧。基材第二主面22与基材第一主面21平行。

需要说明的是，平坦面不限定于基材层2的第一主面21与基材层2的第二主面22大致平行的平面。例如，无法观察到的程度的微细凹凸、波纹是可接受的。

基材层2具备透明基材41和功能层42。

具体而言，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材41和功能层42。具体而言，基材层2具备透明基材41和功能层42，所述功能层42配置在透明基材41的厚度方向的一个面上。

<透明基材>

透明基材41具有薄膜形状。

作为透明基材41的材料，可列举出例如烯烃树脂、聚酯树脂、(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂和聚苯乙烯树脂。作为烯烃树脂，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯和环烯烃聚合物。作为聚酯树脂，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。作为(甲基)丙烯酸类树脂，可列举出例如聚甲基丙烯酸酯。作为透明基材41的材料，从透明性和耐透湿性的观点出发，可优选列举出聚酯树脂，可更优选列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

透明基材41具有透明性。具体而言，透明基材41的总光线透射率(JIS K7375-2008)例如为60％以上、优选为80％以上、更优选为85％以上。

透明基材41的厚度例如为1μm以上、优选为10μm以上、更优选为30μm以上，另外，例如为1000μm以下、优选为500μm以下、更优选为250μm以下、进一步优选为200μm以下、尤其优选为100μm以下、最优选为60μm以下。

<功能层>

功能层42配置在透明基材41的厚度方向的一个面上。

功能层42具有薄膜形状。

作为功能层42，可列举出例如硬涂层。

在这种情况下，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材41和硬涂层。

在以下的说明中，针对功能层42为硬涂层的情况进行说明。

硬涂层是用于抑制透明导电性片1受损的保护层。

硬涂层例如由硬涂组合物形成。

硬涂组合物包含树脂和根据需要的颗粒。换言之，硬涂层包含树脂和根据需要的颗粒。

作为树脂，可列举出例如热塑性树脂和固化性树脂。作为热塑性树脂，可列举出例如聚烯烃树脂。

作为固化性树脂，可列举出例如通过活性能量射线(例如紫外线和电子射线)的照射而发生固化的活性能量射线固化性树脂和通过加热而发生固化的热固性树脂。作为固化性树脂，可优选列举出活性能量射线固化性树脂。

作为活性能量射线固化性树脂，可列举出例如(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物和有机硅烷缩合物。作为活性能量射线固化性树脂，可优选列举出(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。

另外，树脂可以包含例如日本特开2008-88309号公报中记载的反应性稀释剂。具体而言，树脂可以包含多官能(甲基)丙烯酸酯。

树脂可以单独使用或组合使用2种以上。

作为颗粒，可列举出例如金属氧化物微粒和有机系微粒。作为金属氧化物微粒的材料，可列举出例如二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化锑。作为有机系微粒的材料，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯、有机硅、聚苯乙烯、聚氨酯、丙烯酸类-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺和聚碳酸酯。

颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。

另外，根据需要可以向硬涂组合物中以适当的比例配混触变赋予剂、光聚合引发剂、填充剂(例如有机粘土)和流平剂。另外，硬涂组合物可以用公知的溶剂进行稀释。

另外，为了形成硬涂层，详见后述，将硬涂组合物的稀释液涂布至透明基材41的厚度方向的一个面，并根据需要进行加热而使其干燥。在干燥后，通过例如活性能量射线照射而使硬涂组合物发生固化。

由此，形成硬涂层。

硬涂层的厚度例如为0.1μm以上、优选为0.5μm以上、更优选为1μm以上，另外，例如为20μm以下、优选为10μm以下、更优选为5μm以下。

<透明导电层>

透明导电层3配置在基材层2的厚度方向的一面侧。具体而言，透明导电层3与基材层2的基材第一主面21的整面相接触。透明导电层3具有规定厚度，优选包含区域，所述区域是在与厚度方向正交的面方向上延伸的单一层，更优选为在与厚度方向正交的面方向上延伸的单一层。具体而言，优选透明导电层3包含不是在厚度方向上层叠的多个层的区域，更优选透明导电层3不是在厚度方向上层叠的多个层。更具体而言，优选本发明的透明导电层不含沿着面方向被隔开的多个透明导电层，该多个透明导电层包含与基材层2的第一主面21平行的边界。

透明导电层3具备在厚度方向上彼此相对的第一主面5和第二主面6。

第一主面5在厚度方向的一面侧露出。第一主面5为平坦面。

第二主面6隔开间隔地相对配置在第一主面5的厚度方向的另一面侧。第二主面6是与第一主面21平行的平坦面。在该一个实施方式中，第二主面6与基材第一主面21相接触。

需要说明的是，平坦面不限定于第一主面5与第二主面6大致平行的平面。例如，无法观察到的程度的微细凹凸、波纹是可接受的。

如图2所示那样，侧面55将第一主面5的周围端部边缘与第二主面6的周围端部边缘连结。在剖视时，侧面55具有：将第一主面5的一个端部边缘与第二主面6的一个端部边缘连结的一个侧面56、以及将第一主面5的另一端部边缘与第二主面6的另一端部边缘连结的另一侧面(未图示)。

该透明导电层3为结晶质。透明导电层3优选在面方向上不含非晶质的区域，而仅包含结晶质的区域。需要说明的是，包含非晶质区域的透明导电层通过例如利用TEM对透明导电层的面方向的晶粒进行观察来鉴定。

在透明导电层3为结晶质的情况下，例如，将透明导电层3在5质量％的盐酸水溶液中浸渍15分钟后，进行水洗和干燥，测定第一主面5中的间隔为15mm左右的两端子间电阻，两端子间电阻为10kΩ以下。另一方面，如果上述两端子间电阻超过10kΩ，则透明导电层3为非晶质。

透明导电层3具有多个晶粒4。晶粒4有时也被称为grain。晶粒4包含被作为晶界的一例的第一晶界7隔开的第一晶粒31。

第一晶粒31不面向第二主面6和侧面55，而是面向第一主面5。换言之，第一晶粒31仅面向第一主面5。

第一晶界7包含两个端部边缘23。另外，第一晶界7均朝着第一主面5敞开。在第一晶界7中，两个端部边缘23之间的中间区域25不接触第二主面6和侧面55。第一晶界7具有在剖视时朝着厚度方向的一面侧敞开的大致U字形状。另外，第一晶界7具有如下通路：从一个端部边缘23朝着厚度方向的另一面侧前进，在厚度方向的中间部，朝着宽度方向(与厚度方向正交的方向的一例)前进，其后，朝着厚度方向的一面侧返回至另一端部边缘23。需要说明的是，第一晶界7可以具有如下通路：从一个端部边缘23朝着厚度方向的另一面侧前进，在厚度方向的中途部折返后，朝着厚度方向的一面侧返回至另一端部边缘23。

另外，虽未图示，但可以在透明导电层3中设置多个第一晶粒31。该情况下，彼此相邻的透明导电层3各自的一个端部边缘23可以共通。

另外，该实施方式中，第一晶界7的中间区域25包含第一分支点26和第二分支点27。

以第一分支点26作为起点，从第一晶界7分支出第二晶界8。另外，第二晶界8的一个端部边缘包含于中间区域25，另一端部边缘朝着一个侧面56(侧面55)敞开。并且，第二晶粒32被第二晶界8以及第一晶界7中的从一个端部边缘23遍布至中间区域25的中途部的部分隔开。

第二晶粒32不面向第二主面6，而是面向第一主面5和一个侧面56。换言之，第二晶粒32仅面向第一主面5和一个侧面56。

另外，以第二分支点27作为起点，从第一晶界7分支出第三晶界9。第三晶界9的一个端部边缘包含于中间区域25，另一端部边缘朝着第二主面6敞开。并且，第三晶粒33被第三晶界9、第一晶界7的中间区域25和第二晶界8隔开。

第三晶粒33不面向第一主面5，而是面向第二主面6和一个侧面56。换言之，第二晶粒32仅面向第二主面6和一个侧面56。

另外，透明导电层3可以包含面向第一主面5和第二主面6这两者的第四晶粒44。

透明导电层3只要是含有第一晶粒31的结晶质层即可，第一晶粒31与第二晶粒32、第三晶粒33、第四晶粒44等其它晶粒的存在比是任意的。

第一晶界7、第二晶界8和第三晶界可通过例如调整溅射时的基材层2的温度、成膜气压、靶表面的磁场强度和透明导电层3的厚度来形成。

透明导电层3包含材料和微量的原子序数比氩原子大的稀有气体原子(以下称为第一稀有气体原子)。透明导电层3优选由材料和微量的第一稀有气体原子形成。具体而言，在透明导电层3中，在材料基质中存在微量的第一稀有气体原子。

材料没有特别限定。作为材料，可列举出例如包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Nb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd和W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。

具体而言，作为金属氧化物，可列举出含锡的氧化物、铟锌复合氧化物(IZO)、铟镓锌复合氧化物(IGZO)和铟镓复合氧化物(IGO)。作为含锡的氧化物，可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)和锑锡复合氧化物(ATO)。作为金属氧化物，优选可列举出含锡的氧化物。如果材料为含锡的氧化物，则透明性和导电性优异。

透明导电层3(含锡的氧化物)中的氧化锡(SnO₂)的含量没有特别限定，例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为6质量％以上，另外，例如小于50质量％、优选为25质量％以下、更优选为15质量％以下。

作为第一稀有气体原子，可列举出例如氪原子和氙原子，可优选列举出氪原子。

第一稀有气体原子源自作为后述溅射气体的第一稀有气体。换言之，详见后述，在溅射法中，源自作为溅射气体的第一稀有气体(后述)的第一稀有气体原子被收进透明导电层3中。

透明导电层3中的第一稀有气体原子的含量例如为1.0原子％以下、更优选为0.7原子％以下、进一步优选为0.5原子％以下、尤其优选为0.3原子％以下、最优选为0.2原子％以下，进而小于0.1原子％，另外，例如为0.0001原子％以上。

第一稀有气体原子的含量可利用例如卢瑟福背散射分光法来进行测定。另外，第一稀有气体原子的存在可通过例如荧光X射线分析来确认。在透明导电层3中，在第一稀有气体原子的含量过少的情况(具体而言，第一稀有气体原子的含量不在卢瑟福背散射分析的检出限值(下限值)以上的情况)下，有时无法利用卢瑟福背散射分析对第一稀有气体原子的含量进行定量。但是，本申请中，即便在这种情况下，通过荧光X射线分析而鉴定出第一稀有气体原子的存在时，也判断第一稀有气体原子的含量至少为0.0001原子％以上。

透明导电层3的厚度例如为40nm以上、优选为60nm以上、更优选为70nm以上，从耐透湿性的观点出发，进一步优选为100nm以上、尤其优选为120nm以上、最优选为140nm以上，另外，从薄型化的观点出发，例如为1000nm以下、优选为500nm以下、更优选小于300nm、进一步优选为200nm以下、尤其优选小于150nm、最优选为148nm以下。透明导电层3的厚度的计算方法在后述实施例中详述。

在剖视时的两个端部边缘23之间的长度(第一晶粒31为多个时，是长度的平均)相对于透明导电层3的厚度之比例如为0.1以上、优选为0.25以上、另外，例如为20以下、优选为10以下、更优选为5以下、进一步优选为3以下。如果上述比值超过上述下限且低于上述上限，则能够提高透明导电层3的蚀刻速度。

多个晶粒4的最大晶粒直径没有特别限定，例如为500nm以下、优选为400nm以下、更优选为350nm以下、进一步优选为300nm以下、尤其优选为250nm以下、最优选为200nm以下，另外，例如为1nm以上、优选为10nm以上。如果多个晶粒4的最大晶粒直径为上述上限以下，则能够提高透明导电层3的第一主面5中的单位面积的第一晶界7的量，因此，能够提高蚀刻速度。

透明导电层3的表面电阻例如为200Ω/□以下、优选为50Ω/□以下、更优选为30Ω/□以下、进一步优选为20Ω/□以下、尤其优选为15Ω/□以下，另外，例如超过0Ω/□。

透明导电层3的电阻率值例如为2.2×10^-4Ω·cm以下、优选为1.8×10^-4Ω·cm以下、更优选为1.6×10^-4Ω·cm以下、进一步优选为1.0×10^-4Ω·cm以下。另外，上述电阻率值例如为0.1×10^-4Ω·cm以上、优选为0.5×10^-4Ω·cm以上、更优选为1.0×10^-4Ω·cm以上、进一步优选为1.01×10^-4Ω·cm以上。电阻率值可通过透明导电层3的厚度乘以表面电阻的值来求出。

<透明导电层和透明导电性片的制造方法>

参照图3来说明透明导电层3和透明导电性片1的制造方法。

透明导电层3和透明导电性片1的制造方法具备：准备基材层2的第一工序；在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层3的第二工序；以及，将透明导电层3加热的第三工序。另外，在该制造方法中，利用例如辊对辊方式来依次配置各层。

<第一工序>

在第一工序中，准备基材层2。

为了准备基材层2，如图3的A所示那样，首先准备透明基材3。

接着，如图3的B所示那样，在透明基材41的厚度方向的一个面涂布硬涂组合物的稀释液，在干燥后，通过紫外线照射或加热而使硬涂组合物发生固化。由此，在透明基材41的厚度方向的一个面形成硬涂层(功能层42)。由此，准备基材层2。

<第二工序>

在第二工序中，如图3的C所示那样，在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层3。

具体而言，在溅射装置中，边使由透明导电层3的材料形成的靶与基材层2的厚度方向的一个面相对，边在溅射气体的存在下进行溅射。另外，在溅射中，基材层2沿着成膜辊的圆周方向进行密合。另外，此时，除了存在溅射气体之外，也可以存在例如反应性气体(例如氧气)。

溅射气体为原子序数比氩原子大的稀有气体(以下称为第一稀有气体)。作为第一稀有气体，可列举出例如氪气和氙气，可优选列举出氪气。

溅射装置内的溅射气体的分压例如为0.05Pa以上、优选为0.1Pa以上，另外，例如为10Pa以下、优选为5Pa以下、更优选为1Pa以下。

如图4所示那样，反应性气体的导入量可根据非晶质的透明导电层3的表面电阻来预估。详细而言，非晶质的透明导电层3的膜质(表面电阻)因向非晶质的透明导电层3内部导入的反应性气体的导入量而发生变化，因此，可根据作为目标的非晶质的透明导电层3的表面电阻来调整反应性气体的导入量。需要说明的是，为了将非晶质的透明导电层3加热而得到结晶膜的透明导电层3，可以在图4的区域X的范围内调整反应性气体的导入量，得到非晶质的透明导电层3。

具体而言，以非晶质的透明导电层3的电阻率例如为8.0×10^-4Ω·cm以下、优选为7.0×10^-4Ω·cm以下、且例如为2.0×10^-4Ω·cm、优选为4.0×10^-4Ω·cm以上、更优选为5.0×10^-4Ω·cm以上的方式导入反应性气体。

溅射装置内的压力实质上是溅射气体的分压与反应性气体的分压的总压力。

电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源和RF电源中的任一者。另外，可以为它们的组合。

对于靶的长边而言的放电输出功率的值例如为0.1W/mm以上、优选为0.5W/mm、更优选为1W/mm以上、进一步优选为5W/mm以上，另外，例如为30W/mm以下、优选为15W/mm以下。需要说明的是，靶的长边方向例如为辊对辊方式的溅射装置中的与搬运方向正交的方向(TD方向)。

靶表面上的水平磁场强度例如为10mT以上、优选为60mT以上，另外，例如为300mT以下。通过将靶表面上的水平磁场强度设为上述范围，从而能够降低透明导电层3内的第一稀有气体原子的量，能够制造低电阻率性优异的透明导电层3。

并且，通过溅射而从靶中弹出的透明导电层3的材料会落在基材层2上而成膜。此时会产生热能，因此，优选在透明导电层3的成膜时，利用成膜辊，通过基材层2的冷却而将透明导电层3冷却，抑制透明导电层3的结晶化。

详细而言，成膜辊的温度(进而为基材层2的温度)例如为-50℃以上、优选为-20℃以上、更优选为-10℃以上，另外，例如为30℃以下、优选为20℃以下、更优选为15℃以下、进一步优选为10℃以下、尤其优选为5℃以下。如果为上述温度范围，则能够将基材层2充分冷却，能够抑制透明导电层3成膜时的结晶生长(尤其是透明导电层3的厚度方向的结晶生长)，因此，在历经后述第三工序后的透明导电层3中容易获得第一晶粒。

由此，在基材层2的厚度方向的一个面配置非晶质的透明导电层3。

另外，如上所述，由于使用作为溅射气体的第一稀有气体，因此，源自第一稀有气体的第一稀有气体原子被收进透明导电层3中。

<第三工序>

在第三工序中，将非晶质的透明导电层3加热。例如，利用加热装置(例如红外线加热器和热风烘箱)，将非晶质的透明导电层3加热。

加热温度例如为80℃以上、优选为110℃以上，另外，例如小于200℃、优选为180℃以下。另外，加热时间例如为1分钟以上、优选为10分钟以上、更优选为30分钟以上，另外，例如为24小时以下、优选为4小时以下、更优选为2小时以下。

由此，如图3的D所示那样，非晶质的透明导电层3发生结晶化，形成结晶质的透明导电层3。

由此，在得到透明导电层3的同时，得到依次具备基材层2和透明导电层3的透明导电性片1。

其后，也可以对透明导电层3进行图案化。图案化通过例如蚀刻来实施。

如果对透明导电层3进行图案化，则透明导电层3具有图案形状。若透明导电层3具有图案形状，则能够自由地设计图案形状。

<带有透明导电性片的物品和带有透明导电层的物品>

将透明导电性片1配置于部件的厚度方向的一个面，也能够得到带有透明导电性片的物品。

带有透明导电性片的物品朝着厚度方向的一面侧依次具备部件和透明导电性片1。详细而言，带有透明导电性片的物品朝着厚度方向的一面侧依次具备部件、基材层2和透明导电层3。

作为物品，没有特别限定，可列举出例如元件、构件和装置。更具体而言，作为元件，可列举出例如调光元件和光电转换元件。作为调光元件，可列举出例如电流驱动型调光元件和电场驱动型调光元件。作为电流驱动型调光元件，可列举出例如电致变色(EC)调光元件。作为电场驱动型调光元件，可列举出例如PDLC(polymer dispersed liquidcrystal)调光元件、PNLC(polymer network liquid crystal)调光元件和SPD(suspendedparticle device)调光元件。作为光电转换元件，可列举出例如太阳能电池。作为太阳能电池，可列举出例如有机薄膜太阳能电池、钙钛矿太阳能电池和色素增敏太阳能电池。作为构件，可列举出例如电磁波屏蔽构件、热射线控制构件、加热器构件、照明和天线构件。作为装置，可列举出例如接触式传感器装置和图像显示装置。

带有透明导电性片的物品可通过例如借助固着功能层将部件与透明导电性片1中的基材层2进行粘接来获得。

作为固着功能层，可列举出例如粘合层和粘接层。

作为固着功能层，只要具有透明性，就可以没有特别限制材料加以使用。固着功能层优选由树脂形成。作为树脂，可列举出例如丙烯酸类树脂、有机硅树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯基醚树脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃树脂、环氧树脂、氟树脂、天然橡胶和合成橡胶。尤其是，从光学透明性优异、显示出适度的润湿性、内聚性和粘接性等粘合特性、耐候性和耐热性等也优异的观点出发，作为树脂，优选选择丙烯酸类树脂。

为了抑制透明导电层3的腐蚀和迁移，也可以向固着功能层(形成固着功能层的树脂)中添加公知的防腐剂和抗迁移剂(例如日本特开2015-022397号中公开的材料)。另外，为了抑制带有透明导电性片的物品在室外使用时的劣化，也可以向固着功能层(形成固着功能层的树脂)中添加公知的紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂，可列举出例如二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化合物、水杨酸系化合物、草酰替苯胺系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物和三嗪系化合物。

另外，也可以在带有透明导电性片的物品中的透明导电层3的上表面配置覆盖层。

覆盖层是对透明导电层3进行覆盖的层，能够提高透明导电层3的可靠性，抑制由损伤导致的功能劣化。

覆盖层优选为电介质。覆盖层由树脂与无机材料的混合物形成。作为树脂，可列举出在固着功能层中例示的树脂。无机材料例如由含有氧化硅、氧化钛、氧化铌、氧化铝、二氧化锆、氧化钙等无机氧化物和氟化镁等氟化物的组成构成。

另外，从与上述固着功能层相同的观点出发，也可以向覆盖层(树脂与无机材料的混合物)中添加防腐剂、抗迁移剂和紫外线吸收剂。

另外，通过借助固着功能层将部件与透明导电性片1中的透明导电层3进行粘接，从而也能够得到带有透明导电性片的物品。

另外，也可以在部件的厚度方向的一个面配置透明导电层3，从而得到带有透明导电层的物品。

带有透明导电层的物品朝着厚度方向的一面侧依次具备部件和透明导电层3。

带有透明导电层的物品通过利用溅射法在部件的厚度方向的一个面配置透明导电层3来获得，或者，通过将透明导电层3从透明导电性片1转印至部件的厚度方向的一个面来获得。

另外，也可以借助上述固着功能层将部件与透明导电层3进行粘接。

另外，还可以在带有透明导电层的物品中的透明导电层3的上表面配置覆盖层。

<一个实施方式的作用效果>

在该透明导电层3中，若蚀刻液接触第一主面5，则蚀刻液容易从两个端部边缘23浸入至第一晶界7中。因此，被该第一晶界7隔开的第一晶粒31容易被蚀刻。具体而言，将第一晶粒31隔开的第一晶界7的两个端部边缘23均面向第一主面5，因此，若蚀刻液浸入至第一晶界7，则来自两个端部边缘23的蚀刻液在中间区域25发生合流。第一晶粒31未被例如面向第二主面6的第三晶粒33支承，容易自透明导电层3发生蚀刻(包括欠缺/脱落)。其结果，在该透明导电性片1中，透明导电层3的蚀刻速度高。

另外，在该透明导电层3中，若蚀刻液接触一个侧面56，则蚀刻液容易浸入至第二晶界8中。因此，被第二晶界8隔开的第二晶粒32容易发生剥离。其结果，在该透明导电性片1中，透明导电层3的蚀刻速度进一步提高。

另一方面，若透明导电层3具有第一晶界7和第一晶粒31，则从载流子迁移率的观点出发，存在电阻率变高的倾向。

但是，透明导电层3包含源自溅射气体的原子(第一稀有气体原子)。因此，透明导电层3即便具有第一晶界7和第二晶界8，也能够降低透明导电层3的电阻率。

详细而言，在利用溅射法来制造透明导电层3的情况下，源自溅射气体的原子被收进透明导电层3中。这种源自溅射气体的原子会损害透明导电层3的结晶化。其结果，透明导电层3的电阻率变高。

另一方面，透明导电层3可通过使用第一稀有气体作为溅射气体来获得。第一稀有气体的原子量比氩大，因此，能够抑制源自第一稀有气体的原子(第一稀有气体原子)被收进透明导电层3中。换言之，该透明导电层3虽然包含源自第一稀有气体的原子(第一稀有气体原子)，但如上所述，其量受到抑制。因此，借助第一稀有气体原子，能够抑制透明导电层3的结晶化受损。其结果，能够降低透明导电层3的电阻率。

综上所述，透明导电层3能够降低电阻率，且蚀刻速度高。

并且，具备这种透明导电层3的透明导电性片1、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件和图像显示装置能够降低电阻率，且蚀刻速度高。

<变形例>

在以下的各变形例中，针对与上述一个实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照符号，省略其详细说明。另外，各变形例除了特别记载之外，能够起到与一个实施方式相同的作用效果。进而，可以将一个实施方式及其变形例适当组合。

另外，如图5所示那样，透明导电层3也可以具备：另一端部边缘朝着第二主面6敞开的两个第三晶界9、以及被第一晶界7的中间区域25隔开的第四晶粒34。中间区域25包含两个第二分支点27。

第四晶粒34不面向一个侧面56和第一主面5，而是仅面向第二主面6。

进而，如图6所示那样，可以包含与第一主面5、第二主面6、侧面55均不相对的第五晶粒57。

如图7所示那样，透明导电层3不具有上述第三晶粒33和第四晶粒34(参照图2)，换言之，仅具有不面向第二主面6的晶粒4。该情况下，中间区域25不含第一分支点26和第二分支点27(参照图2)。

优选的是：如一个实施方式那样，中间区域25包含第二分支点27，透明导电层3包含第四晶粒34。由此，若蚀刻液从第二分支点27浸入至第四晶粒34并到达第二主面6，则促进第四晶粒34的欠缺。因此，能够进一步提高蚀刻速度。

在上述说明中，透明导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层3。另外，在这种透明导电性片1中，透明导电层3含有第一稀有气体原子。

另一方面，透明导电性片1也可以进一步具备不含第一稀有气体原子的透明导电层(以下称为不含第一稀有气体原子的透明导电层43)。

具体而言，如图8所示那样，透明导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、透明导电层3和不含第一稀有气体原子的透明导电层43。更具体而言，透明导电性片1具备基材层2、配置在基材层2的厚度方向的一个面上的透明导电层3、以及配置在透明导电层3的厚度方向的一个面上配置的不含第一稀有气体原子的透明导电层43。

不含第一稀有气体原子的透明导电层43中不含第一稀有气体原子，包含上述材料(详细而言，是与透明导电层3所含的材料相同的材料)和微量的具有氩原子以下的原子序数的稀有气体原子(以下称为第二稀有气体原子)。不含第一稀有气体原子的透明导电层43优选由上述材料和微量的第二稀有气体原子形成。具体而言，关于不含第一稀有气体原子的透明导电层43，在上述材料基质中存在微量的第二稀有气体原子。

作为第二稀有气体原子，可列举出例如氩原子、氖原子和氦原子，可优选列举出氩原子。

第二稀有气体原子源自后述作为溅射气体的第二稀有气体。换言之，详见后述，在溅射法中，源自作为溅射气体的第二稀有气体(后述)的第二稀有气体原子被收进不含第一稀有气体原子的透明导电层43中。

第二稀有气体原子的原子量比第一稀有气体原子小，因此，透明导电层3中的第二稀有气体原子的含量多于第一稀有气体原子的含量。因此，具体而言，不含第一稀有气体原子的透明导电层43中的第二稀有气体原子的含量为2.0原子％以下、优选为1.0原子％以下、进一步优选为0.7原子％以下、尤其优选为0.5原子％以下、最优选为0.3原子％以下，进而为0.2原子％以下，另外，例如为0.0001原子％以上。

第二稀有气体原子的含量的确认方法和第二稀有气体原子的存在的确认方法与上述第一稀有气体原子的含量的确认方法和第一稀有气体原子的存在的确认方法相同。

不含第一稀有气体原子的透明导电层43的厚度例如为1nm以上、优选为10nm以上、更优选为30nm以上、进一步优选为70nm以上，另外，例如为500nm以下、优选小于300nm、更优选为200nm以下、进一步优选小于150nm、尤其优选为100nm以下。不含第一稀有气体原子的透明导电层43的厚度的计算方法与透明导电层3的厚度的计算方法相同。

并且，为了在透明导电层3的厚度方向的一个面配置不含第一稀有气体原子的透明导电层43，在上述第二工序中，在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层3后，在透明导电层3的厚度方向的一个面配置不含第一稀有气体原子的透明导电层43。

具体而言，在溅射装置中，边使由不含第一稀有气体原子的透明导电层43的材料形成的靶与透明导电层3的厚度方向的一个面相对，边在溅射气体的存在下进行溅射。另外，在溅射中，透明导电层3(详细而言，是具备透明导电层3的基材层2)沿着成膜辊的圆周方向进行密合。另外，此时，除了存在溅射气体之外，也可以存在例如反应性气体(例如氧气)。

溅射气体为具有氩原子以下的原子序数的稀有气体(以下称为第二稀有气体)。作为第二稀有气体，可列举出例如氩气、氖气和[氦气]，可优选列举出氩气。

溅射装置内的溅射气体的分压、反应性气体的导入量、电源和对于靶的长边而言的放电输出功率的值与配置上述透明导电层3时的溅射条件相同。

并且，通过溅射而从靶中弹出的不含第一稀有气体原子的透明导电层43的材料会落在透明导电层3上而成膜。此时会产生热能，因此，在不含第一稀有气体原子的透明导电层43的成膜时，利用成膜辊，通过透明导电层3的冷却而将不含第一稀有气体原子的透明导电层43冷却，抑制不含第一稀有气体原子的透明导电层43的结晶化。

详细而言，成膜辊的温度与配置上述透明导电层3时的溅射中的成膜辊的温度相同。

由此，在透明导电层3的厚度方向的一个面配置非晶质的不含第一稀有气体原子的透明导电层43。

另外，如上所述，由于使用作为溅射气体的第二稀有气体，因此，源自第二稀有气体的第二稀有气体原子被收进不含第一稀有气体原子的透明导电层43中。

由此，在得到不含第一稀有气体原子的透明导电层43的同时，得到依次具备基材层2、透明导电层3和不含第一稀有气体原子的透明导电层43的透明导电性片1。

另外，在图8中，透明导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、透明导电层3和不含第一稀有气体原子的透明导电层43。另一方面，虽未图示，但透明导电性片1也可以朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、不含第一稀有气体原子的透明导电层43和透明导电层3。

另外，在上述说明中，针对功能层42为硬涂层的情况进行了说明，但功能层42可以为光学调整层。

光学调整层是为了抑制透明导电层3的图案辨识或者抑制透明导电性片1内的界面处的反射且使透明导电性片1确保优异的透明性而对透明导电性片1的光学物性(例如折射率)进行调整的层。

光学调整层例如由光学调整组合物形成。

光学调整组合物例如含有树脂和颗粒。作为树脂，可列举出上述硬涂组合物中列举的树脂。作为颗粒，可列举出上述硬涂组合物中列举的颗粒。光学调整组合物可以为单独的树脂或无机物单质。作为树脂，可列举出上述硬涂组合物中列举的树脂。另外，作为无机物，可列举出例如氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锡、氧化铟、氧化镉、氧化锑等半金属氧化物和/或金属氧化物。半金属氧化物和/或金属氧化物是否为化学计量组成均可。

光学调整层的厚度例如为1nm以上、优选为5nm以上、更优选为10nm以上，另外，例如为200nm以下、优选为100nm以下。光学调整层的厚度可根据例如使用瞬间多功能测光系统而观测到的干涉光谱的波长来计算。另外，也可以利用FE-TEM对光学调整层的截面进行观察来确定厚度。

另外，作为功能层42，也可以组合使用硬涂层和光学调整层(包含硬涂层和光学调整层的多层)。

另外，在上述说明中，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材41和功能层42。但是，基材层2不具备功能层42，也可以由透明基材41形成。

另外，在上述说明中，透明导电层3包含材料和第一稀有气体原子，也可以在包含它们的同时，还包含第二稀有气体原子。

在透明导电层3包含第二稀有气体原子的情况下，在上述第二工序中，作为溅射气体，一同使用第一稀有气体和第二稀有气体。

由此，源自第一稀有气体的第一稀有气体原子和源自第二稀有气体的第二稀有气体原子一同被收进透明导电层3中。

具体而言，第二稀有气体原子的含量为2.0原子％以下、优选为1.0原子％以下、进一步优选为0.7原子％以下、尤其优选为0.5原子％以下、最优选为0.3原子％以下，进而为0.2原子％以下，另外，例如为0.0001原子％以上。

如上所述，透明导电层3可以包含第二稀有气体原子，透明导电层3优选不含第二稀有气体原子。换言之，透明导电层3优选由材料和第一稀有气体原子形成。

实施例

以下，示出实施例和比较例，更具体地说明本发明。需要说明的是，本发明完全不限定于实施例和比较例。另外，以下记载中使用的配混比例(比例)、物性值、参数等的具体数值可以替换成上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(比例)、物性值、参数等相应记载的上限(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。

1.透明导电层和透明导电性片的制造

实施例1

<第一工序>

在作为透明基材的长条PET薄膜(厚度50μm、东丽公司制)的厚度方向的一个面上，涂布硬涂组合物(含有丙烯酸类树脂的紫外线固化性树脂)而形成涂膜。接着，通过紫外线照射而使涂膜固化。由此，形成硬涂层(厚度2μm)。由此，准备基材层。

<第二工序>

接着，利用反应性溅射法，在基材层(硬涂层)的厚度方向的一个面配置厚度150nm的非晶质的透明导电层。在反应性溅射法中，使用能够利用辊对辊方式来实施成膜工艺的溅射成膜装置(DC磁控溅射装置)。

详细而言，作为靶，使用氧化铟与氧化锡的烧结体(氧化锡浓度为10质量％)。作为用于对靶施加电压的电源，使用DC电源。靶上的水平磁场强度设为90mT。在溅射装置中，使基材层沿着成膜辊的圆周方向而密合。成膜辊的温度(基材层的温度)设为-8℃。另外，对溅射成膜装置内进行真空排气，直至溅射成膜装置所具备的成膜室内的到达真空度达到0.8×10^-4Pa为止，然后，向溅射成膜装置内导入作为溅射气体的氪和作为反应性气体的氧，将溅射成膜装置内的气压设为0.2Pa。向溅射成膜装置中导入的氧导入量相对于氪与氧的总导入量的比例约为2.5流量％。如图4所示那样，以位于电阻率-氧导入量曲线的区域X内且非晶质的透明导电层的电阻率的值成为6.5×10^-4Ω·cm的方式调整氧导入量。图4所示的电阻率-氧导入量曲线可通过预先调查在除了氧导入量之外的条件与上述相同的条件下利用反应性溅射法来形成非晶质的透明导电层时的、非晶质的透明导电层的电阻率的氧导入量依赖性来制作。

<第三工序>

通过在热风烘箱内的加热而使非晶质的透明导电层发生结晶化。加热温度设为165℃，加热时间设为1小时。

由此，一并得到透明导电层、以及依次具备基材层和透明导电层的透明导电性片。

实施例2

通过与实施例1相同的步骤，制造透明导电层和透明导电性片。

其中，如下所示地变更第二工序。

<第二工序>

利用反应性溅射法，在基材层(硬涂层)的厚度方向的一个面配置厚度50nm的非晶质的透明导电层。在反应性溅射法中，使用能够利用辊对辊方式来实施成膜工艺的溅射成膜装置(DC磁控溅射装置)。

详细而言，作为靶，使用氧化铟与氧化锡的烧结体(氧化锡浓度为10质量％)。作为用于对靶施加电压的电源，使用DC电源。靶上的水平磁场强度设为90mT。成膜温度设为-5℃。另外，对溅射成膜装置内进行真空排气，直至溅射成膜装置所具备的成膜室内的到达真空度达到0.8×10^-4Pa为止，然后，向溅射成膜装置内导入作为溅射气体的氪和作为反应性气体的氧，将成膜室内的气压设为0.2Pa。向成膜室中导入的氧量以所形成的膜的电阻率的值成为6.5×10^-4Ω·cm的方式进行调整。

接着，利用反应性溅射法，在透明导电层的厚度方向的一个面配置厚度80nm的非晶质的不含第一稀有气体原子的透明导电层43。

反应性溅射法的条件与利用上述反应性溅射法在基材层(硬涂层)的厚度方向的一个面配置非晶质的透明导电层时的条件相同。

其中，将溅射气体变更为氩气。另外，将导入溅射气体和作为反应性气体的氧后的成膜室内的气压变更为0.4Pa。

由此，一并得到透明导电层、以及依次具备基材层和透明导电层(厚度50nm)和不含第一稀有气体原子的透明导电层(厚度80nm)的透明导电性片。

实施例3

利用与实施例1相同的方法，一并得到透明导电层和透明导电性片。

其中，在第二工序中，将溅射气体变更为氪与氩的混合气体(氪为90体积％、氩为10体积％)。

比较例1

利用与实施例1相同的方法，一并得到透明导电层和透明导电性片。

其中，在第二工序中，将溅射气体变更为氩气。另外，在第二工序中，将导入溅射气体和作为反应性气体的氧气后的成膜室内的气压变更为0.4Pa。

比较例2

利用与实施例1相同的方法，一并得到透明导电层和透明导电性片。

其中，在第二工序中，将导入溅射气体和作为反应性气体的氧气后的成膜室内的气压变更为0.4Pa。另外，在第三工序中，将成膜辊的温度(基材层的温度)变更为50℃。另外，将透明导电层的厚度变更为30nm。

2.评价

[透明导电层的厚度]

通过FE-TEM观察(截面观察)来测定实施例1、实施例3和比较例1、2中的透明导电层的厚度。具体而言，首先利用FIB微取样法，制作实施例1和比较例1、2中的透明导电层的截面观察用样品。在FIB微取样法中，使用FIB装置(商品名“FB2200”、Hitachi公司制)，将加速电压设为10kV。接着，通过FE-TEM观察来测定截面观察用样品中的透明导电层的厚度。在FE-TEM观察中，使用FE-TEM装置(商品名“JEM-2800”，JEOL公司制)，将加速电压设为200kV。将各自的厚度示于表1。

关于实施例2中的透明导电层的厚度，由在透明导电层的厚度方向的一个面配置不含第一稀有气体原子的透明导电层之前的中间制作物制作截面观察用样品。并且，通过FE-TEM观察来测定该截面观察用样品。由此，测定透明导电层的厚度。另外，关于不含第一稀有气体原子的透明导电层的厚度，通过FE-TEM观察来测定透明导电层与不含第一稀有气体原子的透明导电层的厚度的总厚度，并通过从该总厚度减去透明导电层的厚度来求出。

[透明导电层内的氪原子的确认]

实施例1、实施例2、实施例3和比较例2中的透明导电层含有氪原子可如下操作来确认。首先，使用扫描型荧光X射线分析装置(商品名“ZSX PrimusIV”、理学公司制)，利用下述测定条件反复进行5次荧光X射线分析测定，计算各扫描角度的平均值，制作X射线光谱。并且，在所制作的X射线光谱中，确认在扫描角度28.2°附近出现峰，由此确认透明导电层中含有氪原子。

<测定条件>

光谱：Kr-KA

测定直径：30mm

气氛：真空

靶：Rh

管电压：50kV

管电流：60mA

1次过滤器：Ni40

扫描角度(deg)：27.0～29.5

步长(step)(deg)：0.020

速度(deg/分钟)：0.75

衰减器：1/1

狭缝：S2

分光晶体：LiF(200)

检测器：SC

PHA：100～300

[透明导电层内的氩原子的确认]

利用卢瑟福背散射分光法(RBS)，确认在实施例2和实施例3的不含第一稀有气体原子的透明导电层以及比较例1的透明导电层中含有氩原子。更详细而言，测定In+Sn(在卢瑟福背散射分光法中，难以将In与Sn分离而测定，因此，以两种元素的合计的形式进行评价)、O、Ar这四种元素作为检测元素，确认透明导电层中的氩原子的存在。使用装置和测定条件如下所示。

<使用装置>

Pelletron 3SDH(National Electrostatics Corporation制)

<测定条件>

入射离子：4He⁺⁺

入射能量：2300keV

入射角：0deg

散射角：160deg

试样电流：6nA

束直径：2mmφ

面内旋转：无

照射量：75μC

[第一晶界、第二晶界和第一晶粒的有无]

利用FIB微取样法，对各实施例和各比较例的透明导电性片进行截面调整后，对于各个透明导电层的截面实施FE-TEM观察，观察第一晶界、第二晶界和第一晶粒的有无。需要说明的是，以能够观察到任意晶粒的方式设定倍率。将第一晶界、第二晶界和第一晶粒的有无示于表1。

需要说明的是，在实施例1、实施例2和比较例1中，在观测到第一晶界、第二晶界和第一晶粒的同时，还观测到第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒。

装置和测定条件如下所示。

FIB装置：Hitachi公司制FB2200、加速电压：10kV

FE-TEM装置：JEOL公司制JEM-2800、加速电压：200kV

[电阻率值]

对各实施例和各比较例的透明导电层的表面电阻进行四端子测定。通过所得表面电阻乘以透明导电层的厚度来求出电阻率值。关于电阻率值，根据以下的基准进行评价。将其结果示于表1。

○：电阻率值为1.6×10^-4Ω·cm以下。

△：电阻率值为1.7×10^-4Ω·cm以上且2.2×10^-4Ω·cm以下。

×：电阻率值超过2.2×10^-4Ω·cm。

[透明导电层的蚀刻速度]

将各实施例、比较例的透明导电性片浸渍于浓度为7质量％、35℃的盐酸后，进行水洗/干燥，利用测试仪来测定15mm之间的端子间电阻(在测试仪中的测定周期设为每次15秒)。本说明书中，在盐酸中浸渍/水洗/干燥后，将15mm之间的端子间电阻超过50kΩ或呈现绝缘的时间设为透明导电层3的蚀刻结束的时间，通过该时间除以透明导电层的总厚度而求出将透明导电层蚀刻1nm所需的时间(蚀刻速率(秒/nm))，按照以下的基准来实施评价。

○：每单位厚度的蚀刻时间为12(秒/nm)以上～20(秒/nm)以下。

△：每单位厚度的蚀刻时间小于12(秒/nm)。

×：每单位厚度的蚀刻时间超过20(秒/nm)。

[表1]

需要说明的是，以本发明的例示实施方式的形式提供了上述发明，但其只不过是单纯的例示，不做限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包括在后述权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的透明导电层和透明导电性片在例如电磁波屏蔽构件、热射线控制构件、加热器构件、照明、天线构件、接触式传感器装置和图像显示装置中可适当地使用。

附图标记说明

1 透明导电性片

2 基材层

3 透明导电层

4 晶粒

5 第一主面

6 第二主面

8 第二晶界

9 端部边缘

25 中间区域

31 第一晶粒

55 侧面

56 一个侧面

Claims (5)

1.一种透明导电层，其具备第一主面和在厚度方向上与所述第一主面相对的第二主面，所述透明导电层具有：

晶界，其在剖视时的两个端部边缘均朝着所述第一主面敞开，且两个端部边缘之间的中间区域不接触第二主面；以及

第一晶粒，其被所述晶界隔开，且仅面向所述第一主面，

所述透明导电层含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

2.根据权利要求1所述的透明导电层，其包含区域，所述区域是在与所述厚度方向正交的面方向上延伸的单一层。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其特征在于，其还具有第二晶界，所述第二晶界朝着将所述第一主面的端部边缘与所述第二主面的端部边缘连结的侧面敞开。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电层，其中，所述透明导电层的材料为含锡的氧化物。

5.一种透明导电性片，其具备：

权利要求1～4中任一项所述的透明导电层；以及

基材层，其位于所述透明导电层的所述第二主面侧。

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