JP7073588B2 - 透明導電層および透明導電性フィルム - Google Patents

Description

本発明は、透明導電層および透明導電性フィルムに関する。詳しくは、透明導電層、および、その透明導電層を備える透明導電性フィルムに関する。

透明導電性フィルムなどの光学フィルムは、タッチパネルなどの光学用途に用いられることが知られている。

このような透明導電性フィルムとして、有機高分子フィルム基材と、透明導電膜とを順に備える透明導電性フィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、このような透明導電性フィルムは、スパッタリングにより、アルゴンガス存在下で、有機高分子フィルム基材の表面に、透明導電膜を成膜することにより得られる。

特開２０１４－１５７８１４号公報

一方、特許文献１の透明導電膜よりも、高透過率、および、低比抵抗が要求される。

本発明は、透過率が高く、かつ、比抵抗が低い透明導電層、および、その透明導電層を備える透明導電性フィルムを提供する。

本発明［１］は、クリプトン原子を含み、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である、透明導電層である。

本発明［２］は、インジウムスズ複合酸化物を含む、上記［１］に記載の透明導電層を含んでいる。

本発明［３］は、比抵抗が、２．３×１０^－４Ω・ｃｍ未満である、上記［１］または［２］に記載の透明導電層を含んでいる。

本発明［４］は、パターン形状を有する、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載の透明導電層を含んでいる。

本発明［５］は、基材層と、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載の透明導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備える、透明導電性フィルムを含んでいる。

本発明の透明導電層は、クリプトン原子を含み、かつ、Ｘ（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である。そのため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

本発明の透明導電性フィルムは、本発明の透明導電層を備える。そのため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

図１は、本発明の透明導電層の第１実施形態を示す概略図である。 図２は、本発明の透明導電性フィルムの第１実施形態を示す概略図である。 図３は、本発明の透明導電層、および、透明導電性フィルムの製造方法の第１実施形態を示す概略図である。図３Ａは、第１工程において、透明基材を準備する工程を示す。図３Ｂは、第１工程において、透明基材の厚み方向一方面に、ハードコート層を配置する工程を示す。図３Ｃは、第２工程において、基材層の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層を配置する第４工程を示す。図３Ｄは、第２工程において、クリプトン含有透明導電層の厚み方向一方面に、アルゴン含有透明導電層を配置する第５工程を示す。図３Ｅは、透明導電層を加熱する第３工程を示す。 図４は、非晶性の透明導電層の比抵抗と、酸素導入量との関係を示すグラフである。 図５は、本発明の透明導電層の第２実施形態を示す概略図である。 図６は、本発明の透明導電性フィルムの第２実施形態を示す概略図である。 図７は、本発明の透明導電層、および、透明導電性フィルムの製造方法の第２実施形態を示す概略図である。図７Ａは、基材層を準備する第１工程を示す。図７Ｂは、基材層の厚み方向一方面に、透明導電層を配置する第２工程を示す。図７Ｃは、透明導電層を加熱する第３工程を示す。 図８は、透明導電層フィルム付き物品の一実施形態を示す概略図である。 図９は、透明導電層付き物品の一実施形態を示す概略図である。

＜透明導電層＞
透明導電層１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）を有する。透明導電層１は、厚み方向と直交する面方向に延びる。透明導電層１は、平坦な上面および平坦な下面を有する。

透明導電層１は、優れた導電性を発現する透明な層である。透明導電層１は、結晶質を含み、好ましくは、結晶質からなる。

透明導電層１は、クリプトン原子を含む。換言すれば、透明導電層１は、クリプトン原子を含むクリプトン含有透明導電層１０（ＫｒＩＴＯと称する場合がある。）を備える。

また、透明導電層１は、クリプトン含有透明導電層１０とともに、クリプトン原子を含まないクリプトン不含透明導電層１１を備えることもできる。

以下、透明導電層１が、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを順に備える第１実施形態、および、クリプトン含有透明導電層１０からなる第２実施形態について、順に説明する。

１．第１実施形態
透明導電層１は、図１に示すように、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを順に備える。より具体的には、透明導電層１は、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン含有透明導電層１０の上面（厚み方向一方面）に配置されるクリプトン不含透明導電層１１とを備える。好ましくは、透明導電層１は、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とのみを備える。

クリプトン含有透明導電層１０は、金属酸化物と、微量のクリプトン原子とを含む。クリプトン含有透明導電層１０は、好ましくは、金属酸化物と、微量のクリプトン原子とからなる。具体的には、クリプトン含有透明導電層１０では、金属酸化物マトリックス中に、微量のクリプトン原子が存在する。

金属酸化物として、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、および、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属および／または半金属の酸化物である。金属酸化物として、具体的には、インジウム含有酸化物、および、アンチモン含有酸化物が挙げられる。インジウム含有酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、および、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。アンチモン含有酸化物としては、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。

金属酸化物として、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。つまり、好ましくは、クリプトン含有透明導電層１０（透明導電層１）は、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）を含む。クリプトン含有透明導電層１０（透明導電層１）が、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）を含めば、透明導電層１の比抵抗を低くできる。

金属酸化物が、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）である場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上、とりわけ好ましくは、９質量％以上、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下、より好ましくは、１２質量％以下である。

酸化スズの含有割合が上記した下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が上記した上限以下であれば、クリプトン含有透明導電層１０は、加熱安定性に優れる。

また、クリプトン含有透明導電層１０は、クリプトン原子を含む。

クリプトン原子は、後述するスパッタリングガスとしてのクリプトンガスに由来する。換言すれば、詳しくは後述するが、スパッタリング法において、スパッタリングガスとしてのクリプトンガスが、クリプトン含有透明導電層１０に取り込まれる。

クリプトン含有透明導電層１０におけるクリプトン原子の含有量は、例えば、１.０原子％以下、より好ましくは、０.７原子％以下、さらに好ましくは、０.５原子％以下、とりわけ好ましくは、０.３原子％以下、最も好ましくは、０.２原子％以下、さらには、０.１原子％未満、また、例えば、０.０００１原子％以上である。

クリプトン原子の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分光法により測定することができる。また、クリプトン原子の存在は、例えば、蛍光Ｘ線分析により確認することができる。クリプトン含有透明導電層１０において、クリプトン原子の含有量が過度に少ない場合（具体的には、クリプトン原子の含有量が、ラザフォード後方散乱分析の検出限界値（下限値）以上でない場合）には、クリプトン原子の含有量をラザフォード後方散乱分析によって、定量できない場合がある。しかし、本願では、このような場合であっても、蛍光Ｘ線分析によって、クリプトン原子の存在が同定される場合には、クリプトン原子の含有量が、少なくとも、０.０００１原子％以上であると判断する。

また、クリプトン含有透明導電層１０は、結晶質を含み、好ましくは、結晶質からなる。

クリプトン含有透明導電層１０が、結晶質であれば、比抵抗を小さくできる。

クリプトン含有透明導電層１０の結晶質性は、例えば、クリプトン含有透明導電層１０の断面を、ＦＥ－ＴＥＭで観察し、結晶粒の存在を確認することで判断できる。ＦＥ－ＴＥＭでの観察倍率は、結晶粒の存在が確認できる倍率であれば制限はないが、例えば、２０万倍である。また、より高倍率(例えば、２００万倍以上)での観察において、クリプトン含有透明導電層１０に格子縞の存在が確認される場合も、該当部分が結晶質であると判断できる。

クリプトン含有透明導電層１０は、好ましくは、後結晶質層（後結晶質膜）である。後結晶質とは、成膜中、および、直後(例えば、成膜後１０時間以内)は非晶質であり、その後、加熱などの工程を経て、結晶質に転化した膜である。クリプトン含有透明導電層１０が、後結晶質層であれば、比抵抗が小さく、外観品位に優れる透明導電層１、及び、後述する透明導電性フィルム２０を得やすい。

クリプトン不含透明導電層１１は、クリプトン原子を含まない。詳しくは後述するが、クリプトン不含透明導電層１１は、スパッタリング法において、クリプトンガス以外の希ガスを含むスパッタリングガス（例えば、アルゴンガス、キセノンガス）に由来する原子を含む。

クリプトン不含透明導電層１１としては、例えば、アルゴン含有透明導電層（ＡｒＩＴＯと称する場合がある。）が挙げられる。

アルゴン含有透明導電層は、上記した金属酸化物と、微量のアルゴン原子とを含む。

金属酸化物としては、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。

金属酸化物が、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）である場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上、とりわけ好ましくは、９質量％以上、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下、より好ましくは、１２質量％以下である。

また、アルゴン含有透明導電層は、アルゴン原子を含む。

アルゴン原子は、後述するスパッタリングガスとしてのアルゴンガスに由来する。換言すれば、詳しくは後述するが、スパッタリング法において、スパッタリングガスとしてのアルゴンガスが、アルゴン含有透明導電層に取り込まれる。

アルゴン含有透明導電層におけるアルゴン原子の含有量は、例えば、０．８原子％以下、好ましくは、０．５原子％以下、より好ましくは、０．２原子％以下、さらに好ましくは、０．１原子％以下、また、例えば、０．０００１原子％以上である。

アルゴン原子の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分光法により測定することができる。

また、アルゴン含有透明導電層は、結晶質を含み、好ましくは、結晶質からなる。

アルゴン含有透明導電層が、結晶質であれば、比抵抗を小さくできる。

アルゴン含有透明導電層の結晶質性は、クリプトン含有透明導電層１０の結晶質性と同様の方法で確認できる。

そして、透明導電層１の、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比（（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度／（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度）（以下、積分強度比と称する場合がある。）が、０．１３０以上、好ましくは、０．１６０以上、より好ましくは、０．１８０以上、また、例えば、０．２５０以下、好ましくは、０．２００以下である。

透明導電層１の、上記積分強度比が、上記下限以上であれば、光吸収率の低減の観点から、透過率を高くできる。

具体的には、透明導電層１の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上である。

一方、上記比が、上記下限未満であれば、光吸収率の増加の観点から、透過率を高くできない。

また、上記比が、上記下限以上であれば、移動度の向上の観点から、比抵抗を低くできる。

具体的には、透明導電層１の比抵抗は、例えば、２．３×１０^－４Ω・ｃｍ未満、好ましくは、２．２×１０^－４Ω・ｃｍ未満、より好ましくは、２．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは、１．７×１０^－４Ω・ｃｍ以下、とりわけに好ましくは、１．５×１０^－４Ω・ｃｍ以下、また、例えば、０．０１×１０^－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、０．０５×１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは、０．１×１０^－４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは、０．５×１０^－４Ω・ｃｍ以上、とりわけ好ましくは、１．０×１０^－４Ω・ｃｍ以、特に好ましくは、１．０１×１０^－４Ω・ｃｍ以上である。

なお、比抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した表面抵抗値と、透明導電層１の厚みとを乗じることにより求めることができる。

透明導電層１の表面抵抗値は、例えば、２００Ω／□以下、好ましくは、８０Ω／□以下、より好ましくは、６０Ω／□以下、さらに好ましくは、５０Ω／□以下、とりわけ好ましくは、３０Ω／□以下、最も好ましくは、２０Ω／□以下、また、通常、０Ω／□超過、また、１Ω／□以上である。

なお、表面抵抗値は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。

一方、上記比が、上記下限未満であれば、移動度の低下の観点から、比抵抗を低くできない。

なお、Ｘ線回折の測定方法については、後述する実施例で詳述する。

上記したように、透明導電層１の積分強度比が、０．１３０以上であるため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

また、透明導電層１の全光線透過率の、透明導電層１の比抵抗に対する比（透明導電層１の全光線透過率／透明導電層１の比抵抗）が、例えば、４５％／１０^－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、５０％／１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは、５５％／１０^－４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは、５５％／１０^－４Ω・ｃｍ以上、とりわけ好ましくは、５７％／１０^－４Ω・ｃｍ以上、また、例えば、７０％／１０^－４Ω・ｃｍ以下である。

上記比が、上記範囲内であれば、高透過率および低比抵抗を両立することができる。

また、透明導電層１の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、４０ｎｍ以上、より好ましくは、５０ｎｍ以上、さらに好ましくは、１００ｎｍ以上、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下、より好ましくは、３００ｎｍ未満、さらに好ましくは、２８０ｎｍ以下、とりわけ好ましくは、２００ｎｍ以下、特に好ましくは、１７０ｎｍ以下、最も好ましくは、１５０ｎｍ以下、さらには、１４８ｎｍ以下である。

また、透明導電層１において、クリプトン含有透明導電層１０の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、４０ｎｍ以上、さらに好ましくは、６０ｎｍ以上、また、例えば、８００ｎｍ以下、３００ｎｍ未満、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１５０ｎｍ未満、とりわけ好ましくは、１００ｎｍ以下、特に好ましくは、１００ｎｍ未満、最も好ましくは、９０ｎｍ以下である。また、クリプトン不含透明導電層１１の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、４０ｎｍ以上、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下、より好ましくは、１００ｎｍ以下、さらに好ましくは、６０ｎｍ以下である。

透明導電層１の厚みに対するクリプトン含有透明導電層１０の厚みは、例えば、１％以上、好ましくは、２０％以上、より好ましくは、３０％以上、さらに好ましくは、５０％以上、とりわけ好ましくは、６０％以上、また、例えば、９９％以下、好ましくは、８０％以下、より好ましくは、７０％以下である。

クリプトン含有透明導電層１０の厚みが、上記下限以上、および、上記上限以下であれば、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

なお、透明導電層１の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム２０の断面を観察することにより測定することができる。なお、図１では、クリプトン含有透明導電層１０とクリプトン不含透明導電層１１との境界が実線によって描出されているが、クリプトン含有透明導電層１０とクリプトン不含透明導電層１１との境界は明確には判別できない場合がある。

また、透明導電層１は、（２２２）面において、例えば、２８０Å以上、好ましくは、３００Å以上、より好ましくは、３２０Å以上、さらに好ましくは、３４０Å以上、とりわけ好ましくは、３５０Å以上、また、例えば、８００Å以下、好ましくは、５００Å以下、より好ましくは、４５０Å以下、さらに好ましくは、４００Å以下の結晶子を含む。また、（４４０）面において、例えば、２５０Å以上、好ましくは、３３０Å以上、より好ましくは、３８０Å以上、さらに好ましくは、４００Å以上、とりわけ好ましくは、４２０Å以上、また、例えば、８５０Å以下、好ましくは、６００Å以下、より好ましくは、５００Å以下、さらに好ましくは、４５０Å以下の結晶子を含む。なお、結晶粒子径（結晶子のサイズ）の測定方法については、後述する実施例で詳述する。

＜透明導電性フィルム＞
透明導電性フィルム２０は、図２に示すように、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）を有する。透明導電性フィルム２０は、厚み方向と直交する面方向に延びる。透明導電性フィルム２０は、平坦な上面および平坦な下面を有する。

透明導電性フィルム２０は、基材層２と、透明導電層１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。より具体的には、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、基材層２の上面（厚み方向一方面）に配置される透明導電層１とを備える。好ましくは、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、透明導電層１とのみを備える。

また、より具体的には、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。さらに具体的には、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、基材層２の上面（厚み方向一方面）に配置されるクリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン含有透明導電層１０の上面（厚み方向一方面）に配置されるクリプトン不含透明導電層１１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。

透明導電性フィルム２０は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材や電磁波シールドなどの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム２０は、画像表示装置などを作製するための部品であり、ＯＬＥＤモジュールなどの画像表示素子を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

透明導電性フィルム２０の厚みは、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より好ましくは、２５０μｍ以下、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、５０μｍ以上である。

＜基材層＞
基材層２は、透明導電性フィルム２０の機械強度を確保するための透明な基材である。

基材層２は、フィルム形状を有する。基材層２は、透明導電層１の下面に接触するように、透明導電層１の下面全面に、配置されている。

基材層２は、透明基材３および機能層４を備えている。

具体的には、基材層２は、透明基材３と、機能層４とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。具体的には、基材層２は、透明基材３と、透明基材３の厚み方向一方面に配置される機能層４とを備える。

＜透明基材＞
透明基材３は、フィルム形状を有する。

透明基材３の材料としては、例えば、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、および、ポリスチレン樹脂が挙げられる。オレフィン樹脂として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。ポリエステル樹脂として、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられる。（メタ）アクリル樹脂として、例えば、ポリメタクリレートが挙げられる。耐熱性に劣り、高温（例えば、２００℃以上）の加熱工程に耐えられないが、平滑性に優れ、低比抵抗、高透過性に優れる透明導電層１、および、透明導電性フィルム２０を得やすい観点では、透明基材３の材料として、オレフィン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられ、より好ましくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。

透明基材３は、透明性を有している。具体的には、透明基材３の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上である。

透明基材３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より好ましくは、２５０μｍ以下、さらに好ましくは、２００μｍ以下、とりわけ好ましくは、１００μｍ以下、最も好ましくは、６０μｍ以下である。

＜機能層＞
機能層４は、透明基材３の厚み方向一方面に配置されている。

機能層４は、フィルム形状を有する。

機能層４としては、例えば、ハードコート層が挙げられる。

このような場合には、基材層２は、透明基材３と、ハードコート層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。

以下の説明では、機能層４がハードコート層である場合について、説明する。

ハードコート層は、透明導電性フィルム２０に傷が発生することを抑制するための保護層である。

ハードコート層は、例えば、ハードコート組成物から形成される。

ハードコート組成物は、樹脂、および、必要により、粒子を含む。つまり、ハードコート層は、樹脂、および、必要により、粒子を含む。

樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、および、硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂が挙げられる。

硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、および、電子線）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、および、加熱により硬化する熱硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。

活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、および、有機シラン縮合物が挙げられる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、好ましくは、（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。

また、樹脂は、例えば、特開２００８－８８３０９号公報に記載の反応性希釈剤を含むことができる。具体的には、樹脂は、多官能（メタ）アクリレートを含むことができる。

樹脂は、単独使用または２種以上併用できる。

粒子としては、例えば、金属酸化物微粒子および有機系微粒子が挙げられる。金属酸化物微粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化カドミウム、および、酸化アンチモンが挙げられる。有機系微粒子の材料としては、ポリメチルメタクリレート、シリコーン、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル－スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、および、ポリカーボネートが挙げられる。

粒子は、単独使用または２種以上併用できる。

また、ハードコート組成物には、必要により、チキソトロピー付与剤、光重合開始剤、充填剤（例えば、有機粘土）、および、レベリング剤を適宜の割合で配合することができる。また、ハードコート組成物は、公知の溶剤で希釈することができる。

また、ハードコート層を形成するには、詳しくは後述するが、ハードコート組成物の希釈液を仮支持体２の厚み方向一方面に塗布し、必要により加熱して、乾燥させる。乾燥後、例えば、活性エネルギー線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。

これにより、ハードコート層を形成する。

ハードコート層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、より好ましくは、１μｍ以上、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。

＜透明導電層、および、透明導電性フィルムの製造方法＞
透明導電層１および透明導電性フィルム２０の製造方法は、基材層２を準備する第１工程と、基材層２の厚み方向一方面に、透明導電層１を配置する第２工程と、透明導電層１を加熱する第３工程とを備える。また、この製造方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。

＜第１工程＞
第１工程では、基材層２を準備する。

基材層２を準備するには、図３Ａに示すように、透明基材３を準備する。

次いで、図３Ｂに示すように、透明基材３の厚み方向一方面に、ハードコート組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射または加熱により、ハードコート組成物を硬化させる。これにより、透明基材３の厚み方向一方面に、ハードコート層（機能層４）を形成する。これにより、基材層２を準備する。

＜第２工程＞
第２工程では、基材層２（ハードコート層）の厚み方向一方面に、透明導電層１を配置する。

上記第１実施形態の透明導電層、および、この透明導電層を備える透明導電性フィルムを製造する場合には、第２工程は、基材層２の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層１０を配置する第４工程と、クリプトン不含透明導電層１１を配置する第５工程とを備える。

第４工程では、図３Ｃに示すように、基材層２の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層１０を配置する。

具体的には、スパッタリング装置において、クリプトン含有透明導電層１０の材料からなるターゲットに、基材層２の厚み方向一方面を対向させながら、クリプトンガス存在下、スパッタリングする。また、スパッタリングにおいて、基材層２は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。また、このとき、クリプトンガス以外に、例えば、酸素などの反応性ガスを存在させることもできる。

スパッタリング装置内におけるクリプトンガスの分圧は、例えば、０．０５Ｐａ以上、好ましくは、０．１Ｐａ以上、また、例えば、１０Ｐａ以下、好ましくは、５Ｐａ以下、より好ましくは、１Ｐａ以下である。

図４に示すように、反応性ガスの導入量は、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０の表面抵抗によって見積もることができる。詳しくは、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０内部に導入される反応性ガスの導入量によって、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０の膜質（表面抵抗）が変化するため、目的とする非晶質のクリプトン含有透明導電層１０の表面抵抗に応じて、反応性ガスの導入量を調整することができる。なお、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０を加熱して結晶膜のクリプトン含有透明導電層１０を得るためには、図４の領域Ｘの範囲で反応性ガスの導入量を調整し、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０を得るのがよい。

具体的には、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０の比抵抗が、例えば、８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、７．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、また、例えば、２．０×１０^－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、４．０×１０^－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは、５．０×１０^－４Ω・ｃｍ以上となるように、反応性ガスを導入する。

スパッタリング装置内における圧力は、実質的に、クリプトンガスの分圧、および、反応性ガスの分圧の合計圧力である。

電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、および、ＲＦ電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。

ターゲットの長辺に対する放電出力の値は、例えば、０．１Ｗ／ｍｍ以上、好ましくは、０．５Ｗ／ｍｍ以上、より好ましくは、１Ｗ／ｍｍ以上、さらに好ましくは、５Ｗ／ｍｍ以上、また、例えば、３０Ｗ／ｍｍ以下、好ましくは、１５Ｗ／ｍｍ以下である。なお、ターゲットの長辺方向は、例えば、ロールトゥロール方式のスパッタリング装置における、搬送方向と直交する方向（ＴＤ方向）である。

そして、スパッタリングによりターゲットからはじき出されたクリプトン含有透明導電層１０の材料は、基材層２に着膜する。この時、熱エネルギーが発生するため、クリプトン含有透明導電層１０の成膜時には、成膜ロールによって、基材層２の冷却を通じてクリプトン含有透明導電層１０を冷却し、クリプトン含有透明導電層１０の結晶化を抑制する。

詳しくは、成膜ロールの温度は、例えば、－５０℃以上、好ましくは、－３０℃、より好ましくは、－２０℃以上であり、また、例えば、２０℃以下、好ましくは、１５℃以下、より好ましくは、１０℃以下、さらに好ましくは、５℃以下、ことさらに好ましくは、０℃以下である。上記温度範囲であれば、基材層２を十分冷却でき、確実に、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０の結晶化を得られる。また、基材２層からのアウトガス（水や有機溶剤）が出にくく、クリプトン含有透明導電層１０内の不純物成分を低減でき、クリプトン含有透明導電層１０の低比抵抗性、高透過性に優れる。

これにより、基材層２の厚み方向一方面に、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０を配置する。

また、上記したように、スパッタリングガスとしてのクリプトンガスを用いているため、クリプトンガスに由来するクリプトン原子が、クリプトン含有透明導電層１０に取り込まれる。

第５工程では、図３Ｄに示すように、クリプトン含有透明導電層１０の厚み方向一方面に、クリプトン不含透明導電層１１を配置する。

なお、以下の説明では、クリプトン不含透明導電層１１が、アルゴン含有透明導電層である場合について詳述する。

第５工程では、スパッタリング装置において、アルゴン含有透明導電層の材料からなるターゲットに、クリプトン含有透明導電層１０の厚み方向一方面を対向させながら、アルゴンガス存在下、スパッタリングする。また、スパッタリングにおいて、基材層２（クリプトン含有透明導電層１０を備える基材層２）は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。また、このとき、アルゴンガス以外に、例えば、酸素などの反応性ガスを存在させることもできる。

スパッタリング装置内におけるアルゴンガスの分圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．３Ｐａ以上、また、例えば、１０Ｐａ以下、好ましくは、５Ｐａ以下、より好ましくは、１Ｐａ以下である。

反応性ガスの導入量は、上記した第４工程における反応性ガスの導入量と同様である。

スパッタリング装置内における圧力は、実質的に、アルゴンガスの分圧、および、反応性ガスの分圧の合計圧力である。電源は、上記した第４工程における、電源と同様である。ターゲットの長辺に対する放電出力は、上記した第４工程における、ターゲットの長辺に対する放電出力と同様である。

そして、スパッタリングによりターゲットからはじき出されたアルゴン含有透明導電層の材料は、クリプトン含有透明導電層１０に着膜する。この時、熱エネルギーが発生するため、アルゴン含有透明導電層の成膜時には、成膜ロールによって、クリプトン含有透明導電層１０（基材層２）の冷却を通じてアルゴン含有透明導電層を冷却し、アルゴン含有透明導電層の結晶化を抑制する。

成膜ロールの温度は、上記した第４工程における成膜ロールの温度と同様である。

これにより、クリプトン含有透明導電層１０の厚み方向一方面に、非晶質のアルゴン含有透明導電層を配置する。

また、上記したように、スパッタリングガスとしてのアルゴンガスを用いているため、アルゴンガスに由来するアルゴン原子が、アルゴン含有透明導電層に取り込まれる。

上記したように、第４工程および第５工程によって、基材層２の厚み方向一方面に、非晶質のクリプトン含有透明導電層１０と、非晶質のアルゴン含有透明導電層とを順に配置する。これにより、基材層２の厚み方向一方面に、非晶質の透明導電層１（非晶質のクリプトン含有透明導電層１０および非晶質のアルゴン含有透明導電層）を配置する。

＜第３工程＞
第３工程では、非晶質の透明導電層１を加熱する。例えば、加熱装置（例えば、赤外線ヒーター、および、熱風オーブン）によって、非晶質の透明導電層１を加熱する。

加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１１０℃以上、また、例えば、２００℃未満、好ましくは、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１分以上、好ましくは、１０分間以上、より好ましくは、３０分間以上、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、４時間以下、より好ましくは、２時間以下である。

これにより、図３Ｅに示すように、非晶質の透明導電層１が結晶化され、結晶質の透明導電層１が形成される。

これにより、透明導電層１が得られるとともに、基材層２と、透明導電層１とを順に備える透明導電性フィルム２０が得られる。

その後、透明導電層１をパターンニングすることもできる。パターンニングは、例えば、エッチングによって実施される。

透明導電層１をパターンニングすれば、透明導電層１はパターン形状を有する。透明導電層１がパターン形状を有すると、パターン形状を自由に設計することができる。
２．第２実施形態

＜透明導電層＞
透明導電層１は、図５に示すように、クリプトン含有透明導電層１０からなる。

クリプトン含有透明導電層１０は、上記した第１実施形態のクリプトン含有透明導電層１０と同様である。

透明導電層１の上記積分強度比は、上記した第１実施形態の積分強度比と同様である。

透明導電層１の全光線透過率、比抵抗、表面抵抗値および厚みは、上記した第１実施形態の全光線透過率、比抵抗、表面抵抗値および厚みと同様である。

＜透明導電性フィルム＞
透明導電性フィルム２０は、図６に示すように、基材層２と、透明導電層１（クリプトン含有透明導電層１０）とを厚み方向一方側に向かって順に備える。より具体的には、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、基材層２の上面（厚み方向一方面）に配置される透明導電層１（クリプトン含有透明導電層１０）とを備える。好ましくは、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、透明導電層１（クリプトン含有透明導電層１０）とのみを備える。

＜透明導電層、および、透明導電性フィルムの製造方法＞
透明導電層１および透明導電性フィルム２０の製造方法は、基材層２を準備する第１工程と、基材層２の厚み方向一方面に、透明導電層１を配置する第２工程と、透明導電層１を加熱する第３工程とを備える。

＜第１工程＞
第１工程では、図７Ａに示すように、上記した第１実施形態と同様の方法で、基材層２を準備する。

＜第２工程＞
第２工程では、基材層２（ハードコート層）の厚み方向一方面に、透明導電層１を配置する。

上記第２実施形態の透明導電層、および、この透明導電層を備える透明導電性フィルムを製造する場合には、第２工程では、クリプトン不含透明導電層１１を配置する第５工程を実施しない。つまり、第２工程では、クリプトン含有透明導電層１０を配置する第４工程のみを実施する。

第４工程では、図７Ｂに示すように、上記した第１実施形態と同様の方法で、基材層２の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層１０を配置する。これにより、基材層２の厚み方向一方面に、透明導電層１を配置する。

＜第３工程＞
第３工程では、図７Ｃに示すように、上記した第１実施形態と同様の方法で、非晶質の透明導電層１を加熱する。これにより、非晶質の透明導電層１が結晶化され、結晶質の透明導電層１が形成される。

これにより、透明導電層１が得られるとともに、基材層２と、透明導電層１とを順に備える透明導電性フィルム２０が得られる。

３．作用効果
透明導電層１は、クリプトン原子を含み、かつ、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である。これにより、光吸収率が小さくなる傾向がある。その結果、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

また、透明導電性フィルム２０は、透明導電層１を備える。そのため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

とりわけ、透明基材３が、有機高分子フィルム（例えば、上記した透明基材３の材料からなるフィルム）である場合には、透明導電層１を高温で結晶化させることができず。また、有機高分子フィルムに吸収されたガスによって、透明導電層１の結晶化の阻害される場合がある。そのため、高透過率および低い比抵抗を実現することが難しい場合がある。

一方、この透明導電層１は、クリプトン原子を含み、かつ、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である。そのため、透明基材３が、有機高分子フィルムであっても、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

また、透明導電層１、および、透明導電性フィルム２０の製造方法において、第２工程における第４工程では、クリプトンガス存在下で、スパッタリングすることにより、非晶質の透明導電層１（クリプトン含有透明導電層１０）を配置する。

通常、スパッタリング法によって、非晶質の透明導電層１を配置する場合には、スパッタリングガスが非晶質の透明導電層１に取り込まれる。

しかし、この方法では、スパッタリングガスとして、通常用いられるアルゴンに代えて、アルゴンよりも原子量の大きいクリプトンガスを用いる。そのため、クリプトン原子が非晶質の透明導電層１に取り込まれることを抑制できる。

そして、このような非晶質の透明導電層１は、第３工程において、結晶質の透明導電層１となる。

結晶質の透明導電層１（クリプトン含有透明導電層１０）は、クリプトン原子を含むものの、上記したように、クリプトン原子が取り込まれている量は、抑制されている。そのため、非晶質の透明導電層１を加熱した際、透明導電層１の結晶成長性に特段優れる。そうすると、透明導電層１の上記積分強度比を、所定の範囲にすることができる。その結果、透過率が高く、かつ、比抵抗が低い透明導電層１および透明導電性フィルム２０を製造できる。

４．透明導電層フィルム付き物品および透明導電層付き物品
透明導電性フィルム２０を、部品３１の厚み方向一方面に配置して、透明導電層フィルム付き物品３０を得ることもできる。

図８に示すように、透明導電層フィルム付き物品３０は、部品３１と、透明導電性フィルム２０とを厚み方向一方側に向かって順に備える。詳しくは、透明導電層フィルム付き物品３０は、部品３１と、基材層２と、透明導電層１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。

なお、図８には、第２実施形態の透明導電層１を備える透明導電層フィルム付き物品３０を示す。

物品３０としては、特に限定されず、例えば、素子、部材、および、装置が挙げられる。より具体的には、素子としては、例えば、調光素子および光電変換素子が挙げられる。調光素子としては、例えば、電流駆動型調光素子および電界駆動型調光素子が挙げられる。電流駆動型調光素子としては、例えば、エレクトロクロミック（ＥＣ）調光素子が挙げられる。電界駆動型調光素子としては、例えば、ＰＤＬＣ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）調光素子、ＰＮＬＣ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｎｅｔｗｏｒｋ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）調光素子、および、ＳＰＤ（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）調光素子が挙げられる。光電変換素子としては、例えば、太陽電池が挙げられる。太陽電池としては、例えば、有機薄膜太陽電池、ペロブスカイト太陽電池、および、色素増感太陽電池が挙げられる。部材としては、例えば、電磁波シールド部材、熱線制御部材、ヒーター部材、照明、および、アンテナ部材が挙げられる。装置としては、例えば、タッチセンサ装置および画像表示装置が挙げられる。

透明導電層フィルム付き物品３０は、例えば、部品３１と、透明導電性フィルム２０における基材層２とを固着機能層を介して、接着することにより得られる。

固着機能層としては、例えば、粘着層および接着層が挙げられる。

固着機能層としては、透明性を有するものであれば特に材料の制限なく使用できる。固着機能層は、好ましくは、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、天然ゴム、および、合成ゴムが挙げられる。特に、光学的透明性に優れ、適度な濡れ性、凝集性および接着性などの粘着特性を示し、耐候性および耐熱性等にも優れるという観点から、樹脂として、好ましくは、アクリル樹脂が選択される。

固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、光透過性導電層３の腐食およびマイグレーション抑制するために、公知の腐食防止剤、および、マイグレーション防止剤（例えば、特開２０１５－０２２３９７号に開示の材料）を添加することもできる。また、固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、透明導電層フィルム付き物品３０の屋外使用時の劣化を抑制するために、公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸系化合物、シュウ酸アニリド系化合物、シアノアクリレート系化合物、および、トリアジン系化合物が挙げられる。

また、透明導電層フィルム付き物品３０における透明導電層１の上面にカバー層を配置することもできる。

カバー層は、透明導電層１を被覆する層であり、透明導電層１の信頼性を向上させ、キズによる機能劣化を抑制できる。

カバー層は、好ましくは、誘電体である。カバー層は、樹脂および無機材料の混合物から形成されている。樹脂としては、固着機能層で例示する樹脂が挙げられる。無機材料は、例えば、酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、酸化カルシウムなどの無機酸化物およびフッ化マグネシウムなどのフッ化物を含有する組成からなる。

また、カバー層（樹脂および無機材料の混合物）には、上記した固着機能層と同様の観点から、腐食防止剤、マイグレーション防止剤、および、紫外線吸収剤を添加することもできる。

また、図示しないが、部品３１と、透明導電性フィルム２０における透明導電層１と、を固着機能層を介して、接着することにより、透明導電層フィルム付き物品３０を得ることもできる。

透明導電性フィルム付き物品３０は、透明導電性フィルム２０を備える。そのため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

また、透明導電層１を、部品３１の厚み方向一方面に配置して、透明導電層付き物品４０を得ることもできる。

図９に示すように、透明導電層付き物品４０は、部品３１と、透明導電層１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。詳しくは、透明導電層付き物品４０は、部品３１と、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。

なお、図９には、第２実施形態の透明導電層１を備える透明導電層付き物品４０を示す。

透明導電層付き物品４０は、部品３１の厚み方向一方面に、スパッタリング法により、透明導電層１を配置するか、部品３１の厚み方向一方面に、透明導電性フィルム２０から、透明導電層１を転写することにより得られる。

また、部品３１と、透明導電層１とを、上記固着機能層を介して、接着することもできる。

また、透明導電層付き物品４０における透明導電層１の上面にカバー層を配置することもできる。

透明導電層付き物品４０は、透明導電層１を備える。そのため、透過率を高くでき、かつ、比抵抗を低くできる。

５．変形例
変形例において、第１実施形態および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態、第２実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

上記した説明では、機能層４がハードコート層である場合について説明したが、機能層４は、光学調整層であってもよい。

光学調整層は、透明導電層１のパターン視認を抑制したり、透明導電性フィルム２０内の界面での反射を抑制しつつ、透明導電性フィルム２０に優れた透明性を確保するために、導電性フィルム１０の光学物性（例えば、屈折率）を調整する層である。

光学調整層は、例えば、光学調整組成物から形成される。

光学調整組成物は、例えば、樹脂および粒子を含有する。樹脂としては、上記ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられる。粒子としては、上記ハードコート組成物で挙げた粒子が挙げられる。光学調整組成物は、樹脂単体、または、無機物単体であっても良い。樹脂としては、上記ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられる。また、無機物としては、例えば、酸化珪素、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化アンチモンなどの半金属酸化物および／または金属酸化物が挙げられる。半金属酸化物および／または金属酸化物は、化学両論組成であるか否かは問わない。

光学調整層の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上、より好ましくは、１０ｎｍ以上、また、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。光学調整層の厚みは、例えば、瞬間マルチ測光システムを用いて観測される干渉スペクトルの波長に基づいて算出することができる。また、光学調整層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭで、観察することで厚みを特定しても良い。

また、機能層４として、ハードコート層および光学調整層を併用（ハードコート層および光学調整層を含む多層）することもできる。

上記した説明では、第１実施形態では、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを厚み方向一方側に向かって順に備える。一方、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１との順番は特に限定されない。詳しくは、透明導電性フィルム２０は、基材層２と、クリプトン不含透明導電層１１と、クリプトン含有透明導電層１０とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもできる。このような透明導電性フィルム２０を製造するためには、第２工程において、第５工程の後に第４工程を実施する。

上記した説明では、クリプトン含有透明導電層１０は、金属酸化物と、微量のクリプトン原子とを含むが、クリプトン含有透明導電層１０は、さらに、微量のクリプトン原子以外の希ガス（例えば、アルゴン、キセノン）を含むこともできる。このような場合には、クリプトン含有透明導電層１０では、金属酸化物マトリックス中に、微量のクリプトン原子、および、クリプトン原子以外の希ガスが存在する。このようなクリプトン含有透明導電層１０は、例えば、スパッタリングガスとして、クリプトンガスおよびクリプトン原子以外の希ガスを併用することにより、製造できる。

上記した説明では、第３工程では、非晶質の透明導電層１を加熱することにより、透明導電層１を結晶化するが、例えば、常温以下（例えば、４０℃以下）の温度で、長期間（例えば、５日以上）静置することで、非晶質の透明導電層１を結晶化することもできる。

上記した説明では、透明導電層フィルム付き物品３０は、部品３１と、基材層２と、透明導電層１とを厚み方向一方側に向かって順に備えるが、透明導電層フィルム付き物品３０は、基材層２と、透明導電層１と、部品３１とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもできる。

上記した説明では、透明導電層付き物品４０は、部品３１と、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１とを厚み方向一方側に向かって順に備えるが、透明導電層付き物品４０は、クリプトン含有透明導電層１０と、クリプトン不含透明導電層１１と、部品３１とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもできる。

以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。また、以下の記載において特に言及がない限り、「部」および「％」は質量基準である。

１．透明導電層および透明導電性フィルムの製造
実施例１
＜第１工程＞
透明基材としての長尺のＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ、東レ社製）の厚み方向一方面に、ハードコート組成物（アクリル樹脂を含有する紫外線硬化性樹脂）を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって、塗膜を硬化させた。これにより、ハードコート層（厚さ２μｍ）を形成した。これにより、基材層を準備した。

＜第２工程＞
次に、反応性スパッタリング法により、基材層（ハードコート層）の厚み方向一方面に、厚さ１３０ｎｍの非晶質の透明導電層（クリプトン含有透明導電層）を配置した。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置（ＤＣマグネトロンスパッタリング装置）を使用した。

詳しくは、ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度は１０質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、－５℃とした。また、スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が０．８×１０^－４Ｐａに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてのクリプトンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．２Ｐａとした。スパッタ成膜装置に導入されるクリプトンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約２．５流量％であった。酸素導入量は、図４に示すように、比抵抗－酸素導入量曲線の領域Ｘ内であって、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗の値が６．６×１０^－４Ω・ｃｍになるように調整した。図４に示す比抵抗－酸素導入量曲線は、酸素導入量以外の条件は上記と同じ条件で、非晶質のクリプトン含有透明導電層を反応性スパッタリング法で形成した場合の、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗の酸素導入量依存性を、予め調べて作成できる。

＜第３工程＞
非晶質の透明導電層を、熱風オーブン内での加熱によって結晶化させた。加熱温度は１６５℃とし、加熱時間は１時間とした。

これにより、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。

実施例２
実施例１と同様にして、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。

但し、第２工程を以下の通りに変更した。
＜第２工程＞
第２工程では、第４工程および第５工程の順に実施した。

＜第４工程＞
第４工程では、実施例１の第２工程と同様にして、基材層の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層を配置した。

但し、酸素導入量は、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗の値が６．５×１０^－４Ω・ｃｍになるように調整した（クリプトンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約２．６流量％）。また、非晶質のクリプトン含有透明導電層の厚みを、表１に従って、変更した。

＜第５工程＞
第５工程では、上記第２工程と同様にして、クリプトン含有透明導電層の厚み方向一方面に、クリプトン不含透明導電層（アルゴン含有透明導電層）を配置した。

但し、スパッタリングガスを、アルゴンガスに変更し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．４Ｐａに変更した。また、非晶質のアルゴン含有透明導電層の厚みを、表１に従って、変更した。

実施例３
実施例２と同様にして、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。
但し、クリプトン含有透明導電層およびアルゴン含有透明導電層を、表１に従って、変更した。

実施例４
実施例２と同様にして、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。

但し、第２工程では、第５工程および第４工程の順に実施した。また、非晶質のクリプトン含有透明導電層、および、非晶質のアルゴン含有透明導電層の厚みを、表１に従って、変更した。

実施例５
実施例１と同様にして、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。
但し、スパッタリングガスとして、クリプトンおよびアルゴンの混合ガス（クリプトン９０体積％、アルゴン１０体積％）を用い、酸素導入量は、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗の値が５．８×１０^－４Ω・ｃｍになるように調整した。また、非晶質のクリプトン含有透明導電層の厚みを、表１に従って、変更した。

比較例１
実施例１と同様にして、透明導電層とともに、透明導電性フィルムを得た。
但し、第２工程において、スパッタリングガスをアルゴンガスに変更した。また、スパッタ成膜装置内の気圧を０．４Ｐａに変更した。

２．評価
＜透明導電層の厚み＞
各実施例および各比較例の透明導電層の厚みを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、各実施例および各比較例の透明導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」、ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。

また、実施例２および実施例３において、クリプトン含有透明導電層の厚みは、クリプトン含有透明導電層の厚み方向一方面に、アルゴン含有透明導電層を配置する前に、クリプトン含有透明導電層から、断面観察用サンプルを作製し、そのサンプルをＦＥ－ＴＥＭ観察にすることにより測定した。また、アルゴン含有透明導電層の厚みは、透明導電層の厚みから、クリプトン含有透明導電層の厚みを差し引くことにより算出した。

また、実施例４において、アルゴン含有透明導電層の厚みは、アルゴン含有透明導電層の厚み方向一方面に、クリプトン含有透明導電層を配置する前に、アルゴン含有透明導電層から、断面観察用サンプルを作製し、そのサンプルをＦＥ－ＴＥＭ観察によることにより測定した。また、クリプトン含有透明導電層の厚みは、透明導電層の厚みから、アルゴン含有透明導電層の厚みを差し引くことにより算出した。

＜（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（４４０）}の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（２２２）}に対する比（I_{（４４０）}／I_（２２２）、および、結晶粒子径＞

各実施例および各比較例の透明導電層のＸ線回折ピークは、水平型Ｘ線回折装置（商品名「ＳｍａｒｔＬａｂ」、株式会社リガク製）を用いて、下記測定条件に基づいて、Ｘ線回折測定することにより取得した。また、Ｘ線ピークプロファイルは、各実施例および各比較例のＰＥＴフィルム（各実施例および各比較例の透明導電層と同条件で加熱済みのＰＥＴフィルム）由来のバックグラウンドを差し引いた値とした。その後、解析ソフトウェア（ソフト名「ＳｍａｒｔＬａｂ ＳｔｕｄｉｏＩＩ」）を用いて、２θが２９．５°～３１．５°の範囲となるように（２２２）面に対応するＸ線回折ピークのプロファイルを作成した。また、２θが４９．８°～５１．８°の範囲となるように（４４０）面に対応するＸ線回折ピークのプロファイルを作成した。作成した各Ｘ線回折ピークのプロファイルは、Ｘ線回折ピークのフィッティング（ピーク形状：分割型ＰｅａｒｓｏｎＶＩＩ関数、バックグラウンドタイプ：Ｂ－スプライン、フィッティング条件：自動）をすることで、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（２２２）}（単位：Ｃｏｕｎｔ°）、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（４４０）}（単位：Ｃｏｕｎｔ°）、および、（２２２）面における結晶粒子径（結晶子サイズ、単位：Å）、および、（４４０）面における結晶粒子径（結晶子サイズ、単位：Å）を求めた。そして、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（４４０）}の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度I_{（２２２）}に対する比（I_{（４４０）}／I_（２２２）を算出した。その結果を表１に示す。

［測定条件］
平行ビーム光学配置
光源：ＣｕＫα線（波長：１．５４０５９Å）
出力：４５ｋＶ、２００ｍＡ
入射側スリット系：ソーラスリット５．０°
入射スリット：１．０００ｍｍ
受光スリット：２０．１００ｍｍ
受光側スリット：パラレルスリットアナライザー（ＰＳＡ）０．１１４ｄｅｇ．
検出器：多次元ピクセル検出器 Ｈｙｐｉｘ－３０００
試料ステージ：透明導電性フィルムの透明基材に、粘着層を介してガラスを貼り合せた検体を、試料板（４インチウェーハ試料板）に静置した。
スキャン軸：２θ／θ（Ｏｕｔ ｏｆ Ｐｌａｎｅ測定）
ステップ間隔：０．０２°
測定スピード：０．８°／分
測定範囲：１０°～９０°

＜比抵抗＞
各実施例および各比較例の透明導電層について、比抵抗を測定した。具体的には、ＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、透明導電層の表面抵抗を測定した。その後、表面抵抗値と透明導電層の厚さとを乗じることにより、比抵抗（Ω・ｃｍ）を求めた。その結果を表１に示す。

＜全光線透過率＞
各実施例および各比較例の透明導電性フィルムについて、ヘーズメーター（スガ試験機社製、装置名「ＨＧＭ－２ＤＰ）を用いて、全光線透過率を測定した。その結果を表１に示す。

＜透明導電層内のＫｒ原子の確認＞
各実施例における各透明導電層がＫｒ原子を含有することは、次のようにして確認した。まず、走査型蛍光Ｘ線分析装置（商品名「ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ」、リガク社製）を使用して、下記の測定条件にて蛍光Ｘ線分析測定を５回繰り返し、各走査角度の平均値を算出し、Ｘ線スペクトルを作成した。そして、作成されたＸ線スペクトルにおいて、走査角度２８．２°近傍にピークが出ていることを確認することにより、透明導電層にＫｒ原子が含有されることを確認した。

［測定条件］
スペクトル：Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度（ｄｅｇ）：２７．０～２９．５
ステップ（ｄｅｇ）：０．０２０
速度（ｄｅｇ／分）：０．７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００～３００

なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれるものである。

本発明の透明導電層および透明導電性フィルムは、例えば、電磁波シールド部材、熱線制御部材、ヒーター部材、照明、アンテナ部材、タッチセンサ装置および画像表示装置において、好適に用いられる。

１ 透明導電層
２ 基材層
２０ 透明導電性フィルム

Claims (6)

1. クリプトン原子を含み、
   （２２２）面における結晶粒子径が３５０Å以上である、結晶子を含み、
   （４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である、透明導電層。
2. クリプトン原子を含み、
   （４４０）面における結晶粒子径が４００Å以上である、結晶子を含み、
   （４４０）面におけるＸ線回折のピークの積分強度の、（２２２）面におけるＸ線回折のピークの積分強度に対する比が、０．１３０以上である、透明導電層。
3. インジウムスズ複合酸化物を含む、請求項１または２に記載の透明導電層。
4. 比抵抗が、２．３×１０^－４Ω・ｃｍ未満である、請求項１～３のいずれか一項に記載の透明導電層。
5. パターン形状を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電層。
6. 基材層と、請求項１～５のいずれか一項に記載の透明導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備える、透明導電性フィルム。
   

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