CN115280429A

CN115280429A - 透明导电层和透明导电性薄膜

Info

Publication number: CN115280429A
Application number: CN202180021972.7A
Authority: CN
Inventors: 藤野望; 鸦田泰介
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2020-03-19
Filing date: 2021-03-18
Publication date: 2022-11-01
Also published as: JP2022019756A; JP6987321B1; KR20220156819A; KR20220155283A; KR20220156824A; TW202141536A; JP7273930B2; JPWO2021187587A1; KR20220155287A; CN115298762A; JPWO2021187582A1; JP7240514B2; TW202145262A; TW202147345A; WO2021187587A1; CN115280428A; US20230131985A1; KR20220156820A; JP7308960B2; WO2021187582A1

Abstract

透明导电层1包含氪原子。(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。

Description

透明导电层和透明导电性薄膜

技术领域

本发明涉及透明导电层和透明导电性薄膜。详细而言，涉及透明导电层和具备该透明导电层的透明导电性薄膜。

背景技术

已知透明导电性薄膜等光学薄膜被用于触摸面板等光学用途。

作为这种透明导电性薄膜，提出了依次具备有机高分子薄膜基材和透明导电膜的透明导电性薄膜(例如参照专利文献1)。

另外，这种透明导电性薄膜是通过利用溅射且在氩气的存在下在有机高分子薄膜基材的表面成膜出透明导电膜而得到的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-157814号公报

发明内容

发明要解决的问题

另一方面，要求与专利文献1的透明导电膜相比为高透射率和低电阻率。

本发明提供一种透射率高且电阻率低的透明导电层、以及具备该透明导电层的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]是一种透明导电层，其包含氪原子，所述透明导电层的(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电层，其包含铟锡复合氧化物。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电层，其电阻率小于2.3×10^-4Ω·cm。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电层，其具有图案形状。

本发明[5]包括一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层和上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电层。

发明的效果

本发明的透明导电层包含氪原子，且(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

本发明的透明导电性薄膜具备本发明的透明导电层。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

附图说明

图1是表示本发明的透明导电层的第一实施方式的示意图。

图2是表示本发明的透明导电性薄膜的第一实施方式的示意图。

图3是表示本发明的透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法的第一实施方式的示意图。图3的A表示在第一工序中准备透明基材的工序。图3的B表示在第一工序中朝着透明基材的厚度方向的一个面配置硬涂层的工序。图3的C表示在第二工序中朝着基材层的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层的第四工序。图3的D表示在第二工序中朝着含氪透明导电层的厚度方向的一个面配置含氩透明导电层的第五工序。图3的E表示将透明导电层加热的第三工序。

图4是表示非晶性的透明导电层的电阻率与氧导入量的关系的图。

图5是表示本发明的透明导电层的第二实施方式的示意图。

图6是表示本发明的透明导电性薄膜的第二实施方式的示意图。

图7是表示本发明的透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法的第二实施方式的示意图。图7的A表示准备基材层的第一工序。图7的B表示朝着基材层的厚度方向的一个面配置透明导电层的第二工序。图7的C表示将透明导电层加热的第三工序。

图8是表示带有透明导电性薄膜的物品的一个实施方式的示意图。

图9是表示带有透明导电层的物品的一个实施方式的示意图。

具体实施方式

<透明导电层>

透明导电层1呈现具有规定厚度的薄膜形状(包括片状)。透明导电层1沿着与厚度方向正交的面方向延伸。透明导电层1具有平坦的上表面和平坦的下表面。

透明导电层1是表现出优异导电性的透明层。透明导电层1包含结晶质，优选由结晶质形成。

透明导电层1包含氪原子。换言之，透明导电层1具备包含氪原子的含氪透明导电层10(有时称为KrITO)。

另外，透明导电层1也可以在具备含氪透明导电层10的同时，还具备不含氪原子的不含氪透明导电层11。

以下，针对透明导电层1依次具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11的第一实施方式、以及透明导电层1由含氪透明导电层10形成的第二实施方式，依次进行说明。

1.第一实施方式

如图1所示那样，透明导电层1依次具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。更具体而言，透明导电层1具备含氪透明导电层10、以及配置在含氪透明导电层10的上表面(厚度方向的一个面)上的不含氪透明导电层11。透明导电层1优选仅具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。

含氪透明导电层10包含金属氧化物和微量的氪原子。含氪透明导电层10优选由金属氧化物和微量的氪原子形成。具体而言，在含氪透明导电层10中，在金属氧化物基质中存在微量的氪原子。

作为金属氧化物，为例如选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd和W组成的组中的至少1种金属和/或半金属的氧化物。作为金属氧化物，具体而言，可列举出含铟氧化物和含锑氧化物。作为含铟氧化物，可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)、铟镓复合氧化物(IGO)、铟锌复合氧化物(IZO)和铟镓锌复合氧化物(IGZO)。作为含锑氧化物，可列举出例如锑锡复合氧化物(ATO)。

作为金属氧化物，可优选列举出含铟氧化物，可更优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)。换言之，含氪透明导电层10(透明导电层1)优选包含铟锡复合氧化物(ITO)。如果含氪透明导电层10(透明导电层1)包含铟锡复合氧化物(ITO)，则能够降低透明导电层1的电阻率。

金属氧化物为铟锡复合氧化物(ITO)时，氧化锡的含有比例相对于氧化锡和氧化铟的总计量例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为5质量％以上、进一步优选为8质量％以上、尤其优选为9质量％以上，另外，例如为20质量％以下、优选为15质量％以下、更优选为12质量％以下。

如果氧化锡的含有比例为上述下限以上，则会促进低电阻化。如果氧化锡的含有比例为上述上限以下，则含氪透明导电层10的加热稳定性优异。

另外，含氪透明导电层10包含氪原子。

氪原子源自作为后述溅射气体的氪气。换言之，详见后述，在溅射法中，作为溅射气体的氪气会进入至含氪透明导电层10中。

含氪透明导电层10中的氪原子的含量例如为1.0原子％以下、更优选为0.7原子％以下、进一步优选为0.5原子％以下、尤其优选为0.3原子％以下、最优选为0.2原子％以下、进而小于0.1原子％，另外，例如为0.0001原子％以上。

氪原子的含量可利用例如卢瑟福背散射光谱法进行测定。另外，氪原子的存在可利用例如荧光X射线分析进行确认。在含氪透明导电层10中，氪原子的含量过少时(具体而言，氪原子的含量不是卢瑟福背散射分析的检测限值(下限值)以上时)，有时无法利用卢瑟福背散射分析对氪原子的含量进行定量。但是，本申请中，即便在这种情况下，利用荧光X射线分析来鉴定氪原子的存在时，也判断氪原子的含量至少为0.0001原子％以上。

另外，含氪透明导电层10包含结晶质，优选由结晶质形成。

如果含氪透明导电层10为结晶质，则能够减小电阻率。

含氪透明导电层10的结晶质性可通过例如利用FE-TEM对含氪透明导电层10的截面进行观察，并确认晶粒的存在来判断。基于FE-TEM的观察倍率只要是能够确认晶粒存在的倍率，就没有限定，例如为20万倍。另外，在更高倍率(例如200万倍以上)下的观察中，即便在确认含氪透明导电层10中存在格纹的情况下，也可以将该部分判断为结晶质。

含氪透明导电层10优选为后结晶质层(后结晶质膜)。后结晶质膜是指：在成膜过程中和刚刚成膜后(例如成膜后10小时以内)为非晶质，其后历经加热等工序而转化成结晶质的膜。如果含氪透明导电层10为后结晶质层，则容易获得电阻率小、外观品质优异的透明导电层1和后述透明导电性薄膜20。

不含氪透明导电层11中不含氪原子。详见后述，不含氪透明导电层11包含在溅射法中源自含有除氪气之外的稀有气体在内的溅射气体(例如氩气、氙气)的原子。

作为不含氪透明导电层11，可列举出例如含氩透明导电层(有时称为ArITO)。

含氩透明导电层包含上述金属氧化物和微量的氩原子。

作为金属氧化物，可优选列举出含铟氧化物，可更优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)。

另外，含氩透明导电层包含氩原子。

氩原子源自作为后述溅射气体的氩气。换言之，详见后述，在溅射法中，作为溅射气体的氩气会进入至含氩透明导电层中。

含氩透明导电层中的氩原子的含量例如为0.8原子％以下、优选为0.5原子％以下、更优选为0.2原子％以下、进一步优选为0.1原子％以下，另外，例如为0.0001原子％以上。

氩原子的含量可利用例如卢瑟福背散射光谱法进行测定。

另外，含氩透明导电层包含结晶质，优选由结晶质形成。

如果含氩透明导电层为结晶质，则能够减小电阻率。

含氩透明导电层的结晶质性可利用与含氪透明导电层10的结晶质性相同的方法进行确认。

并且，透明导电层1的(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比((440)面的X射线衍射的峰的积分强度/(222)面的X射线衍射的峰的积分强度)(以下有时称为积分强度比)为0.130以上、优选为0.160以上、更优选为0.180以上，另外，例如为0.250以下、优选为0.200以下。

如果透明导电层1的上述积分强度比为上述下限以上，则从光吸收率降低的观点出发，能够提高透射率。

具体而言，透明导电层1的总透光率(JIS K 7375-2008)例如为60％以上、优选为80％以上、更优选为85％以上。

另一方面，如果上述比小于上述下限，则从光吸收率增加的观点出发，无法提高透射率。

另外，如果上述比为上述下限以上，则从迁移率提高的观点出发，能够降低电阻率。

具体而言，透明导电层1的电阻率例如小于2.3×10^-4Ω·cm、优选小于2.2×10^-4Ω·cm、更优选为2.0×10^-4Ω·cm以下、进一步优选为1.7×10^-4Ω·cm以下、尤其优选为1.5×10^-4Ω·cm以下，另外，例如为0.01×10^-4Ω·cm以上、优选为0.05×10^-4Ω·cm以上、更优选为0.1×10^-4Ω·cm以上、进一步优选为0.5×10^-4Ω·cm以上、尤其优选为1.0×10^-4Ω·cm以上、特别优选为1.01×10^-4Ω·cm以上。

需要说明的是，电阻率可通过将按照JIS K7194并利用四端子法而测得的表面电阻值与透明导电层1的厚度相乘来求出。

透明导电层1的表面电阻值例如为200Ω/□以下、优选为80Ω/□以下、更优选为60Ω/□以下、进一步优选为50Ω/□以下、尤其优选为30Ω/□以下、最优选为20Ω/□以下，另外，通常超过0Ω/□，另外为1Ω/□以上。

需要说明的是，表面电阻值可按照JIS K7194并利用四端子法进行测定。

另一方面，如果上述比小于上述下限，则从迁移率降低的观点出发，无法降低电阻率。

需要说明的是，关于X射线衍射的测定方法，在后述实施例中详述。

如上所述，由于透明导电层1的积分强度比为0.130以上，因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

另外，透明导电层1的总透光率相对于透明导电层1的电阻率之比(透明导电层1的总透光率/透明导电层1的电阻率)例如为45％/10^-4Ω·cm以上、优选为50％/10^-4Ω·cm以上、更优选为55％/10^-4Ω·cm以上、进一步优选为55％/10^-4Ω·cm以上、尤其优选为57％/10^-4Ω·cm以上，另外，例如为70％/10^-4Ω·cm以下。

如果上述比在上述范围内，则能够兼顾高透射率和低电阻率。

另外，透明导电层1的厚度例如为10nm以上、优选为40nm以上、更优选为50nm以上、进一步优选为100nm以上，另外，例如为1000nm以下、优选为500nm以下、更优选低于300nm、进一步优选为280nm以下、尤其优选为200nm以下、特别优选为170nm以下、最优选为150nm以下、进而为148nm以下。

另外，在透明导电层1中，含氪透明导电层10的厚度例如为1nm以上、优选为10nm以上、更优选为40nm以上、进一步优选为60nm以上，另外，例如为800nm以下、优选小于300nm、更优选为200nm以下、进一步优选小于150nm、尤其优选为100nm以下、特别优选小于100nm、最优选为90nm以下。另外，不含氪透明导电层11的厚度例如为1nm以上、优选为10nm以上、更优选为40nm以上，另外，例如为500nm以下、优选为200nm以下、更优选为100nm以下、进一步优选为60nm以下。

含氪透明导电层10的厚度相对于透明导电层1的厚度例如为1％以上、优选为20％以上、更优选为30％以上、进一步优选为50％以上、尤其优选为60％以上，另外，例如为99％以下、优选为80％以下、更优选为70％以下。

如果含氪透明导电层10的厚度为上述下限以上且上述上限以下，则能够提高透射率，且能够降低电阻率。

需要说明的是，透明导电层1的厚度可通过例如使用透射型电子显微镜对透明导电性薄膜20的截面进行观察来测定。需要说明的是，在图1中，用实线画出含氪透明导电层10与不含氪透明导电层11的边界，但有时无法明确地辨别含氪透明导电层10与不含氪透明导电层11的边界。

另外，透明导电层1包含在(222)面中例如为

以上、优选为

以上、更优选为

以上、进一步优选为

以上、尤其优选为

以上，且例如为

以下、优选为

以下、更优选为

以下、进一步优选为

以下的微晶。另外，包含在(440)面中例如为

以上、优选为

以上、更优选为

以上、进一步优选为

以上、尤其优选为

以上，且例如为

以下、优选为

以下、更优选为

以下、进一步优选为

以下的微晶。需要说明的是，关于结晶粒径(微晶尺寸)的测定方法，在后述实施例中详述。

<透明导电性薄膜>

如图2所示那样，透明导电性薄膜20呈现具有规定厚度的薄膜形状(片状)。透明导电性薄膜20沿着与厚度方向正交的面方向延伸。透明导电性薄膜20具有平坦的上表面和平坦的下表面。

透明导电性薄膜20朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层1。更具体而言，透明导电性薄膜20具备基材层2和配置在基材层2的上表面(厚度方向的一个面)上的透明导电层1。透明导电性薄膜20优选仅具备基材层2和透明导电层1。

另外，更具体而言，透明导电性薄膜20朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。更具体而言，透明导电性薄膜20朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、配置在基材层2的上表面(厚度方向的一个面)上的含氪透明导电层10、以及配置在含氪透明导电层10的上表面(厚度方向的一个面)上的不含氪透明导电层11。

透明导电性薄膜20例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材、电磁波屏蔽件等的一个部件，即，不是图像显示装置。即，透明导电性薄膜20是用于制作图像显示装置等的部件，其不含OLED模块等图像显示元件，是能够以部件的形式单独流通并在产业上加以利用的设备。

透明导电性薄膜20的厚度例如为1000μm以下、优选为500μm以下、更优选为250μm以下，另外，例如为1μm以上、优选为20μm以上、更优选为50μm以上。

<基材层>

基材层2是用于确保透明导电性薄膜20的机械强度的透明基材。

基材层2具有薄膜形状。基材层2以接触透明导电层1的下表面的方式配置在透明导电层1的整个下表面。

基材层2具备透明基材3和功能层4。

具体而言，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材3和功能层4。具体而言，基材层2具备透明基材3和功能层4，所述功能层4配置在透明基材3的厚度方向的一个面上。

<透明基材>

透明基材3具有薄膜形状。

作为透明基材3的材料，可列举出例如烯烃树脂、聚酯树脂、(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂和聚苯乙烯树脂。作为烯烃树脂，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯和环烯烃聚合物。作为聚酯树脂，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。作为(甲基)丙烯酸类树脂，可列举出例如聚甲基丙烯酸酯。虽然耐热性差、不耐受高温(例如200℃以上)的加热工序，但从容易获得平滑性优异、低电阻率、高透射性优异的透明导电层1和透明导电性薄膜20的观点出发，作为透明基材3的材料，可列举出烯烃树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酯树脂，可更优选列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

透明基材3具有透明性。具体而言，透明基材3的总透光率(JIS K7375-2008)例如为60％以上、优选为80％以上、更优选为85％以上。

透明基材3的厚度例如为1μm以上、优选为10μm以上、优选为30μm以上，另外，例如为1000μm以下、优选为500μm以下、更优选为250μm以下、进一步优选为200μm以下、尤其优选为100μm以下、最优选为60μm以下。

<功能层>

功能层4配置在透明基材3的厚度方向的一个面上。

功能层4具有薄膜形状。

作为功能层4，可列举出例如硬涂层。

在这种情况下，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材3和硬涂层。

在以下的说明中，针对功能层4为硬涂层的情况进行说明。

硬涂层是用于抑制透明导电性薄膜20产生损伤的保护层。

硬涂层例如由硬涂组合物形成。

硬涂组合物包含树脂和根据需要的颗粒。换言之，硬涂层包含树脂和根据需要的颗粒。

作为树脂，可列举出例如热塑性树脂和固化性树脂。作为热塑性树脂，可列举出例如聚烯烃树脂。

作为固化性树脂，可列举出例如通过照射活性能量的射线(例如紫外线和电子射线)而发生固化的活性能量射线固化性树脂和通过加热而发生固化的热固性树脂。作为固化性树脂，可优选列举出活性能量射线固化性树脂。

作为活性能量射线固化性树脂，可列举出例如(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物和有机硅烷缩合物。作为活性能量射线固化性树脂，可优选列举出(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。

另外，树脂可以包含例如日本特开2008-88309号公报中记载的反应性稀释剂。具体而言，树脂可以包含多官能(甲基)丙烯酸酯。

树脂可以单独使用或组合使用两种以上。

作为颗粒，可列举出例如金属氧化物微粒和有机系微粒。作为金属氧化物微粒的材料，可列举出例如二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化锑。作为有机系微粒的材料，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯、有机硅、聚苯乙烯、聚氨酯、丙烯酸类-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺和聚碳酸酯。

颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。

另外，硬涂组合物根据需要可以以适当的比例配混触变性赋予剂、光聚合引发剂、填充剂(例如有机粘土)和流平剂。另外，硬涂组合物可以利用公知的溶剂进行稀释。

另外，为了形成硬涂层，详见后述，将硬涂组合物的稀释液涂布于临时支承体2的厚度方向的一个面，根据需要进行加热而使其干燥。在干燥后，通过例如照射活性能量射线而使硬涂组合物发生固化。

由此，形成硬涂层。

硬涂层的厚度例如为0.1μm以上、优选为0.5μm以上、更优选为1μm以上，另外，例如为20μm以下、优选为10μm以下、更优选为5μm以下。

<透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法>

透明导电层1和透明导电性薄膜20的制造方法具备如下工序：准备基材层2的第一工序；在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层1的第二工序；以及将透明导电层1加热的第三工序。另外，在该制造方法中，利用例如辊对辊方式依次配置各层。

<第一工序>

在第一工序中，准备基材层2。

为了准备基材层2，如图3的A所示那样，准备透明基材3。

接着，如图3的B所示那样，在透明基材3的厚度方向的一个面涂布硬涂组合物的稀释液，在干燥后，通过紫外线照射或加热而使硬涂组合物发生固化。由此，在透明基材3的厚度方向的一个面形成硬涂层(功能层4)。由此，准备基材层2。

<第二工序>

在第二工序中，在基材层2(硬涂层)的厚度方向的一个面配置透明导电层1。

制造上述第一实施方式的透明导电层和具备该透明导电层的透明导电性薄膜时，第二工序具备：在基材层2的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层10的第四工序、以及配置不含氪透明导电层11的第五工序。

在第四工序中，如图3的C所示那样，在基材层2的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层10。

具体而言，在溅射装置中，边使基材层2的厚度方向的一个面与由含氪透明导电层10的材料形成的靶对置，边在氪气的存在下进行溅射。另外，在溅射中，基材层2沿着成膜辊的圆周方向而密合。另外，此时，除了氪气之外，也可以存在例如氧气等反应性气体。

溅射装置内的氪气的分压例如为0.05Pa以上、优选为0.1Pa以上，另外，例如为10Pa以下、优选为5Pa以下、更优选为1Pa以下。

如图4所示那样，反应性气体的导入量可根据非晶质的含氪透明导电层10的表面电阻来预估。详细而言，非晶质的含氪透明导电层10的膜质(表面电阻)因向非晶质的含氪透明导电层10内部导入的反应性气体的导入量而发生变化，因此，可根据作为目标的非晶质的含氪透明导电层10的表面电阻来调整反应性气体的导入量。需要说明的是，为了将非晶质的含氪透明导电层10加热而得到结晶膜的含氪透明导电层10，可以在图4的区域X的范围内调整反应性气体的导入量，得到非晶质的含氪透明导电层10。

具体而言，以非晶质的含氪透明导电层10的电阻率例如成为8.0×10^-4Ω·cm以下、优选成为7.0×10^-4Ω·cm以下、且例如成为2.0×10^-4Ω·cm以上、优选成为4.0×10^-4Ω·cm以上、更优选成为5.0×10^-4Ω·cm以上的方式导入反应性气体。

溅射装置内的压力实质上是氪气的分压与反应性气体的分压的总计压力。

电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源和RF电源中的任一者。另外，也可以为它们的组合。

对于靶的长边而言的放电输出功率的值例如为0.1W/mm以上、优选为0.5W/mm以上、更优选为1W/mm以上、进一步优选为5W/mm以上，另外，例如为30W/mm以下、优选为15W/mm以下。需要说明的是，靶的长边方向例如为辊对辊方式的溅射装置中的与输送方向正交的方向(TD方向)。

并且，通过溅射而从靶中弹出的含氪透明导电层10的材料会落在基材层2上而成膜。此时会产生热能，因此，在含氪透明导电层10的成膜时，利用成膜辊，通过基材层2的冷却而将含氪透明导电层10冷却，抑制含氪透明导电层10的结晶化。

详细而言，成膜辊的温度例如为-50℃以上、优选为-30℃以上、更优选为-20℃以上，另外，例如为20℃以下、优选为15℃以下、更优选为10℃以下、进一步优选为5℃以下、进一步优选为0℃以下。如果为上述温度范围，则能够将基材层2充分冷却，能够可靠地实现非晶质的含氪透明导电层10的结晶化。另外，不易自基材2层产生脱气(水、有机溶剂)，能够降低含氪透明导电层10内的杂质成分，含氪透明导电层10的低电阻率性、高透射性优异。

由此，在基材层2的厚度方向的一个面配置非晶质的含氪透明导电层10。

另外，如上所述，由于使用作为溅射气体的氪气，因此，源自氪气的氪原子会进入含氪透明导电层10中。

在第五工序中，如图3的D所示那样，在含氪透明导电层10的厚度方向的一个面配置不含氪透明导电层11。

需要说明的是，在以下的说明中，针对不含氪透明导电层11为含氩透明导电层的情况进行详述。

在第五工序中，在溅射装置中，边使含氪透明导电层10的厚度方向的一个面与由含氩透明导电层的材料形成的靶对置，边在氩气的存在下进行溅射。另外，在溅射中，基材层2(具备含氪透明导电层10的基材层2)沿着成膜辊的圆周方向而密合。另外，此时，除了氩气之外，也可以存在例如氧气等反应性气体。

溅射装置内的氩气的分压例如为0.1Pa以上、优选为0.3Pa以上，另外，例如为10Pa以下、优选为5Pa以下、更优选为1Pa以下。

反应性气体的导入量与上述第四工序中的反应性气体的导入量相同。

溅射装置内的压力实质上是氩气的分压与反应性气体的分压的总计压力。电源与上述第四工序中的电源相同。对于靶的长边而言的放电输出功率与上述第四工序中对于靶的长边而言的放电输出功率相同。

并且，通过溅射而从靶中弹出的含氩透明导电层的材料会落在含氪透明导电层10上而成膜。此时会产生热能，因此，在含氩透明导电层的成膜时，利用成膜辊，通过含氪透明导电层10(基材层2)的冷却而将含氩透明导电层冷却，抑制含氩透明导电层的结晶化。

成膜辊的温度与上述第四工序中的成膜辊的温度相同。

由此，在含氪透明导电层10的厚度方向的一个面配置非晶质的含氩透明导电层。

另外，如上所述，由于使用作为溅射气体的氩气，因此，源自氩气的氩原子会进入含氩透明导电层中。

如上所述，通过第四工序和第五工序，在基材层2的厚度方向的一个面依次配置非晶质的含氪透明导电层10和非晶质的含氩透明导电层。由此，在基材层2的厚度方向的一个面配置非晶质的透明导电层1(非晶质的含氪透明导电层10和非晶质的含氩透明导电层)。

<第三工序>

在第三工序中，将非晶质的透明导电层1加热。例如，利用加热装置(例如红外线加热器和热风烘箱)，将非晶质的透明导电层1加热。

加热温度例如为80℃以上、优选为110℃以上，另外，例如小于200℃、优选为180℃以下。另外，加热时间例如为1分钟以上、优选为10分钟以上、更优选为30分钟以上，另外，例如为24小时以下、优选为4小时以下、更优选为2小时以下。

由此，如图3的E所示那样，非晶质的透明导电层1发生结晶化，形成结晶质的透明导电层1。

由此，在得到透明导电层1的同时，还得到依次具备基材层2和透明导电层1的透明导电性薄膜20。

其后，也可以对透明导电层1进行图案化。图案化利用例如蚀刻来实施。

如果对透明导电层1进行图案化，则透明导电层1具有图案形状。若透明导电层1具有图案形状，则能够自由地设计图案形状。

2.第二实施方式

<透明导电层>

如图5所示那样，透明导电层1由含氪透明导电层10形成。

含氪透明导电层10与上述第一实施方式的含氪透明导电层10相同。

透明导电层1的上述积分强度比与上述第一实施方式的积分强度比相同。

透明导电层1的总透光率、电阻率、表面电阻值和厚度与上述第一实施方式的总透光率、电阻率、表面电阻值和厚度相同。

<透明导电性薄膜>

如图6所示那样，透明导电性薄膜20朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层1(含氪透明导电层10)。更具体而言，透明导电性薄膜20具备基材层2和配置在基材层2的上表面(厚度方向的一个面)上的透明导电层1(含氪透明导电层10)。透明导电性薄膜20优选仅具备基材层2和透明导电层1(含氪透明导电层10)。

<透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法>

透明导电层1和透明导电性薄膜20的制造方法具备如下工序：准备基材层2的第一工序；在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层1的第二工序；以及将透明导电层1加热的第三工序。

<第一工序>

在第一工序中，如图7的A所示那样，利用与上述第一实施方式相同的方法，准备基材层2。

<第二工序>

制造上述第二实施方式的透明导电层和具备该透明导电层的透明导电性薄膜时，在第二工序中，不实施配置不含氪透明导电层11的第五工序。换言之，在第二工序中，仅实施配置含氪透明导电层10的第四工序。

在第四工序中，如图7的B所示那样，利用与上述第一实施方式相同的方法，在基材层2的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层10。由此，在基材层2的厚度方向的一个面配置透明导电层1。

<第三工序>

在第三工序中，如图7的C所示那样，利用与上述第一实施方式相同的方法，将非晶质的透明导电层1加热。由此，非晶质的透明导电层1发生结晶化，形成结晶质的透明导电层1。

由此，在得到透明导电层1的同时，得到依次具备基材层2和透明导电层1的透明导电性薄膜20。

3.作用效果

透明导电层1包含氪原子，且(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。由此，存在光吸收率变小的倾向。其结果，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

另外，透明导电性薄膜20具备透明导电层1。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

尤其是，透明基材3为有机高分子薄膜(例如，由上述透明基材3的材料形成的薄膜)时，无法使透明导电层1在高温下发生结晶化，另外，有时因被有机高分子薄膜吸收的气体而导致透明导电层1的结晶化受阻。因此，有时难以实现高透射率和低电阻率。

另一方面，该透明导电层1包含氪原子，且(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。因此，即便透明基材3为有机高分子薄膜，也能够提高透射率，且能够降低电阻率。

另外，在透明导电层1和透明导电性薄膜20的制造方法中，在第二工序中的第四工序中，通过在氪气的存在下进行溅射，从而配置非晶质的透明导电层1(含氪透明导电层10)。

通常，利用溅射法来配置非晶质的透明导电层1时，溅射气体会进入至非晶质的透明导电层1中。

但是，利用该方法，作为溅射气体，使用原子量比氩大的氪来代替通常使用的氩气。因此，能够抑制氪原子进入至非晶质的透明导电层1中。

并且，这种非晶质的透明导电层1在第三工序中形成结晶质的透明导电层1。

结晶质的透明导电层1(含氪透明导电层10)虽然包含氪原子，但如上所述，氪原子的进入量受到抑制。因此，将非晶质的透明导电层1加热时，透明导电层1的结晶生长性特别优异。若这样操作，则能够将透明导电层1的上述积分强度比设为规定的范围。其结果，能够制造透射率高且电阻率低的透明导电层1和透明导电性薄膜20。

4.带有透明导电性薄膜的物品和带有透明导电层的物品

将透明导电性薄膜20配置在部件31的厚度方向的一个面，也能够得到带有透明导电性薄膜的物品30。

如图8所示那样，带有透明导电性薄膜的物品30朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31和透明导电性薄膜20。详细而言，带有透明导电性薄膜的物品30朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31、基材层2和透明导电层1。

需要说明的是，图8示出具备第二实施方式的透明导电层1的带有透明导电性薄膜的物品30。

作为物品30，没有特别限定，可列举出例如元件、构件和装置。更具体而言，作为元件，可列举出例如调光元件和光电转换元件。作为调光元件，可列举出例如电流驱动型调光元件和电场驱动型调光元件。作为电流驱动型调光元件，可列举出例如电致变色(EC)调光元件。作为电场驱动型调光元件，可列举出例如PDLC(polymer dispersed liquidcrystal)调光元件、PNLC(polymer network liquid crystal)调光元件和SPD(suspendedparticle device)调光元件。作为光电转换元件，可列举出例如太阳能电池。作为太阳能电池，可列举出例如有机薄膜太阳能电池、钙钛矿太阳能电池和色素增敏太阳能电池。作为构件，可列举出例如电磁波屏蔽构件、热线控制构件、加热器构件、照明和天线构件。作为装置，可列举出例如接触式传感器装置和图像显示装置。

带有透明导电性薄膜的物品30可通过例如借助固定功能层将部件31与透明导电性薄膜20中的基材层2进行粘接来获得。

作为固定功能层，可列举出例如粘合层和粘接层。

作为固定功能层，只要具有透明性，就可以无材料限制地加以使用。固定功能层优选由树脂形成。作为树脂，可列举出例如丙烯酸类树脂、有机硅树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯基醚树脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃树脂、环氧树脂、氟树脂、天然橡胶和合成橡胶。尤其是，从光学透明性优异、显示出适度的润湿性、内聚性和粘接性等粘合特性、耐候性和耐热性等也优异的观点出发，作为树脂，优选选择丙烯酸类树脂。

为了抑制透光性导电层3的腐蚀和迁移，也可以向固定功能层(形成固定功能层的树脂)中添加公知的防腐剂和抗迁移剂(例如日本特开2015-022397号中公开的材料)。另外，为了抑制带有透明导电性薄膜的物品30在室外使用时的劣化，也可以向固定功能层(形成固定功能层的树脂)中添加公知的紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂，可列举出例如二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化合物、水杨酸系化合物、草酰替苯胺系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物和三嗪系化合物。

另外，也可以在带有透明导电性薄膜的物品30中的透明导电层1的上表面配置覆盖层。

覆盖层是对透明导电层1进行覆盖的层，能够提高透明导电层1的可靠性，抑制由损伤导致的功能劣化。

覆盖层优选为电介质。覆盖层由树脂和无机材料的混合物形成。作为树脂，可列举出在固定功能层中示例的树脂。无机材料例如由含有氧化硅、氧化钛、氧化铌、氧化铝、二氧化锆、氧化钙等无机氧化物和氟化镁等氟化物的组成构成。

另外，从与上述固定功能层相同的观点出发，也可以向覆盖层(树脂与无机材料的混合物)中添加防腐剂、抗迁移剂和紫外线吸收剂。

另外，虽未图示，但通过借助固定功能层将部件31与透明导电性薄膜20中的透明导电层1进行粘接，从而也能够得到带有透明导电性薄膜的物品30。

带有透明导电性薄膜的物品30具备透明导电性薄膜20。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

另外，将透明导电层1配置在部件31的厚度方向的一个面，也能够得到带有透明导电层的物品40。

如图9所示那样，带有透明导电层的物品40朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31和透明导电层1。详细而言，带有透明导电层的物品40朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31、含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。

需要说明的是，图9表示具备第二实施方式的透明导电层1的带有透明导电层的物品40。

带有透明导电层的物品40通过利用溅射法在部件31的厚度方向的一个面配置透明导电层1、或者从透明导电性薄膜20向部件31的厚度方向的一个面转印透明导电层1来获得。

另外，也可以借助上述固定功能层将部件31与透明导电层1进行粘接。

另外，还可以在带有透明导电层的物品40中的透明导电层1的上表面配置覆盖层。

带有透明导电层的物品40具备透明导电层1。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。

5.变形例

在变形例中，针对与第一实施方式和第二实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照符号，省略其详细说明。另外，除了特别记载之外，变形例可以起到与第一实施方式和第二实施方式相同的作用效果。进而，也可以将第一实施方式、第二实施方式及其变形例适当组合。

在上述说明中，针对功能层4为硬涂层的情况进行了说明，但功能层4可以为光学调整层。

光学调整层是为了抑制透明导电层1的图案目视辨认或者抑制透明导电性薄膜20内的界面处的反射，并且确保透明导电性薄膜20的优异透明性而对导电性薄膜10的光学物性(例如折射率)进行调整的层。

光学调整层例如由光学调整组合物形成。

光学调整组合物例如含有树脂和颗粒。作为树脂，可列举出上述硬涂组合物中列举的树脂。作为颗粒，可列举出上述硬涂组合物中列举的颗粒。光学调整组合物可以为树脂单体或无机物单体。作为树脂，可列举出上述硬涂组合物中列举的树脂。另外，作为无机物，可列举出例如氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锡、氧化铟、氧化镉、氧化锑等半金属氧化物和/或金属氧化物。半金属氧化物和/或金属氧化物是否为化学计量组成均可。

光学调整层的厚度例如为1nm以上、优选为5nm以上、更优选为10nm以上，另外，例如为200nm以下、优选为100nm以下。光学调整层的厚度可根据例如使用瞬间多功能测光系统观测到的干扰光谱的波长来计算。另外，也可以通过利用FE-TEM对光学调整层的截面进行观察来确定厚度。

另外，作为功能层4，也可以组合使用硬涂层和光学调整层(包括硬涂层和光学调整层在内的多层)。

在上述说明中，第一实施方式中，透明导电性薄膜20朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。另一方面，含氪透明导电层10与不含氪透明导电层11的顺序没有特别限定。详细而言，透明导电性薄膜20也可以朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、不含氪透明导电层11和含氪透明导电层10。为了制造这种透明导电性薄膜20，在第二工序中，在第五工序之后实施第四工序。

在上述说明中，含氪透明导电层10包含金属氧化物和微量的氪原子，但含氪透明导电层10也可以进一步包含微量的除氪原子之外的稀有气体(例如氩气、氙气)。在这种情况下，对于含氪透明导电层10而言，在金属氧化物基质中存在微量的氪原子和除氪原子之外的稀有气体。这种含氪透明导电层10可通过例如组合使用氪气和除氪原子之外的稀有气体作为溅射气体来制造。

在上述说明中，在第三工序中，通过将非晶质的透明导电层1加热而使透明导电层1发生结晶化，但通过例如在常温以下(例如40℃以下)的温度下长期(例如5天以上)静置，从而也能够使非晶质的透明导电层1发生结晶化。

在上述说明中，带有透明导电性薄膜的物品30朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31、基材层2和透明导电层1，但带有透明导电性薄膜的物品30也可以朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2、透明导电层1和部件31。

在上述说明中，带有透明导电层的物品40朝着厚度方向的一面侧依次具备部件31、含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11，但带有透明导电层的物品40也可以朝着厚度方向的一面侧依次具备含氪透明导电层10、不含氪透明导电层11和部件31。

实施例

以下记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等的具体数值可以替换成上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等相应记载的上限值(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。另外，在以下的记载中，只要没有特别提及，则“份”和“％”是质量基准。

1.透明导电层和透明导电性薄膜的制造

实施例1

<第一工序>

在作为透明基材的长条PET薄膜(厚度50μm、东丽公司制)的厚度方向的一个面上，涂布硬涂组合物(含有丙烯酸类树脂的紫外线固化性树脂)而形成涂膜。接着，通过紫外线照射而使涂膜固化。由此，形成硬涂层(厚度2μm)。由此，准备基材层。

<第二工序>

接着，利用反应性溅射法，在基材层(硬涂层)的厚度方向的一个面配置厚度130nm的非晶质的透明导电层(含氪透明导电层)。在反应性溅射法中，使用能够利用辊对辊方式来实施成膜工艺的溅射成膜装置(DC磁控溅射装置)。

详细而言，作为靶，使用氧化铟与氧化锡的烧结体(氧化锡浓度为10质量％)。作为用于对靶施加电压的电源，使用DC电源。靶上的水平磁场强度设为90mT。在溅射装置中，使基材层沿着成膜辊的圆周方向而密合。成膜辊的温度设为-5℃。另外，对溅射成膜装置内进行真空排气，直至溅射成膜装置所具备的成膜室内的到达真空度达到0.8×10^-4Pa为止，然后，向溅射成膜装置内导入作为溅射气体的氪气和作为反应性气体的氧气，将溅射成膜装置内的气压设为0.2Pa。向溅射成膜装置中导入的氧导入量相对于氪与氧的总导入量的比例约为2.5流量％。如图4所示那样，以位于电阻率-氧导入量曲线的区域X内且非晶质的含氪透明导电层的电阻率的值成为6.6×10^-4Ω·cm的方式调整氧导入量。图4所示的电阻率-氧导入量曲线可通过预先调查在除了氧导入量之外的条件与上述相同的条件下利用反应性溅射法来形成非晶质的含氪透明导电层时的、非晶质的含氪透明导电层的电阻率的氧导入量依赖性来制作。

<第三工序>

通过在热风烘箱内的加热而使非晶质的透明导电层发生结晶化。加热温度设为165℃，加热时间设为1小时。

由此，一并得到透明导电层和透明导电性薄膜。

实施例2

与实施例1同样操作，一并得到透明导电层和透明导电性薄膜。

其中，如下那样地变更第二工序。

<第二工序>

在第二工序中，按照第四工序和第五工序的顺序来实施。

<第四工序>

在第四工序中，与实施例1的第二工序同样操作，在基材层的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层。

其中，氧导入量以非晶质的含氪透明导电层的电阻率的值成为6.5×10^-4Ω·cm的方式进行调整(氧导入量相对于氪与氧的总导入量的比例约为2.6流量％)。另外，按照表1来变更非晶质的含氪透明导电层的厚度。

<第五工序>

在第五工序中，与上述第二工序同样操作，在含氪透明导电层的厚度方向的一个面配置不含氪透明导电层(含氩透明导电层)。

其中，将溅射气体变更为氩气，将溅射成膜装置内的气压变更为0.4Pa。另外，按照表1来变更非晶质的含氩透明导电层的厚度。

实施例3

与实施例2同样操作，一并得到透明导电层和透明导电性薄膜。

其中，按照表1来变更含氪透明导电层和含氩透明导电层。

实施例4

其中，在第二工序中，按照第五工序和第四工序的顺序来实施。另外，按照表1来变更非晶质的含氪透明导电层和非晶质的含氩透明导电层的厚度。

实施例5

其中，作为溅射气体，使用氪气与氩气的混合气体(氪为90体积％、氩为10体积％)，氧导入量以非晶质的含氪透明导电层的电阻率的值成为5.8×10^-4Ω·cm的方式进行调整。另外，按照表1来变更非晶质的含氪透明导电层的厚度。

比较例1

其中，在第二工序中，将溅射气体变更为氩气。另外，将溅射成膜装置内的气压变更为0.4Pa。

2.评价

<透明导电层的厚度>

通过FE-TEM观察来测定各实施例和各比较例的透明导电层的厚度。具体而言，首先利用FIB微取样法来制作各实施例和各比较例的透明导电层的截面观察用样品。在FIB微取样法中，使用FIB装置(商品名“FB2200”、Hitachi公司制)，将加速电压设为10kV。接着，通过FE-TEM观察来测定截面观察用样品中的透明导电层的厚度。在FE-TEM观察中，使用FE-TEM装置(商品名“JEM-2800”、JEOL公司制)，将加速电压设为200kV。

另外，在实施例2和实施例3中，在含氪透明导电层的厚度方向的一个面配置含氩透明导电层之前，由含氪透明导电层制作截面观察用样品，通过对该样品进行FE-TEM观察来测定含氪透明导电层的厚度。另外，含氩透明导电层的厚度通过从透明导电层的厚度减去含氪透明导电层的厚度来计算。

另外，在实施例4中，在含氩透明导电层的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层之前，由含氩透明导电层制作截面观察用样品，通过对该样品进行FE-TEM观察来测定含氩透明导电层的厚度。另外，含氪透明导电层的厚度通过从透明导电层的厚度减去含氩透明导电层的厚度来计算。

<(440)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₄₄₀₎相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₂₂₂₎之比(I₍₄₄₀₎/I₍₂₂₂)和结晶粒径>

各实施例和各比较例的透明导电层的X射线衍射峰通过使用水平型X射线衍射装置(商品名“SmartLab”、理学公司制)，根据下述测定条件进行X射线衍射测定来获得。另外，X射线峰曲线设为将各实施例和各比较例的源自PET薄膜(利用与各实施例和各比较例的透明导电层相同的条件进行加热后的PET薄膜)的背景减去后的值。其后，使用分析软件(软件名“SmartLab StudioII”)，以2θ成为29.5°～31.5°范围的方式制作与(222)面对应的X射线衍射峰的曲线。另外，以2θ成为49.8°～51.8°范围的方式制作与(440)面对应的X射线衍射峰的曲线。所制作的各X射线衍射峰的曲线通过进行X射线衍射峰的拟合(峰形状：分割型PearsonVII函数、背景类型：B-样条、拟合条件：自动)，从而求出(222)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₂₂₂₎(单位：Count°)、(440)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₄₄₀₎(单位：Count°)、(222)面的结晶粒径(微晶尺寸、单位：

)和(440)面的结晶粒径(微晶尺寸、单位：

)。并且，算出(440)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₄₄₀₎相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度I₍₂₂₂₎之比(I₍₄₄₀₎/I₍₂₂₂)。将其结果示于表1。

[测定条件]

平行束光学配置

光源：CuKα射线(波长：

)

输出：45kV、200mA

入射侧狭缝体系：索勒狭缝5.0°

入射狭缝：1.000mm

受光狭缝：20.100mm

受光侧狭缝：平行狭缝分光器(PSA)0.114deg.

检测器：多维像素检测器Hypix-3000

试样台：将借助粘合层使玻璃贴合于透明导电性薄膜的透明基材而得到的检测体静置在试样板(4英寸晶片试样板)上。

扫描轴：2θ/θ(面外测定)

步骤间隔：0.02°

测定速度：0.8°/分钟

测定范围：10°～90°

<电阻率>

针对各实施例和各比较例的透明导电层，测定电阻率。具体而言，利用基于JIS K7194(1994年)的四端子法，测定透明导电层的表面电阻。其后，通过表面电阻值乘以透明导电层的厚度来求出电阻率(Ω·cm)。将其结果示于表1。

<总透光率>

针对各实施例和各比较例的透明导电性薄膜，使用雾度计(Suga TestInstruments公司制、装置名“HGM-2DP”)，测定总透光率。将其结果示于表1。

<透明导电层内的Kr原子的确认>

各实施例中的各透明导电层含有Kr原子可如下操作来确认。首先，使用扫描型荧光X射线分析装置(商品名“ZSX PrimusIV”、理学公司制)，利用下述测定条件反复进行5次荧光X射线分析测定，计算各扫描角度的平均值，制作X射线光谱。并且，在所制作的X射线光谱中，确认在扫描角度28.2°附近出现峰，由此确认透明导电层中含有Kr原子。

[测定条件]

光谱：Kr-KA

测定直径：30mm

气氛：真空

靶：Rh

管电压：50kV

管电流：60mA

1次过滤器：Ni40

扫描角度(deg)：27.0～29.5

步长(step)(deg)：0.020

速度(deg/分钟)：0.75

衰减器：1/1

狭缝：S2

分光晶体：LiF(200)

检测器：SC

PHA：100～300

[表1]

需要说明的是，上述发明以本发明的示例性实施方式的形式进行了提供，但其只不过是单纯的示例，不做限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包括在上述权利要求中。

产业上的可利用性

本发明的透明导电层和透明导电性薄膜在例如电磁波屏蔽构件、热线控制构件、加热器构件、照明、天线构件、接触式传感器装置和图像显示装置中适当地使用。

附图标记说明

1 透明导电层

2 基材层

20 透明导电性薄膜

Claims

1.一种透明导电层，其包含氪原子，

所述透明导电层的(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。

2.根据权利要求1所述的透明导电层，其包含铟锡复合氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其电阻率小于2.3×10^-4Ω·cm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电层，其具有图案形状。

5.一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层和权利要求1～4中任一项所述的透明导电层。