JP7213961B2 - 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法 - Google Patents

透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、透明導電性フィルム、および、その透明導電性フィルムの製造方法に関する。
近年、透明導電性フィルムなどの光学フィルムは、タッチパネルなどの光学用途に用いられることが知られている。
このような透明導電性フィルムとして、フィルム基材と、フィルム基材上に形成されたインジウムスズ酸化物の多結晶層とを有する透明導電性フィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、このような透明導電性フィルムは、スパッタリングにより、アルゴンガス存在下で、フィルム基材の表面に、インジウムスズ酸化物の非晶質層を配置した後、この非晶質層を加熱し、インジウムスズ酸化物の非晶質層を結晶化させることにより得られる。
特開２０１４－１０３０６７号公報
一方、このような多結晶層（結晶質）を、再度加熱する場合がある。例えば、タッチセンサや光電変換素子などを作成するにあたり必要となる部材を、透明導電性フィルム上に形成する際、加熱工程が必要になる場合がある。より具体的な一例として、例えば、タッチセンサを作成する際、多結晶層上に金属含有ペーストを塗布、加熱してタッチセンサの引き回し配線を形成する工程などが挙げられる。このような場合には、加熱前後において、多結晶層の抵抗値の変化を抑制する（加熱安定性に優れる）ことが要求される。
加熱安定性に優れる多結晶層は、例えば、ガラス基材などの無機基材を適用し、インジウムスズ酸化物層（透明導電層）をスパッタリング形成する際の基材温度を高温（例えば、２３０℃以上）に設定することで実現することができる。しかし、フィルム基材（高分子フィルム）は、耐熱性に劣り、熱による寸法変形が大きいため、基材温度を高温に設定することはできない（基材温度は、通常、２００℃未満、好ましくは、１８０℃以下に設定される。）このため、特許文献１を含む従来技術では、加熱安定性に十分優れる透明導電性フィルムを実現できていなかった。
本発明は、加熱安定性に優れる透明導電性フィルム、および、その透明導電性フィルムの製造方法を提供することにある。
本発明［１］は、基材層と、光透過性導電層とを順に備え、前記基材層は、樹脂層を含み、前記光透過性導電層は、クリプトン原子および／またはキセノン原子を含む、透明導電性フィルムである。
本発明［２］は、前記光透過性導電層の厚みが、６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、上記［１］に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明［３］は、前記光透過性導電層が、結晶質であり、かつ、３５ｎｍ以上の粒径を有する結晶粒を含む、上記［１］または［２］に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明［４］は、前記光透過性導電層が、インジウムスズ複合酸化物を含む、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明［５］は、前記光透過性導電層が、パターン形状を有する、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明［６］は、クリプトンおよび／またはキセノン存在下において、光透過性導電層を構成する材料をターゲットとするスパッタリング法によって、基材層に、光透過性導電層を配置し、前記基材層は、樹脂層を含むことを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法である。
本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、クリプトンおよび／またはキセノン存在下において、光透過性導電層を構成する材料をターゲットとするスパッタリング法によって、基材層に、光透過性導電層を配置する。
スパッタリング法によって、光透過性導電層を配置する場合には、スパッタリングガスが光透過性導電層に取り込まれる。
この方法では、スパッタリングガスとして、アルゴンに代えて、アルゴンよりも原子量の大きいクリプトン原子および／またはキセノン原子を用いるため、スパッタリングガス（クリプトン原子および／またはキセノン原子）が光透過性導電層に取り込まれることを抑制できる。
これにより、加熱安定性に優れる透明導電性フィルムを製造することができる。
そのため、本発明の透明導電性フィルムは、加熱安定性に優れる。
図１は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態を示す概略図である。 図２は、本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態を示す概略図であり、図２Ａは、第１工程において、基材層を準備する工程を示し、図２Ｂは、第１工程において、基材層の厚み方向一方面に、スパッタリングすることにより、非晶質の光透過性導電層を配置する工程を示し、図２Ｃは、非晶質の光透過性導電層を加熱して、結晶質の光透過性導電層を形成する工程を示す。 図３は、第１工程において、非晶質の光透過性導電層を配置する時に、導入する酸素ガスの量と、非晶質の光透過性導電層の抵抗値との関係を示すグラフである。 図４は、図１に示す透明導電性フィルムの光透過性導電層をパターン化した態様を示す概略図である。 図５は、透明導電性フィルムの変形例（基材層が、透明基材を備えず、機能層のみからなる場合）を示す概略図である。
１．透明導電性フィルム
透明導電性フィルム１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）を有し、厚み方向と直交する面方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。
透明導電性フィルム１は、後述するタッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材、画像表示装置、ヒータ部材（光透過性ヒータ）、および、照明などに備えられる一部材であって、透明導電性フィルム１は、それらを製造するための中間部材である。透明導電性フィルム１は、単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
具体的には、図１に示すように、透明導電性フィルム１は、基材層２と、光透過性導電層３とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。透明導電性フィルム１は、より具体的には、基材層２と、基材層２の上面（厚み方向一方面）に配置される光透過性導電層３とを備える。好ましくは、透明導電性フィルム１は、基材層２および光透過性導電層３のみを備える。
透明導電性フィルム１の厚みは、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下、さらに好ましくは、１００μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。
２．基材層
基材層２は、透明導電性フィルム１の機械強度を確保するための透明な基材である。
基材層２は、フィルム形状を有する。基材層２は、光透過性導電層３の下面に接触するように、光透過性導電層３の下面全面に、配置されている。
基材層２は、樹脂層としての透明基材４および機能層５を備えている。
具体的には、基材層２は、透明基材４と、機能層５とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。具体的には、基材層２は、透明基材４と、透明基材４の厚み方向一方面に配置される機能層５とを備える。
透明基材４は、フィルム形状を有する。
透明基材４は、例えば、高分子フィルムからなる。これにより、透明導電性フィルム１は製造効率に優れる。
また、透明基材４が、高分子フィルムからなると、透明導電性フィルム１の寸法安定性付与などの観点から、透明導電性フィルム１（結晶質の光透過性導電層３）を再加熱する場合があるが、この透明導電性フィルム１は、加熱安定性に優れる。
透明基材４の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）、例えば、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられ、好ましくは、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂が挙げられ、より好ましくは、ポリエステル樹脂、さらに好ましくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。上記材料からなる透明基材４は、耐熱性が低いため、２００℃以上の加熱工程（具体的には、後述する第２工程）に適用することができないが、このような透明基材４によれば、平滑性に優れ、加熱安定性を有する透明導電性フィルム１を得ることができる。
透明基材４は、透明性を有している。具体的には、透明基材４の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上である。
透明基材４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下、さらに好ましくは、６０μｍ以下である。
機能層５は、透明基材４の厚み方向一方面に配置されている。
機能層５は、フィルム形状を有する。
機能層５としては、例えば、ハードコート層が挙げられる。
このような場合には、基材層２は、透明基材４と、ハードコート層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
以下の説明では、機能層５がハードコート層である場合について、説明する。
ハードコート層は、透明導電性フィルム１に擦り傷を生じ難くするための擦傷保護層である。
ハードコート層の材料は、例えば、ハードコート組成物である。ハードコート組成物としては、例えば、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載の混合物などが挙げられる。混合物は、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂（バインダー樹脂）を含有する。
ハードコート層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。
なお、透明導電性フィルム１における基材層２の数は、特に限定されず、好ましくは、１である。
３．光透過性導電層
光透過性導電層３は、優れた導電性を発現する透明な層である。
光透過性導電層３は、フィルム形状を有する。光透過性導電層３は、基材層２（ハードコート層）の上面（厚み方向一方面）全面に、基材層２の厚み方向一方面に接触するように、配置されている。
光透過性導電層３の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属および／または半金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。
光透過性導電層３としては、具体的には、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）などのインジウム含有酸化物、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）などのアンチモン含有酸化物などが挙げられ、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。
光透過性導電層３が、インジウムスズ複合酸化物を含むと、比抵抗を低くできる。
光透過性導電層３の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上、とりわけ好ましくは、９質量％以上であり、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下、より好ましくは、１２質量％以下である。
酸化スズの含有割合が上記した下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が上記した上限以下であれば、光透過性導電層３は、加熱安定性に優れる。
また、光透過性導電層３は、酸化スズの割合が８質量％以上である領域を含むことができる。光透過性導電層３が酸化スズの割合が８質量％以上である領域を含む場合には、表面抵抗値を小さくすることができる。
例えば、光透過性導電層３は、酸化スズの割合が８質量％以上である領域の一例としての第１領域１１と、第１領域１１における酸化スズの割合より低い酸化スズの割合である第２領域１２とを含む。具体的には、光透過性導電層３は、層状の第１領域１１と、第１領域１１の厚み方向一方面に配置される層状の第２領域１２とを順に含む。なお、第１領域１１および第２領域１２の境界は、測定装置による観察で確認されず、不明瞭であることが許容される。なお、この光透過性導電層３では、厚み方向一方面から他方面に向かって酸化スズ濃度が次第に高くなる濃度勾配を有してもよい。光透過性導電層３が上記した第１領域１１に加え、第２領域１２を含む場合には、その領域の比率調整により所望の結晶化速度を得ることができる。
第１領域１１における酸化スズの割合は、好ましくは、９質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、２０質量％以下である。
光透過性導電層３の厚みにおける第１領域１１の厚みの割合は、例えば、５０％超過、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、９９％以下、好ましくは、９７％以下である。
第１領域１１の厚みの割合が上記した下限以上であれば、光透過性導電層３における酸化スズの割合を高くでき、そのため、表面抵抗値を十分に下げることができる。
第２領域１２における酸化スズの割合は、例えば、８質量％未満、好ましくは、７質量％以下、より好ましくは、５質量％以下、さらに好ましくは、４質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３質量％以上である。
光透過性導電層３の厚みにおける第２領域１２の厚みの割合は、例えば、１％以上、好ましくは、３％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、さらに好ましくは、１０％以下である。
第２領域１２における酸化スズの割合に対する、第１領域１１における酸化スズの割合の比（第１領域１１における酸化スズの割合／第２領域１２における酸化スズの割合）は、例えば、１．５以上、好ましくは、２以上、より好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５以下、好ましくは、４以下である。
光透過性導電層３、第１領域１１および第２領域１２のそれぞれにおける酸化スズ濃度は、Ｘ線光電子分光法によって、測定される。または、酸化スズの含有割合は、非晶質の光透過性導電層３をスパッタリングで形成するときに用いられるターゲットの成分（既知）から推測することもできる。
また、光透過性導電層３は、詳しくは後述するが、微量のスパッタリングガス（クリプトン原子および／またはキセノン原子）を含む。
光透過性導電層３におけるスパッタリングガス（クリプトン原子および／またはキセノン原子）の含有量は、例えば、１．０原子％以下、好ましくは、０．５原子％以下、より好ましくは、０．２原子％以下、さらに好ましくは、０．１原子％以下、とりわけ好ましくは、０．１原子％未満である。
上記含有量の下限は、蛍光Ｘ線分析装置により、クリプトン原子および／またはキセノン原子の存在を確認できたときに対応する割合であり、少なくとも、０．０００１原子％以上である。
また、光透過性導電層３は、結晶質または非晶質である。
光透過性導電層３が、結晶質であれば、比抵抗を小さくできる。
光透過性導電層３の結晶質性は、例えば、透明導電性フィルム１を塩酸（２０℃、濃度５質量％）に１５分間浸漬し、続いて、水洗および乾燥した後、光透過性導電層３側の表面に対して１５ｍｍ程度の間の端子間抵抗を測定することにより判断できる。上記浸漬・水洗・乾燥後の透明導電性フィルム１において、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合、光透過性導電層３は結晶質であり、一方、上記抵抗が１０ｋΩを超過する場合、光透過性導電層３は非晶質である。
光透過性導電層３は、透明性を有している。具体的には、光透過性導電層３の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上である。
光透過性導電層３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上、より好ましくは、４０ｎｍ以上、さらに好ましくは、５０ｎｍ以上、とりわけ好ましくは、６０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、３００ｎｍ未満、より好ましくは、２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは、１８０ｎｍ以下、とりわけ好ましくは、１５０ｎｍ未満、特に好ましくは、１４０ｎｍ以下である。
光透過性導電層３の厚みが、上記下限以上であれば、透明導電性フィルム１の加熱安定性をより一層向上させることができる。
また、光透過性導電層３の厚みが、上記上限以下であれば、透明導電性フィルム１の加熱安定性をより一層向上させることができる。
なお、光透過性導電層３の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム１の断面を観察することにより測定することができる。
光透過性導電層３の比抵抗は、例えば、５．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２．５×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、２．４×１０－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは、２．２×１０－４Ω・ｃｍ以下、とりわけ好ましくは、２．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは、１．８×１０－４Ω・ｃｍ以下であり、また、例えば、０．１×１０－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、０．５×１０－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは、１．０×１０－４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは、１．０１×１０－４Ω・ｃｍ以上である。
なお、比抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。
光透過性導電層３の表面抵抗値は、例えば、２００Ω／□以下、好ましくは、８０Ω／□以下、より好ましくは、６０Ω／□以下、さらに好ましくは、５０Ω／□以下、とりわけ好ましくは、３０Ω／□以下、最も好ましくは、２０Ω／□以下であり、また、通常、０Ω／□超過、また、１Ω／□以上である。
なお、表面抵抗値は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。
なお、透明導電性フィルム１における光透過性導電層３の数は、例えば、特に限定されず、好ましくは、１である。具体的には、１つの基材層２に対する光透過性導電層３の数は、好ましくは、１である。
４．透明導電性フィルムの製造方法
次に、透明導電性フィルム１の製造方法、とりわけ、光透過性導電層３が、非晶質である透明導電性フィルム１の製造方法について、図２を参照して、説明する。
透明導電性フィルム１（光透過性導電層３が、非晶質である場合）の製造方法は、クリプトンおよび／またはキセノン存在下において、光透過性導電層３を構成する材料をターゲットとするスパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、非晶質の光透過性導電層３を配置する第１工程を備える。また、この製造方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。
第１工程では、図２Ａに示すように、まず、基材層２を準備する。
詳しくは、透明基材４の厚み方向一方面に、ハードコート組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。これにより、透明基材４の厚み方向一方面に、ハードコート層（機能層５）を形成する。
これにより、基材層２を準備する。
次いで、図２Ｂに示すように、基材層２の厚み方向一方面に、スパッタリングすることにより、非晶質の光透過性導電層３を配置する。
具体的には、スパッタリング装置において、光透過性導電層３の材料からなるターゲットに、基材層２の厚み方向一方面を対向させながら、クリプトンガスおよび／またはキセノンガス（好ましくは、クリプトンガス単独またはキセノンガス単独）の存在下、ターゲット材料をスパッタリングする。
ターゲットに対する、基材層２とは反対側には、マグネットが配置されている。ターゲット表面上の水平磁場強度は、例えば、１０ｍＴ以上、好ましくは、６０ｍＴ以上であり、また、例えば、３００ｍＴ以下である。マグネットを配置し、ターゲット表面上の水平磁場強度を上記範囲とすることで、光透過性導電層３内の不純物量を低減し、低比抵抗性、および、加熱安定性に優れる光透過性導電層３を製造できる。
スパッタリングにより光透過性導電層３を形成する際の、基材層２の温度は、特に限定されないが、好ましくは、基材層２を冷却する。具体的には、基材層２の温度を、例えば、１５℃以下、より好ましくは、１０℃以下、さらに好ましくは、５℃以下、とりわけ好ましくは、０℃以下であり、また、例えば、－５０℃以上、好ましくは、－３０℃、より好ましくは、－２０℃以上にする。上記温度以下であれば、スパッタリング時に基材層２を冷却でき、基材層２からのアウトガス（水や有機溶剤）が出にくく、光透過性導電層３内の不純物成分を低減できる。そのため、低比抵抗性、および、加熱安定性に優れる光透過性導電層３を得られる。上記温度以上であれば、基材層２の物性劣化を抑制できる。
スパッタリング装置内におけるクリプトンガスおよび／またはキセノンガスの分圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．３Ｐａ以上であり、また、例えば、１０Ｐａ以下、好ましくは、５Ｐａ以下、より好ましくは、１Ｐａ以下である。
また、ターゲット材料をスパッタリングする際に、クリプトンガスおよび／またはキセノンガス以外に、例えば、酸素などの反応性ガスを存在させることもできる。
図３に示すように、反応性ガスの導入量は、非晶質の光透過性導電層３の表面抵抗によって見積もることができる。詳しくは、非晶質の光透過性導電層３内部に導入される反応性ガスの導入量によって、非晶質の光透過性導電層３の膜質（表面抵抗）が変化するため、目的とする非晶質の光透過性導電層３の表面抵抗に応じて、反応性ガスの導入量を調整することができる。なお、非晶質の光透過性導電層３を加熱して結晶膜の光透過性導電層３を得るためには、図３の領域Ｘの範囲で反応性ガスの導入量を調整し、非晶質の光透過性導電層３を得るのが良い。
反応性ガスの導入量に限定はないが、反応性ガスが酸素の場合、クリプトンガスおよび／またはキセノンガスと酸素の合計導入量に対する、酸素の導入量の割合は、例えば、０.０１流量％以上であり、また、例えば、５質量％未満、好ましくは、４．５質量％未満である。酸素の導入量が上記の範囲内であれば、確実に、図３の領域Ｘの範囲に設定できる。
具体的には、非晶質の光透過性導電層３の表面抵抗が、例えば、３００Ω／□以下、好ましくは、２００Ω／□以下、より好ましくは、１５０Ω／□以下であり、また、例えば、３０Ω／□以上、好ましくは、７０Ω／□以上となるように、反応性ガスを導入する。
スパッタリング装置内における圧力は、クリプトンガスおよび／またはキセノンガスの分圧、および、反応性ガスの分圧の合計圧力である。
なお、光透過性導電層３の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズ濃度が互いに異なる第１ターゲットおよび第２ターゲットを、スパッタリング装置において、基材層２の搬送方向に沿って順に配置することもできる。第１ターゲットの材料は、例えば、上記した第１領域１１におけるＩＴＯ（酸化スズ濃度：８質量％以上）である。第２ターゲットの材料は、例えば、上記した第２領域１２におけるＩＴＯ（酸化スズ濃度：８質量％未満）である。
上記のスパッタリングにより、非晶質の光透過性導電層３が、基材層２の厚み方向一方面に配置される。
なお、非晶質の光透過性導電層３が、上記した第１ターゲットおよび第２ターゲットを用いるスパッタリングにより形成されている場合には、非晶質の光透過性導電層３は、酸化スズ濃度が互いに異なる第１非晶質層および第２非晶質層を、厚み方向一方側に向かって順に備える。第１非晶質層および第２非晶質層のそれぞれの材料は、第１ターゲットおよび第２ターゲットの材料と同一である。具体的には、第１非晶質層のＩＴＯにおける酸化スズ濃度は、例えば、８質量％以上である。第２非晶質層のＩＴＯにおける酸化スズ濃度は、例えば、８質量％未満である。
非晶質の光透過性導電層３の厚みにおける第１非晶質層の厚みの割合は、例えば、５０％超過、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、９９％以下、好ましくは、９７％以下である。
光透過性導電層３の厚みにおける第２非晶質層の厚みの割合は、例えば、１％以上、好ましくは、３％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、さらに好ましくは、１０％以下である。
これによって、基材層２および非晶質の光透過性導電層３からなる透明導電性フィルム１（非晶質積層フィルムと称する場合がある。）を得る。
また、光透過性導電層３が、結晶質である透明導電性フィルム１を製造する場合には、上記した第１工程の後に、非晶質の光透過性導電層３を加熱して、結晶質の光透過性導電層３を形成する第２工程を実施する。
つまり、透明導電性フィルム１（光透過性導電層３が、結晶質である場合）の製造方法は、クリプトンおよび／またはキセノン存在下において、光透過性導電層３を構成する材料をターゲットとするスパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、非晶質の光透過性導電層３を配置する第１工程と、非晶質の光透過性導電層３を加熱して、結晶質の光透過性導電層３を形成する第２工程とを備える。
この方法では、上記した第１工程の後に、第２工程を実施する。
第２工程では、非晶質積層フィルムを加熱する。例えば、赤外線ヒータ、オーブンなどの加熱装置によって、非晶質の光透過性導電層３を加熱する。
加熱条件として、加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１１０℃以上あり、また、例えば、２００℃未満、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１６０℃以下であり、また、加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、１０分間以上、さらに好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。
これにより、図２Ｃに示すように、非晶質の光透過性導電層３が結晶化され、結晶質の光透過性導電層３が形成される。
なお、非晶質の光透過性導電層３が、第１非晶質層および第２非晶質層を含む場合には、結晶質の光透過性導電層３は、第１非晶質層および第２非晶質層のそれぞれに対応する第１領域１１および第２領域１２を含む。
これにより、基材層２と、結晶質の光透過性導電層３とを順に備える透明導電性フィルム１が製造される。
以上より、基材層２と、非晶質または結晶質の光透過性導電層３とを順に備えた透明導電性フィルム１が製造される。
結晶質の光透過性導電層３を備える透明導電性フィルム１において、光透過性導電層３は、例えば、３５ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上、より好ましくは、２００ｎｍ以上、さらに好ましくは、２５０ｎｍ以上、とりわけ好ましくは、３００ｎｍ以上、最も好ましくは、４００ｎｍ以上、さらには、４８０ｎｍ以上、さらには、５５０ｎｍ以上、また、例えば、２０００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下、より好ましくは、６００ｎｍ以下の粒径を有する結晶粒を含む。
上記粒径が、上記範囲内であれば（とりわけ、３５ｎｍ以上であれば）、光透過性導電層３の比抵抗を低減させることができ、また、透明導電性フィルム１の加熱安定性をより一層向上させることができる。
なお、結晶粒の粒径の測定方法は、後述する実施例において詳述する。
結晶質の光透過性導電層３のキャリア密度に特に限定はないが、例えば、３０×１０１９ｃｍ－３以上、好ましくは、７０×１０１９ｃｍ－３以上、より好ましくは、９０×１０１９ｃｍ－３以上、さらに好ましくは、１００×１０１９ｃｍ－３以上であり、また、３００×１０１９ｃｍ－３以下、好ましくは、２００×１０１９ｃｍ－３以下、より好ましくは、１９０×１０１９ｃｍ－３以下である。キャリア密度が上記範囲内であれば、低比抵抗に優れる光透過性導電層３が得られる。
結晶質の光透過性導電層３の移動度に特に限定はないが、例えば、１５ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、好ましくは、２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、より好ましくは、２５ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、さらに好ましくは、２７ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、とりわけ好ましくは、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上であり、また、５０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下、好ましくは、４０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。移動度が、上記範囲内であれば、低比抵抗に優れる光透過性導電層３が得られる。
なお、キャリア密度、および、移動度は、ホール効果測定装置（例えば、商品名「ＨＬ５５００ＰＣ」，バイオラッド社製）を用いて測定できる。
また、上記したように、この方法において、第１工程では、クリプトンガスおよび／またはキセノンガス存在下で、スパッタリングすることにより、非晶質の光透過性導電層３を配置する。
スパッタリング法によって、非晶質の光透過性導電層３を配置する場合には、スパッタリングガスが非晶質の光透過性導電層３に取り込まれる。
しかし、この方法では、スパッタリングガスとして、通常用いられるアルゴンに代えて、アルゴンよりも原子量の大きいクリプトン原子および／またはキセノン原子を用いるため、スパッタリングガス（クリプトン原子および／またはキセノン原子）が非晶質の光透過性導電層３に取り込まれることを抑制できる。
そして、このような非晶質の光透過性導電層３は、第２工程において、結晶質の光透過性導電層３となる。
そのため、結晶質の光透過性導電層３は、クリプトン原子および／またはキセノン原子を含むものの、上記したように、クリプトン原子および／またはキセノン原子が取り込まれている量は抑制されている。そのため、この透明導電性フィルム１は、加熱安定性に優れる。
また、図４に示すように、透明導電性フィルム１では、光透過性導電層３をパターン化することもできる。つまり、光透過性導電層３は、パターン形状を有する。
光透過性導電層３をパターン化するには、例えば、第１工程の後に、非晶質の光透過性導電層３を、エッチングする。これによって、透明導電性フィルム１は、光透過性導電層３を有するパターン部７と、光透過性導電層３を有していない非パターン部８とを有する。
その後、第２工程において、光透過性導電層３を結晶化させる。
また、第２工程により結晶質の光透過性導電層３を得てから、光透過性導電層３をパターン化することもできる。
そして、この透明導電性フィルム１は、種々の物品に用いられる。物品としては、例えば、タッチセンサ、調光素子（ＰＤＬＣ、ＰＮＬＣやＳＰＤなどの電圧駆動型調光素子やエレクトロクロミック（ＥＣ）などの電流駆動型調光素子）、光電変換素子（有機薄膜太陽電池や色素増感太陽電池に代表される太陽電池素子の電極など）、熱線制御部材（近赤外反射および／または吸収部材や遠赤外反射および／または吸収部材）、アンテナ（光透過性アンテナ）、電磁波シールド部材、画像表示装置、ヒータ部材（光透過性ヒータ）、および、照明が挙げられる。
物品は、透明導電性フィルム１と、各物品に対応する部材とを備える。
このような物品は、透明導電性フィルム１と、各物品に対応する部材とを固定することにより得られる。
具体的には、透明導電性フィルム１における光透過性導電層３（パターン形状を有する光透過性導電層３を含む）と、各物品に対応する部材とを、固着機能層を介して固定する。
固着機能層としては、例えば、粘着層および接着層が挙げられる。
固着機能層としては、透明性を有するものであれば特に材料の制限なく使用できる。固着機能層は、好ましくは、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、天然ゴム、および、合成ゴムが挙げられる。特に、光学的透明性に優れ、適度な濡れ性、凝集性および接着性などの粘着特性を示し、耐候性および耐熱性等にも優れるという観点から、樹脂として、好ましくは、アクリル樹脂が選択される。
固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、光透過性導電層３の腐食およびマイグレーション抑制するために、公知の腐食防止剤、および、マイグレーション防止剤（例えば、特開２０１５－０２２３９７号に開示の材料）を添加することもできる。また、固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、物品の屋外使用時の劣化を抑制するために、公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸系化合物、シュウ酸アニリド系化合物、シアノアクリレート系化合物、および、トリアジン系化合物が挙げられる。
また、透明導電性フィルム１における基材層２と、各物品に対応する部材とを、固着機能層を介して固定することもできる。このような場合には、透明導電性フィルム１において、光透過性導電層３（パターン形状を有する光透過性導電層３を含む）が露出する。そのため、光透過性導電層３の上面にカバー層を配置することもできる。
カバー層は、光透過性導電層３を被覆する層であり、光透過性導電層３の信頼性を向上させ、キズによる機能劣化を抑制できる。
カバー層は、好ましくは、誘電体である。カバー層は、樹脂および無機材料の混合物から形成されている。樹脂としては、固着機能層で例示する樹脂が挙げられる。無機材料としては、後述する中間層の材料で例示する材料が挙げられる。
また、カバー層（樹脂および無機材料の混合物）には、上記した固着機能層と同様の観点から、腐食防止剤、マイグレーション防止剤、および、紫外線吸収剤を添加することもできる。
このような物品（タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材、画像表示装置、ヒータ部材、および、照明）は、本発明の透明導電性フィルム１を備えるため、加熱安定性に優れる。
５．変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
光透過性導電層３は、酸化スズの割合が８質量％未満である第２領域を含まず、酸化スズの割合が８質量％以上である第１領域１１のみを含むこともできる。
上記した説明では、機能層５が、ハードコート層であったが、機能層５として、光学調整層を配置することもできる。
このような場合には、基材層２は、透明基材４と、光学調整層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
光学調整層は、光透過性導電層３から形成されるパターンの視認を抑制して、透明導電性フィルム１の光学物性（具体的には、屈折率）を調整する層である。
光学調整層の材料は、例えば、光学調整組成物である。光学調整組成物としては、例えば、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載の混合物などが挙げられる。
混合物は、例えば、アクリル樹脂などの樹脂（バインダー樹脂）と、無機および／または有機の粒子（好ましくは、ジルコニアなどの無機の粒子）とを含有する。光学調整層８の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上であり、また、例えば、１μｍ以下である。
また、光学調整層を形成するには、光学調整組成物の希釈液を、透明基材４の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。
これにより、光学調整層を形成する。
また、機能層５として、剥離機能層を配置することもできる。
このような場合には、基材層２は、透明基材４と、剥離機能層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
剥離機能層は、光透過性導電層３に対して剥離が容易な層（易剥離層）である。
基材層２が、剥離機能層を備えれば、透明導電性フィルム１から、光透過性導電層３を剥離することができる。剥離された光透過性導電層３は、例えば、タッチセンサを構成する他の部材に転写及び貼り合せすることで用いることができる。
また、機能層５として、易接着層を配置することもできる。
このような場合には、基材層２は、透明基材４と、易接着層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
易接着層は、透明基材４と易接着層上に形成される層との密着性を担保するための層であり、例えば、透明基材４と光透過性導電層３との密着性を向上することができる。
機能層５は、複層であってもよい。
つまり、基材層２は、機能層５として、ハードコート層、光学調整層、剥離機能層および易接着層からなる群から選択される２つ以上の層を任意に含むことができる。
詳しくは、基材層２は、透明基材４と、易接着層と、ハードコート層と、光学調整層とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもでき、また、基材層２は、透明基材４と、剥離機能層と、ハードコート層および／または光学調整層とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもできる。
基材層２が、透明基材４と、剥離機能層と、ハードコート層および／または光学調整層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える場合には、透明導電性フィルム１から、ハードコート層および／または光学調整層と光透過性導電層３とを備える積層体を剥離することができる。
また、基材層２は、機能層５を備えず、透明基材４のみからなることもできる。
また、基材層２が、透明基材４を備えず、機能層５のみからなることもできる。
このような基材層２を備える透明導電性フィルム１として、例えば、上記した積層体（ハードコート層および／または光学調整層と光透過性導電層３とを備える積層体）が挙げられる。
詳しくは、図５に示すように、透明導電性フィルム１は、基材層２（機能層５）と、光透過性導電層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
また、基材層２は、ガラスを含む透明基材４と機能層５とからなることもできる。
また、基材層２は、透明基材４の他方面に、アンチブロッキング層（図示せず）を備えることもできる。
このような場合には、基材層２は、アンチブロッキング層と、透明基材４と、機能層５とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
アンチブロッキング層は、透明導電性フィルム１を厚み方向に積層した場合などに、互いに接触する複数の透明導電性フィルム１のそれぞれの表面に耐ブロッキング性を付与する。
アンチブロッキング層は、フィルム形状を有する。
アンチブロッキング層の材料は、例えば、アンチブロッキング組成物である。
アンチブロッキング組成物としては、例えば、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載の混合物などが挙げられる。
混合物は、例えば、アクリル樹脂などの樹脂（バインダー樹脂）と、無機および／または有機の粒子（好ましくは、ポリスチレンなどの有機の粒子）とを含有する。
アンチブロッキング層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下である。
また、アンチブロッキング層を形成するには、アンチブロッキング組成物の希釈液を、透明基材４の厚み方向他方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、アンチブロッキング組成物を硬化させる。
これにより、アンチブロッキング層を形成する。
また、アンチブロッキング層と、透明基材４との間に、さらに、易接着層などの機能層５を備えることもできる。
また、基材層２は、透明基材４の一方側に、無機層からなる中間層（図示せず）を備えることもできる。
中間層は、基材層２の表面硬度を向上したり、光透過性導電層３が基材層２から受ける応力を中間地点で緩和する機能を有する。
中間層は、透明基材４、機能層５、および、アンチブロッキング層に対し、透明導電フィルムの厚み方向一方側に対し、任意の位置に備えることができ、複数層備えていても良い。
例えば、基材層２は、透明基材４と、機能層５と、中間層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。また、基材層２は、例えば、中間層と、アンチブロッキング層と、透明基材４と、機能層５とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
中間層は、好ましくは、無機誘電体であり、その表面抵抗値が、例えば、１×１０６Ω／□以上、好ましくは１×１０８Ω／□以上である。
中間層の材料は、例えば、酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、酸化カルシウムなどの無機酸化物やフッ化マグネシウムなどのフッ化物を含有する組成からなる。なお、無機機能層の組成は、化学両論組成であってもなくてもよい。
一実施形態では、透明導電性フィルム１における光透過性導電層３の好適な数として１を例示しているが、例えば、図示しないが、２であってもよい。この場合には、２つの光透過性導電層３のそれぞれが、基材層２の厚み方向両側のそれぞれに配置される。つまり、この変形例の好適例では、１つの基材層２に対する光透過性導電層３の数は、好ましくは、２である。
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。また、以下の記載において特に言及がない限り、「部」および「％」は質量基準である。
１．透明導電性フィルムの製造
比較例７
（第１工程）
透明基材としてのＰＥＴフィルムロール（東レ社製、厚み５０μｍ）からなるフィルム基材の一方の面に、アクリル樹脂からなる紫外線硬化性樹脂を塗布し、紫外線照射により硬化させた。これにより、厚みが２μｍであるハードコート層を形成した。これにより、基材層を得た。
次いで、基材層を真空スパッタ装置に設置して、到達真空度が０．９×１０－４Ｐａとなるよう十分に真空排気し、基材層の脱ガス処理を行った。その後、基材層を成膜ロールに沿うように搬送しながら、スパッタリングガスとして、クリプトン、および、反応性ガスとしての酸素を導入した減圧下（０．４Ｐａ）で、酸化インジウムと酸化スズの焼結体であり、酸化スズ濃度が１０質量％であるＩＴＯからなる第１ターゲットを、以下の設備、条件にてスパッタリングすることにより、基材層（ハードコート層）の一方面に、厚み１５０ｎｍの非晶質の光透過性導電層（酸化スズ濃度が１０質量％である第１非晶質層）を形成した。なお、酸素導入量は、図３に示す抵抗－酸素曲線の領域Ｘ、かつ、非晶質の光透過性導電層の表面抵抗が４５Ω／□になるように調整した（クリプトンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は、約１．４質量％）。これにより、基材層および非晶質の光透過性導電層からなる非晶質積層フィルムを得た。
（第２工程）
得られた非晶質積層フィルムを、１５５℃の熱風オーブンで１時間加熱した。これにより、非晶質の光透過性導電層を、結晶質の光透過性導電層とし、基材層および結晶質の光透過性導電層からなる透明導電性フィルムを得た。
＜成膜設備・条件＞
電源：ＤＣ電源
第１ターゲットの水平磁場強度：９０ｍＴ
成膜気圧：０．４Ｐａ
成膜ロール温度（基材層の温度）：－８℃
実施例２、比較例６、比較例１および比較例５
表１の記載に従って、スパッタリングガス、第１領域の厚み、成膜ロール温度、および、非晶質の光透過性導電層の表面抵抗を変更した以外は、比較例７と同様にして、透明導電性フィルムを得た。
実施例３
比較例７の真空スパッタ装置に、酸化スズ濃度が３質量％であるＩＴＯからなる第２ターゲットをさらに設置し、厚み６０ｎｍの第１非晶質層（酸化スズ濃度が１０質量％）を形成した後、連続して、第１非晶質層の一方面に、厚み３ｎｍの第２非晶質層（酸化スズ濃度が３質量％）を形成し、また、非晶質の光透過性導電層の表面抵抗が１２０Ω／□になるように酸素導入量を調整した以外は、比較例７と同様にして、透明導電性フィルムを得た。
比較例８および比較例２～比較例４
表１の記載に従って、スパッタリングガス、第１領域と第２領域の厚み、および、非晶質の光透過性導電層の表面抵抗を変更した以外は、実施例３と同様にして、透明導電性フィルムを得た。
２．評価
＜厚み測定＞
（透明基材およびハードコート層の厚み）
透明基材の厚み、ハードコート層の厚みを、膜厚計（Ｐｅａｃｏｃｋ社製 デジタルダイアルゲージＤＧ－２０５）を用いて測定した。その結果を表１に示す。
（光透過性導電層の厚み）
ＦＩＢマイクロサンプリング法により、各実施例および各比較例の透明導電性フィルムの断面を調製した。次いで、光透過性導電層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭ観察し、光透過性導電層（第１領域および第２領域）の厚みを測定した。ここで、実施例３、比較例８、比較例２、比較例３および比較例４において、第１領域の厚みは、第１領域の厚み方向一方面に、第２領域を配置する前に、第１領域のみ形成した、断面観察用サンプルを作製し、そのサンプルをＦＥ－ＴＥＭ観察にすることにより測定した。また、第２領域の厚みは、光透過性導電層の厚みから、第１領域の厚みを差し引くことにより算出した。その結果を表１に示す。
なお、装置および測定条件を以下に示す。
ＦＩＢ装置：Ｈｉｔａｃｈｉ製 ＦＢ２２００、 加速電圧： １０ｋＶ
ＦＥ－ＴＥＭ装置：ＪＥＯＬ製 ＪＥＭ－２８００、加速電圧： ２００ｋＶ
＜抵抗値の評価＞
各実施例および各比較例の透明導電性フィルムについて、光透過性導電層の表面抵抗（Ｒ１）および比抵抗（Ｒ１´）を、ＪＩＳ Ｋ７１９４（１９９４年）に準じて四端子法により測定した。その結果を表１に示す。
＜加熱安定性＞
各実施例および各比較例の透明導電性フィルムを、さらに、１５５℃の熱風オーブンで１時間加熱した後、光透過性導電層の表面抵抗（Ｒ２）および比抵抗（Ｒ２´）を測定した。その結果を表１に示す。
次いで、加熱安定性を、表面抵抗（Ｒ１）に対する、表面抵抗（Ｒ２）の比（Ｒ２／Ｒ１）として評価した。
つまり、加熱安定性（Ｒ２／Ｒ１）とは、結晶質の光透過性導電層を再加熱したときの、抵抗値の変化量を評価したものであり、その値が１に近いほうが、加熱安定性に優れることを示す。その結果を表１に示す。
＜外観＞
各実施例および各比較例の透明導電性フィルムを、水平な台に静置し、シワやスジの発生状況を確認し、製品の加工、組み込みする上で、実用上の問題（ＩＴＯフィルム上に製品に必要な機能の層を形成する際の塗工ムラやタッチパネルにおける外観ムラ）の有無で評価した。
〇：実用上、外観の問題ない水準であった。
×：実用上、外観が問題となる水準であった。
＜結晶粒の粒径の測定＞
実施例および比較例の透明導電性フィルムを切り出し、ウルトラミクロトームの試料ホルダに固定した。次いで、ＩＴＯ膜面に対して極鋭角にミクロトームナイフを設置し、切断面がＩＴＯ膜面と略平行となるように切削して観察試料を得た。この観察試料を、透過型電子顕微鏡を用いて観察した（倍率：５００００倍）。ＴＥＭ観察写真の中、１．５μｍ□の領域を任意で選定し、この１．５μｍの領域で観察される結晶粒の中で、最大である結晶粒を選定した。この最大である結晶粒の粒界上に、任意の２点の測定点を配置し、測定点間の距離を直線距離で求めた。本測定では、この測定点間の距離の中で、測定点間の距離が最大となる測定点間距離を粒径とした。その結果を表１に示す。
＜クリプトン原子の同定＞
走査型蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製、ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ）を用いて、比較例７、実施例２、実施例３および比較例８の光透過性導電層内にクリプトン原子を含むことを確認した。具体的には、以下の条件にて、５回繰り返し測定を行って各走査角度の平均値を算出し、Ｘ線スペクトルを作成した。作成したＸ線スペクトルの、２８．２°近傍にピークが出ていることを確認することでクリプトン原子の混入を特定した。
＜測定条件＞
スペクトル：Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度（ｄｅｇ）：２７．０～２９．５
ステップ（ｄｅｇ）：０．０２０
速度（Ｄｅｇ／ｍｉｎ）：０．７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００－３００
Figure 0007213961000001
なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれるものである。
本発明の透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材、画像表示装置、ヒータ部材（光透過性ヒータ）、および、照明において、好適に用いられる。
１ 透明導電性フィルム
２ 基材層
３ 光透過性導電性層
４ 透明基材

Claims (5)

  1. 基材層と、光透過性導電層とを順に備え、
    前記基材層は、樹脂層を含み、
    前記光透過性導電層は、クリプトン原子を含み、かつ、アルゴン原子を含まず、
    前記光透過性導電層におけるクリプトン原子の含有量は、１．０原子％以下であり、
    前記光透過性導電層は、スパッタリング層であり、
    前記光透過性導電層は、走査型蛍光Ｘ線分析装置で測定したＸ線スペクトルにおいて、２８．２°近傍にピークを有し、
    前記光透過性導電層が、結晶質であり、かつ、３００ｎｍ以上の粒径を有する結晶粒を含み、
    前記光透過性導電層の厚みが、５０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることを特徴とする、透明導電性フィルム。
  2. 前記光透過性導電層の厚みが、６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  3. 前記光透過性導電層が、インジウムスズ複合酸化物を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の透明導電性フィルム。
  4. 前記光透過性導電層が、パターン形状を有することを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
  5. クリプトン存在下、かつ、アルゴン不存在下において、光透過性導電層を構成する材料をターゲットとするスパッタリング法によって、基材層に、光透過性導電層を配置し、
    前記基材層は、樹脂層を含み、
    前記光透過性導電層におけるクリプトン原子の含有量は、１．０原子％以下であり、
    前記光透過性導電層は、走査型蛍光Ｘ線分析装置で測定したＸ線スペクトルにおいて、２８．２°近傍にピークを有し、
    前記光透過性導電層が、結晶質であり、かつ、３００ｎｍ以上の粒径を有する結晶粒を含み、
    前記光透過性導電層の厚みが、５０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。
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