TW202143252A - 透明導電層及透明導電性膜 - Google Patents

Abstract

本發明之透明導電層1含有氪原子。(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。

Description

透明導電層及透明導電性膜

本發明係關於一種透明導電層及透明導電性膜。詳細而言，關於一種透明導電層及具備該透明導電層之透明導電性膜。

已知透明導電性膜等光學膜用於觸控面板等光學用途。

作為此種透明導電性膜，提出有一種依序具備有機高分子膜基材及透明導電膜之透明導電性膜(例如參照專利文獻1)。

又，此種透明導電性膜係藉由如下方式獲得，即，藉由濺鍍，於氬氣存在下，於有機高分子膜基材之表面成膜透明導電膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2014-157814號公報

[發明所欲解決之問題]

另一方面，要求較專利文獻1之透明導電膜高之透過率、及低之比電阻。

本發明提供一種透過率較高且比電阻較低之透明導電層及具備該透明導電層之透明導電性膜。 [解決問題之技術手段]

本發明[1]係一種透明導電層，其含有氪原子，且(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。

本發明[2]包含如上述[1]所記載之透明導電層，該透明導電層包含銦錫複合氧化物。

本發明[3]包含如上述[1]或[2]所記載之透明導電層，該透明導電層之比電阻未達2.3×10^-4 Ω・cm。

本發明[4]包含如上述[1]至[3]中任一項所記載之透明導電層，該透明導電層具有圖案形狀。

本發明[5]包含一種透明導電性膜，該透明導電性膜朝向厚度方向一側依序具備基材層、及如上述[1]至[4]中任一項所記載之透明導電層。 [發明之效果]

本發明之透明導電層含有氪原子，且(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。因此，可提高透過率且可降低比電阻。

本發明之透明導電性膜具備本發明之透明導電層。因此，可提高透過率，且可降低比電阻。

＜透明導電層＞ 透明導電層1具有具備特定厚度之膜形狀(包括片形狀)。透明導電層1於與厚度方向正交之面方向上延伸。透明導電層1具有平坦之上表面及平坦之下表面。

透明導電層1係表現出優異之導電性之透明層。透明導電層1包含結晶質，較佳為由結晶質構成。

透明導電層1含有氪原子。換言之，透明導電層1具備含有氪原子之含氪透明導電層10(有時稱為KrITO)。

又，透明導電層1亦可既具備含氪透明導電層10又具備不含有氪原子之不含氪透明導電層11。

以下，依序對透明導電層1依序具備含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11之第1實施方式、以及透明導電層1由含氪透明導電層10構成之第2實施方式進行說明。

1.第1實施方式 如圖1所示，透明導電層1依序具備含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11。更具體而言，透明導電層1具備含氪透明導電層10、及配置於含氪透明導電層10之上表面(厚度方向一面)之不含氪透明導電層11。較佳為，透明導電層1僅具備含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11。

含氪透明導電層10包含金屬氧化物及微量氪原子。含氪透明導電層10較佳為由金屬氧化物及微量氪原子構成。具體而言，含氪透明導電層10中，於金屬氧化物基質中存在微量氪原子。

金屬氧化物例如係選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd及W所組成之群中之至少1種金屬及/或半金屬之氧化物。作為金屬氧化物，具體可例舉含銦氧化物及含銻氧化物。作為含銦氧化物，例如可例舉：銦錫複合氧化物(ITO)、銦鎵複合氧化物(IGO)、銦鋅複合氧化物(IZO)及銦鎵鋅複合氧化物(IGZO)。作為含銻氧化物，例如可例舉銻錫複合氧化物(ATO)。

作為金屬氧化物，較佳者可例舉含銦氧化物，更佳者可例舉銦錫複合氧化物(ITO)。亦即，較佳為，含氪透明導電層10(透明導電層1)包含銦錫複合氧化物(ITO)。若含氪透明導電層10(透明導電層1)包含銦錫複合氧化物(ITO)，則可降低透明導電層1之比電阻。

於金屬氧化物為銦錫複合氧化物(ITO)之情形時，相對於氧化錫及氧化銦之合計量，氧化錫之含有比率例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，進而較佳為8質量%以上，尤佳為9質量%以上，又，例如為20質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為12質量%以下。

若氧化錫之含有比率為上述下限以上，則促進低電阻化。若氧化錫之含有比率為上述上限以下，則含氪透明導電層10之加熱穩定性優異。

又，含氪透明導電層10含有氪原子。

氪原子源自作為下述濺鍍氣體之氪氣。換言之，於濺鍍法中，作為濺鍍氣體之氪氣會被引入至含氪透明導電層10，詳情將於下文進行敍述。

含氪透明導電層10中之氪原子之含量例如為1.0原子%以下，更佳為0.7原子%以下，進而較佳為0.5原子%以下，尤佳為0.3原子%以下，最佳為0.2原子%以下，進而未達0.1原子%，又，例如為0.0001原子%以上。

氪原子之含量例如可藉由拉塞福背向散射譜法進行測定。又，氪原子之存在例如可藉由螢光X射線分析來確認。有時於含氪透明導電層10中，氪原子之含量過少之情形(具體而言，氪原子之含量並非拉塞福背向散射分析之檢測極限值(下限值)以上之情形)時，無法藉由拉塞福背向散射分析對氪原子之含量進行定量。然而，於本申請案中，即便為此種情形，於藉由螢光X射線分析鑑定出氪原子之存在時，亦判斷氪原子之含量至少為0.0001原子%以上。

又，含氪透明導電層10包含結晶質，較佳為由結晶質構成。

若含氪透明導電層10為結晶質，則可減小比電阻。

含氪透明導電層10之結晶質性例如可藉由如下方式進行判斷，即，藉由FE-TEM(field emission-transmission electron microscope，場發射穿透式電子顯微鏡)觀察含氪透明導電層10之剖面，確認結晶粒之存在。FE-TEM之觀察倍率並無限制，只要為可確認結晶粒之存在之倍率即可，例如為20萬倍。又，於更高倍率(例如200萬倍以上)下之觀察中，確認到含氪透明導電層10中存在格紋之情形時，亦可判斷相應部分為結晶質。

含氪透明導電層10較佳為後結晶質層(後結晶質膜)。後結晶質係於成膜過程中及剛成膜後(例如成膜後10小時以內)為非晶質其後經由加熱等工序轉化為結晶質之膜。若含氪透明導電層10為後結晶質層，則容易獲得比電阻較小且外觀品質優異之透明導電層1及下述透明導電性膜20。

不含氪透明導電層11不含有氪原子。不含氪透明導電層11含有源自濺鍍法中包含除氪氣以外之稀有氣體之濺鍍氣體(例如氬氣、氙氣)之原子，詳情將於下文進行敍述。

作為不含氪透明導電層11，例如可例舉含氬透明導電層(有時稱為ArITO)。

含氬透明導電層包含上述金屬氧化物及微量氬原子。

作為金屬氧化物，較佳者可例舉含銦氧化物，更佳者可例舉銦錫複合氧化物(ITO)。

於金屬氧化物為銦錫複合氧化物(ITO)之情形時，相對於氧化錫及氧化銦之合計量，氧化錫之含有比率例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，進而較佳為8質量%以上，尤佳為9質量%以上，又，例如為20質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為12質量%以下。

又，含氬透明導電層含有氬原子。

氬原子源自作為下述濺鍍氣體之氬氣。換言之，於濺鍍法中，作為濺鍍氣體之氬氣會被引入至含氬透明導電層，詳情將於下文進行敍述。

含氬透明導電層中之氬原子之含量例如為0.8原子%以下，較佳為0.5原子%以下，更佳為0.2原子%以下，進而較佳為0.1原子%以下，又，例如為0.0001原子%以上。

氬原子之含量例如可藉由拉塞福背向散射譜法進行測定。

又，含氬透明導電層包含結晶質，較佳為由結晶質構成。

若含氬透明導電層為結晶質，則可減小比電阻。

含氬透明導電層之結晶質性可藉由與含氪透明導電層10之結晶質性同樣之方法來確認。

而且，透明導電層1的(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比((440)面中之X射線繞射峰之積分強度/(222)面中之X射線繞射峰之積分強度)(以下，有時稱為積分強度比)為0.130以上，較佳為0.160以上，更佳為0.180以上，又，例如為0.250以下，較佳為0.200以下。

若透明導電層1之上述積分強度比為上述下限以上，則光吸收率降低，因此可提高透過率。

具體而言，透明導電層1之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上。

另一方面，若上述比未達上述下限，則光吸收率增加，因此無法提高透過率。

又，若上述比為上述下限以上，則遷移率提昇，因此可降低比電阻。

具體而言，透明導電層1之比電阻例如未達2.3×10^-4 Ω・cm，較佳為未達2.2×10^-4 Ω・cm，更佳為2.0×10^-4 Ω・cm以下，進而較佳為1.7×10^-4 Ω・cm以下，尤佳為1.5×10^-4 Ω・cm以下，又，例如為0.01×10^-4 Ω・cm以上，較佳為0.05×10^-4 Ω・cm以上，更佳為0.1×10^-4 Ω・cm以上，進而較佳為0.5×10^-4 Ω・cm以上，尤佳為1.0×10^-4 Ω・cm以上，特佳為1.01×10^-4 Ω・cm以上。

再者，比電阻可藉由將依照JIS K7194利用4端子法測得之表面電阻值乘以透明導電層1之厚度而求出。

透明導電層1之表面電阻值例如為200 Ω/□以下，較佳為80 Ω/□以下，更佳為60 Ω/□以下，進而較佳為50 Ω/□以下，尤佳為30 Ω/□以下，最佳為20 Ω/□以下，又，通常超過0 Ω/□，又，為1 Ω/□以上。

再者，表面電阻值可依照JIS K7194並利用4端子法進行測定。

另一方面，若上述比未達上述下限，則遷移率降低，因此無法降低比電阻。

再者，關於X射線繞射之測定方法，將於下述實施例中進行詳細敍述。

如上所述，透明導電層1之積分強度比為0.130以上，故而可提高透過率，且可降低比電阻。

又，透明導電層1之全光線透過率相對於透明導電層1之比電阻之比(透明導電層1之全光線透過率/透明導電層1之比電阻)例如為45%/10^-4 Ω・cm以上，較佳為50%/10^-4 Ω・cm以上，更佳為55%/10^-4 Ω・cm以上，進而較佳為55%/10^-4 Ω・cm以上，尤佳為57%/10^-4 Ω・cm以上，又，例如為70%/10^-4 Ω・cm以下。

若上述比處於上述範圍內，則可兼顧高透過率及低比電阻。

又，透明導電層1之厚度例如為10 nm以上，較佳為40 nm以上，更佳為50 nm以上，進而較佳為100 nm以上，又，例如為1000 nm以下，較佳為500 nm以下，更佳為未達300 nm，進而較佳為280 nm以下，尤佳為200 nm以下，特佳為170 nm以下，最佳為150 nm以下，進而再更佳為148 nm以下。

又，於透明導電層1中，含氪透明導電層10之厚度例如為1 nm以上，較佳為10 nm以上，更佳為40 nm以上，進而較佳為60 nm以上，又，例如為800 nm以下、未達300 nm，更佳為200 nm以下，進而較佳為未達150 nm，尤佳為100 nm以下，特佳為未達100 nm，最佳為90 nm以下。又，不含氪透明導電層11之厚度例如為1 nm以上，較佳為10 nm以上，更佳為40 nm以上，又，例如為500 nm以下，較佳為200 nm以下，更佳為100 nm以下，進而較佳為60 nm以下。

相對於透明導電層1之厚度之含氪透明導電層10之厚度例如為1%以上，較佳為20%以上，更佳為30%以上，進而較佳為50%以上，尤佳為60%以上，又，例如為99%以下，較佳為80%以下，更佳為70%以下。

若含氪透明導電層10之厚度為上述下限以上、及上述上限以下，則可提高透過率，且可降低比電阻。

再者，透明導電層1之厚度例如可藉由使用透射電子顯微鏡觀察透明導電性膜20之剖面進行測定。再者，於圖1中，用實線描繪出含氪透明導電層10與不含氪透明導電層11之交界，但含氪透明導電層10與不含氪透明導電層11之交界有時無法明確地判別出。

又，透明導電層1包含如下晶粒，該晶粒於(222)面中例如為280 Å以上，較佳為300 Å以上，更佳為320 Å以上，進而較佳為340 Å以上，尤佳為350 Å以上，又，例如為800 Å以下，較佳為500 Å以下，更佳為450 Å以下，進而較佳為400 Å以下。又，於(440)面中包含如下晶粒，該晶粒例如為250 Å以上，較佳為330 Å以上，更佳為380 Å以上，進而較佳為400 Å以上，尤佳為420 Å以上，又，例如為850 Å以下，較佳為600 Å以下，更佳為500 Å以下，進而較佳為450 Å以下。再者，關於結晶粒徑(晶粒之尺寸)之測定方法，將於下述實施例中進行詳細敍述。

＜透明導電性膜＞ 如圖2所示，透明導電性膜20具有具備特定厚度之膜形狀(包括片形狀)。透明導電性膜20於與厚度方向正交之面方向上延伸。透明導電性膜20具有平坦之上表面及平坦之下表面。

透明導電性膜20朝向厚度方向一側依序具備基材層2及透明導電層1。更具體而言，透明導電性膜20具備基材層2、及配置於基材層2之上表面(厚度方向一面)之透明導電層1。較佳為，透明導電性膜20僅具備基材層2及透明導電層1。

又，更具體而言，透明導電性膜20朝向厚度方向一側依序具備基材層2、含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11。進一步具體而言，透明導電性膜20朝向厚度方向一側依序具備基材層2、配置於基材層2之上表面(厚度方向一面)之含氪透明導電層10、及配置於含氪透明導電層10之上表面(厚度方向一面)之不含氪透明導電層11。

透明導電性膜20例如為圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材或電磁波屏蔽等之一零件，亦即，並非圖像顯示裝置。即，透明導電性膜20係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且係不包含OLED(organic light emitting diode，有機發光二極體)模組等圖像顯示元件而可作為零件單獨流通並於產業上利用之器件。

透明導電性膜20之厚度例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下，更佳為250 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為20 μm以上，更佳為50 μm以上。

＜基材層＞ 基材層2係用以確保透明導電性膜20之機械強度之透明基材。

基材層2具有膜形狀。基材層2以與透明導電層1之下表面接觸之方式，配置於透明導電層1之整個下表面。

基材層2具備透明基材3及功能層4。

具體而言，基材層2朝向厚度方向一側依序具備透明基材3及功能層4。具體而言，基材層2具備透明基材3及配置於透明基材3之厚度方向一面之功能層4。

＜透明基材＞ 透明基材3具有膜形狀。

作為透明基材3之材料，例如可例舉：烯烴樹脂、聚酯樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂(丙烯酸樹脂及/或甲基丙烯酸樹脂)、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂及聚苯乙烯樹脂。作為烯烴樹脂，例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯及環烯烴聚合物。作為聚酯樹脂，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯及聚萘二甲酸乙二酯。作為(甲基)丙烯酸樹脂，例如可例舉聚甲基丙烯酸酯。基於容易獲得雖耐熱性較差無法承受高溫(例如200℃以上)之加熱工序，但平滑性優異且低比電阻、高透過性優異之透明導電層1、及透明導電性膜20之觀點，作為透明基材3之材料，可例舉：烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂，更佳者可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。

透明基材3具有透明性。具體而言，透明基材3之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上。

透明基材3之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下，更佳為250 μm以下，進而較佳為200 μm以下，尤佳為100 μm以下，最佳為60 μm以下。

＜功能層＞ 功能層4配置於透明基材3之厚度方向一面。

功能層4具有膜形狀。

作為功能層4，例如可例舉硬塗層。

於此種情形時，基材層2朝向厚度方向一側依序具備透明基材3及硬塗層。

於以下說明中，對功能層4為硬塗層之情形進行說明。

硬塗層係用以抑制透明導電性膜20中產生損傷之保護層。

硬塗層例如由硬塗組合物形成。

硬塗組合物包含樹脂及視需要添加之粒子。亦即，硬塗層包含樹脂及視需要添加之粒子。

作為樹脂，例如可例舉熱塑性樹脂及硬化性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可例舉聚烯烴樹脂。

作為硬化性樹脂，例如可例舉：藉由照射活性能量線(例如紫外線及電子束)而硬化之活性能量線硬化性樹脂、及藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂。作為硬化性樹脂，較佳者可例舉活性能量線硬化性樹脂。

作為活性能量線硬化性樹脂，例如可例舉：(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂、聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物及有機矽烷縮合物。作為活性能量線硬化性樹脂，較佳者可例舉(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。

又，樹脂例如可包含日本專利特開2008-88309號公報所記載之反應性稀釋劑。具體而言，樹脂可包含多官能(甲基)丙烯酸酯。

樹脂可單獨使用或併用2種以上。

作為粒子，例如可例舉金屬氧化物微粒子及有機系微粒子。作為金屬氧化物微粒子之材料，例如可例舉：二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘及氧化銻。作為有機系微粒子之材料，可例舉：聚甲基丙烯酸甲酯、矽酮、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺及聚碳酸酯。

粒子可單獨使用或併用2種以上。

又，硬塗組合物中，可視需要以適當比率調配觸變性賦予劑、光聚合起始劑、填充劑(例如有機黏土)及調平劑。又，硬塗組合物可藉由公知之溶劑稀釋。

又，於形成硬塗層時，將硬塗組合物之稀釋液塗佈於暫時支持體2之厚度方向一面，並視需要進行加熱使其乾燥。乾燥後，例如藉由活性能量線照射，使硬塗組合物硬化。詳情將於下文進行敍述。

藉此，形成硬塗層。

硬塗層之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上，又，例如為20 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。

＜透明導電層、及透明導電性膜之製造方法＞ 透明導電層1及透明導電性膜20之製造方法具備如下工序：第1工序，其係準備基材層2；第2工序，其係將透明導電層1配置於基材層2之厚度方向一面；及第3工序，其係對透明導電層1加熱。又，於該製造方法中，例如利用輥對輥方式依序配置各層。

＜第1工序＞ 於第1工序中，準備基材層2。

於準備基材層2時，如圖3A所示，準備透明基材3。

繼而，如圖3B所示，將硬塗組合物之稀釋液塗佈於透明基材3之厚度方向一面，進行乾燥後，藉由紫外線照射或加熱，使硬塗組合物硬化。藉此，於透明基材3之厚度方向一面形成硬塗層(功能層4)。藉此，準備基材層2。

＜第2工序＞ 於第2工序中，將透明導電層1配置於基材層2(硬塗層)之厚度方向一面。

於製造上述第1實施方式之透明導電層及具備該透明導電層之透明導電性膜之情形時，第2工序具備如下工序：第4工序，其係將含氪透明導電層10配置於基材層2之厚度方向一面；及第5工序，其係配置不含氪透明導電層11。

於第4工序中，如圖3C所示，將含氪透明導電層10配置於基材層2之厚度方向一面。

具體而言，於濺鍍裝置中，使基材層2之厚度方向一面與由含氪透明導電層10之材料構成之靶對向，並於氪氣存在下進行濺鍍。又，於濺鍍中，基材層2沿著成膜輥之周向密接。又，此時，除存在氪氣以外，亦可例如存在氧等反應性氣體。

濺鍍裝置內之氪氣之分壓例如為0.05 Pa以上，較佳為0.1 Pa以上，又，例如為10 Pa以下，較佳為5 Pa以下，更佳為1 Pa以下。

如圖4所示，反應性氣體之導入量可根據非晶質之含氪透明導電層10之表面電阻進行估算。詳細而言，非晶質之含氪透明導電層10之膜質(表面電阻)根據導入至非晶質之含氪透明導電層10內部之反應性氣體之導入量發生變化，故而可根據目標之非晶質之含氪透明導電層10之表面電阻調整反應性氣體之導入量。再者，為了對非晶質之含氪透明導電層10加熱而獲得結晶膜之含氪透明導電層10，可於圖4之區域X之範圍內調整反應性氣體之導入量，從而獲得非晶質之含氪透明導電層10。

具體而言，以非晶質之含氪透明導電層10之比電阻例如成為8.0×10^-4 Ω・cm以下、較佳為7.0×10^-4 Ω・cm以下、且例如為2.0×10^-4 Ω・cm以上、較佳為4.0×10^-4 Ω・cm以上、更佳為5.0×10^-4 Ω・cm以上之方式，導入反應性氣體。

濺鍍裝置內之壓力實質上為氪氣之分壓及反應性氣體之分壓之合計壓力。

電源例如可為DC(direct current，直流)電源、AC(alternating current，交流)電源、MF(medium frequency，中頻)電源、及RF(radio frequency，射頻)電源之任一者。又，亦可為該等之組合。

對於靶之長邊之放電輸出之值例如為0.1 W/mm以上，較佳為0.5 W/mm以上，更佳為1 W/mm以上，進而較佳為5 W/mm以上，又，例如為30 W/mm以下，較佳為15 W/mm以下。再者，靶之長邊方向例如為輥對輥方式之濺鍍裝置中之與搬送方向正交之方向(TD(transverse direction，橫向)方向)。

繼而，藉由濺鍍自靶彈出之含氪透明導電層10之材料附膜於基材層2。此時，產生熱能，故而於含氪透明導電層10之成膜時，藉由成膜輥，通過基材層2之冷卻使含氪透明導電層10冷卻，從而抑制含氪透明導電層10之結晶化。

詳細而言，成膜輥之溫度例如為-50℃以上，較佳為-30℃，更佳為-20℃以上，又，例如為20℃以下，較佳為15℃以下，更佳為10℃以下，進而較佳為5℃以下，進而更佳為0℃以下。若處於上述溫度範圍內，則可充分冷卻基材層2，從而可確實地獲得非晶質之含氪透明導電層10之結晶化。又，不易自基材層2出現釋氣(水或有機溶劑)，從而可減少含氪透明導電層10內之雜質成分，使含氪透明導電層10之低比電阻性、高透過性優異。

藉此，將非晶質之含氪透明導電層10配置於基材層2之厚度方向一面。

又，如上所述，使用作為濺鍍氣體之氪氣，故而源自氪氣之氪原子會被引入至含氪透明導電層10。

於第5工序中，如圖3D所示，將不含氪透明導電層11配置於含氪透明導電層10之厚度方向一面。

再者，於以下說明中，對不含氪透明導電層11為含氬透明導電層之情形進行詳細敍述。

第5工序中，於濺鍍裝置中，使含氪透明導電層10之厚度方向一面與由含氬透明導電層之材料構成之靶對向，於氬氣存在下進行濺鍍。又，於濺鍍中，基材層2(具備含氪透明導電層10之基材層2)沿著成膜輥之周向密接。又，此時，除存在氬氣以外，亦可例如存在氧等反應性氣體。

濺鍍裝置內之氬氣之分壓例如為0.1 Pa以上，較佳為0.3 Pa以上，又，例如為10 Pa以下，較佳為5 Pa以下，更佳為1 Pa以下。

反應性氣體之導入量與上述第4工序中之反應性氣體之導入量相同。

濺鍍裝置內之壓力實質上為氬氣之分壓及反應性氣體之分壓之合計壓力。電源與上述第4工序中之電源相同。對於靶之長邊之放電輸出與上述第4工序中之對於靶之長邊之放電輸出相同。

繼而，藉由濺鍍自靶彈出之含氬透明導電層之材料附膜於含氪透明導電層10。此時，產生熱能，故而於含氬透明導電層之成膜時，藉由成膜輥，通過含氪透明導電層10(基材層2)之冷卻使含氬透明導電層冷卻，從而抑制含氬透明導電層之結晶化。

成膜輥之溫度與上述第4工序中之成膜輥之溫度相同。

藉此，將非晶質之含氬透明導電層配置於含氪透明導電層10之厚度方向一面。

又，如上所述，使用作為濺鍍氣體之氬氣，故而源自氬氣之氬原子會被引入至含氬透明導電層。

如上所述，藉由第4工序及第5工序，將非晶質之含氪透明導電層10及非晶質之含氬透明導電層依序配置於基材層2之厚度方向一面。藉此，將非晶質之透明導電層1(非晶質之含氪透明導電層10及非晶質之含氬透明導電層)配置於基材層2之厚度方向一面。

＜第3工序＞ 於第3工序中，對非晶質之透明導電層1加熱。例如藉由加熱裝置(例如紅外線加熱器及熱風烘箱)，對非晶質之透明導電層1加熱。

加熱溫度例如為80℃以上，較佳為110℃以上，又，例如未達200℃，較佳為180℃以下。又，加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為10分鐘以上，更佳為30分鐘以上，又，例如為24小時以下，較佳為4小時以下，更佳為2小時以下。

藉此，如圖3E所示，將非晶質之透明導電層1結晶化，從而形成結晶質之透明導電層1。

藉此，獲得透明導電層1，並且獲得依序具備基材層2及透明導電層1之透明導電性膜20。

其後，亦可將透明導電層1圖案化。圖案化例如藉由蝕刻來實施。

若將透明導電層1圖案化，則透明導電層1具有圖案形狀。若透明導電層1具有圖案形狀，則可自由地設計圖案形狀。 2.第2實施方式

＜透明導電層＞ 如圖5所示，透明導電層1由含氪透明導電層10構成。

含氪透明導電層10與上述第1實施方式之含氪透明導電層10相同。

透明導電層1之上述積分強度比與上述第1實施方式之積分強度比相同。

透明導電層1之全光線透過率、比電阻、表面電阻值及厚度與上述第1實施方式之全光線透過率、比電阻、表面電阻值及厚度相同。

＜透明導電性膜＞ 如圖6所示，透明導電性膜20朝向厚度方向一側依序具備基材層2及透明導電層1(含氪透明導電層10)。更具體而言，透明導電性膜20具備基材層2、及配置於基材層2之上表面(厚度方向一面)之透明導電層1(含氪透明導電層10)。較佳為，透明導電性膜20僅具備基材層2及透明導電層1(含氪透明導電層10)。

＜透明導電層、及透明導電性膜之製造方法＞ 透明導電層1及透明導電性膜20之製造方法具備如下工序：第1工序，其係準備基材層2；第2工序，其係將透明導電層1配置於基材層2之厚度方向一面；及第3工序，其係對透明導電層1加熱。

＜第1工序＞ 如圖7A所示，於第1工序中，藉由與上述第1實施方式同樣之方法，準備基材層2。

＜第2工序＞ 於第2工序中，將透明導電層1配置於基材層2(硬塗層)之厚度方向一面。

於製造上述第2實施方式之透明導電層及具備該透明導電層之透明導電性膜之情形時，於第2工序中不實施配置不含氪透明導電層11之第5工序。亦即，於第2工序中，僅實施配置含氪透明導電層10之第4工序。

於第4工序中，如圖7B所示，藉由與上述第1實施方式同樣之方法，將含氪透明導電層10配置於基材層2之厚度方向一面。藉此，將透明導電層1配置於基材層2之厚度方向一面。

＜第3工序＞ 如圖7C所示，於第3工序中，藉由與上述第1實施方式同樣之方法，對非晶質之透明導電層1加熱。藉此，將非晶質之透明導電層1結晶化，從而形成結晶質之透明導電層1。

藉此，獲得透明導電層1，並且獲得依序具備基材層2及透明導電層1之透明導電性膜20。

3.作用效果 透明導電層1含有氪原子，且(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。藉此，光吸收率有變小之趨勢。其結果，可提高透過率，且可降低比電阻。

又，透明導電性膜20具備透明導電層1。因此，可提高透過率，且可降低比電阻。

尤其是，於透明基材3為有機高分子膜(例如由上述透明基材3之材料構成之膜)之情形時，無法使透明導電層1於高溫下結晶化，又，存在有機高分子膜所吸收之氣體阻礙透明導電層1結晶化之情形。因此，存在難以實現高透過率及低比電阻之情形。

另一方面，該透明導電層1含有氪原子，且(440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。因此，即便透明基材3為有機高分子膜，亦可提高透過率，且可降低比電阻。

又，透明導電層1及透明導電性膜20之製造方法中，於第2工序中之第4工序中，藉由在氪氣存在下進行濺鍍，配置非晶質之透明導電層1(含氪透明導電層10)。

通常，於藉由濺鍍法配置非晶質之透明導電層1之情形時，濺鍍氣體會被引入至非晶質之透明導電層1。

然而，於該方法中，使用原子量較氬大之氪氣作為濺鍍氣體來代替通常所使用之氬。因此，可抑制氪原子引入至非晶質之透明導電層1。

而且，此種非晶質之透明導電層1於第3工序中成為結晶質之透明導電層1。

結晶質之透明導電層1(含氪透明導電層10)雖含有氪原子，但如上所述，所引入氪原子之量得到抑制。因此，對非晶質之透明導電層1加熱時，透明導電層1之結晶生長性尤其優異。如此，可使透明導電層1之上述積分強度比處於特定範圍內。其結果，可製造透過率較高且比電阻較低之透明導電層1及透明導電性膜20。

4.附透明導電層膜之物品及附透明導電層之物品 亦可將透明導電性膜20配置於零件31之厚度方向一面，獲得附透明導電層膜之物品30。

如圖8所示，附透明導電層膜之物品30朝向厚度方向一側依序具備零件31及透明導電性膜20。詳細而言，附透明導電層膜之物品30朝向厚度方向一側依序具備零件31、基材層2及透明導電層1。

再者，於圖8中，表示具備第2實施方式之透明導電層1之附透明導電層膜之物品30。

作為物品30，並無特別限定，例如可例舉元件、構件及裝置。更具體而言，作為元件，例如可例舉調光元件及光電轉換元件。作為調光元件，例如可例舉電流驅動型調光元件及電場驅動型調光元件。作為電流驅動型調光元件，例如可例舉電致變色(EC)調光元件。作為電場驅動型調光元件，例如可例舉PDLC(polymer dispersed liquid crystal，高分子分散式液晶)調光元件、PNLC(polymer network liquid crystal，聚合物網絡液晶)調光元件、及SPD(suspended particle device，懸浮顆粒裝置)調光元件。作為光電轉換元件，例如可例舉太陽電池。作為太陽電池，例如可例舉有機薄膜太陽電池、鈣鈦礦太陽電池、及染料敏化型太陽電池。作為構件，例如可例舉電磁波屏蔽構件、熱線控制構件、加熱器構件、照明及天線構件。作為裝置，例如可例舉觸控感測器裝置及圖像顯示裝置。

附透明導電層膜之物品30例如藉由將零件31與透明導電性膜20中之基材層2經由黏固功能層接著而獲得。

作為黏固功能層，例如可例舉黏著層及接著層。

作為黏固功能層，其材料不受特別限制，只要為具有透明性者即可使用。黏固功能層較佳為由樹脂形成。作為樹脂，例如可例舉：丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯醚樹脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、天然橡膠及合成橡膠。尤其是，基於使光學透明性優異，顯示出適度之潤濕性、凝聚性及接著性等黏著特性，且耐候性及耐熱性等亦優異之觀點，較佳為選擇丙烯酸樹脂作為樹脂。

為了抑制光透過性導電層3之腐蝕及遷移，黏固功能層(形成黏固功能層之樹脂)中亦可添加公知之防腐蝕劑及防遷移劑(例如日本專利特開2015-022397號所揭示之材料)。又，為了抑制附透明導電層膜之物品30於室外使用時發生劣化，黏固功能層(形成黏固功能層之樹脂)中亦可添加公知之紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，例如可例舉：二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化合物、水楊酸系化合物、草醯苯胺系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物及三嗪系化合物。

又，亦可於附透明導電層膜之物品30中之透明導電層1之上表面配置覆蓋層。

覆蓋層係被覆透明導電層1之層，可提昇透明導電層1之可靠性，抑制因損傷引起之功能劣化。

覆蓋層較佳為介電體。覆蓋層由樹脂及無機材料之混合物形成。作為樹脂，可例舉黏固功能層中所例示之樹脂。無機材料例如由含有氧化矽、氧化鈦、氧化鈮、氧化鋁、二氧化鋯、氧化鈣等無機氧化物及氟化鎂等氟化物之組成所構成。

又，基於與上述黏固功能層同樣之觀點，覆蓋層(樹脂及無機材料之混合物)中亦可添加防腐蝕劑、防遷移劑及紫外線吸收劑。

又，亦可藉由將零件31與透明導電性膜20中之透明導電層1經由黏固功能層接著，而獲得附透明導電層膜之物品30，但對此未進行圖示。

附透明導電性膜之物品30具備透明導電性膜20。因此，可提高透過率，且可降低比電阻。

又，亦可將透明導電層1配置於零件31之厚度方向一面，獲得附透明導電層之物品40。

如圖9所示，附透明導電層之物品40朝向厚度方向一側依序具備零件31及透明導電層1。詳細而言，附透明導電層之物品40朝向厚度方向一側依序具備零件31、含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11。

再者，於圖9中，表示具備第2實施方式之透明導電層1之附透明導電層之物品40。

附透明導電層之物品40可藉由利用濺鍍法將透明導電層1配置於零件31之厚度方向一面，或者藉由將透明導電層1自透明導電性膜20轉印至零件31之厚度方向一面而獲得。

又，亦可將零件31與透明導電層1經由上述黏固功能層接著。

又，亦可將覆蓋層配置於附透明導電層之物品40中之透明導電層1之上表面。

附透明導電層之物品40具備透明導電層1。因此，可提高透過率，且可降低比電阻。

5.變化例 於變化例中，對於與第1實施方式及第2實施方式同樣之構件及工序，標註同一參照符號，省略其詳細說明。又，除特殊記載以外，變化例可發揮與第1實施方式及第2實施方式同樣之作用效果。進而，可將第1實施方式、第2實施方式及其變化例適當組合。

於上述說明中，對功能層4為硬塗層之情形進行了說明，但功能層4亦可為光學調整層。

光學調整層係調整導電性膜10之光學物性(例如折射率)用以抑制透明導電層1之圖案視認或抑制透明導電性膜20內之界面之反射，並且確保透明導電性膜20中優異之透明性之層。

光學調整層例如由光學調整組合物形成。

光學調整組合物例如含有樹脂及粒子。作為樹脂，可例舉上述硬塗組合物中例舉之樹脂。作為粒子，可例舉上述硬塗組合物中例舉之粒子。光學調整組合物亦可為樹脂單獨成分或無機物單獨成分。作為樹脂，可例舉上述硬塗組合物中例舉之樹脂。又，作為無機物，例如可例舉：氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等半金屬氧化物及/或金屬氧化物。半金屬氧化物及/或金屬氧化物不論是否為化學計量組成均可。

光學調整層之厚度例如為1 nm以上，較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為100 nm以下。光學調整層之厚度例如可基於使用Intensified Multichannel Photodetector觀測到之干涉光譜之波長而計算出。又，亦可藉由利用FE-TEM觀察光學調整層之剖面，特定出厚度。

又，亦可併用硬塗層及光學調整層(包含硬塗層及光學調整層之多層)作為功能層4。

於上述說明中，第1實施方式中，透明導電性膜20朝向厚度方向一側依序具備基材層2、含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11。另一方面，含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11之順序並無特別限定。詳細而言，透明導電性膜20亦可朝向厚度方向一側依序具備基材層2、不含氪透明導電層11及含氪透明導電層10。為了製造此種透明導電性膜20，於第2工序中，第5工序之後實施第4工序。

於上述說明中，含氪透明導電層10包含金屬氧化物及微量氪原子，但含氪透明導電層10亦可進而包含除微量氪原子以外之稀有氣體(例如氬、氙)。於此種情形時，於含氪透明導電層10中，金屬氧化物基質中存在微量氪原子及除氪子以外之稀有氣體。此種含氪透明導電層10例如可藉由併用氪氣及除氪原子以外之稀有氣體作為濺鍍氣體而製造。

於上述說明中，第3工序中，藉由對非晶質之透明導電層1加熱而使透明導電層1結晶化，但例如亦可藉由在常溫以下(例如40℃以下)之溫度下靜置長時間(例如5天以上)而使非晶質之透明導電層1結晶化。

於上述說明中，附透明導電層膜之物品30朝向厚度方向一側依序具備零件31、基材層2及透明導電層1，但附透明導電層膜之物品30亦可朝向厚度方向一側依序具備基材層2、透明導電層1及零件31。

於上述說明中，附透明導電層之物品40朝向厚度方向一側依序具備零件31、含氪透明導電層10及不含氪透明導電層11，但附透明導電層之物品40亦可朝向厚度方向一側依序具備含氪透明導電層10、不含氪透明導電層11及零件31。 [實施例]

以下記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等之具體數值可替換為上述「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。又，只要以下述載中未特別提及，「份」及「%」便為質量基準。

1.透明導電層及透明導電性膜之製造 實施例1 ＜第1工序＞ 將硬塗組合物(含有丙烯酸樹脂之紫外線硬化性樹脂)塗佈於作為透明基材之長條之PET膜(厚度50 μm，東麗公司製造)之厚度方向一面，形成塗膜。繼而，藉由紫外線照射，使塗膜硬化。藉此，形成硬塗層(厚度2 μm)。藉此，準備基材層。

＜第2工序＞ 繼而，藉由反應性濺鍍法，將厚度130 nm之非晶質之透明導電層(含氪透明導電層)配置於基材層(硬塗層)之厚度方向一面。於反應性濺鍍法中，使用可利用輥對輥方式實施成膜製程之濺鍍成膜裝置(DC磁控濺鍍裝置)。

詳細而言，作為靶，使用氧化銦與氧化錫之燒結體(氧化錫濃度為10質量%)。作為用以對靶施加電壓之電源，使用DC電源。靶上之水平磁場強度設為90 mT。於濺鍍裝置中，使基材層沿著成膜輥之周向密接。成膜輥之溫度設為-5℃。又，對濺鍍成膜裝置內進行真空排氣直至濺鍍成膜裝置所具備之成膜室內之極限真空度達到0.8×10^-4 Pa之後，向濺鍍成膜裝置內導入作為濺鍍氣體之氪及作為反應性氣體之氧，使濺鍍成膜裝置內之氣壓成為0.2 Pa。導入至濺鍍成膜裝置之氧導入量相對於氪及氧之合計導入量的比率為約2.5流量%。如圖4所示，以處於比電阻-氧導入量曲線之區域X內且非晶質之含氪透明導電層之比電阻之值成為6.6×10^-4 Ω・cm之方式調整氧導入量。可預先研究在除氧導入量以外之條件與上述相同之條件下藉由反應性濺鍍法形成了非晶質之含氪透明導電層之情形時之非晶質之含氪透明導電層之比電阻的氧導入量依存性，從而製成圖4所示之比電阻-氧導入量曲線。

＜第3工序＞ 藉由熱風烘箱內之加熱使非晶質之透明導電層結晶化。加熱溫度設為165℃，加熱時間設為1小時。

藉此，獲得透明導電層以及透明導電性膜。

實施例2 以與實施例1同樣之方式，獲得透明導電層以及透明導電性膜。

但是，如下所述變更第2工序。 ＜第2工序＞ 於第2工序中，依序實施第4工序及第5工序。

＜第4工序＞ 於第4工序中，以與實施例1之第2工序同樣之方式，將含氪透明導電層配置於基材層之厚度方向一面。

但是，以非晶質之含氪透明導電層之比電阻之值成為6.5×10^-4 Ω・cm之方式調整氧導入量(氧導入量相對於氪及氧之合計導入量之比率為約2.6流量%)。又，依照表1變更非晶質之含氪透明導電層之厚度。

＜第5工序＞ 於第5工序中，以與上述第2工序同樣之方式，將不含氪透明導電層(含氬透明導電層)配置於含氪透明導電層之厚度方向一面。

但是，將濺鍍氣體變更為氬氣，且將濺鍍成膜裝置內之氣壓變更為0.4 Pa。又，依照表1變更非晶質之含氬透明導電層之厚度。

實施例3 以與實施例2同樣之方式，獲得透明導電層以及透明導電性膜。 但是，依照表1變更含氪透明導電層及含氬透明導電層。

實施例4 以與實施例2同樣之方式，獲得透明導電層以及透明導電性膜。

但是，於第2工序中，依序實施第5工序及第4工序。又，依照表1變更非晶質之含氪透明導電層及非晶質之含氬透明導電層之厚度。

實施例5 以與實施例1同樣之方式，獲得透明導電層以及透明導電性膜。 但是，使用氪及氬之混合氣體(氪90體積%、氬10體積%)作為濺鍍氣體，且以非晶質之含氪透明導電層之比電阻之值成為5.8×10^-4 Ω・cm之方式調整氧導入量。又，依照表1變更非晶質之含氪透明導電層之厚度。

比較例1 以與實施例1同樣之方式，獲得透明導電層以及透明導電性膜。 但是，於第2工序中，將濺鍍氣體變更為氬氣。又，將濺鍍成膜裝置內之氣壓變更為0.4 Pa。

2.評價 ＜透明導電層之厚度＞ 藉由FE-TEM觀察來測定各實施例及各比較例之透明導電層之厚度。具體而言，首先，藉由FIB(focused ion beam，聚焦離子束)微取樣法，製作各實施例及各比較例之透明導電層之剖面觀察用樣品。於FIB微取樣法中，使用FIB裝置(商品名「FB2200」，Hitachi公司製造)，將加速電壓設為10 kV。繼而，藉由FE-TEM觀察來測定剖面觀察用樣品中之透明導電層之厚度。於FE-TEM觀察中，使用FE-TEM裝置(商品名「JEM-2800」，JEOL公司製造)，將加速電壓設為200 kV。

又，於實施例2及實施例3中，含氪透明導電層之厚度藉由如下方式進行測定，即，將含氬透明導電層配置於含氪透明導電層之厚度方向一面之前，自含氪透明導電層製作剖面觀察用樣品，並藉由FE-TEM觀察來測定該樣品。又，含氬透明導電層之厚度係藉由將透明導電層之厚度減去含氪透明導電層之厚度而計算出。

又，於實施例4中，含氬透明導電層之厚度藉由如下方式進行測定，即，將含氪透明導電層配置於含氬透明導電層之厚度方向一面之前，自含氬透明導電層製作剖面觀察用樣品，並藉由FE-TEM觀察來測定該樣品。又，含氪透明導電層之厚度係藉由將透明導電層之厚度減去含氬透明導電層之厚度而計算出。

＜(440)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₄₄₀₎ 相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₂₂₂₎ 之比(I₍₄₄₀₎ /I₍₂₂₂₎ )、及結晶粒徑＞

各實施例及各比較例之透明導電層之X射線繞射峰係藉由使用水平型X射線繞射裝置(商品名「SmartLab」，Rigaku股份有限公司製造)並基於下述測定條件進行X射線繞射測定而獲取。又，X射線峰曲線設為減去由各實施例及各比較例之PET膜(以與各實施例及各比較例之透明導電層相同之條件加熱過之PET膜)產生之本底所得之值。其後，使用解析軟體(軟體名「SmartLab StudioII」)，以2θ處於29.5°～31.5°之範圍內之方式製成對應於(222)面之X射線繞射峰之曲線。又，以2θ處於49.8°～51.8°之範圍內之方式，製成對應於(440)面之X射線繞射峰之曲線。關於所製成之各X射線繞射峰之曲線，藉由進行X射線繞射峰之擬合(峰形狀：分割型PearsonVII函數，本底類型：B-平滑曲線，擬合條件：自動)，求出(222)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₂₂₂₎ (單位：Count°)、(440)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₄₄₀₎ (單位：Count°)、及(222)面中之結晶粒徑(晶粒尺寸，單位：Å)、及(440)面中之結晶粒徑(晶粒尺寸，單位：Å)。繼而，計算(440)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₄₄₀₎ 相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度I₍₂₂₂₎ 之比(I₍₄₄₀₎ /I₍₂₂₂₎ )。將其結果示於表1。

[測定條件] 平行光束光學配置 光源：CuKα射線(波長：1.54059 Å) 輸出：45 kV、200 mA 入射側狹縫系統：索勒狹縫5.0° 入射狹縫：1.000 mm 受光狹縫：20.100 mm 受光側狹縫：平行狹縫分析儀(PSA)0.114 deg. 檢測器：多維像素檢測器 Hypix-3000 試樣台：將於透明導電性膜之透明基材經由黏著層貼合玻璃所得之樣本靜置於試樣板(4英吋晶圓試樣板)。 掃描軸：2θ/θ(平面外(Out of Plane)測定) 步進間隔：0.02° 測定速度：0.8°/分鐘 測定範圍：10°～90°

＜比電阻＞ 對於各實施例及各比較例之透明導電層，測定比電阻。具體而言，藉由依照JIS K 7194(1994年)之四端子法，測定透明導電層之表面電阻。其後，藉由將表面電阻值乘以透明導電層之厚度，求出比電阻(Ω・cm)。將其結果示於表1。

＜全光線透過率＞ 對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，使用測霧計(須賀試驗機公司製造，裝置名「HGM-2DP」)，測定全光線透過率。將其結果示於表1。

＜透明導電層內之Kr原子之確認＞ 以如下方式確認各實施例中之各透明導電層含有Kr原子。首先，使用掃描型螢光X射線分析裝置(商品名「ZSX PrimusIV」，Rigaku公司製造)，以下述測定條件反覆進行5次螢光X射線分析測定，並計算各掃描角度之平均值，製成X射線光譜。繼而，於所製成之X射線光譜中，確認到於掃描角度28.2°附近出現峰，藉此確認透明導電層中含有Kr原子。

[測定條件] 光譜：Kr-KA 測定直徑：30 mm 氣氛：真空 靶：Rh 管電壓：50 kV 管電流：60 mA 1次濾波器：Ni40 掃描角度(deg)：27.0～29.5 步進(deg)：0.020 速度(deg/分鐘)：0.75 衰減器：1/1 狹縫：S2 分光晶體：LiF(200) 檢測器：SC PHA(pulse height analysis，脈衝高度分析)：100～300

[表1]

表1
實施例/比較例No.	層構成	透明導電層	(440)面中之X射線繞射峰之積分強度I(440) 相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度I( 222) 之(I(440) /I(222) )	比電阻 (×10- 4 Ω・cm)	全光線透過率 (%)	全光線透過率/比電阻(%/10- 4 Ω・cm)	(222)面中之結晶粒徑 (Å)	(440)面中之結晶粒徑 (Å)
ArITO	KrITO	透明導電層之總厚度(nm)
厚度(nm)	厚度(nm)
實施例1	基材層/KrITO	0	130	130	0.157	1.6	86.9	54.3	372	421
實施例2	基材層/KrITO/ArITO	50	80	130	0.183	1.5	87.1	58.1	373	432
實施例3	基材層/KrITO/ArITO	75	55	130	0.220	1.6	87.1	54.4	364	427
實施例4	基材層/ArITO/KrITO	80	50	130	0.187	1.8	86.7	48.2	357	411
實施例5	基材層/(Kr,Ar)ITO	-	-	145	0.174	1.6	86.7	54.2	423	495
比較例1	基材層/ArITO	130	0	130	0.129	2.3	85.0	37.0	274	319

再者，上述發明作為本發明之例示之實施方式而提供，其僅為單純之例示，不可限定性地進行解釋。該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]

本發明之透明導電層及透明導電性膜例如適宜用於電磁波屏蔽構件、熱線控制構件、加熱器構件、照明、天線構件、觸控感測器裝置及圖像顯示裝置中。

1:透明導電層 2:基材層 3:透明基材 4:功能層 10:含氪透明導電層 11:不含氪透明導電層 20:透明導電性膜 30:附透明導電層膜之物品 31:零件 40:附透明導電層之物品

圖1係表示本發明之透明導電層之第1實施方式之概略圖。 圖2係表示本發明之透明導電性膜之第1實施方式之概略圖。 圖3係表示本發明之透明導電層及透明導電性膜之製造方法之第1實施方式之概略圖。圖3A表示第1工序中準備透明基材之工序。圖3B表示第1工序中將硬塗層配置於透明基材之厚度方向一面之工序。圖3C表示第2工序中將含氪透明導電層配置於基材層之厚度方向一面之第4工序。圖3D表示第2工序中將含氬透明導電層配置於含氪透明導電層之厚度方向一面之第5工序。圖3E表示對透明導電層加熱之第3工序。 圖4係表示非晶性透明導電層之比電阻與氧導入量之關係之圖表。 圖5係表示本發明之透明導電層之第2實施方式之概略圖。 圖6係表示本發明之透明導電性膜之第2實施方式之概略圖。 圖7係表示本發明之透明導電層及透明導電性膜之製造方法之第2實施方式之概略圖。圖7A表示準備基材層之第1工序。圖7B表示將透明導電層配置於基材層之厚度方向一面之第2工序。圖7C表示對透明導電層加熱之第3工序。 圖8係表示附透明導電層膜之物品之一實施方式之概略圖。 圖9係表示附透明導電層之物品之一實施方式之概略圖。

1:透明導電層

10:含氪透明導電層

11:不含氪透明導電層

Claims (5)

1. 一種透明導電層，其含有氪原子，且 (440)面中之X射線繞射峰之積分強度相對於(222)面中之X射線繞射峰之積分強度之比為0.130以上。
2. 如請求項1之透明導電層，其包含銦錫複合氧化物。
3. 如請求項1或2之透明導電層，其比電阻未達2.3×10^-4 Ω・cm。
4. 如請求項1或2之透明導電層，其具有圖案形狀。
5. 一種透明導電性膜，其朝向厚度方向一側依序具備基材層、及如請求項1或2之透明導電層。

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