JPH0555656A - 圧電素子の電極構造 - Google Patents
圧電素子の電極構造Info
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- JPH0555656A JPH0555656A JP3219037A JP21903791A JPH0555656A JP H0555656 A JPH0555656 A JP H0555656A JP 3219037 A JP3219037 A JP 3219037A JP 21903791 A JP21903791 A JP 21903791A JP H0555656 A JPH0555656 A JP H0555656A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半田付けに起因して銀電極が圧電素子から剥離
することを防止する。 【構成】金属板３の上面に銀電極４を接合し、その上面
にＰＺＴ素子５を接合し、更にその上面に別の銀電極６
を接合してその上面にリード線７を半田８により付け
る。各銀電極４，６のＰＺＴ素子５に接合される側をロ
ジウム含有層９，１０とし、各銀電極４，６のＰＺＴ素
子５に接合されない反対側をほぼ純粋の銀よりなる純粋
層１１，１２として各銀電極４，６を２層構造とする。
従って、ロジウム含有層９，１０では、その銀における
錫の拡散速度が低下する。よって、ＰＺＴ素子５に接合
されない純粋層１１，１２では、錫の拡散が良好でリー
ド線７の半田付けが容易となり、ＰＺＴ素子５に接合さ
れるロジウム含有層９，１０では、同層９，１０とＰＺ
Ｔ素子５との界面に錫の拡散が及びにくくなる。
することを防止する。 【構成】金属板３の上面に銀電極４を接合し、その上面
にＰＺＴ素子５を接合し、更にその上面に別の銀電極６
を接合してその上面にリード線７を半田８により付け
る。各銀電極４，６のＰＺＴ素子５に接合される側をロ
ジウム含有層９，１０とし、各銀電極４，６のＰＺＴ素
子５に接合されない反対側をほぼ純粋の銀よりなる純粋
層１１，１２として各銀電極４，６を２層構造とする。
従って、ロジウム含有層９，１０では、その銀における
錫の拡散速度が低下する。よって、ＰＺＴ素子５に接合
されない純粋層１１，１２では、錫の拡散が良好でリー
ド線７の半田付けが容易となり、ＰＺＴ素子５に接合さ
れるロジウム含有層９，１０では、同層９，１０とＰＺ
Ｔ素子５との界面に錫の拡散が及びにくくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば圧力センサ等
に用いられる圧電素子に係り、特にその電極構造に関す
るものである。
に用いられる圧電素子に係り、特にその電極構造に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の技術として、例えば特開
昭６１−２７６２７９号公報においては、圧電素子の両
面に銀（Ａｇ）よりなる銀電極を設けたことが開示され
ている。これら銀電極にはリード線等が半田付けされる
ものであった。
昭６１−２７６２７９号公報においては、圧電素子の両
面に銀（Ａｇ）よりなる銀電極を設けたことが開示され
ている。これら銀電極にはリード線等が半田付けされる
ものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術において、純粋な銀を電極に使用した場合には、
半田付けの際、半田の濡れ性に起因して半田中に含まれ
る錫（Ｓｎ）が銀電極中で拡散し易いものであった。そ
して、錫が銀電極中に拡散して入り込むことにより、銀
電極が体積膨張を起こして応力が発生し、銀電極が圧電
素子の表面から剥離するというおそれがあった。
来技術において、純粋な銀を電極に使用した場合には、
半田付けの際、半田の濡れ性に起因して半田中に含まれ
る錫（Ｓｎ）が銀電極中で拡散し易いものであった。そ
して、錫が銀電極中に拡散して入り込むことにより、銀
電極が体積膨張を起こして応力が発生し、銀電極が圧電
素子の表面から剥離するというおそれがあった。
【０００４】この発明は前述した事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、半田付けに起因して銀電極
が圧電素子から剥離することのない圧電素子の電極構造
を提供することにある。
ものであって、その目的は、半田付けに起因して銀電極
が圧電素子から剥離することのない圧電素子の電極構造
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明においては、圧電素子の表面に銀よりな
る電極を接合してなる電極構造において、電極の圧電素
子に接合される側をロジウム又はパラジウムを含有した
銀より形成し、電極の圧電素子に接合されない反対側を
ロジウム又はパラジウムを含有しない銀より形成して２
層構造の電極としている。
めに、この発明においては、圧電素子の表面に銀よりな
る電極を接合してなる電極構造において、電極の圧電素
子に接合される側をロジウム又はパラジウムを含有した
銀より形成し、電極の圧電素子に接合されない反対側を
ロジウム又はパラジウムを含有しない銀より形成して２
層構造の電極としている。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、圧電素子側の銀にロジウ
ム又はパラジウムを含有させることにより、その銀にお
ける錫の拡散速度が低下することになる。従って、圧電
素子に接合されない側のロジウム又はパラジウムを含ま
ない銀よりなる銀電極では、錫の拡散が良好でリード線
等の半田付けが容易となるが、圧電素子に接合される側
の銀電極では、その銀電極と圧電素子との界面に錫の拡
散が及びにくくなる。
ム又はパラジウムを含有させることにより、その銀にお
ける錫の拡散速度が低下することになる。従って、圧電
素子に接合されない側のロジウム又はパラジウムを含ま
ない銀よりなる銀電極では、錫の拡散が良好でリード線
等の半田付けが容易となるが、圧電素子に接合される側
の銀電極では、その銀電極と圧電素子との界面に錫の拡
散が及びにくくなる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明における圧電素子の電極構造
をノックセンサに具体化した一実施例を図１〜図４に基
づいて詳細に説明する。
をノックセンサに具体化した一実施例を図１〜図４に基
づいて詳細に説明する。
【０００８】図１はこの実施例におけるハウジングを取
り除いた状態のノックセンサ１を示す断面図であり、図
２はその平面図である。このノックセンサ１は支軸２に
水平に組み付けられた円形状の金属板３を備えている。
そして、金属板３の上面には、環状の銀（Ａｇ）よりな
る銀電極４が接合され、その銀電極４の上面には平行研
磨された環状の圧電素子（ＰＺＴ素子）５が接合されて
いる。又、そのＰＺＴ素子５の上面には、同じく環状の
別の銀電極６が接合され、その銀電極６の上面には、支
軸２から延びる一対のリード線７が半田８により付けら
れている。
り除いた状態のノックセンサ１を示す断面図であり、図
２はその平面図である。このノックセンサ１は支軸２に
水平に組み付けられた円形状の金属板３を備えている。
そして、金属板３の上面には、環状の銀（Ａｇ）よりな
る銀電極４が接合され、その銀電極４の上面には平行研
磨された環状の圧電素子（ＰＺＴ素子）５が接合されて
いる。又、そのＰＺＴ素子５の上面には、同じく環状の
別の銀電極６が接合され、その銀電極６の上面には、支
軸２から延びる一対のリード線７が半田８により付けら
れている。
【０００９】この実施例で、各銀電極４，６のＰＺＴ素
子５に接合される側がロジウムを含有した銀より形成さ
れたロジウム含有層９，１０となっている。このロジウ
ム含有層９，１０におけるロジウムの含有率は、「２
％」以上でロジウム含有層９，１０における半田８の濡
れ性が悪くなることから、「２〜１００％」の範囲が適
当であり、好ましくは「３０％」が最適である。又、各
銀電極４，６のＰＺＴ素子５に接合されない反対側、即
ち金属板３側或いは半田付けされる側は、それぞれロジ
ウムを含有しないほぼ純粋の銀より形成された純粋層１
１，１２となっている。即ち、各銀電極４，６はロジウ
ム含有層９，１０と純粋層１１，１２とにより２層構造
をなしている。尚、電極に銀を用いているのは、金（Ａ
ｕ）や白金（Ｐｔ）を用いるよりも安価であるという観
点からである。
子５に接合される側がロジウムを含有した銀より形成さ
れたロジウム含有層９，１０となっている。このロジウ
ム含有層９，１０におけるロジウムの含有率は、「２
％」以上でロジウム含有層９，１０における半田８の濡
れ性が悪くなることから、「２〜１００％」の範囲が適
当であり、好ましくは「３０％」が最適である。又、各
銀電極４，６のＰＺＴ素子５に接合されない反対側、即
ち金属板３側或いは半田付けされる側は、それぞれロジ
ウムを含有しないほぼ純粋の銀より形成された純粋層１
１，１２となっている。即ち、各銀電極４，６はロジウ
ム含有層９，１０と純粋層１１，１２とにより２層構造
をなしている。尚、電極に銀を用いているのは、金（Ａ
ｕ）や白金（Ｐｔ）を用いるよりも安価であるという観
点からである。
【００１０】次に、上記のようなノックセンサ１の製造
工程について説明する。先ず第１工程として、図３に示
すように、平行研磨されたＰＺＴ素子５の上下両面に対
し、銀ペーストを焼き付けて「約５μｍ」の厚さとなる
ようにるロジウム含有層９，１０を印刷する。この銀ペ
ーストには、平均粒径で「０．３μｍ」以下のロジウム
が所定の割合をもって含有されている。このロジウム含
有層９，１０の印刷はＰＺＴ素子５の片面で行って乾燥
させてから、残りの片面で同様に行えばよい。
工程について説明する。先ず第１工程として、図３に示
すように、平行研磨されたＰＺＴ素子５の上下両面に対
し、銀ペーストを焼き付けて「約５μｍ」の厚さとなる
ようにるロジウム含有層９，１０を印刷する。この銀ペ
ーストには、平均粒径で「０．３μｍ」以下のロジウム
が所定の割合をもって含有されている。このロジウム含
有層９，１０の印刷はＰＺＴ素子５の片面で行って乾燥
させてから、残りの片面で同様に行えばよい。
【００１１】次に第２工程では、第１工程と同様の要領
で、図４に示すように、ほぼ純粋な銀ペーストを各ロジ
ウム含有層９，１０の上に焼き付け後「約５μｍ」の厚
さとなるように純粋層１１，１２を印刷し、もって２層
構造の各銀電極４，６とする。
で、図４に示すように、ほぼ純粋な銀ペーストを各ロジ
ウム含有層９，１０の上に焼き付け後「約５μｍ」の厚
さとなるように純粋層１１，１２を印刷し、もって２層
構造の各銀電極４，６とする。
【００１２】第３工程としては、上記のように形成され
た２層構造の銀電極４，６を乾燥させた後、以下のよう
な条件で各銀電極４，６を焼き付ける。即ち、「室温
（ＲＴ）〜７００℃」の範囲では、１時間当たり「３０
０℃」の温度上昇率をもって焼き付け、「７００℃」で
は「１０分間」だけ焼き付け、その後に「７００℃〜Ｒ
Ｔ」の範囲では１時間当たり「３００℃」の温度降下率
をもって焼き付ける。
た２層構造の銀電極４，６を乾燥させた後、以下のよう
な条件で各銀電極４，６を焼き付ける。即ち、「室温
（ＲＴ）〜７００℃」の範囲では、１時間当たり「３０
０℃」の温度上昇率をもって焼き付け、「７００℃」で
は「１０分間」だけ焼き付け、その後に「７００℃〜Ｒ
Ｔ」の範囲では１時間当たり「３００℃」の温度降下率
をもって焼き付ける。
【００１３】続いて第４工程として、下側の銀電極４を
金属板３に接合させ、上側の銀電極６にリード線７を半
田付けして、図１，２に示すようなノックセンサ１を得
ている。
金属板３に接合させ、上側の銀電極６にリード線７を半
田付けして、図１，２に示すようなノックセンサ１を得
ている。
【００１４】上記のように構成したノックセンサ１で
は、金属板３に接合されているＰＺＴ素子５が特有の振
動数に共振して歪み電圧を発生し、その歪み電圧が信号
としてリード線７を介して出力されるようになってい
る。
は、金属板３に接合されているＰＺＴ素子５が特有の振
動数に共振して歪み電圧を発生し、その歪み電圧が信号
としてリード線７を介して出力されるようになってい
る。
【００１５】従って、この実施例のノックセンサ１で
は、各銀電極４，６を構成する一方の純粋層１１，１２
で、錫の拡散が良好で半田８の濡れ性が良く、リード線
７の半田付けが容易となり、通常と変わることのない半
田付けを行うことができる。これに対して、ロジウム含
有層９，１０ではロジウムの含有により錫の拡散速度が
低下することになる。そのため、ＰＺＴ素子５に接合さ
れるロジウム含有層９，１０では、そのロジウム含有層
９，１０とＰＺＴ素子５との界面に錫の拡散が及びにく
くなる。
は、各銀電極４，６を構成する一方の純粋層１１，１２
で、錫の拡散が良好で半田８の濡れ性が良く、リード線
７の半田付けが容易となり、通常と変わることのない半
田付けを行うことができる。これに対して、ロジウム含
有層９，１０ではロジウムの含有により錫の拡散速度が
低下することになる。そのため、ＰＺＴ素子５に接合さ
れるロジウム含有層９，１０では、そのロジウム含有層
９，１０とＰＺＴ素子５との界面に錫の拡散が及びにく
くなる。
【００１６】その結果、錫がロジウム含有層９，１０に
拡散して入り込むことがなくなり、そのロジウム含有層
９，１０が体積膨張を起こして応力を発生することがな
くなる。そのため、各ロジウム含有層９，１０が応力発
生によってＰＺＴ素子５の表面から剥離することを防止
することができる。つまり、半田付けに起因して各銀電
極４，６がＰＺＴ素子５から剥離することを未然に防止
することができ、もってノックセンサ１としての信頼性
を向上させることができる。
拡散して入り込むことがなくなり、そのロジウム含有層
９，１０が体積膨張を起こして応力を発生することがな
くなる。そのため、各ロジウム含有層９，１０が応力発
生によってＰＺＴ素子５の表面から剥離することを防止
することができる。つまり、半田付けに起因して各銀電
極４，６がＰＺＴ素子５から剥離することを未然に防止
することができ、もってノックセンサ１としての信頼性
を向上させることができる。
【００１７】ここで、従来例の圧電素子と本実施例のノ
ックセンサ１について、「−４０〜１３０℃」の条件下
で４０分間の保持による気相冷熱試験を１０００サイク
ルだけ実施した比較結果を説明する。
ックセンサ１について、「−４０〜１３０℃」の条件下
で４０分間の保持による気相冷熱試験を１０００サイク
ルだけ実施した比較結果を説明する。
【００１８】従来例のようにロジウムを含有しない単な
る１層構造の銀電極では、８０％の割合で圧電素子から
剥離を生じた。これに対し、本実施例のノックセンサ１
では、各ロジウム含有層９，１０、各純粋層１１，１２
からなる２層構造の各銀電極４，６がＰＺＴ素子５の表
面から剥離することは全くなく、極めて耐久性に優れて
いることが証明された。
る１層構造の銀電極では、８０％の割合で圧電素子から
剥離を生じた。これに対し、本実施例のノックセンサ１
では、各ロジウム含有層９，１０、各純粋層１１，１２
からなる２層構造の各銀電極４，６がＰＺＴ素子５の表
面から剥離することは全くなく、極めて耐久性に優れて
いることが証明された。
【００１９】尚、この発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一部
を適宜に変更して次のように実施することもできる。 （１）前記実施例では、ロジウム含有層９，１０と純粋
層１１，１２とからなる２層構造の各銀電極４，６を設
けたが、ロジムウの代わりにパラジウムを含有してなる
パラジウム含有層とほぼ銀のみの純粋層とからなる２層
構造の銀電極を設けてもよい。このパラジウム含有層を
設けた場合でも、ロジウム含有層を設けた場合と同様の
効果を得ることができる。
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一部
を適宜に変更して次のように実施することもできる。 （１）前記実施例では、ロジウム含有層９，１０と純粋
層１１，１２とからなる２層構造の各銀電極４，６を設
けたが、ロジムウの代わりにパラジウムを含有してなる
パラジウム含有層とほぼ銀のみの純粋層とからなる２層
構造の銀電極を設けてもよい。このパラジウム含有層を
設けた場合でも、ロジウム含有層を設けた場合と同様の
効果を得ることができる。
【００２０】（２）前記実施例では、圧電素子としての
ＰＺＴ素子５を設けたノックセンサ１に具体化したが、
ノックセンサ以外の圧力センサに具体化してもよい。こ
の場合、圧電素子や各銀電極の形状を適宜に変更しても
よい。
ＰＺＴ素子５を設けたノックセンサ１に具体化したが、
ノックセンサ以外の圧力センサに具体化してもよい。こ
の場合、圧電素子や各銀電極の形状を適宜に変更しても
よい。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、電極の圧電素子に接合される側をロジウム又はパラ
ジウムを含有した銀より形成し、電極の圧電素子に接合
されない反対側をロジウム又はパラジウムを含有しない
銀より形成して２層構造の電極としたので、圧電素子に
接合されない側の銀電極では通常と変わらない半田付け
を行うことができ、圧電素子に接合される側の銀電極で
は錫の拡散速度が低下することになり、半田付けに起因
して銀電極が圧電素子から剥離することを未然に防止す
ることができるという優れた効果を発揮する。
ば、電極の圧電素子に接合される側をロジウム又はパラ
ジウムを含有した銀より形成し、電極の圧電素子に接合
されない反対側をロジウム又はパラジウムを含有しない
銀より形成して２層構造の電極としたので、圧電素子に
接合されない側の銀電極では通常と変わらない半田付け
を行うことができ、圧電素子に接合される側の銀電極で
は錫の拡散速度が低下することになり、半田付けに起因
して銀電極が圧電素子から剥離することを未然に防止す
ることができるという優れた効果を発揮する。
【図１】この発明を具体化した一実施例におけるハウジ
ングを取り除いた状態のノックセンサを示す断面図であ
る。
ングを取り除いた状態のノックセンサを示す断面図であ
る。
【図２】一実施例において同じくハウジングを取り除い
た状態のノックセンサを示す平面図である。
た状態のノックセンサを示す平面図である。
【図３】一実施例においてノックセンサ製造の第１工程
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図４】一実施例においてノックセンサ製造の第２工程
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
４，６…銀電極、５…圧電素子としてのＰＺＴ素子、８
…半田、９，１０…ロジウム含有層、１１，１２…純粋
層。
…半田、９，１０…ロジウム含有層、１１，１２…純粋
層。
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電素子の表面に銀よりなる電極を接合
してなる電極構造において、 前記電極の前記圧電素子に接合される側をロジウム又は
パラジウムを含有した銀より形成し、前記電極の前記圧
電素子に接合されない反対側をロジウム又はパラジウム
を含有しない銀より形成して２層構造の電極としたこと
を特徴とする圧電素子の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219037A JPH0555656A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 圧電素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219037A JPH0555656A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 圧電素子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555656A true JPH0555656A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16729270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219037A Pending JPH0555656A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 圧電素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555656A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045598A1 (en) * | 1998-03-04 | 1999-09-10 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device, ink-jet recording head, method fo manufacture, and printer |
| US6604431B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-08-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for fixing and checking connections of piezoelectric sensor, actuator, and disk unit |
| JP2005039178A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びに液体吐出装置 |
| WO2015005238A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ |
| JP2015017855A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ |
| JP2015068720A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ構造体 |
| JP2018112561A (ja) * | 2012-06-06 | 2018-07-19 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3219037A patent/JPH0555656A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045598A1 (en) * | 1998-03-04 | 1999-09-10 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device, ink-jet recording head, method fo manufacture, and printer |
| US6604431B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-08-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for fixing and checking connections of piezoelectric sensor, actuator, and disk unit |
| JP2005039178A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びに液体吐出装置 |
| JP4593905B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びに液体吐出装置 |
| JP2018112561A (ja) * | 2012-06-06 | 2018-07-19 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| WO2015005238A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ |
| JP2015017855A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ |
| JP2015068720A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 積水化学工業株式会社 | 圧電センサ構造体 |
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