JPH0897072A - 積層セラミックチップ型電子部品 - Google Patents
積層セラミックチップ型電子部品Info
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- JPH0897072A JPH0897072A JP6261518A JP26151894A JPH0897072A JP H0897072 A JPH0897072 A JP H0897072A JP 6261518 A JP6261518 A JP 6261518A JP 26151894 A JP26151894 A JP 26151894A JP H0897072 A JPH0897072 A JP H0897072A
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- electrode layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板上に半田付け実装してもクラックの
ない、かつ容易に生産可能な積層セラミックチップ型電
子部品を提供すること。 【構成】 積層セラミック体１の内部電極２の取り出し
端面に、外部電極１０を形成するチップ型電子部品であ
って、前記セラミック体１の端面に第１電極層３と第２
電極層４を形成し、かつ第１電極層３と第２電極層４と
の上にめっき層５を形成する。前記第１電極層３はガラ
スフリットを１０〜５０重量％含有する導電ペーストか
らなり、第２電極層４はガラスフリットを含有しない導
電ペーストからなる。
ない、かつ容易に生産可能な積層セラミックチップ型電
子部品を提供すること。 【構成】 積層セラミック体１の内部電極２の取り出し
端面に、外部電極１０を形成するチップ型電子部品であ
って、前記セラミック体１の端面に第１電極層３と第２
電極層４を形成し、かつ第１電極層３と第２電極層４と
の上にめっき層５を形成する。前記第１電極層３はガラ
スフリットを１０〜５０重量％含有する導電ペーストか
らなり、第２電極層４はガラスフリットを含有しない導
電ペーストからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップコンデンサ・チ
ップ抵抗・チップインダクタ・チップバリスタ等のよう
に、セラミック体の内部電極取り出し端面にチップ端子
電極を形成して構成される積層セラミックチップ型電子
部品に関するものである。
ップ抵抗・チップインダクタ・チップバリスタ等のよう
に、セラミック体の内部電極取り出し端面にチップ端子
電極を形成して構成される積層セラミックチップ型電子
部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ型電子部品におい
ては、セラミック体に内部電極及び外部電極を施したチ
ップコンデンサがある。図３に示すように、そのチップ
コンデンサの外部電極１０として、銀（Ａｇ）もしくは
銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）にガラスフリットを含
有した電極材料を用い、この電極材料を塗布・焼き付け
処理して第１電極層３を形成し、外部電極としている。
さらに、外部電極表面を機械的・化学的にエッチングし
て、その外部電極表面の全面に、半田食われを防止し、
半田の漏れ性を良好にするために、ニッケル１〜２μｍ
−半田（錫／鉛）２μｍ以上のめっき層５が形成されて
いる。
ては、セラミック体に内部電極及び外部電極を施したチ
ップコンデンサがある。図３に示すように、そのチップ
コンデンサの外部電極１０として、銀（Ａｇ）もしくは
銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）にガラスフリットを含
有した電極材料を用い、この電極材料を塗布・焼き付け
処理して第１電極層３を形成し、外部電極としている。
さらに、外部電極表面を機械的・化学的にエッチングし
て、その外部電極表面の全面に、半田食われを防止し、
半田の漏れ性を良好にするために、ニッケル１〜２μｍ
−半田（錫／鉛）２μｍ以上のめっき層５が形成されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、その上記積
層セラミックチップ型電子部品は回路基板上に実装する
際、ニッケルおよび半田めっき層５が外部電極１０の全
面に形成されているため、半田付け等の熱による熱伸縮
応力やめっき皮膜の引っ張り応力（特にＮｉ）等が応力
集中することにより、セラミック体１と接する外部電極
１０周縁部の先端にクラック（ひび割れ）８を発生させ
るという問題があった。その該クラック８を解消するた
めに、外部電極１０のガラスフリットを含有した第１電
極層の表面を外部電極１０の周縁部以外の一部分のみを
エッチングしてめっき層５を形成する方法や、セラミッ
ク体１と接する外部電極１０の周縁部分にマスキングを
施して、めっき形成処理後にマスキングを取り除く方
法、セラミック体と接する外部電極周縁部分を樹脂皮膜
で被覆してめっき皮膜を形成させない方法等により、セ
ラミック体と接する外部電極周縁部の先端にめっき層を
形成させないことで解消していたが、作業内容も複雑
で、生産効率が低下するという問題があった。
層セラミックチップ型電子部品は回路基板上に実装する
際、ニッケルおよび半田めっき層５が外部電極１０の全
面に形成されているため、半田付け等の熱による熱伸縮
応力やめっき皮膜の引っ張り応力（特にＮｉ）等が応力
集中することにより、セラミック体１と接する外部電極
１０周縁部の先端にクラック（ひび割れ）８を発生させ
るという問題があった。その該クラック８を解消するた
めに、外部電極１０のガラスフリットを含有した第１電
極層の表面を外部電極１０の周縁部以外の一部分のみを
エッチングしてめっき層５を形成する方法や、セラミッ
ク体１と接する外部電極１０の周縁部分にマスキングを
施して、めっき形成処理後にマスキングを取り除く方
法、セラミック体と接する外部電極周縁部分を樹脂皮膜
で被覆してめっき皮膜を形成させない方法等により、セ
ラミック体と接する外部電極周縁部の先端にめっき層を
形成させないことで解消していたが、作業内容も複雑
で、生産効率が低下するという問題があった。
【０００４】本発明は、回路基板上に半田付け実装して
もクラック（ひび割れ）のない、かつ容易に生産可能な
積層セラミックチップ型電子部品を提供することを目的
としている。
もクラック（ひび割れ）のない、かつ容易に生産可能な
積層セラミックチップ型電子部品を提供することを目的
としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決・改善するために、外部電極を２層構造として、即
ち、第１電極層として銀（Ａｇ）、もしくは銀（Ａｇ）
−パラジウム（Ｐｄ）にガラスフリット１０〜５０重量
％を含有した電極材料をセラミック体の端面からその端
面と接する周縁部に形成した後、第２電極層としてガラ
スフリットを含有しない電極材料を端面と接する周縁部
を除く端面部のみに形成し、第２電極層のみにめっき層
を形成して積層セラミックチップ型電子部品を構成した
ものである。
決・改善するために、外部電極を２層構造として、即
ち、第１電極層として銀（Ａｇ）、もしくは銀（Ａｇ）
−パラジウム（Ｐｄ）にガラスフリット１０〜５０重量
％を含有した電極材料をセラミック体の端面からその端
面と接する周縁部に形成した後、第２電極層としてガラ
スフリットを含有しない電極材料を端面と接する周縁部
を除く端面部のみに形成し、第２電極層のみにめっき層
を形成して積層セラミックチップ型電子部品を構成した
ものである。
【０００６】本発明によれば、積層セラミック体の内部
電極取り出し端面に、この端面を覆って外部電極が形成
される積層セラミックチップ型電子部品において、前記
端面に施された第１電極層と、その第１電極層の上に設
けられた第２電極層とで外部電極が構成され、かつ第１
電極層はガラスフリットを含有する導電ペーストからな
り、かつ第２電極層の端縁部は、第１電極層上に存在
し、第２電極層はガラスフリットを含有しない導電ペー
ストからなる外部電極を形成し、めっきを施してなるこ
とを特徴とする積層セラミックチップ型電子部品が得ら
れる。
電極取り出し端面に、この端面を覆って外部電極が形成
される積層セラミックチップ型電子部品において、前記
端面に施された第１電極層と、その第１電極層の上に設
けられた第２電極層とで外部電極が構成され、かつ第１
電極層はガラスフリットを含有する導電ペーストからな
り、かつ第２電極層の端縁部は、第１電極層上に存在
し、第２電極層はガラスフリットを含有しない導電ペー
ストからなる外部電極を形成し、めっきを施してなるこ
とを特徴とする積層セラミックチップ型電子部品が得ら
れる。
【０００７】又、本発明によれば、上記外部電極の一部
端面にニッケルめっき層と該ニッケルめっき層を覆う半
田層とによりチップ端子電極を形成したことを特徴とす
る積層セラミックチップ型電子部品が得られる。
端面にニッケルめっき層と該ニッケルめっき層を覆う半
田層とによりチップ端子電極を形成したことを特徴とす
る積層セラミックチップ型電子部品が得られる。
【０００８】
【作用】ガラスフリットを含有する第１電極層上には、
めっき皮膜を形成することができないが、第２電極層の
形成は容易に可能である。第２電極層は、ガラスフリッ
トを含有しないため、めっき皮膜を容易に形成すること
が可能である。セラミック体端面と接する周縁部に形成
された第１電極層には、ガラスフリットを含有するた
め、めっき形成処理を施した際に、めっき皮膜が形成さ
れないため、端面と接する周縁部を除く端面のみに形成
されたガラスフリットを含有しない第２電極層だけに形
成されることになる。これにより、回路基板実装の際の
半田付け等の熱による熱伸縮応力やめっき皮膜の引っ張
り応力等が、セラミック体と接する外部電極周縁部の先
端に応力集中せずに応力緩和されてクラックが発生しな
くなる。めっき皮膜を形成するために、第１電極層の表
面エッチングが不要で、第２電極層を設けるのみでもよ
いため、生産性が向上する。
めっき皮膜を形成することができないが、第２電極層の
形成は容易に可能である。第２電極層は、ガラスフリッ
トを含有しないため、めっき皮膜を容易に形成すること
が可能である。セラミック体端面と接する周縁部に形成
された第１電極層には、ガラスフリットを含有するた
め、めっき形成処理を施した際に、めっき皮膜が形成さ
れないため、端面と接する周縁部を除く端面のみに形成
されたガラスフリットを含有しない第２電極層だけに形
成されることになる。これにより、回路基板実装の際の
半田付け等の熱による熱伸縮応力やめっき皮膜の引っ張
り応力等が、セラミック体と接する外部電極周縁部の先
端に応力集中せずに応力緩和されてクラックが発生しな
くなる。めっき皮膜を形成するために、第１電極層の表
面エッチングが不要で、第２電極層を設けるのみでもよ
いため、生産性が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】セラミック粉末に鉛系ペロブスカイトセラ
ミック、内部電極にＡｇ−Ｐｄ系を用いた。セラミック
シートと内部電極を形成したセラミックシートを複数枚
積層して１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で熱圧着し
て、図２（ａ）のように、対向端面２ａ・２ｂに内部電
極が引き出されるようにセラミック体１を形成する。
ミック、内部電極にＡｇ−Ｐｄ系を用いた。セラミック
シートと内部電極を形成したセラミックシートを複数枚
積層して１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で熱圧着し
て、図２（ａ）のように、対向端面２ａ・２ｂに内部電
極が引き出されるようにセラミック体１を形成する。
【００１１】次に、図２（ｂ）に示すように、ガラスフ
リットを含有するＡｇペーストを対向端面２ａ・２ｂ
と、それらと接する周縁部９に塗布し、６００〜８００
℃で焼き付けして第１電極層３を形成する。
リットを含有するＡｇペーストを対向端面２ａ・２ｂ
と、それらと接する周縁部９に塗布し、６００〜８００
℃で焼き付けして第１電極層３を形成する。
【００１２】さらに、図３（ｃ）に示すように、ガラス
フリットを含有しないＡｇペーストを対向端面２ａ・２
ｂのみに塗布形成し（この時、周縁部９に若干回り込ま
せる）、６００〜８００℃で焼き付けして第２電極層４
を形成する。
フリットを含有しないＡｇペーストを対向端面２ａ・２
ｂのみに塗布形成し（この時、周縁部９に若干回り込ま
せる）、６００〜８００℃で焼き付けして第２電極層４
を形成する。
【００１３】これにより、図１に示すように、第１電極
層３および第２電極層４からなる外部電極１０ができ上
がる。
層３および第２電極層４からなる外部電極１０ができ上
がる。
【００１４】最後に、外部電極１０の表面にニッケルめ
っきを施した後、半田めっきを施してめっき層５を形成
し、チップコンデンサが完成する。この時、第２電極層
により覆われない第１電極層には、めっき皮膜は形成さ
れない。
っきを施した後、半田めっきを施してめっき層５を形成
し、チップコンデンサが完成する。この時、第２電極層
により覆われない第１電極層には、めっき皮膜は形成さ
れない。
【００１５】表１は、本発明の外部電極構造のチップ型
電子部品と従来の外部電極構造のチップ型電子部品とを
クラック発生頻度で比較試験したものである。試料とし
て、幅１.６ｍｍ、長さ３.２ｍｍ、厚さ１.０ｍｍの実
施例品チップコンデンサ、および同等形状の従来例品チ
ップコンデンサを準備した。
電子部品と従来の外部電極構造のチップ型電子部品とを
クラック発生頻度で比較試験したものである。試料とし
て、幅１.６ｍｍ、長さ３.２ｍｍ、厚さ１.０ｍｍの実
施例品チップコンデンサ、および同等形状の従来例品チ
ップコンデンサを準備した。
【００１６】
【表１】
【００１７】なお、比較試験は、厚さ１.５ｍｍのアル
ミナ回路基板にリフローおよびフロー方式の半田付け実
装させ、各チップコンデンサ５０についてクラック発生
頻度について断面研磨した後、研磨面を観察して行っ
た。また、−５５℃〜＋１２５℃の温度サイクルを１０
回加えた試料について同様に調査した。
ミナ回路基板にリフローおよびフロー方式の半田付け実
装させ、各チップコンデンサ５０についてクラック発生
頻度について断面研磨した後、研磨面を観察して行っ
た。また、−５５℃〜＋１２５℃の温度サイクルを１０
回加えた試料について同様に調査した。
【００１８】このような本比較試験からも明かなよう
に、本発明の積層セラミックチップ型電子部品は、従来
の積層セラミックチップ型電子部品に比べて、回路基板
に半田付け実装時の半田付け等の熱による熱伸縮応力
や、めっき皮膜の引っ張り応力等に対して、優れた性能
を発揮する。
に、本発明の積層セラミックチップ型電子部品は、従来
の積層セラミックチップ型電子部品に比べて、回路基板
に半田付け実装時の半田付け等の熱による熱伸縮応力
や、めっき皮膜の引っ張り応力等に対して、優れた性能
を発揮する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、めっき
処理を施しても周縁部にめっき皮膜が形成されないた
め、従来品のような半田付け実装した時の周縁部の先端
への応力集中（熱による熱伸縮応力およびめっき皮膜の
引っ張り応力）が緩和されて、セラミック体への影響が
小さくなり、そのため、これらの応力に起因するクラッ
ク等の破損がなくなり、積層セラミックチップ型電子部
品を実装した基板の信頼性が向上する。かつ、第２電極
層を設けるのに機械的・化学的な研削処理やマスキング
のような複雑作業も必要とせず、この第２電極層にクラ
ックを発生させないめっき皮膜を形成できるので、生産
性も向上する。
処理を施しても周縁部にめっき皮膜が形成されないた
め、従来品のような半田付け実装した時の周縁部の先端
への応力集中（熱による熱伸縮応力およびめっき皮膜の
引っ張り応力）が緩和されて、セラミック体への影響が
小さくなり、そのため、これらの応力に起因するクラッ
ク等の破損がなくなり、積層セラミックチップ型電子部
品を実装した基板の信頼性が向上する。かつ、第２電極
層を設けるのに機械的・化学的な研削処理やマスキング
のような複雑作業も必要とせず、この第２電極層にクラ
ックを発生させないめっき皮膜を形成できるので、生産
性も向上する。
【図１】本発明のチップ型電子部品の断面図。
【図２】本発明の実施例のチップ型電子部品の製造工程
を示す説明図。図２（ａ）はセラミック体の外観斜視
図。図２（ｂ）は第１電極層を設けたセラミック体の外
観斜視図。図２（ｃ）は第１および第２電極層を設けた
セラミック体の外観斜視図。
を示す説明図。図２（ａ）はセラミック体の外観斜視
図。図２（ｂ）は第１電極層を設けたセラミック体の外
観斜視図。図２（ｃ）は第１および第２電極層を設けた
セラミック体の外観斜視図。
【図３】従来のチップ型電子部品の回路基板実装断面
図。
図。
１ セラミック体 ２ 内部電極 ２ａ，２ｂ 端面 ３ （ガラスフリットを含有した）第１電極層 ４ （ガラスフリットを含有しない）第２電極層 ５ めっき層 ６ 実装半田 ７ アルミナ基板 ８ クラック ９ 周縁部 １０ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 積層セラミック体の内部電極取り出し端
面に、この端面を覆って外部電極が形成される積層セラ
ミックチップ型電子部品において、前記端面に施された
第１電極層と、その第１電極層の上に設けられた第２電
極層とで外部電極が構成され、かつ第１電極層はガラス
フリットを含有する導電ペーストからなり、かつ第２電
極層の端縁部は、第１電極層上に存在し、第２電極層は
ガラスフリットを含有しない導電ペーストからなる外部
電極を形成し、めっきを施してなることを特徴とする積
層セラミックチップ型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載の外部電極の一部端面にニ
ッケルめっき層と該ニッケルめっき層を覆う半田層とに
よりチップ端子電極を形成したことを特徴とする積層セ
ラミックチップ型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261518A JPH0897072A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 積層セラミックチップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261518A JPH0897072A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 積層セラミックチップ型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897072A true JPH0897072A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17363022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261518A Pending JPH0897072A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 積層セラミックチップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897072A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294239A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2008071926A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| JP2009033101A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2010165910A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| US7808770B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
| JP4682426B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-05-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2013106035A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US8553390B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-10-08 | Tdk Corporation | Ceramic electronic component |
| JP2020155719A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP6261518A patent/JPH0897072A/ja active Pending
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2020155719A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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