JPH10294239A - 積層セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10294239A JPH10294239A JP9102854A JP10285497A JPH10294239A JP H10294239 A JPH10294239 A JP H10294239A JP 9102854 A JP9102854 A JP 9102854A JP 10285497 A JP10285497 A JP 10285497A JP H10294239 A JPH10294239 A JP H10294239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- paste
- internal electrode
- multilayer ceramic
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
ミック電子部品の耐湿性を向上させる。 【解決手段】 ガラスおよび金属を含有し、これらガラ
スおよび金属の合計に対して金属を5〜50 vol%含有
する、ガラスペースト18を、セラミック積層体12の
端面13上に付与した後、導電性ペースト19を付与
し、これらガラスペースト18および導電性ペースト1
9を同時に焼き付けてガラス層16および外部電極14
を形成するとともに、当該焼付け時の温度を利用して、
内部電極15の端縁からガラス層16を貫通してガラス
層16の表面にまで届くように、ガラスペースト18中
の金属をカーケンダール効果に基づき移動させることに
よって内部電極15を延長し、この延長部17を外部電
極14に接触させる。
Description
電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、積
層セラミック電子部品に備える内部電極と外部電極との
接続部分の構造および接続部分の接続方法に関するもの
である。
層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部
品は、部品本体としてのセラミック積層体を備え、この
セラミック積層体のたとえば端面の上には、外部電極が
形成されている。また、セラミック積層体の内部には、
外部電極と接続される内部電極が形成されている。
2〜10wt%程度含有する導電性ペーストをセラミック
積層体の端面のような所定の面上に付与し、次いで焼き
付けることによって形成される。
ような外部電極の形成方法によると、以下のような問題
に遭遇することがある。図3は、この問題を説明するた
めのもので、積層セラミック電子部品の一例としての積
層セラミックコンデンサ1の一部を拡大して示す断面図
である。図3には、セラミック積層体2と、このセラミ
ック積層体2の内部に形成された内部電極3と、セラミ
ック積層体2の端面4の上に形成された外部電極5とが
図示されている。
ストの焼付けによって形成したとき、セラミック積層体
2の端面4上であって、内部電極3の端縁が位置する部
分において、外部電極5側に空洞6が不所望にも生じる
ことがある。これは、導電性ペースト中の金属が、カー
ケンダール効果と呼ばれる現象に基づき、導電性ペース
トに接する内部電極3の端縁上に移動することによっ
て、内部電極3の端縁を端面4から突出させるように内
部電極3を成長させ、その結果生じた内部電極3の延長
部7が外部電極5の一部を突き上げるためであると考え
られている。
コンデンサ1は、耐湿性が劣り、たとえば外部電極5上
に電気めっきを施したとき、めっき液が空洞6からセラ
ミック積層体2内に浸入したり、あるいは、高湿雰囲気
中に置かれたとき、水分が空洞6からセラミック積層体
2内に浸入したりして、絶縁抵抗等の特性劣化を招くこ
とがある。
な問題を解決し得る、積層セラミック電子部品およびそ
の製造方法を提供しようとすることである。
ミック電子部品は、セラミック積層体とこのセラミック
積層体の所定の面の上に形成される外部電極とを備え、
セラミック積層体の内部には、外部電極と接続される内
部電極が形成された、積層セラミック電子部品に向けら
れるものであって、上述した技術的課題を解決するた
め、セラミック積層体の前記した所定の面上には、ガラ
ス層が形成され、内部電極が、このガラス層を貫通して
外部電極に接続されていることを特徴としている。
部品の製造方法は、上述した技術的課題を解決するた
め、次のような工程を備えることを特徴としている。す
なわち、内部に内部電極が形成され、かつこの内部電極
の端縁が所定の面上に露出している、セラミック積層体
を用意するとともに、ガラスおよび金属を含有し、これ
らガラスおよび金属の合計に対して金属を5〜50 vol
%含有する、ガラスペーストを用意する。
ガラスペーストを付与した後、このガラスペーストを焼
き付けてガラス層をセラミック積層体の所定の面上に形
成するとともに、当該焼付け時の温度を利用して、内部
電極の端縁からガラス層を貫通して当該ガラス層の表面
にまで届くように、ガラスペースト中の金属をカーケン
ダール効果に基づき移動させることによって内部電極を
延長する。
されるべき外部電極を形成する。この発明において、外
部電極の形成方法に関して、次のようないくつかの態様
がある。外部電極は、まず大別して、焼付けにより形成
する方法と乾式めっきにより形成する方法とがある。
記したガラスペースト中の金属含有率より多い含有率を
もって金属を含有する導電性ペーストが用いられる。こ
の場合、第1の態様では、ガラスペーストを焼き付ける
工程の前に、セラミック積層体の所定の面上に付与され
たガラスペーストの上に導電性ペーストを付与し、ガラ
スペーストを焼き付ける工程において、導電性ペースト
をも同時に焼き付けることが行なわれ、第2の態様で
は、ガラスペーストを焼き付ける工程の後に、セラミッ
ク積層体の所定の面上に形成されたガラス層の上に導電
性ペーストを付与し、次いで導電性ペーストを焼き付け
ることが行なわれる。
法では、ガラスペーストを焼き付ける工程の後に、外部
電極が、ガラス層の上に乾式めっきにより形成される。
よる積層セラミック電子部品およびその製造方法を説明
するためのもので、(1)〜(3)において、この製造
方法に含まれる代表的な工程を順次示している。なお、
この実施形態は、積層セラミック電子部品の一例として
の積層セラミックコンデンサの製造方法に向けられ、図
1(3)には、完成された積層セラミックコンデンサ1
1の一部が拡大されて断面図で示されている。
ックコンデンサ11の構造について説明する。積層セラ
ミックコンデンサ11は、セラミック積層体12とこの
セラミック積層体12の端面13の上に形成される外部
電極14とを備え、セラミック積層体12の内部には、
外部電極14と接続される内部電極15が形成されてい
る。ここまでの構成は、従来の積層セラミックコンデン
サと同様である。
ラミック積層体12の端面13上には、ガラス層16が
形成される。そして、上述した内部電極15は、図解的
に示すように、ガラス層16を貫通して外部電極14と
接続されるようにするための延長部17を有している。
このような積層セラミックコンデンサ11は、次のよう
にして製造することができる。
部電極15が形成され、かつこの内部電極15の端縁が
端面13上に露出している、セラミック積層体12が用
意される。他方、ガラスおよび金属を含有し、これらガ
ラスおよび金属の合計に対して金属を5〜50 vol%含
有する、ガラスペースト18が用意され、このガラスペ
ースト18が、同じく図1(1)に示すように、セラミ
ック積層体12の端面13上に付与される。
より多い含有率をもって金属を含有する導電性ペースト
19が用意され、この導電性ペースト19が、図1
(2)に示すように、ガラスペースト18の上に付与さ
れる。次いで、焼付け工程が実施される。この焼付け工
程において、ガラスペースト18が焼き付けられて、図
1(3)に示すように、前述したガラス層16が形成さ
れるとともに、導電性ペースト19も焼き付けられて、
前述した外部電極14が形成される。
は、次のような現象も生じることである。すなわち、こ
の焼付け時の温度によって、ガラスペースト18中の金
属がカーケンダール効果に基づき移動する。それによっ
て、この金属は、内部電極15の端縁からガラス層16
を貫通してこのガラス層16の表面にまで届く延長部1
7を形成するように、内部電極15の端縁上で成長す
る。内部電極15のこの延長部17が外部電極14に接
触し、内部電極15と外部電極14との接続が達成され
る。
原因として考えられていたカーケンダール効果をむしろ
有利に利用することによって、内部電極15の延長部1
7をガラス層16内に形成することができ、この延長部
17によりガラス層16を通して内部電極15と外部電
極14とを接続することができる。しかも、このような
カーケンダール効果による延長部17の成長時には、図
3に示したような空洞6は生じない。なぜなら、セラミ
ック積層体12の端面13に接するガラスペースト18
ないしはガラス層16はガラスリッチであるとともに、
ガラスペースト18ないしはガラス層16と導電性ペー
スト19ないしは外部電極14との境界では、この境界
を介して両側にガラスが存在するので、焼付け工程にお
いて、ガラスが空洞を埋めるように有利に回り込むため
である。
金属は、導電性ペースト19に含有される金属と同種で
あることが好ましい。また、ガラスペースト18に含有
される金属としては、内部電極15に含まれる金属と合
金化するとともに、内部電極15に対する拡散速度の比
較的速いものが有利に用いられる。たとえば、内部電極
15がPdを含む場合、ガラスペースト18に含有され
る金属としては、Agが有利に用いられ、内部電極15
がNiを含む場合、ガラスペースト18に含有される金
属としては、Cuが有利に用いられる。
ペースト18を焼き付ける工程の前に、図1(2)に示
すように、ガラスペースト18の上に導電性ペースト1
9を付与し、ガラスペースト18を焼き付ける工程にお
いて、導電性ペースト19をも同時に焼き付けることが
行なわれたが、これに代えて、図1(1)に示すよう
に、ガラスペースト18をセラミック積層体12の端面
13上に付与しただけの段階で、ガラスペースト18を
焼き付けて、ガラス層16を形成するとともに、延長部
17を形成し、その後、このガラス層16の上に導電性
ペースト19を付与し、次いで再び焼付け工程を実施す
ることによって、この導電性ペースト19を焼き付け
て、外部電極14を形成するようにしてもよい。
層セラミックコンデンサ11aおよびその製造方法を説
明するための図1に相当する図である。なお、図2にお
いて、図1に示した要素に相当する要素には、同様の参
照符号を付し、重複する説明は省略する。まず、図2
(3)に示すように、積層セラミックコンデンサ11a
の実質的な構造については、図1(3)に示した積層セ
ラミックコンデンサ11と同様である。この実施形態で
は、積層セラミックコンデンサ11aの外部電極14a
が、焼付けによるのではなく、乾式めっきによって形成
されたものであることを特徴としている。
aは、次のようにして製造することができる。まず、図
1を参照して前述した実施形態の場合と同様、図2
(1)に示すように、内部に内部電極15が形成され、
かつこの内部電極15の端縁が端面13上に露出してい
る、セラミック積層体12が用意されるとともに、ガラ
スおよび金属を含有し、これらガラスおよび金属の合計
に対して金属を5〜50 vol%含有する、ガラスペース
ト18が用意され、このガラスペースト18が、セラミ
ック積層体12の端面13上に付与される。
て、図2(2)に示すように、ガラス層16が形成され
る。このとき、焼付け時の温度によって、ガラスペース
ト18中の金属がカーケンダール効果に基づき移動す
る。それによって、この金属は、内部電極15の端縁か
らガラス層16を貫通してこのガラス層16の表面にま
で届く延長部17を形成する。
まで完全に届くことを確実にするため、必要に応じて、
たとえば、フッ化水素ガスによるリアクティブエッチン
グ等を、以下に説明する工程の前処理として実施するよ
うにしてもよい。次に、図2(3)に示すように、外部
電極14aが、たとえばスパッタリング、蒸着、イオン
プレーティング等の乾式めっきにより、ガラス層16の
上に形成される。このとき、外部電極14aは、ガラス
層16の表面上で内部電極15の延長部17に接触し、
内部電極15と外部電極14aとの接続が達成される。
ましい金属としては、図1に示した実施形態と同様の要
領で選択することができる。この発明は、上述したよう
な積層セラミックコンデンサに限らず、セラミック積層
体とこのセラミック積層体の所定の面の上に形成される
外部電極とを備え、セラミック積層体の内部には、外部
電極と接続される内部電極が形成された、積層セラミッ
ク電子部品であれば、積層セラミックバリスタ、積層型
セラミックフィルタ、セラミック多層回路基板等、どの
ような積層セラミック電子部品に対しても適用すること
ができる。
実施した実験例について説明する。
層体を用意した。他方、以下の表1に示すような組成を
有するガラスペーストを用意した。
ト中におけるAgおよびガラスの合計に対するAg量お
よびガラス量の各々を vol%で示している。また、ガラ
スとしては、ホウケイ酸亜鉛系ガラスであって、軟化点
600℃のものを用いた。
面上に、表1に示したガラスペーストを塗布し、乾燥さ
せた。このガラスペーストの厚みは、乾燥後において、
15μmとなるようにした。次いで、ガラスペースト上
に、Ag量95 vol%およびガラス量5 vol%の導電性
ペーストを塗布し、乾燥させた。次いで、800℃で1
0分間の熱処理工程を実施し、導電性ペーストおよびガ
ラスペーストを同時に焼き付けて、セラミック積層体の
端面上にガラス層を介して外部電極を形成するととも
に、ガラスペーストにAgを含有する試料にあっては、
内部電極に延長部を形成するようにした。
気めっきを順次施し、積層セラミックコンデンサを完成
させた。得られた積層セラミックコンデンサの各試料5
0個について、温度130℃、相対湿度100%、2.
7気圧の雰囲気下で、1WVの電圧を100時間印加し
た後の絶縁抵抗(IR)を測定し、IRが劣化した試料
数を求めた。また、内部電極と外部電極との接合状態も
観察した。これら接合状態およびIR劣化数が、以下の
表2に示されている。
が接合しなかったため、IRを測定しなかった。
0 vol%含有した試料2〜4によれば、熱処理により、
内部電極のPdへのAgの拡散が適正に生じ、内部電極
の延長部がガラス層の表面にまで届くようになり、内部
電極と外部電極との接続が可能となることがわかる。こ
れに対して、試料1のように、ガラスペーストにAgを
含有しないものでは、内部電極と外部電極との接続が達
成されなかった。
60 vol%というように50 vol%を超えてAgを含有
する場合には、空洞を生じることを防ぎ得ず、耐湿性が
劣り、IRの劣化したものが見られた。
層体を用意した。他方、以下の表3に示すような組成を
有するガラスペーストを用意した。
と同様の要領で示され、また、ガラスとしては、実験例
1と同様のものを用いた。
に、セラミック積層体の端面上に、表3に示したガラス
ペーストを塗布し、乾燥させた。次いで、800℃で1
0分間の熱処理工程を実施し、ガラスペーストを焼き付
けて、セラミック積層体の端面上にガラス層を形成する
とともに、ガラスペーストにAgを含有する試料にあっ
ては、内部電極に延長部を形成するようにした。
ないものも用意した。次いで、試料6〜11について
は、ガラス層上に、また、試料12については、セラミ
ック積層体の端面上に、それぞれ、Ni−Cr、N
i−Cu、Agの順にスパッタリングを実施して各
0.5μmの厚みを有する多層膜を形成し、このスパッ
タリング多層膜を外部電極とする積層セラミックコンデ
ンサを完成させた。
料50個について、温度130℃、相対湿度100%、
2.7気圧の雰囲気下で、1WVの電圧を250時間印
加した後の絶縁抵抗(IR)を測定し、IRが劣化した
試料数を求めた。また、内部電極と外部電極との接合状
態も観察した。これら接合状態およびIR劣化数が、以
下の表4に示されている。
が接合不良であったため、IRを測定しなかった。
0 vol%含有した試料7〜10によれば、熱処理によ
り、内部電極のPdへのAgの拡散が適正に生じ、内部
電極の延長部がガラス層の表面にまで届くようになり、
内部電極と外部電極との接続が可能となることがわか
る。これに対して、試料6のように、ガラスペーストに
Agを含有しないものでは、内部電極と外部電極との接
合不良が生じた。
に60 vol%というように50 vol%を超えてAgを含
有する場合には、熱処理により過剰なAg同士が焼結し
て、ガラス層がマトリクス構造をとるようになってポー
ラスな構造となってしまい、耐湿性が劣り、IRの劣化
したものが見られた。
ミック電子部品によれば、セラミック積層体の所定の面
上には、ガラス層が形成され、内部電極が、このガラス
層を貫通して外部電極に接続されているので、積層セラ
ミック電子部品の耐湿性を高めることができる。
部品の製造方法によれば、ガラスおよび金属を含有し、
これらガラスおよび金属の合計に対して金属を5〜50
vol%含有する、ガラスペーストが用意され、セラミッ
ク積層体の所定の面上にこのガラスペーストを付与した
後、焼き付けて、ガラス層を形成するとともに、この焼
付け時の温度を利用して、内部電極の端縁からガラス層
を貫通してガラス層の表面にまで届くように、ガラスペ
ースト中の金属をカーケンダール効果に基づき移動させ
ることによって内部電極を延長することが行なわれるの
で、上述したようなセラミック積層体の内部電極が外部
電極と接続される面上にガラス層が形成された、耐湿性
に優れた積層セラミック電子部品を能率的に製造するこ
とができる。
性ペーストの焼付けにより形成する場合であって、導電
性ペーストを付与することを、ガラスペーストを焼き付
ける前に行ない、ガラスペーストを焼き付ける工程にお
いて、導電性ペーストをも同時に焼き付けるようにする
と、焼付け工程を1回実施するだけでよく、したがっ
て、工程数を少なくすることができるとともに、焼付け
に要するエネルギーコスト等を節減することができる。
する前に、ガラスペーストの焼付けを終えておけば、ガ
ラスペーストの焼付け時に形成されるべき内部電極の延
長部が適正にガラス層の表面にまで届いているかの確認
を容易にすることができるとともに、延長部が適正に形
成されていない場合には、延長部をガラス層の表面にま
で届くようにするための補助的な処置を容易に施すこと
ができ、製品の歩留りを向上させることができる。
ンデンサ11およびその製造方法を説明するためのもの
で、(1)〜(3)において、この製造方法に含まれる
代表的な工程を順次示している。
コンデンサ11aおよびその製造方法を説明するための
もので、(1)〜(3)において、この製造方法に含ま
れる代表的な工程を順次示している。
めの従来の積層セラミックコンデンサ1の一部を拡大し
て示す断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 セラミック積層体と前記セラミック積層
体の所定の面の上に形成される外部電極とを備え、前記
セラミック積層体の内部には、前記外部電極と接続され
る内部電極が形成された、積層セラミック電子部品にお
いて、 前記セラミック積層体の前記所定の面上には、ガラス層
が形成され、前記内部電極は、前記ガラス層を貫通して
前記外部電極に接続されていることを特徴とする、積層
セラミック電子部品。 - 【請求項2】 内部に内部電極が形成され、かつ前記内
部電極の端縁が所定の面上に露出している、セラミック
積層体を用意し、 ガラスおよび金属を含有し、前記ガラスおよび金属の合
計に対して金属を5〜50 vol%含有する、ガラスペー
ストを用意し、 前記セラミック積層体の前記所定の面上に前記ガラスペ
ーストを付与し、 前記ガラスペーストを焼き付けてガラス層を前記セラミ
ック積層体の前記所定の面上に形成するとともに、当該
焼付け時の温度を利用して、前記内部電極の端縁から前
記ガラス層を貫通して当該ガラス層の表面にまで届くよ
うに、前記ガラスペースト中の金属をカーケンダール効
果に基づき移動させることによって前記内部電極を延長
し、 前記ガラス層上において前記内部電極に接続されるべき
外部電極を形成する、各工程を備える、積層セラミック
電子部品の製造方法。 - 【請求項3】 前記外部電極は、前記ガラスペースト中
の金属含有率より多い含有率をもって金属を含有する導
電性ペーストを付与し焼き付けることによって形成され
る、請求項2に記載の積層セラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項4】 前記ガラスペーストを焼き付ける工程の
前に、前記セラミック積層体の前記所定の面上に付与さ
れたガラスペーストの上に前記導電性ペーストを付与
し、前記ガラスペーストを焼き付ける工程において、前
記導電性ペーストをも同時に焼き付ける、請求項3に記
載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項5】 前記ガラスペーストを焼き付ける工程の
後に、前記セラミック積層体の前記所定の面上に形成さ
れたガラス層の上に前記導電性ペーストを付与し、次い
で前記導電性ペーストを焼き付ける、請求項3に記載の
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項6】 前記ガラスペーストを焼き付ける工程の
後に、前記外部電極が、前記ガラス層の上に乾式めっき
により形成される、請求項2に記載の積層セラミック電
子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10285497A JP3758293B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10285497A JP3758293B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10294239A true JPH10294239A (ja) | 1998-11-04 |
JP3758293B2 JP3758293B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=14338521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10285497A Expired - Lifetime JP3758293B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3758293B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170736A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
JP2005101207A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置 |
JP2007258300A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
US20070276586A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of setting a navigation terminal for a destination and an apparatus therefor |
JP2008251617A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2010080703A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2011129689A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Tdk Corp | 端子電極及び電子部品の製造方法 |
US8004155B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-08-23 | Kyocera Corporation | Multi-layer piezoelectric element |
JP2014060331A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
CN107180699A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 株式会社村田制作所 | 电子部件及其制造方法 |
JP2019079983A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 京都エレックス株式会社 | 積層チップ部品の外部電極形成用導電性ペーストおよび積層チップ部品 |
US10340081B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor |
JP2021190546A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
CN113840812A (zh) * | 2019-05-24 | 2021-12-24 | 株式会社村田制作所 | 表面改性玻璃、电子部件和硅酸盐被膜的形成方法 |
JP2022026326A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | Tdk株式会社 | 半導体セラミック電子部品 |
US20220293343A1 (en) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112086A (ja) * | 1992-02-20 | 1994-04-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミック部品とその製造方法 |
JPH0897072A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Tokin Corp | 積層セラミックチップ型電子部品 |
JPH097877A (ja) * | 1995-04-18 | 1997-01-10 | Rohm Co Ltd | 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP10285497A patent/JP3758293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112086A (ja) * | 1992-02-20 | 1994-04-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミック部品とその製造方法 |
JPH0897072A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Tokin Corp | 積層セラミックチップ型電子部品 |
JPH097877A (ja) * | 1995-04-18 | 1997-01-10 | Rohm Co Ltd | 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170736A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
JP2005101207A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置 |
US8004155B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-08-23 | Kyocera Corporation | Multi-layer piezoelectric element |
JP2007258300A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
US20070276586A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of setting a navigation terminal for a destination and an apparatus therefor |
JP2008251617A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
JP4661815B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-03-30 | Tdk株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2010080703A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2011129689A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Tdk Corp | 端子電極及び電子部品の製造方法 |
JP2014060331A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
CN107180699A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 株式会社村田制作所 | 电子部件及其制造方法 |
KR20170105414A (ko) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 및 그 제조 방법 |
US10418180B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method for the same |
US10340081B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor |
JP2019079983A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 京都エレックス株式会社 | 積層チップ部品の外部電極形成用導電性ペーストおよび積層チップ部品 |
CN113840812A (zh) * | 2019-05-24 | 2021-12-24 | 株式会社村田制作所 | 表面改性玻璃、电子部件和硅酸盐被膜的形成方法 |
JP2021190546A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2022026326A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | Tdk株式会社 | 半導体セラミック電子部品 |
US20220293343A1 (en) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device |
US11961675B2 (en) * | 2021-03-08 | 2024-04-16 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device having an element body with a boundary layer including Ba and Ti at an end of a ceramic layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3758293B2 (ja) | 2006-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10294239A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
US7558047B2 (en) | Electronic component and method for producing the same | |
JPH03276613A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JPH09180957A (ja) | 積層型セラミックコンデンサ | |
JPH0925167A (ja) | 濃度勾配を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
JP3760770B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2003318059A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP4083971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP3494115B2 (ja) | 導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品 | |
JPH11162780A (ja) | 積層セラミックコンデンサー結合体とその製造方法 | |
JP2000182883A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JPH097878A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
JP4993545B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
JPH08330173A (ja) | 積層セラミックコンデンサならびにその製造方法 | |
JP2850200B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JPH02294007A (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
JPH0897075A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2968316B2 (ja) | 積層型セラミックコンデンサ | |
JP3613214B2 (ja) | 導電性ペーストならびにセラミック電子部品 | |
JPH10284338A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2002217055A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2000252158A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH08111349A (ja) | チップ部品 | |
JPH09260186A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2001143905A (ja) | チップ型サーミスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140113 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |