JPH09180957A - 積層型セラミックコンデンサ - Google Patents
積層型セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH09180957A JPH09180957A JP7335118A JP33511895A JPH09180957A JP H09180957 A JPH09180957 A JP H09180957A JP 7335118 A JP7335118 A JP 7335118A JP 33511895 A JP33511895 A JP 33511895A JP H09180957 A JPH09180957 A JP H09180957A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal electrode
- plating layer
- ceramic capacitor
- layer
- dielectric ceramic
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Abstract
(57)【要約】
【課題】端子電極のＮｉメッキ層と誘電体セラミックス
との熱膨張差により熱サイクルが負荷された場合、端子
電極の誘電体セラミックスとの接触端部に熱応力が生
じ、誘電体セラミックス２２にクラック３１が発生する
ことがあった。 【解決手段】誘電体セラミックス２内に内部電極３が層
状に埋設され、両端に下地電極５と、Ｎｉメッキ層９
と、Ｓｎ含有メッキ層１０からなる端子電極４が形成さ
れた積層型セラミックコンデンサにおいて、Ｎｉメッキ
層９の厚みを２μｍ以下とするとともに、端子電極４の
誘電体セラミックスとの接触端部の一部を、半田に対し
て濡れ性が低い電気絶縁層１２により被覆する。
との熱膨張差により熱サイクルが負荷された場合、端子
電極の誘電体セラミックスとの接触端部に熱応力が生
じ、誘電体セラミックス２２にクラック３１が発生する
ことがあった。 【解決手段】誘電体セラミックス２内に内部電極３が層
状に埋設され、両端に下地電極５と、Ｎｉメッキ層９
と、Ｓｎ含有メッキ層１０からなる端子電極４が形成さ
れた積層型セラミックコンデンサにおいて、Ｎｉメッキ
層９の厚みを２μｍ以下とするとともに、端子電極４の
誘電体セラミックスとの接触端部の一部を、半田に対し
て濡れ性が低い電気絶縁層１２により被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して半田
により実装される積層型セラミックコンデンサの改良に
関するものである。
により実装される積層型セラミックコンデンサの改良に
関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来の積層型セラミックコンデンサの代表
的な構造を図２に示した。図２に示すように、積層型セ
ラミックコンデンサ２１は、誘電体セラミックス２２の
間に複数の内部電極２３が層状に埋設され、さらに、両
端には、内部電極２３露出面に、端子電極として銀を主
成分とする下地電極２４が形成されている。
的な構造を図２に示した。図２に示すように、積層型セ
ラミックコンデンサ２１は、誘電体セラミックス２２の
間に複数の内部電極２３が層状に埋設され、さらに、両
端には、内部電極２３露出面に、端子電極として銀を主
成分とする下地電極２４が形成されている。
【０００３】また、積層型セラミックコンデンサは、配
線基板２５の配線層２６に接続する際、半田２７により
接続されるが、この半田２７に対する耐熱性及び濡れ性
を改善するため、コンデンサ２１の下地電極２４の表面
にＮｉ、Ｃｕ等のメッキ層２８を施し、さらにその上に
Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ等のＳｎ含有メッキ層２９が施されて
いる。
線基板２５の配線層２６に接続する際、半田２７により
接続されるが、この半田２７に対する耐熱性及び濡れ性
を改善するため、コンデンサ２１の下地電極２４の表面
にＮｉ、Ｃｕ等のメッキ層２８を施し、さらにその上に
Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ等のＳｎ含有メッキ層２９が施されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、端子電
極のメッキ層２８として、特に剛性（ヤング率）の高い
Ｎｉ層が形成された場合、誘電体セラミックス２２との
熱膨張率も異なるため、端子電極形成時及びセラミック
コンデンサの表面実装後に熱サイクルが負荷された場
合、端子電極の誘電体セラミックス２２との接触端部３
０に熱応力が生じ、誘電体セラミックス２２にクラック
３１が発生することがあった。
極のメッキ層２８として、特に剛性（ヤング率）の高い
Ｎｉ層が形成された場合、誘電体セラミックス２２との
熱膨張率も異なるため、端子電極形成時及びセラミック
コンデンサの表面実装後に熱サイクルが負荷された場
合、端子電極の誘電体セラミックス２２との接触端部３
０に熱応力が生じ、誘電体セラミックス２２にクラック
３１が発生することがあった。
【０００５】このクラック３１の発生は、表面実装初期
においては、コンデンサの絶縁抵抗などの電気特性には
問題が生じないが、温度変化が繰り返し付与された場
合、クラックが次第に成長して、前記電気特性が劣化す
るという問題があった。また、クラックの発生により、
端子電極と誘電体セラミックス２２の界面に隙間が生
じ、水分などが侵入し、ショートする等の問題があっ
た。
においては、コンデンサの絶縁抵抗などの電気特性には
問題が生じないが、温度変化が繰り返し付与された場
合、クラックが次第に成長して、前記電気特性が劣化す
るという問題があった。また、クラックの発生により、
端子電極と誘電体セラミックス２２の界面に隙間が生
じ、水分などが侵入し、ショートする等の問題があっ
た。
【０００６】このような問題に対しては、端子電極の一
部に半田との濡れ性の低い材料を被覆して、半田と端子
電極との接触面積を小さくし、生ずる熱応力を緩和する
構造等が、特開平４−２４５６１１号公報、特開平５−
２４３０７８号、特開平７−３７７５３号号公報等にて
提案されている。しかしながら、これらの方法によれ
ば、半田により実装する工程において端子電極と半田と
の接触面積を制御するのが難しく、工程が複雑になると
いう問題があった。しかも、端子電極と誘電体セラミッ
クス２２の界面の隙間の発生に対してはこれを回避する
ことができないものであった。
部に半田との濡れ性の低い材料を被覆して、半田と端子
電極との接触面積を小さくし、生ずる熱応力を緩和する
構造等が、特開平４−２４５６１１号公報、特開平５−
２４３０７８号、特開平７−３７７５３号号公報等にて
提案されている。しかしながら、これらの方法によれ
ば、半田により実装する工程において端子電極と半田と
の接触面積を制御するのが難しく、工程が複雑になると
いう問題があった。しかも、端子電極と誘電体セラミッ
クス２２の界面の隙間の発生に対してはこれを回避する
ことができないものであった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
クラックの発生原因について検討した結果、端子電極の
うち最もヤング率の高いＮｉ層の厚みが大きいと、端子
電極、半田および誘電体セラミックス間の熱膨張差等に
より発生した応力が誘電体セラミックスに直接負荷さ
れ、それが端子電極の誘電体セラミックス２２との接触
端部３０に集中するためであることを突き止めた。
クラックの発生原因について検討した結果、端子電極の
うち最もヤング率の高いＮｉ層の厚みが大きいと、端子
電極、半田および誘電体セラミックス間の熱膨張差等に
より発生した応力が誘電体セラミックスに直接負荷さ
れ、それが端子電極の誘電体セラミックス２２との接触
端部３０に集中するためであることを突き止めた。
【０００８】この知見から、本発明によれば、ヤング率
の高いＮｉ層の厚みを小さくしてＮｉメッキ層自体の剛
性を小さくすることで、発生した応力が端子電極部分で
緩和され、誘電体セラミックスに負荷される応力が低減
できる結果、誘電体セラミックスへのクラックの発生を
抑制できること、しかも、クラックが発生した場合にお
いても、端子電極の誘電体セラミックスとの接触端部を
電気絶縁層により被覆することにより、熱サイクル負荷
状態であっても長期的安定性を向上できることを見出し
本発明に至った。
の高いＮｉ層の厚みを小さくしてＮｉメッキ層自体の剛
性を小さくすることで、発生した応力が端子電極部分で
緩和され、誘電体セラミックスに負荷される応力が低減
できる結果、誘電体セラミックスへのクラックの発生を
抑制できること、しかも、クラックが発生した場合にお
いても、端子電極の誘電体セラミックスとの接触端部を
電気絶縁層により被覆することにより、熱サイクル負荷
状態であっても長期的安定性を向上できることを見出し
本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の積層型セラミックコンデン
サによれば、誘電体セラミックス内に内部電極が層状に
埋設され、両端に下地電極と、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ含
有メッキ層からなる端子電極が形成された積層型セラミ
ックコンデンサにおいて、前記Ｎｉメッキ層の厚みを２
μｍ以下とするとともに、前記端子電極の前記誘電体セ
ラミックスとの接触端部の一部を、半田に対して濡れ性
が低い電気絶縁層により被覆することにより、上記問題
が解決されることを見出した。
サによれば、誘電体セラミックス内に内部電極が層状に
埋設され、両端に下地電極と、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ含
有メッキ層からなる端子電極が形成された積層型セラミ
ックコンデンサにおいて、前記Ｎｉメッキ層の厚みを２
μｍ以下とするとともに、前記端子電極の前記誘電体セ
ラミックスとの接触端部の一部を、半田に対して濡れ性
が低い電気絶縁層により被覆することにより、上記問題
が解決されることを見出した。
【００１０】
【作用】本発明の構成によれば、端子電極の中で最もヤ
ング率の高いＮｉメッキ層の厚みを２μｍ以下とするこ
とにより、端子電極や半田と誘電体セラミックスとの熱
膨張差等の物性の相違により発生する応力を低減すると
同時に、発生応力を端子電極で緩和し、誘電体セラミッ
クスに直接的に付与されるのを抑制することができるた
めに、端子電極と、誘電体セラミックスとの接触端部で
のクラックの発生を抑制することができる。
ング率の高いＮｉメッキ層の厚みを２μｍ以下とするこ
とにより、端子電極や半田と誘電体セラミックスとの熱
膨張差等の物性の相違により発生する応力を低減すると
同時に、発生応力を端子電極で緩和し、誘電体セラミッ
クスに直接的に付与されるのを抑制することができるた
めに、端子電極と、誘電体セラミックスとの接触端部で
のクラックの発生を抑制することができる。
【００１１】しかも、誘電体セラミックスに対して急激
な熱サイクル等が負荷されて誘電体セラミックスとの接
触端部にクラックが発生した場合においても、接触端部
を半田に対して濡れ性が低い電気絶縁層により被覆する
ことにより、接触端部を強化してクラックの進展を防止
するとともに、クラックが外気と完全に遮断されるため
に、大気中の水分等の侵入を防止することができる。ま
た、この電気絶縁層は半田に対して濡れ性が低いため、
電気絶縁層の被覆位置を調整して端子電極における半田
との接触面積を小さくすことができる。
な熱サイクル等が負荷されて誘電体セラミックスとの接
触端部にクラックが発生した場合においても、接触端部
を半田に対して濡れ性が低い電気絶縁層により被覆する
ことにより、接触端部を強化してクラックの進展を防止
するとともに、クラックが外気と完全に遮断されるため
に、大気中の水分等の侵入を防止することができる。ま
た、この電気絶縁層は半田に対して濡れ性が低いため、
電気絶縁層の被覆位置を調整して端子電極における半田
との接触面積を小さくすことができる。
【００１２】これにより、積層型セラミックコンデンサ
の端子電極形成時、コンデンサの基板への実装時、ある
いは実装後の熱サイクルが付与される条件下でも、クラ
ックの発生を抑制し、万一クラックが発生してもクラッ
クの進展や水分の進入を防止できるために、歩留り良
く、しかも長期にわたり信頼性の高い積層型セラミック
コンデンサを提供することができる。
の端子電極形成時、コンデンサの基板への実装時、ある
いは実装後の熱サイクルが付与される条件下でも、クラ
ックの発生を抑制し、万一クラックが発生してもクラッ
クの進展や水分の進入を防止できるために、歩留り良
く、しかも長期にわたり信頼性の高い積層型セラミック
コンデンサを提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の積層型セラミッ
クコンデンサとその実装構造を示した図である。図１に
よれば、積層型セラミックコンデンサ１は、誘電体セラ
ミックス２の間に複数の内部電極３が層状に埋設され、
さらに、両端には、内部電極３露出面に、端子電極４と
して銀を主成分とする下地電極５が焼き付けされて形成
されている。また、下地電極５の表面には、配線基板６
の配線層７に半田８により接続する際、半田８に対する
耐熱性及び濡れ性を改善するため、Ｎｉメッキ層９、お
よびＳｎ、Ｐｂ−Ｓｎのいずれかからなるメッキ層１０
が施されている。
クコンデンサとその実装構造を示した図である。図１に
よれば、積層型セラミックコンデンサ１は、誘電体セラ
ミックス２の間に複数の内部電極３が層状に埋設され、
さらに、両端には、内部電極３露出面に、端子電極４と
して銀を主成分とする下地電極５が焼き付けされて形成
されている。また、下地電極５の表面には、配線基板６
の配線層７に半田８により接続する際、半田８に対する
耐熱性及び濡れ性を改善するため、Ｎｉメッキ層９、お
よびＳｎ、Ｐｂ−Ｓｎのいずれかからなるメッキ層１０
が施されている。
【００１４】本発明によれば、端子電極のうち、Ｎｉメ
ッキ層を２μｍ以下に制御する。このＮｉメッキ層の厚
みが２μｍを越えると、Ｎｉメッキ層自体の剛性が高く
なるために、端子電極や半田と誘電体セラミックスとの
熱膨張差等の物性の相違により発生する応力が誘電体セ
ラミックスに直接的に負荷されてしまうために、誘電体
セラミックスの端子電極との接触端部にクラックが発生
しやすくなる。しかし、Ｎｉメッキ層は電極の銀食われ
現象を防止するために不可欠であるため、その厚みは、
０．５μｍ以上であることが望ましい。より好適には、
０．５〜１μｍである。なお、Ａｇ等からなる下地電極
層は、２０〜７０μｍ、Ｓｎ含有メッキ層は２〜５μｍ
の厚みで形成される。
ッキ層を２μｍ以下に制御する。このＮｉメッキ層の厚
みが２μｍを越えると、Ｎｉメッキ層自体の剛性が高く
なるために、端子電極や半田と誘電体セラミックスとの
熱膨張差等の物性の相違により発生する応力が誘電体セ
ラミックスに直接的に負荷されてしまうために、誘電体
セラミックスの端子電極との接触端部にクラックが発生
しやすくなる。しかし、Ｎｉメッキ層は電極の銀食われ
現象を防止するために不可欠であるため、その厚みは、
０．５μｍ以上であることが望ましい。より好適には、
０．５〜１μｍである。なお、Ａｇ等からなる下地電極
層は、２０〜７０μｍ、Ｓｎ含有メッキ層は２〜５μｍ
の厚みで形成される。
【００１５】また、本発明によれば、端子電極４の誘電
体セラミックスとの接触端部１１の一部、好適には、誘
電体セラミックスの最大面積を有する平面、図１の積層
型コンデンサの場合には、コンデンサの上面と下面にに
おける接触端部に半田に対する濡れ性の低い電気絶縁層
１２を被覆する。図１によれば、一対の端子電極のそれ
ぞれに対して、電気絶縁層１２が形成されているが、こ
の電気絶縁層１２は、同一面において連続して形成して
もよい。
体セラミックスとの接触端部１１の一部、好適には、誘
電体セラミックスの最大面積を有する平面、図１の積層
型コンデンサの場合には、コンデンサの上面と下面にに
おける接触端部に半田に対する濡れ性の低い電気絶縁層
１２を被覆する。図１によれば、一対の端子電極のそれ
ぞれに対して、電気絶縁層１２が形成されているが、こ
の電気絶縁層１２は、同一面において連続して形成して
もよい。
【００１６】電気絶縁層１２を形成する材料としては、
エポキシ系樹脂、無機粉体等からなる半田レジスト材、
ガラスペースト等が好適であり、この電気絶縁層１２
は、１０〜１００μｍの厚みで形成されることが望まし
い。この電気絶縁層１２の形成は、コンデンサの端子電
極形成後に、上記の材料を塗布乾燥することにより容易
に形成することができる。
エポキシ系樹脂、無機粉体等からなる半田レジスト材、
ガラスペースト等が好適であり、この電気絶縁層１２
は、１０〜１００μｍの厚みで形成されることが望まし
い。この電気絶縁層１２の形成は、コンデンサの端子電
極形成後に、上記の材料を塗布乾燥することにより容易
に形成することができる。
【００１７】
【実施例】ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックス内にＡｇ
−Ｐｄからなる内部電極が配設されたコンデンサの端部
に、銀ペーストを塗布し７００℃で焼き付けて５０μｍ
の厚みの下地電極層を形成した。次に、下地電極層の表
面に電解メッキ法により種々の厚みのＮｉメッキ層を施
した。その後、端子電極の最表面には、電解メッキ法に
より３．９μｍのＳｎメッキ層を形成した。
−Ｐｄからなる内部電極が配設されたコンデンサの端部
に、銀ペーストを塗布し７００℃で焼き付けて５０μｍ
の厚みの下地電極層を形成した。次に、下地電極層の表
面に電解メッキ法により種々の厚みのＮｉメッキ層を施
した。その後、端子電極の最表面には、電解メッキ法に
より３．９μｍのＳｎメッキ層を形成した。
【００１８】次に、このようにして得られた積層型セラ
ミックコンデンサの上面と下面に図１に示すように、接
触端部にエポキシ樹脂またはガラスペーストからなる電
気絶縁層を被覆した。各コンデンサをアルミナ基板の表
面に形成された配線に対して、半田（Ｐｂ−Ｓｎ）によ
って、２３０℃で半田実装した。
ミックコンデンサの上面と下面に図１に示すように、接
触端部にエポキシ樹脂またはガラスペーストからなる電
気絶縁層を被覆した。各コンデンサをアルミナ基板の表
面に形成された配線に対して、半田（Ｐｂ−Ｓｎ）によ
って、２３０℃で半田実装した。
【００１９】このようにしてコンデンサを表面実装した
アルミナ基板を高温槽中（１５０℃）と低温槽中（−５
５℃）に交互に出し入れする熱サイクル試験を行った。
試験において、１００サイクル後に、コンデンサを切断
してクラックの発生した個数を調べた。また、電気的特
性が変化したものの数も同時に調べ、その結果を表１に
示した。
アルミナ基板を高温槽中（１５０℃）と低温槽中（−５
５℃）に交互に出し入れする熱サイクル試験を行った。
試験において、１００サイクル後に、コンデンサを切断
してクラックの発生した個数を調べた。また、電気的特
性が変化したものの数も同時に調べ、その結果を表１に
示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１の結果から明らかなように、Ｎｉメッ
キ層の厚みが２μｍを越える試料Ｎo.７〜９、１２で
は、実装初期からクラックの発生が認められ、５０サイ
クル後には、６０％以上のものにクラックが発生し、電
気特性の劣化も多数認められた。電気絶縁層を形成した
試料Ｎo.７、１２では、幾分かは改善されるものの、不
良品の数が多いものであった。
キ層の厚みが２μｍを越える試料Ｎo.７〜９、１２で
は、実装初期からクラックの発生が認められ、５０サイ
クル後には、６０％以上のものにクラックが発生し、電
気特性の劣化も多数認められた。電気絶縁層を形成した
試料Ｎo.７、１２では、幾分かは改善されるものの、不
良品の数が多いものであった。
【００２２】Ｎｉメッキ層の厚みを２μｍ以下にする
と、５０サイクル後においてもクラック発生数は５個以
下と少ないものであったが、電気絶縁層を形成しない試
料Ｎｏ．４では、５０サイクル後に電気特性が変化した
ものが発生した。
と、５０サイクル後においてもクラック発生数は５個以
下と少ないものであったが、電気絶縁層を形成しない試
料Ｎｏ．４では、５０サイクル後に電気特性が変化した
ものが発生した。
【００２３】これに対して、Ｎｉメッキ層を２μｍ以下
とし、しかも電気絶縁層を形成した試料Ｎｏ．１〜３、
５、６、１０、１１では、５０サイクル後においてクラ
ックの発生が５個以下、１μｍ以下では皆無であり、し
かも、電気特性が劣化したものは全く皆無であり、実装
後の熱サイクルに対して高い耐久性と信頼性を有するこ
とが確認された。
とし、しかも電気絶縁層を形成した試料Ｎｏ．１〜３、
５、６、１０、１１では、５０サイクル後においてクラ
ックの発生が５個以下、１μｍ以下では皆無であり、し
かも、電気特性が劣化したものは全く皆無であり、実装
後の熱サイクルに対して高い耐久性と信頼性を有するこ
とが確認された。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の積層型セ
ラミックコンデンサによれば、基板への実装時、または
実装後の熱サイクルによる熱応力によるクラックの発生
や、クラックの進展を抑制するとともに、実装後の熱サ
イクルが付与される条件下で電気特性の劣化を防止する
ことができる。よって、積層型セラミックコンデンサが
自動車のエンジンルーム等の辛辣な環境に置かれた場合
においても耐久性と高い信頼性のあるコンデンサを提供
できる。
ラミックコンデンサによれば、基板への実装時、または
実装後の熱サイクルによる熱応力によるクラックの発生
や、クラックの進展を抑制するとともに、実装後の熱サ
イクルが付与される条件下で電気特性の劣化を防止する
ことができる。よって、積層型セラミックコンデンサが
自動車のエンジンルーム等の辛辣な環境に置かれた場合
においても耐久性と高い信頼性のあるコンデンサを提供
できる。
【図１】本発明の積層型セラミックコンデンサの構造と
その実装構造を説明するための図である。
その実装構造を説明するための図である。
【図２】従来の積層型セラミックコンデンサの構造とそ
の実装構造を説明するための図である。
の実装構造を説明するための図である。
１ 積層型セラミックコンデンサ ２ 誘電体セラミックス ３ 内部電極 ４ 端子電極 ５ 下地電極 ６ 配線基板 ７ 配線層 ８ 半田 ９ Ｎｉメッキ層 １０ Ｓｎ含有メッキ層 １１ 接触端部 １２ 電気絶縁層
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体セラミックス内に内部電極が層状に
埋設され、両端に下地電極と、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ含
有メッキ層からなる端子電極が形成された積層型セラミ
ックコンデンサにおいて、前記Ｎｉメッキ層の厚みを２
μｍ以下とするとともに、前記端子電極の前記誘電体セ
ラミックスとの接触端部の一部を、半田に対して濡れ性
が低い電気絶縁層により被覆したことを特徴とする積層
型セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335118A JPH09180957A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層型セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335118A JPH09180957A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層型セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180957A true JPH09180957A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18284977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7335118A Pending JPH09180957A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層型セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180957A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164257A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品 |
| JP2007266175A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 磁器構造体および表面実装型インダクタ |
| JP2010123865A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品および部品内蔵基板 |
| JP2011040612A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
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