JPS6130069A - フオトセンサ - Google Patents

フオトセンサ

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Publication number
JPS6130069A
JPS6130069A JP59151380A JP15138084A JPS6130069A JP S6130069 A JPS6130069 A JP S6130069A JP 59151380 A JP59151380 A JP 59151380A JP 15138084 A JP15138084 A JP 15138084A JP S6130069 A JPS6130069 A JP S6130069A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
electrodes
photosensor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59151380A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Kakimoto
柿本　誠治
Makiko Ishidoya
石戸谷　牧子
Yuichi Masaki
裕一 正木
Kenji Morimoto
健司 森本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59151380A priority Critical patent/JPS6130069A/ja
Publication of JPS6130069A publication Critical patent/JPS6130069A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/191—Photoconductor image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
    • H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は基板上に光電変換部を有するフォトセンサに関
する。
本発明によるフォトセンサは、たとえばデジタルコピー
やファクシミリ等の画像読取部に適用される。
［従来技術１ 従来、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）を用いた光導
電型フォトセンサが提案されている。このフォトセンサ
は基板表面上に真空堆積法でａ−Ｓｔ層を形成すること
により作製されるので、大面積や長尺のフォトセンサア
レイを容易に得ることができる。そのために、原稿の幅
が大きい場合にも等倍にて読取ることができ、装置に小
型化が容易になる。
また、この種のフォトセンサにおいては、ダイオード型
フォトセンサに比べて１００倍程度大きな光電流が得ら
れるのでマトリクス駆動が可能となり、使用ＩＣの個数
を減らすことができる。
ところで、光導電型フォトセンサアレイをマトリクス駆
動するために、フォトセンサの電極上に絶縁層を介して
駆動回路の接続電極を配列し、これら電極が交差する位
置において双方を電気的に接続させる多層配線方式が採
用される。
しかし、従来のフォトセンサでは、フォトセンサの光電
変換部の電極および多層配線の下層電極に、導電材料と
してアルミニウムＡｌを用いていた。このために、基板
やオーミ・ンクコンタクト層との密着性が十分ではなく
、また強度の点でも不十分であった。
［発明の目的］ 本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は密着性に優れ、傷に対して強いフォトセンサ
を提供することにある。
［発明の概要］ 上記目的を達成するために、本発明によるフォトセンサ
は、光電変換層の電極をクロム（Ｃｒ）導電材料で形成
したことを特徴とする。
［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明によるフォトセンサの一実施例の概略的
断面図である。
同図を用いて本実施例の製造工程を簡単に述べる。まず
、ガラス基板１上に、ＣＶＤ法によってアモルファスシ
リコンから成る光導電層２を形成し、その光導電層２上
に、同じ＜ｃｖｎ法によってアモルファスシリコンから
成るｎ１層を形成する。ｎ＋層は、後述するオーミック
コンタクト層３に用いられる。
続いて、光導電層２上のｎ１層およびガラス基板１上に
、真空蒸着法によってＣｒ導電層を蒸着し、フォトリン
グラフイー法を用いて電極４および多層配線下層電極５
を同時に形成する６次に、上記電極４および５をマスク
として、光導電層２上のｎ＋層をドライエツチング法に
て除去し、オーミックコンタクト層３を形成する。
続いて、露出した光導電層２および多層配線下層電極５
上に、ポリイミド樹脂等の絶縁膜６をスクリーン印刷法
等を用いて形成した後、絶縁膜６の所定位置にコンタク
トホールを設け、多層配線上層電極７，８．９および１
０を形成する。ただし、第１図では上層配線ｌＯが下層
電極５に接続されている（接続点ｌｌ）。
このような構成を有するフォトセンサアレイの回路図を
第２図に示す。
本実施例では、フォトセンサ（Ｃ１，Ｃ２゜Ｃ３・・ψ
）が、４個１組でマトリクス配線されている。第１図に
一例として示される断面図は、フォトセンサＣ５の場合
を表している。勿論、すべてのフォトセンサの光導電層
に接続されている電極および下層電極は、上述したよう
にＣｒで形成されている。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように１本発明によるフォトセンサ
は光電変換部の電極および多層配線の下層電極がクロム
（Ｃｒ）導電材料で形成されているために、基板および
オフミックコンタクト層との密着性が向上し、接続が確
実となるとともに。
センサの強度が大“きくなる。
また、電極の材料がＣｒであるために、傷に強いととも
に、環境の変化に対しても安定した特性を有する。
【図面の簡単な説明】
第、１図は本発明によるフォトセンサの−・実施例の概
略的断面図、 第２図は本実施例の回路図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に光電変換部を有するフォトセンサにおい
    て、 前記光電変換部の電極をクロム（Ｃｒ） 導電材料で形成したことを特徴とするフォトセンサ。
JP59151380A 1984-07-23 1984-07-23 フオトセンサ Pending JPS6130069A (ja)

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JP59151380A JPS6130069A (ja) 1984-07-23 1984-07-23 フオトセンサ

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JP59151380A JPS6130069A (ja) 1984-07-23 1984-07-23 フオトセンサ

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JPS6130069A true JPS6130069A (ja) 1986-02-12

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JP59151380A Pending JPS6130069A (ja) 1984-07-23 1984-07-23 フオトセンサ

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JP (1) JPS6130069A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931873A (en) * 1987-05-18 1990-06-05 Fuji Electric Co., Ltd. Photoelectric linear image sensor having multilayer insulating layer to reduce defects
US5060040A (en) * 1987-11-14 1991-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931873A (en) * 1987-05-18 1990-06-05 Fuji Electric Co., Ltd. Photoelectric linear image sensor having multilayer insulating layer to reduce defects
US5060040A (en) * 1987-11-14 1991-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus

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