JPS58223971A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS58223971A JPS58223971A JP57106946A JP10694682A JPS58223971A JP S58223971 A JPS58223971 A JP S58223971A JP 57106946 A JP57106946 A JP 57106946A JP 10694682 A JP10694682 A JP 10694682A JP S58223971 A JPS58223971 A JP S58223971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- gap
- solid
- region
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、解像度に優れ、色再現性の高い、高感度撮像
素子に関するもので廻る。
素子に関するもので廻る。
従来の光電変換膜を設けた固体撮像素子では、本発明で
示したドーピング領域を廟していないため、光によシ励
起された、フ、１ ）キャリアが、画素間を容易に移動
するため、解像度が落ち、色再現性の劣化が燻るしかっ
た。
示したドーピング領域を廟していないため、光によシ励
起された、フ、１ ）キャリアが、画素間を容易に移動
するため、解像度が落ち、色再現性の劣化が燻るしかっ
た。
本発明の目的は撮像素子の光電変換部分の画素間の領域
に、フォートキャリアを発生しないか又は発生したフォ
トキャリアが画素間を移動しない又は、移動困難にする
ことによって、解像度２色再現性を向上させる固体撮像
素子を提供することにある。
に、フォートキャリアを発生しないか又は発生したフォ
トキャリアが画素間を移動しない又は、移動困難にする
ことによって、解像度２色再現性を向上させる固体撮像
素子を提供することにある。
本発明は、電極の間隙部分を形状的に変形することなく
、光電変換特性を変化させ、を極間けき部分の光亀変換
領いきでの、フォトキャリア発生を困難にするか、ない
しは電極間隙部分の光電変換膜を電気的に持ち上けて間
隙部分で発生したキャリアが、すみやかに電極部分に鉤
達するようにする方法であシ、これによって特性のすぐ
れた光電変換素子を形成することができる。
、光電変換特性を変化させ、を極間けき部分の光亀変換
領いきでの、フォトキャリア発生を困難にするか、ない
しは電極間隙部分の光電変換膜を電気的に持ち上けて間
隙部分で発生したキャリアが、すみやかに電極部分に鉤
達するようにする方法であシ、これによって特性のすぐ
れた光電変換素子を形成することができる。
以下本発明を実施例によつ１詳しく説明する。
第１図は従来形の固体撮像素子であシ、１が５ｔ−Ｌｓ
Ｉより成る信号を処理する基板でおりてそれを模式的に
示したものである。２が各画素の！極であシ約１０μｍ
×１０μｍの大きさである、この電極は２がＭＯＳ型の
基板の場合には、３の光！変換膜の特性によってＭＯＳ
のソース、ドレインのいずれかに接合している。この３
を挾んで３の上に、透明導電膜４が形成されている。こ
の膜は例えばスパッタ法により堆積された厚さ８００〜
１０００人程度のＩＴＯの薄膜であり、これが、従来の
形である。
Ｉより成る信号を処理する基板でおりてそれを模式的に
示したものである。２が各画素の！極であシ約１０μｍ
×１０μｍの大きさである、この電極は２がＭＯＳ型の
基板の場合には、３の光！変換膜の特性によってＭＯＳ
のソース、ドレインのいずれかに接合している。この３
を挾んで３の上に、透明導電膜４が形成されている。こ
の膜は例えばスパッタ法により堆積された厚さ８００〜
１０００人程度のＩＴＯの薄膜であり、これが、従来の
形である。
第２図に本発明による、第１図と同しく固体撮像素子の
断面を示したものである。従来と異なる点は、５の高濃
度ドープされた領域を有する点である。ドープされた領
域が、Ｎ、０．Ｆ又はＣｔの元素を含む場合には、３の
光電変換層の膜厚が約０、８〜２． Ｏｔｔｍ堆積され
た後、例えばＣｒ９Ｍ０１ｗ、 Ｔｔ又ＦｉＳＩ０２を
数千人堆釉し、しかる後に写真法で２の％極マスクと同
しか又はこれらの膜を残す面積が２よシも小さくないよ
うに残し、これをマスクにする。次に前記の利料を用い
る場合に例えば、イオンインプランテーション法によシ
、１０１５〜１０２２個／ｃｒｎ３の童をドープする。
断面を示したものである。従来と異なる点は、５の高濃
度ドープされた領域を有する点である。ドープされた領
域が、Ｎ、０．Ｆ又はＣｔの元素を含む場合には、３の
光電変換層の膜厚が約０、８〜２． Ｏｔｔｍ堆積され
た後、例えばＣｒ９Ｍ０１ｗ、 Ｔｔ又ＦｉＳＩ０２を
数千人堆釉し、しかる後に写真法で２の％極マスクと同
しか又はこれらの膜を残す面積が２よシも小さくないよ
うに残し、これをマスクにする。次に前記の利料を用い
る場合に例えば、イオンインプランテーション法によシ
、１０１５〜１０２２個／ｃｒｎ３の童をドープする。
次にこ−のマスク材料を洗去してこの上に透明導電材Ｉ
ＴＯをスパッタすることにより光電変換層を有する固体
撮像素子を得ることができる。
ＴＯをスパッタすることにより光電変換層を有する固体
撮像素子を得ることができる。
これらのＡｎ度層Ａ５に用いる材料を用い上記の方法で
、イオンインプランテーション又は熱拡散方法により作
成することができる。第２図においては５０部分が３の
中に広がった形で示しているがこれらのＮＩｊＩ５は３
の中に埋め込まれる必要は必ずしもなく約ＩＱｎｍ〜ｌ
ＱＱｎｍの淘い層で５の領域に３と４の間に形成されて
もよい。
、イオンインプランテーション又は熱拡散方法により作
成することができる。第２図においては５０部分が３の
中に広がった形で示しているがこれらのＮＩｊＩ５は３
の中に埋め込まれる必要は必ずしもなく約ＩＱｎｍ〜ｌ
ＱＱｎｍの淘い層で５の領域に３と４の間に形成されて
もよい。
実施例２
第２図に示した方法は、第２図に示した５に対応する第
３図の６の形成方法の異なる場合である。
３図の６の形成方法の異なる場合である。
第３図の６の場合には、光％Ｌ変換膜３、その次に４が
３の上面全体に形成された後に、実施例１の場合と同様
２のパターンより小さくないマスクを実施例１と同じ方
法で形成するか又はｓｈｏ、を含む絶縁物、ｈｔ、０３
．５ｉｔ−Ｎ、糸等、可視光で透明な材料を用いてマス
クパターンを形成する。
３の上面全体に形成された後に、実施例１の場合と同様
２のパターンより小さくないマスクを実施例１と同じ方
法で形成するか又はｓｈｏ、を含む絶縁物、ｈｔ、０３
．５ｉｔ−Ｎ、糸等、可視光で透明な材料を用いてマス
クパターンを形成する。
次に、Ｓｉｔ記材料をイオンインプランテーション法に
よシ第４層を通して形成するか又は上記マスク
５、形成後６を形成する前にまずマスク部分の４
を除去した後に６を形成することによって形成するとと
もできる。
よシ第４層を通して形成するか又は上記マスク
５、形成後６を形成する前にまずマスク部分の４
を除去した後に６を形成することによって形成するとと
もできる。
以上説明しｔ来たごとく本発明は固体撮像素子の画素間
分離を完全にする目的のためであシ、説明はもっばら８
ｌ−ＬＳＩを基板とし、光電、変換部分は単一層につい
て藪、明して来たが、これ以外のものに対して、例えば
、ガラスを基板とじ光電変換部分がｐ−１−ｎ（又は、
ｎ −ｉ −ｐ ）等の場合で画素間を分離して用いる
目的に対して極めて鳴動な方法であシ、５又は６は形と
しては３の下部まで到達していることもあり得る。
分離を完全にする目的のためであシ、説明はもっばら８
ｌ−ＬＳＩを基板とし、光電、変換部分は単一層につい
て藪、明して来たが、これ以外のものに対して、例えば
、ガラスを基板とじ光電変換部分がｐ−１−ｎ（又は、
ｎ −ｉ −ｐ ）等の場合で画素間を分離して用いる
目的に対して極めて鳴動な方法であシ、５又は６は形と
しては３の下部まで到達していることもあり得る。
第１図は従来の固体撮像装置の概略断面図、第２、第３
図は本発明の実施例の固体撮像素子の断面図である。
図は本発明の実施例の固体撮像素子の断面図である。
Claims (1)
- １、下部電極が分離されて、配列された上に、光電変換
膜を有し、かつ該光電変換膜の上部に分割されていない
透明電極を有する固体の撮像素子において、各画素電極
間の間隙部分の所に存在する、光電変換部分、および透
明電極部分の両者又は、一方に高ｅ度ドープ領域を持つ
ことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106946A JPS58223971A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106946A JPS58223971A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223971A true JPS58223971A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14446534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106946A Pending JPS58223971A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245166A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2021149413A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP57106946A patent/JPS58223971A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245166A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2021149413A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| US11895854B2 (en) | 2020-01-23 | 2024-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
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