JPS6386474A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6386474A JPS6386474A JP61229734A JP22973486A JPS6386474A JP S6386474 A JPS6386474 A JP S6386474A JP 61229734 A JP61229734 A JP 61229734A JP 22973486 A JP22973486 A JP 22973486A JP S6386474 A JPS6386474 A JP S6386474A
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- light
- electrode
- substrate
- shielding layer
- light shielding
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、光ｉｆｔ！膜を￥Ｉｔ層した形の固体撮像装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術）
光導ｔｆ！膜積層型固体撮像装置は、 ＣＣＤ、ＭＯＳ
等の走査基板上に受光部として光導電膜を積層した物で
モノリシックな固体撮像装置に比べて開口率が高いため
、感度が高いという特徴を有している。
等の走査基板上に受光部として光導電膜を積層した物で
モノリシックな固体撮像装置に比べて開口率が高いため
、感度が高いという特徴を有している。
この種の固体撮像装置には光導電膜で吸収しきれない光
の一部が走査基板内部に漏れ込みスミャが発生する問題
がある。これを低減するために光遮蔽層を設けることが
特開昭５７−２０７３６４号公報に開示されている。第
３図を参照してこの従来技術を説明する。なお、走査基
板としてはＣＣＤを例にとっている。第３図（ａ）にお
いて２１は信号電荷を転送する転送部で、例えば多結晶
シリコンからなる転送電極２２に所定のパルス電圧を印
加することにより駆動される。２３は信号電荷を蓄積す
るストレージダイオードで、モノリシックなＣＣＤでは
ホトダイオードにあたる、ストレージダイオード２３は
第１電極２４、画素電極である第２電極２５を介して例
えばａ −５ｉからなる光導電１１１２６の一部に電気
的に接続されている。第１電極２４および第２１１！極
２５と基板の間には１例えばポリイミドからなる＃！縁
性の平滑層２７が形成されている。平滑Ｍ２７の内部に
は、スミャ低域の従来技術である光遮蔽層２８が第２電
極２５間の隙間を平面的に覆う様に第２電極２５に平行
に形成されている。また、光導電膜２６上には例えばＩ
ＴＯからなる透明電極２９が形成されている。
の一部が走査基板内部に漏れ込みスミャが発生する問題
がある。これを低減するために光遮蔽層を設けることが
特開昭５７−２０７３６４号公報に開示されている。第
３図を参照してこの従来技術を説明する。なお、走査基
板としてはＣＣＤを例にとっている。第３図（ａ）にお
いて２１は信号電荷を転送する転送部で、例えば多結晶
シリコンからなる転送電極２２に所定のパルス電圧を印
加することにより駆動される。２３は信号電荷を蓄積す
るストレージダイオードで、モノリシックなＣＣＤでは
ホトダイオードにあたる、ストレージダイオード２３は
第１電極２４、画素電極である第２電極２５を介して例
えばａ −５ｉからなる光導電１１１２６の一部に電気
的に接続されている。第１電極２４および第２１１！極
２５と基板の間には１例えばポリイミドからなる＃！縁
性の平滑層２７が形成されている。平滑Ｍ２７の内部に
は、スミャ低域の従来技術である光遮蔽層２８が第２電
極２５間の隙間を平面的に覆う様に第２電極２５に平行
に形成されている。また、光導電膜２６上には例えばＩ
ＴＯからなる透明電極２９が形成されている。
この様な従来の構造では第３図（ｂ）に示す様に光遮蔽
層２８に垂直に入射した光３０や光遮蔽層２８の中央付
近に斜に入射した光３１は反射されて第２電極２５間の
隙間から光導電膜中へ出ていくが、第２電極２５の近く
に斜に入射した光３２は光遮蔽Ｍ２８と第２を極２５の
間で多重反射して基板内部へ漏れ込んでしまい充分なス
ミャ低減効果が得られなかった。
層２８に垂直に入射した光３０や光遮蔽層２８の中央付
近に斜に入射した光３１は反射されて第２電極２５間の
隙間から光導電膜中へ出ていくが、第２電極２５の近く
に斜に入射した光３２は光遮蔽Ｍ２８と第２を極２５の
間で多重反射して基板内部へ漏れ込んでしまい充分なス
ミャ低減効果が得られなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来の方法では第２電極の近くに斜
に入射した光は光遮蔽層と第２電極間で多重反射されて
、基板内部に漏れ込み充分なスミヤ低減の効果が得られ
なかった。
に入射した光は光遮蔽層と第２電極間で多重反射されて
、基板内部に漏れ込み充分なスミヤ低減の効果が得られ
なかった。
本発明はこの様な従来の欠点を解決するために成された
もので、充分なスミャ低減効果が得られる固体撮像装置
を提供する事を目的とする。
もので、充分なスミャ低減効果が得られる固体撮像装置
を提供する事を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明においては光遮蔽
層を第２電極と平行になるように形成するのではなく断
面が下（走査基板側）に凸になるように形成する。これ
により、画素電極との多重反射による基板内部への光の
漏れ込みを防止する事を特徴とする。
層を第２電極と平行になるように形成するのではなく断
面が下（走査基板側）に凸になるように形成する。これ
により、画素電極との多重反射による基板内部への光の
漏れ込みを防止する事を特徴とする。
（作用）
本発明のように光遮蔽層を下に凸になるように形成する
と、第２電極間の隙間から入射する光に対して凹面薬と
なるので斜に入射した光も第２電極側に反射されずに、
隙間に向がって反射されるので基板内部に光は漏れ込ま
ず充分なスミャ低減効果が実現できる。
と、第２電極間の隙間から入射する光に対して凹面薬と
なるので斜に入射した光も第２電極側に反射されずに、
隙間に向がって反射されるので基板内部に光は漏れ込ま
ず充分なスミャ低減効果が実現できる。
（実施例）
以下、本発明の詳細について走査基板にＣＯＤを用いた
場合を例にとり１図面を用いて説明する。
場合を例にとり１図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は５本発明の一実施例の製造工程
における断面図である。第１電極１の形成までの工程は
、本発明に関与しないので省略する。
における断面図である。第１電極１の形成までの工程は
、本発明に関与しないので省略する。
まず、第１図（ａ）の様に第１電極１上に例えばポリイ
ミドからなる第１の平滑層２を形成する。
ミドからなる第１の平滑層２を形成する。
次に、第１図（ｂ）の様に平滑層２の一部（光遮蔽層が
形成される部分）を例えば写真蝕刻法を用いて１選択的
に除去する。ただし、エツチングにはＣＤＥ等の当方性
エツチングを行う、これにより、基板側に凸の滑かな溝
３が形成される。
形成される部分）を例えば写真蝕刻法を用いて１選択的
に除去する。ただし、エツチングにはＣＤＥ等の当方性
エツチングを行う、これにより、基板側に凸の滑かな溝
３が形成される。
続いて、第１図（Ｃ）の様にクロム等の透過率の低い金
属４を堆積し１例えば写真蝕刻法により光遮蔽Ｍ４’
を形成する（第１図（ｂ））、さらに、第１図（ｅ）の
ように第２の平滑Ｍ５を形成し、第１電極１上の平滑層
２および５の一部を除去した後、画素電極である第２電
極６を各々電気的に分離して形成する。最後に、第１図
（ｆ）のように例えばａ−５ｉからなる光導電膜７、さ
らに例えばＩＴＯからなる透明電極８を積層する。
属４を堆積し１例えば写真蝕刻法により光遮蔽Ｍ４’
を形成する（第１図（ｂ））、さらに、第１図（ｅ）の
ように第２の平滑Ｍ５を形成し、第１電極１上の平滑層
２および５の一部を除去した後、画素電極である第２電
極６を各々電気的に分離して形成する。最後に、第１図
（ｆ）のように例えばａ−５ｉからなる光導電膜７、さ
らに例えばＩＴＯからなる透明電極８を積層する。
第２図は本発明の光遮蔽層の効果を示す断面の拡大図で
ある１本発明の構造によれば垂直に入射する光１０や光
遮蔽Ｎ４′の中央付近に斜に入射する光１１だけでなく
、従来多重反射されて基板内部に漏れ込んでいた光１２
も画素電極の隙間に向って反射されるので、基板内部に
光は漏れ込まず充分なスミャ低減効果が得られる。
ある１本発明の構造によれば垂直に入射する光１０や光
遮蔽Ｎ４′の中央付近に斜に入射する光１１だけでなく
、従来多重反射されて基板内部に漏れ込んでいた光１２
も画素電極の隙間に向って反射されるので、基板内部に
光は漏れ込まず充分なスミャ低減効果が得られる。
なお、今まで走査基板にＣＣＤを用いた場合を例にあげ
て述べてきたが、これがＭＯＳ、ＣＰＤ等の他の走査基
板であっても本発明を適用できることは言うまでも無い
、また、平滑層としてポリイミドを例にあげたが、ＢＰ
ＳＧ等の絶縁層であってもよい、また、光遮蔽層も充分
透過率の低い物で在ればクロムに限定されない、さらに
、光遮蔽層が外部の電極と接続された電極を兼ねていて
も良い。
て述べてきたが、これがＭＯＳ、ＣＰＤ等の他の走査基
板であっても本発明を適用できることは言うまでも無い
、また、平滑層としてポリイミドを例にあげたが、ＢＰ
ＳＧ等の絶縁層であってもよい、また、光遮蔽層も充分
透過率の低い物で在ればクロムに限定されない、さらに
、光遮蔽層が外部の電極と接続された電極を兼ねていて
も良い。
以上述べたように、本発明によれば、光遮蔽層を基板側
に凸にしたことにより、従来光遮蔽層と第２電極間で多
重反射されて基板内部に漏れ込んでいた光も第２１！極
間の隙間から光導電膜中に反射することができ、充分な
スミャ低減効果が得られる。
に凸にしたことにより、従来光遮蔽層と第２電極間で多
重反射されて基板内部に漏れ込んでいた光も第２１！極
間の隙間から光導電膜中に反射することができ、充分な
スミャ低減効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示す断面図、第
２図は本発明の詳細な説明するための断面図、第３図は
従来例を説明する断面図である。 １・・・第１電極 ２・・・第１の平滑層 ４′・・・本発明による光遮蔽層 ５・・・第２の平滑層 ゛ ６・・・画素電極（第２電極） ７・・・光導電膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 第 ２ 図
２図は本発明の詳細な説明するための断面図、第３図は
従来例を説明する断面図である。 １・・・第１電極 ２・・・第１の平滑層 ４′・・・本発明による光遮蔽層 ５・・・第２の平滑層 ゛ ６・・・画素電極（第２電極） ７・・・光導電膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 第 ２ 図
Claims (1)
- 電荷蓄積部と走査部が形成された半導体基板と前記電荷
蓄積部と電気的に接続するように一画素毎に分離して形
成された第１および第２の電極と、この第２の電極上に
形成された光導電膜と、この光導電膜上に形成された透
明電極とを有し、前記第２の電極と半導体基板間に形成
された平滑層の内部に前記第２の電極間の隙間を平面的
に覆う様に光遮蔽層が設けられた固体撮像装置であって
、前記光遮蔽層が前記第２の電極と平行に形成されるの
ではなく、その断面が半導体基板側に凸になるように形
成することにより光遮蔽層の遮光効果を向上させた事を
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229734A JPS6386474A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229734A JPS6386474A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386474A true JPS6386474A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16896850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229734A Pending JPS6386474A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228938A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
| FR2893765A1 (fr) * | 2005-11-21 | 2007-05-25 | St Microelectronics Sa | Circuit integre photosensible muni d'une couche reflective et procede de fabrication correspondant |
| JP2008153361A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229734A patent/JPS6386474A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228938A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
| US7741689B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-06-22 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion layer-stacked solid-state imaging element |
| FR2893765A1 (fr) * | 2005-11-21 | 2007-05-25 | St Microelectronics Sa | Circuit integre photosensible muni d'une couche reflective et procede de fabrication correspondant |
| US8044443B2 (en) | 2005-11-21 | 2011-10-25 | Stmicroelectronics S.A. | Photosensitive integrated circuit equipped with a reflective layer and corresponding method of production |
| US8610048B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-12-17 | Stmicroelectronics S.A. | Photosensitive integrated circuit equipped with a reflective layer and corresponding method of production |
| JP2008153361A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
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