JPH0329368A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0329368A JPH0329368A JP1160799A JP16079989A JPH0329368A JP H0329368 A JPH0329368 A JP H0329368A JP 1160799 A JP1160799 A JP 1160799A JP 16079989 A JP16079989 A JP 16079989A JP H0329368 A JPH0329368 A JP H0329368A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は光導電膜積層型の固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
光電変換部として光導電Ｉ！Ｘを用いた、所謂、光導電
膜積層型固体撮像装置は開口率が１０（ｌであるため高
感度であｂ１また一画素当Ｄの最大取？い信号電荷量が
大きく取れるため広ダイチ■ックレンジであるという長
所を持つ。しかしながら、この装置はその構造上、黒基
準信号を得るための黒基準画素部に入射光が漏れ込みや
すく、よって黒基準信号が得られに〈いという問題を持
つ。以下、これについて説明する。
膜積層型固体撮像装置は開口率が１０（ｌであるため高
感度であｂ１また一画素当Ｄの最大取？い信号電荷量が
大きく取れるため広ダイチ■ックレンジであるという長
所を持つ。しかしながら、この装置はその構造上、黒基
準信号を得るための黒基準画素部に入射光が漏れ込みや
すく、よって黒基準信号が得られに〈いという問題を持
つ。以下、これについて説明する。
第２図（ａ） Ｔｈよび（ｂ）は従来の光導電膜積層型
固体撮像装置の上面構成図釦よびＢ − Ｂｌに訃ける
拡大断面構造図である。本装置の信号電荷走査部はイン
ターライン転送型ＣＣＤ （ Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ１）ｅｖｉｃｅ ．電荷結合装置）で形成され
る。第２図（ａ）に示されるように、使用画素領域２１
の周辺には黒基準画素領域２２（斜線部）が配置される
。
固体撮像装置の上面構成図釦よびＢ − Ｂｌに訃ける
拡大断面構造図である。本装置の信号電荷走査部はイン
ターライン転送型ＣＣＤ （ Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ１）ｅｖｉｃｅ ．電荷結合装置）で形成され
る。第２図（ａ）に示されるように、使用画素領域２１
の周辺には黒基準画素領域２２（斜線部）が配置される
。
この黒基準画素領域２２は信号の黒基準を決めるために
設定される。また、（ｂ）図に示すようにＣＯＤ走査部
３８の上には信号電荷を収集するための画素電極２８が
一画素ごとに形成され、さらに光導電膜である水素化ア
モルファスシリコンＭ（ａ−８ｉ：Ｈｉ層２７とａ−Ｓ
ｉ：Ｈｐ層３２の積ａｍからなる）シよび透明電極であ
るＩＴＯ（ Ｉｎｄｉｕｎ ＴｉｎＯｘｉｄｅ ）膜３
１が形成される。そして、黒基準画素領域２２にかいて
はＩＴＯ膜３１上には金属光遮ｌＩ＆Ｈ！Ｘ３９が積層
される。
設定される。また、（ｂ）図に示すようにＣＯＤ走査部
３８の上には信号電荷を収集するための画素電極２８が
一画素ごとに形成され、さらに光導電膜である水素化ア
モルファスシリコンＭ（ａ−８ｉ：Ｈｉ層２７とａ−Ｓ
ｉ：Ｈｐ層３２の積ａｍからなる）シよび透明電極であ
るＩＴＯ（ Ｉｎｄｉｕｎ ＴｉｎＯｘｉｄｅ ）膜３
１が形成される。そして、黒基準画素領域２２にかいて
はＩＴＯ膜３１上には金属光遮ｌＩ＆Ｈ！Ｘ３９が積層
される。
この金属光遮蔽膜３９は黒基準画素部への光入射を遮断
し、黒基準信号を得ることを目的とする。
し、黒基準信号を得ることを目的とする。
しかしながら、実際は第２図（ｂ）に示すように、入射
光３６は金属光遮蔽膜３９の端部から金属光遮蔽膜３９
と画素電極２８との間を多重反射しながら黒基準画素領
域２２の内部に入いクてくる。この入射光が黒基準画素
領域２２の内部へ侵入する距離Ｌは装置の構造や入射光
強度などによう異なるが、一例としてｌＯ〜４０μｍほ
どである。したがって、第２図（ａ）にかいて黒基準画
素領域２２の上側部分シよび下側部分の幅１，，１，＞
よび左側部分の幅４は一般的には数画素分程度すなわち
数十μｍ程度しか設けられないため、これら黒基準画素
領域の部分は入射光の侵入によう黒基準信号前述したよ
うに、従来の光導電膜積層型固体撮像装置に釦いては黒
基準画素領域２２の内部へ入射光が黒基準画素領域２２
の側端から侵入するため正常な黒基準信号を得ることが
できないという問題があった。
光３６は金属光遮蔽膜３９の端部から金属光遮蔽膜３９
と画素電極２８との間を多重反射しながら黒基準画素領
域２２の内部に入いクてくる。この入射光が黒基準画素
領域２２の内部へ侵入する距離Ｌは装置の構造や入射光
強度などによう異なるが、一例としてｌＯ〜４０μｍほ
どである。したがって、第２図（ａ）にかいて黒基準画
素領域２２の上側部分シよび下側部分の幅１，，１，＞
よび左側部分の幅４は一般的には数画素分程度すなわち
数十μｍ程度しか設けられないため、これら黒基準画素
領域の部分は入射光の侵入によう黒基準信号前述したよ
うに、従来の光導電膜積層型固体撮像装置に釦いては黒
基準画素領域２２の内部へ入射光が黒基準画素領域２２
の側端から侵入するため正常な黒基準信号を得ることが
できないという問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、黒基準画素領域への入射光の侵入を効
果的に防ぎ、よって容易に完全な黒基準信号を得ること
のできる光導電膜積層型固体撮像装置を提供することに
ある。
とするところは、黒基準画素領域への入射光の侵入を効
果的に防ぎ、よって容易に完全な黒基準信号を得ること
のできる光導電膜積層型固体撮像装置を提供することに
ある。
本発明の骨子は、黒基準画素領域の内側の光導電膜を溝
状に除去し、かつ黒基準画素領域上及び溝部に光遮蔽膜
を設けることにある。
状に除去し、かつ黒基準画素領域上及び溝部に光遮蔽膜
を設けることにある。
（作用）
本発明によれば、前記溝状に除去された部分すなわち溝
部にかいて侵入光の経路となる光導′ｒｔ膜が無く、か
つ溝部は光遮蔽膜が覆われているので、黒基準画素領域
側端から侵入してくる入射光はこの溝部に釦いて完全に
遮断される。よって、黒基準画素部から黒基準信号を得
ることができる。
部にかいて侵入光の経路となる光導′ｒｔ膜が無く、か
つ溝部は光遮蔽膜が覆われているので、黒基準画素領域
側端から侵入してくる入射光はこの溝部に釦いて完全に
遮断される。よって、黒基準画素部から黒基準信号を得
ることができる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ） 釦よび（ｂ）は本発明の光導ｔＣ膜積層
型固体撮像装置の上面図釦よびＡ − ＡＩにおける断
面図である。第１図（ａ）に示すように、使用画素領域
ｌの周辺には光遮蔽領域２（斜線部）が配置され、この
領域２の内部には枠状に水素化アモルファスシリコン光
導電膜が除去された領域３（黒着色部）が形威される。
型固体撮像装置の上面図釦よびＡ − ＡＩにおける断
面図である。第１図（ａ）に示すように、使用画素領域
ｌの周辺には光遮蔽領域２（斜線部）が配置され、この
領域２の内部には枠状に水素化アモルファスシリコン光
導電膜が除去された領域３（黒着色部）が形威される。
第２図（ｂ）に示すように、領域３においては、水素化
アモルファスシリコンｉ（ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層７とａ−Ｓ
ｔ ：Ｈ Ｐ層１２の積層膜からなる）シよび透明電
極であるＩＴＯ膜１ｌが溝状に除去されている。この溝
部を含だ領域２においては、さらに透明絶縁膜ｌＯを介
して金属光遮蔽膜９が積層される。領域２の内、溝部の
外側が黒基準画素領域となる。
アモルファスシリコンｉ（ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層７とａ−Ｓ
ｔ ：Ｈ Ｐ層１２の積層膜からなる）シよび透明電
極であるＩＴＯ膜１ｌが溝状に除去されている。この溝
部を含だ領域２においては、さらに透明絶縁膜ｌＯを介
して金属光遮蔽膜９が積層される。領域２の内、溝部の
外側が黒基準画素領域となる。
このように、この溝部で光の侵入径路となる水素化アモ
ルファスシリコン膜が除去されさらに金属光遮蔽膜９が
積層されているので、領域２の端部から侵入してくる光
はこの溝部にかいて完全に遮断される。したがって、領
域２内にある各画素から完全な黒基準信号が得られる。
ルファスシリコン膜が除去されさらに金属光遮蔽膜９が
積層されているので、領域２の端部から侵入してくる光
はこの溝部にかいて完全に遮断される。したがって、領
域２内にある各画素から完全な黒基準信号が得られる。
以上述べてきたように、本発明によシ、光導電膜積層型
固体撮像装置にかいて黒基準画素領域への入射光の侵入
を効果的に防ぎ、よって容易に完全な黒基準信号を得る
ことができる。
固体撮像装置にかいて黒基準画素領域への入射光の侵入
を効果的に防ぎ、よって容易に完全な黒基準信号を得る
ことができる。
第１図は本発明の光導電膜積層型囚体撮像装置の図、第
２図は従来の光導電膜積層型固体撮像装置の図である。 ｌ，２１・・・使用画素領域 ２，２２・・・光遮蔽領域 ３・・・侵入光遮断領域 ４，２４・・・水平ＣＣＤレジスタ一部５．２５・・・
信号電荷●電圧変換部 ６．２６・・・出力端子部 ７．２７・・・水素化アモルファスシリコン膜ｉ層８．
２８・・・画素電極 ９，２９・・・金属光遮蔽膜 １０・・・透明絶縁膜 １１，３１・・・ＩＴＯ透明電膜 １２．３２・・・水素化アモルファスシリコン膜ｐ層 １３．３３・・・画素引き出し電極 １４．３４・・・第２層ポリシリコン膜１５．３５・・
・第Ｉ Ｊｇ！ポリシリコン膜１６．３６・・・入射光 １７．３７・・・半導体基板 １８．３８・・・ＣＯＤ走査部
２図は従来の光導電膜積層型固体撮像装置の図である。 ｌ，２１・・・使用画素領域 ２，２２・・・光遮蔽領域 ３・・・侵入光遮断領域 ４，２４・・・水平ＣＣＤレジスタ一部５．２５・・・
信号電荷●電圧変換部 ６．２６・・・出力端子部 ７．２７・・・水素化アモルファスシリコン膜ｉ層８．
２８・・・画素電極 ９，２９・・・金属光遮蔽膜 １０・・・透明絶縁膜 １１，３１・・・ＩＴＯ透明電膜 １２．３２・・・水素化アモルファスシリコン膜ｐ層 １３．３３・・・画素引き出し電極 １４．３４・・・第２層ポリシリコン膜１５．３５・・
・第Ｉ Ｊｇ！ポリシリコン膜１６．３６・・・入射光 １７．３７・・・半導体基板 １８．３８・・・ＣＯＤ走査部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に信号電荷転送部と 該信号電荷転送部の上部に光導電膜を有す る光導電膜積層型の固体撮像装置において、黒基準画素
領域の内側の前記光導電膜が溝状に除去され、かつ前記
黒基準画素領域上及び溝部に遮光膜が形成された構造を
有することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160799A JPH0329368A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160799A JPH0329368A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329368A true JPH0329368A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15722701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160799A Pending JPH0329368A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329368A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166863A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた読み出し回路 |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
| JP2008153361A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1160799A patent/JPH0329368A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166863A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた読み出し回路 |
| US6188069B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-02-13 | Nec Corporation | Solid-state image sensing device with image pick-up bolometers for noise containing image signal and reference bolometers for estimating noise and read-out circuit for producing noise-free image signal |
| JP2008153361A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
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