JPH04274367A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH04274367A JPH04274367A JP3036408A JP3640891A JPH04274367A JP H04274367 A JPH04274367 A JP H04274367A JP 3036408 A JP3036408 A JP 3036408A JP 3640891 A JP3640891 A JP 3640891A JP H04274367 A JPH04274367 A JP H04274367A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に係り、
特に、高照度被写体撮像時に発生する過剰電荷、あるい
は可変電子シャッタ動作時の不要電荷等を半導体基板側
に掃出す構成からなる、いわゆるＶＯＤ（縦型オーバフ
ロードレイン）方式の固体撮像装置に関する。
特に、高照度被写体撮像時に発生する過剰電荷、あるい
は可変電子シャッタ動作時の不要電荷等を半導体基板側
に掃出す構成からなる、いわゆるＶＯＤ（縦型オーバフ
ロードレイン）方式の固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、固体撮像装置は、たとえばＮ型
半導体基板の上面に濃度の低いＰ型Ｗｅｌｌ層が形成さ
れ、このＰ型Ｗｅｌｌ層の表面において光像投影領域と
なる領域内にマトリックス状に配置された複数のフォト
ダイオードと、これら各フォトダイオードにて発生した
電荷を前記光像投影領域外に転送させて出力として取り
出すためのＣＣＤ素子とが形成されている。
半導体基板の上面に濃度の低いＰ型Ｗｅｌｌ層が形成さ
れ、このＰ型Ｗｅｌｌ層の表面において光像投影領域と
なる領域内にマトリックス状に配置された複数のフォト
ダイオードと、これら各フォトダイオードにて発生した
電荷を前記光像投影領域外に転送させて出力として取り
出すためのＣＣＤ素子とが形成されている。
【０００３】そして、各フォトダイオードは、前記Ｗｅ
ｌｌ層と、このＷｅｌｌ層に形成されたＮ型拡散層とで
構成されている。また、ＣＣＤ素子は、Ｗｅｌｌ層面に
Ｎ型拡散層が形成されて電荷転送路が構成されている。
ｌｌ層と、このＷｅｌｌ層に形成されたＮ型拡散層とで
構成されている。また、ＣＣＤ素子は、Ｗｅｌｌ層面に
Ｎ型拡散層が形成されて電荷転送路が構成されている。
【０００４】なお、前記フォトダイオード側の電荷をＣ
ＣＤ素子側に読出す電荷読出手段が設けられ、この電荷
読出手段は、フォトダイオードを構成するＮ型拡散層お
よびＣＣＤ素子を構成するＮ型拡散層間にＮ型反転層を
生じさせるための読出しゲートが設けられて構成されて
いる。
ＣＤ素子側に読出す電荷読出手段が設けられ、この電荷
読出手段は、フォトダイオードを構成するＮ型拡散層お
よびＣＣＤ素子を構成するＮ型拡散層間にＮ型反転層を
生じさせるための読出しゲートが設けられて構成されて
いる。
【０００５】そして、このような構成において、ＶＯＤ
方式のものは、前記Ｗｅｌｌ層の不純物濃度との関係か
ら半導体基板に印加する電圧を設定することにより、前
記Ｗｅｌｌ層を空乏層化させ、これによりフォトダイオ
ードにて発生した過剰電荷を半導体基板側に掃出すよう
しているものである。
方式のものは、前記Ｗｅｌｌ層の不純物濃度との関係か
ら半導体基板に印加する電圧を設定することにより、前
記Ｗｅｌｌ層を空乏層化させ、これによりフォトダイオ
ードにて発生した過剰電荷を半導体基板側に掃出すよう
しているものである。
【０００６】このような構成からなる固体撮像装置にお
いて、フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読み
だす場合の状態は、図４に示すポテンシャル分布図に示
すようになっている。
いて、フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読み
だす場合の状態は、図４に示すポテンシャル分布図に示
すようになっている。
【０００７】なお、同図において、Ｉ−ＩＩの範囲の分
布はフォトダイオードのＮ型拡散層からＣＣＤ素子のＮ
型拡散層に至る水平方向の分布を示し、またＩ−ＩＩＩ
の範囲の分布はフォトダイオードのＮ型拡散層からＮ型
半導体基板に至る垂直方向の分布を示している。
布はフォトダイオードのＮ型拡散層からＣＣＤ素子のＮ
型拡散層に至る水平方向の分布を示し、またＩ−ＩＩＩ
の範囲の分布はフォトダイオードのＮ型拡散層からＮ型
半導体基板に至る垂直方向の分布を示している。
【０００８】すなわち、電荷読出手段における読出しゲ
ートに電圧が印加されていない場合、読出しゲート下に
おいてポテンシャルレベルが高くなっており（図中点線
で示す部分）、フォトダイオード側に発生している電荷
は、読出しゲート下における高いポテンシャルレベルに
よって妨げられ、ＣＣＤ素子側に読みだされないように
なっている。
ートに電圧が印加されていない場合、読出しゲート下に
おいてポテンシャルレベルが高くなっており（図中点線
で示す部分）、フォトダイオード側に発生している電荷
は、読出しゲート下における高いポテンシャルレベルに
よって妨げられ、ＣＣＤ素子側に読みだされないように
なっている。
【０００９】そして、電荷読出手段における読出しゲー
トに電圧が印加された場合、読出しゲート下においてポ
テンシャルレベルが低くなり（図中実線で示す部分）、
これにより、フォトダイオード側の電荷は、読出しゲー
ト下におけるポテンシャルレベルを超えて、フォトダイ
オード側より低いポテンシャルレベルにあるＣＣＤ素子
側に読みだされるようになる。
トに電圧が印加された場合、読出しゲート下においてポ
テンシャルレベルが低くなり（図中実線で示す部分）、
これにより、フォトダイオード側の電荷は、読出しゲー
ト下におけるポテンシャルレベルを超えて、フォトダイ
オード側より低いポテンシャルレベルにあるＣＣＤ素子
側に読みだされるようになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような固
体撮像装置においては、ＣＣＤ素子への電荷読みだしが
充分になされていないことが判明した。
体撮像装置においては、ＣＣＤ素子への電荷読みだしが
充分になされていないことが判明した。
【００１１】すなわち、Ｗｅｌｌ層を空乏層化するため
に半導体基板に一定の電圧を付与しておく場合、フォト
ダイオード側のポテンシャルレベルが低く（深く）なり
、これにともない、読みだしの際における読出しゲート
下のポテンシャルレベルがフォトダイオード側のポテン
シャルレベルより高くなってしまっていたからである。
に半導体基板に一定の電圧を付与しておく場合、フォト
ダイオード側のポテンシャルレベルが低く（深く）なり
、これにともない、読みだしの際における読出しゲート
下のポテンシャルレベルがフォトダイオード側のポテン
シャルレベルより高くなってしまっていたからである。
【００１２】これによって、読みだしの際においてもフ
ォトダイオード側の電荷が残留してしまうこととなり、
映像装置において残像の原因となってしまっていた。
ォトダイオード側の電荷が残留してしまうこととなり、
映像装置において残像の原因となってしまっていた。
【００１３】また、シャッタ動作時において、該残留さ
れた電荷がフォトダイオード毎にばらつくようになり、
これによりいわゆる面ざらが生じるようになっていた。
れた電荷がフォトダイオード毎にばらつくようになり、
これによりいわゆる面ざらが生じるようになっていた。
【００１４】なお、この場合において、読出しゲートに
高い電圧を印加することにより、上記弊害を除去できる
ことが考えられる。しかし、ＣＣＤ素子側で保持される
電荷量を多くするために厚さが制限される絶縁膜を破壊
してしまうという問題を免れることはできないものとな
っている。
高い電圧を印加することにより、上記弊害を除去できる
ことが考えられる。しかし、ＣＣＤ素子側で保持される
電荷量を多くするために厚さが制限される絶縁膜を破壊
してしまうという問題を免れることはできないものとな
っている。
【００１５】それ故、本発明は、このような事情に基づ
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、いわゆるＶＯＤ方式の固体撮像装置において、フォ
トダイオードに発生する電荷のＣＣＤ素子への読みだし
を残留させることなく充分に行なわせることのできるも
のを提供するにある。
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、いわゆるＶＯＤ方式の固体撮像装置において、フォ
トダイオードに発生する電荷のＣＣＤ素子への読みだし
を残留させることなく充分に行なわせることのできるも
のを提供するにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、Ｎ型半導体基板上に
Ｐ型半導体層が形成され、この半導体層の表面に、Ｎ型
拡散層を形成することにより得られるフォトダイオード
と、このフォトダイオードにて発生した電荷を転送する
ＣＣＤ素子と、前記フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ
素子側に読出す電荷読出手段とが形成され、前記半導体
層の不純物濃度との関係から半導体基板に印加する電圧
を設定することにより、前記半導体層を空乏層化させて
なる固体撮像装置において、前記電荷読出手段による電
荷読出しの際に、それに伴って前記フォトダイオードを
構成するＮ型拡散層のポテンシャルレベルを高くするよ
うにしたポテンシャル向上手段を設けたことを特徴とす
るものである。
るために、本発明は、基本的には、Ｎ型半導体基板上に
Ｐ型半導体層が形成され、この半導体層の表面に、Ｎ型
拡散層を形成することにより得られるフォトダイオード
と、このフォトダイオードにて発生した電荷を転送する
ＣＣＤ素子と、前記フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ
素子側に読出す電荷読出手段とが形成され、前記半導体
層の不純物濃度との関係から半導体基板に印加する電圧
を設定することにより、前記半導体層を空乏層化させて
なる固体撮像装置において、前記電荷読出手段による電
荷読出しの際に、それに伴って前記フォトダイオードを
構成するＮ型拡散層のポテンシャルレベルを高くするよ
うにしたポテンシャル向上手段を設けたことを特徴とす
るものである。
【００１７】そして、上記構成において、前記ポテンシ
ャル向上手段として、半導体基板に印加する電圧を低減
させるようにしたことを特徴とするものである。
ャル向上手段として、半導体基板に印加する電圧を低減
させるようにしたことを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】このように構成した固体撮像装置は、電荷読出
手段による電荷読出しの際に、それに伴って前記フォト
ダイオードを構成するＮ型拡散層のポテンシャルレベル
を高くするようにしたポテンシャル向上手段を設けるよ
うにしたものである。
手段による電荷読出しの際に、それに伴って前記フォト
ダイオードを構成するＮ型拡散層のポテンシャルレベル
を高くするようにしたポテンシャル向上手段を設けるよ
うにしたものである。
【００１９】このため、読出しゲート下におけるポテン
シャルレベルは、フォトダイオード側のポテンシャルレ
ベルよりも低くなり、フォトダイオードからＣＣＤ素子
への電荷読出しにおいて何ら妨げとなることはなくなる
。
シャルレベルは、フォトダイオード側のポテンシャルレ
ベルよりも低くなり、フォトダイオードからＣＣＤ素子
への電荷読出しにおいて何ら妨げとなることはなくなる
。
【００２０】したがって、フォトダイオードに発生する
電荷のＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく充
分に行なわせることができるようになる。
電荷のＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく充
分に行なわせることができるようになる。
【００２１】そして、前記ポテンシャル向上手段として
、半導体基板に印加する電圧を低減させるようにすれば
、極めて簡単な構成で上記効果を達成させることができ
るようになる。
、半導体基板に印加する電圧を低減させるようにすれば
、極めて簡単な構成で上記効果を達成させることができ
るようになる。
【００２２】
【実施例】図２は、本発明による固体撮像装置の一実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【００２３】同図において、濃度の低いＮ型半導体基板
１上に不純物濃度の低いＰ型半導体層からなるＷｅｌｌ
層２が設けられている。
１上に不純物濃度の低いＰ型半導体層からなるＷｅｌｌ
層２が設けられている。
【００２４】このＷｅｌｌ層２の主表面における光投影
領域には、マトリックス状に濃度の高いＮ型拡散層３が
形成されて複数のフォトダイオード５が形成されている
。前記Ｗｅｌｌ層２とＮ型拡散層３とで該フォトダイオ
ード５を構成するようになっているが、ここで、前記Ｎ
型拡散層３の主表面には、濃度の高いＰ型拡散層４が形
成されている。このＰ型拡散層４は暗電流発生防止のた
めに設けられたものである。
領域には、マトリックス状に濃度の高いＮ型拡散層３が
形成されて複数のフォトダイオード５が形成されている
。前記Ｗｅｌｌ層２とＮ型拡散層３とで該フォトダイオ
ード５を構成するようになっているが、ここで、前記Ｎ
型拡散層３の主表面には、濃度の高いＰ型拡散層４が形
成されている。このＰ型拡散層４は暗電流発生防止のた
めに設けられたものである。
【００２５】そして、光像が投影されることにより、各
フォトダイオード５において発生した電荷を前記光投影
領域外に転送させるためのＣＣＤ素子６が形成されてい
る。
フォトダイオード５において発生した電荷を前記光投影
領域外に転送させるためのＣＣＤ素子６が形成されてい
る。
【００２６】このＣＣＤ素子６は、電荷転送路となる濃
度の高いＮ型拡散層７を備えている。このＮ型拡散層７
は、前記Ｗｅｌｌ層２に濃度の高いＰ型拡散層８が形成
され、このＰ型拡散層７内に形成されたものとなってい
る。このＰ型拡散層８は、Ｗｅｌｌ層２との間の接合に
電位障壁を形成して光励起電子が前記Ｎ型拡散層７に拡
散していくのを防ぐものである。
度の高いＮ型拡散層７を備えている。このＮ型拡散層７
は、前記Ｗｅｌｌ層２に濃度の高いＰ型拡散層８が形成
され、このＰ型拡散層７内に形成されたものとなってい
る。このＰ型拡散層８は、Ｗｅｌｌ層２との間の接合に
電位障壁を形成して光励起電子が前記Ｎ型拡散層７に拡
散していくのを防ぐものである。
【００２７】Ｎ型拡散層７は、図中紙面裏から紙面表を
向かって延在しており、酸化膜９を介した表面には、図
示されていないが、該Ｎ型拡散層７の延在方向に複数の
転送電極が形成されたものとなっている。
向かって延在しており、酸化膜９を介した表面には、図
示されていないが、該Ｎ型拡散層７の延在方向に複数の
転送電極が形成されたものとなっている。
【００２８】すなわち、ＣＣＤ素子は、該転送電極に順
次電圧を印加していくと、その直下のＮ型拡散層７に移
動するポテンシャル井戸が形成され、このポテンシャル
井戸内に蓄えられている電荷がそれにともなって転送で
きる構成となっている。
次電圧を印加していくと、その直下のＮ型拡散層７に移
動するポテンシャル井戸が形成され、このポテンシャル
井戸内に蓄えられている電荷がそれにともなって転送で
きる構成となっている。
【００２９】なお、このＣＣＤ素子は、マトリックス状
に配列されたフォトダイオードのうち、それぞれ列方向
に配列された各フォトダイオードからの電荷を光投影領
域外に転送させる垂直シフトレジスタとなっているもの
である。
に配列されたフォトダイオードのうち、それぞれ列方向
に配列された各フォトダイオードからの電荷を光投影領
域外に転送させる垂直シフトレジスタとなっているもの
である。
【００３０】また、前記フォトダイオード５の電荷をＣ
ＣＤ素子６側に読みだすための電荷読出手段が備えられ
ている。この電荷読出手段は、前記絶縁膜９の上面に読
出しゲート１１が設けられ、この読出しゲート１１に電
圧を印加することにより、Ｗｅｌｌ層２の表面において
、フォトダイオード５を構成するＮ型拡散層３およびＣ
ＣＤ素子６を構成するＮ型拡散層７との間を結ぶＮ型反
転層を形成するようになっている。
ＣＤ素子６側に読みだすための電荷読出手段が備えられ
ている。この電荷読出手段は、前記絶縁膜９の上面に読
出しゲート１１が設けられ、この読出しゲート１１に電
圧を印加することにより、Ｗｅｌｌ層２の表面において
、フォトダイオード５を構成するＮ型拡散層３およびＣ
ＣＤ素子６を構成するＮ型拡散層７との間を結ぶＮ型反
転層を形成するようになっている。
【００３１】そして、このように構成される固体撮像装
置において、Ｎ型半導体基板１には、通常１０Ｖないし
２０Ｖの電圧が印加されるようになっており、前記読出
しゲート１１に電圧を印加してフォトダイオード５の電
荷をＣＣＤ素子６側に読みだす際に、それに伴って５Ｖ
ないし１５Ｖに電圧を低減させるようになっている。
置において、Ｎ型半導体基板１には、通常１０Ｖないし
２０Ｖの電圧が印加されるようになっており、前記読出
しゲート１１に電圧を印加してフォトダイオード５の電
荷をＣＣＤ素子６側に読みだす際に、それに伴って５Ｖ
ないし１５Ｖに電圧を低減させるようになっている。
【００３２】ここで、Ｎ型半導体基板１に１０Ｖないし
２０Ｖの電圧を印加させておくのは、Ｗｅｌｌ層を空乏
層化させておき、これにより、強い入射光によって発生
した過剰電荷等をＮ型半導体基板１側に掃出すようにす
るためである。そして、電荷読出しの際において、５Ｖ
ないし１５Ｖに低減させるのはフォトダイオード側のポ
テンシャルレベルを向上させるためである。
２０Ｖの電圧を印加させておくのは、Ｗｅｌｌ層を空乏
層化させておき、これにより、強い入射光によって発生
した過剰電荷等をＮ型半導体基板１側に掃出すようにす
るためである。そして、電荷読出しの際において、５Ｖ
ないし１５Ｖに低減させるのはフォトダイオード側のポ
テンシャルレベルを向上させるためである。
【００３３】なお、この場合におけるタイミングチャー
トを図３に示している。同図の（ａ）は、読出しゲート
１１に印加する読みだしパルスを示し、同図の（ｂ）は
、Ｎ型半導体基板１に印加する電圧を示している。
トを図３に示している。同図の（ａ）は、読出しゲート
１１に印加する読みだしパルスを示し、同図の（ｂ）は
、Ｎ型半導体基板１に印加する電圧を示している。
【００３４】次に、図１のポテンシャル分布図を用いて
、フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読みだす
場合の状態を示す。
、フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読みだす
場合の状態を示す。
【００３５】同図において、Ｉ−ＩＩの範囲の分布、お
よびＩ−ＩＩＩの範囲の分布は、それぞれ図１に示すＩ
−ＩＩの範囲およびＩ−ＩＩＩの範囲に対応づけられて
いる。
よびＩ−ＩＩＩの範囲の分布は、それぞれ図１に示すＩ
−ＩＩの範囲およびＩ−ＩＩＩの範囲に対応づけられて
いる。
【００３６】図１から明らかなように、電荷読出しの際
において、Ｎ型半導体基板１に印加させている電圧を５
Ｖないし１５Ｖに低減させることによって、フォトダイ
オード５の付近のポテンシャルレベルが向上しているこ
とが判る。したがって、読出しゲート１１下におけるポ
テンシャルレベルは、フォトダイオード５側のポテンシ
ャルレベルよりも低くなり、フォトダイオード５からＣ
ＣＤ素子６への電荷読出しにおいて何ら妨げとなること
はなくなる。
において、Ｎ型半導体基板１に印加させている電圧を５
Ｖないし１５Ｖに低減させることによって、フォトダイ
オード５の付近のポテンシャルレベルが向上しているこ
とが判る。したがって、読出しゲート１１下におけるポ
テンシャルレベルは、フォトダイオード５側のポテンシ
ャルレベルよりも低くなり、フォトダイオード５からＣ
ＣＤ素子６への電荷読出しにおいて何ら妨げとなること
はなくなる。
【００３７】このことから、いわゆるＶＯＤ方式の固体
撮像装置において、フォトダイオードに発生する電荷の
ＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく充分に行
なわせることができるようになる。
撮像装置において、フォトダイオードに発生する電荷の
ＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく充分に行
なわせることができるようになる。
【００３８】なお、図１において、Ｎ型半導体基板１に
印加させている電圧を５Ｖないし１５Ｖに低減させても
、ＣＣＤ素子６側のポテンシャルレベルがそれにつれて
向上しないのは、読出しゲート１１に印加する電圧に影
響され、Ｎ型半導体基板１に印加される電圧に影響され
ないからである。
印加させている電圧を５Ｖないし１５Ｖに低減させても
、ＣＣＤ素子６側のポテンシャルレベルがそれにつれて
向上しないのは、読出しゲート１１に印加する電圧に影
響され、Ｎ型半導体基板１に印加される電圧に影響され
ないからである。
【００３９】上述した実施例では、Ｎ型半導体基板１の
上面に形成される濃度の低いＰ型半導体層をＷｅｌｌ層
２として説明したものであるが、このＰ型半導体層は必
ずしもＷｅｌｌ層でなくてもよいことはもちろんである
。
上面に形成される濃度の低いＰ型半導体層をＷｅｌｌ層
２として説明したものであるが、このＰ型半導体層は必
ずしもＷｅｌｌ層でなくてもよいことはもちろんである
。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による固体撮像装置によれば、いわゆるＶＯＤ方
式の固体撮像装置において、フォトダイオードに発生す
る電荷のＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく
充分に行なわせることができるようになる。
本発明による固体撮像装置によれば、いわゆるＶＯＤ方
式の固体撮像装置において、フォトダイオードに発生す
る電荷のＣＣＤ素子への読みだしを残留させることなく
充分に行なわせることができるようになる。
【図１】本発明による固体撮像装置の電荷読出しの際に
おける状態を示すポテンシャル分布図である。
おける状態を示すポテンシャル分布図である。
【図２】本発明による固体撮像装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明による固体撮像
装置の駆動方法の一実施例を示すタイミングチャートで
ある。
装置の駆動方法の一実施例を示すタイミングチャートで
ある。
【図４】従来の固体撮像装置の読出しの際における状態
を示すポテンシャル分布図である。
を示すポテンシャル分布図である。
１ Ｎ型半導体基板
２ Ｗｅｌｌ層
３ Ｎ型拡散層
５ フォトダイオード
６ ＣＣＤ素子
７ Ｎ型拡散層
１０ 電荷読出手段
１１ 読出しゲート
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｎ型半導体基板上にＰ型半導体層が形
成され、この半導体層の表面に、Ｎ型拡散層を形成する
ことにより得られるフォトダイオードと、このフォトダ
イオードにて発生した電荷を転送するＣＣＤ素子と、前
記フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読出す電
荷読出手段とが形成され、前記半導体層の不純物濃度と
の関係から半導体基板に印加する電圧を設定することに
より、前記半導体層を空乏層化させてなる固体撮像装置
において、前記電荷読出手段による電荷読出しの際に、
それに伴って前記フォトダイオードを構成するＮ型拡散
層のポテンシャルレベルを高くするようにしたポテンシ
ャル向上手段を設けたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、電荷読
出手段は、フォトダイオードを構成するＮ型拡散層およ
びＣＣＤ素子を構成するＮ型拡散層間を結ぶＮ型反転層
を形成する読出しゲートを備えてなることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の発明において、ポテン
シャル向上手段として、半導体基板に印加する電圧を低
減させるようにしたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項４】 Ｎ型半導体基板上にＰ型半導体層が形
成され、この半導体層の表面に、Ｎ型拡散層を形成する
ことにより得られるフォトダイオードと、このフォトダ
イオードにて発生した電荷を転送するＣＣＤ素子と、前
記フォトダイオード側の電荷をＣＣＤ素子側に読出す電
荷読出手段とが形成され、前記半導体層の不純物濃度と
の関係から半導体基板に印加する電圧を設定することに
より、前記半導体層を空乏層化させてなる固体撮像装置
において、前記電荷読出手段による電荷読出しの際に、
それに伴って前記フォトダイオードを構成するＮ型拡散
層のポテンシャルレベルを高くするようにしたことを特
徴とする固体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036408A JPH04274367A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036408A JPH04274367A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274367A true JPH04274367A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=12469011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036408A Pending JPH04274367A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04274367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100521972B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2005-10-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광감지 영역에 연결된 전원공급선을 구비하는 이미지 센서 |
| JP2006120804A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 撮像装置及び駆動制御方法 |
| WO2008152770A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Panasonic Corporation | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3036408A patent/JPH04274367A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100521972B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2005-10-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광감지 영역에 연결된 전원공급선을 구비하는 이미지 센서 |
| JP2006120804A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 撮像装置及び駆動制御方法 |
| WO2008152770A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Panasonic Corporation | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
| JP2008311970A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
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