JPH04218966A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
の製造方法およびその駆動方法に関するものである。 【0002】 【従来の技術】近年、電荷結合素子(以下、CCDと呼
ぶ)に代表される電荷転送装置を用いた固体撮像装置は
その低雑音特性等が得られる点から広く使用されるよう
になってきている。 【0003】以下、図面を参照しながら従来の固体撮像
装置に用いられている構造について説明する。 【0004】図24はいわゆるCCD型固体撮像装置の
平面図である。固体撮像装置は光電変換素子部1、垂直
CCD転送電極部2、水平CCD転送電極部3及び出力
部4から構成されている。 【0005】光電変換素子部1に被写体から発っせられ
た光が入射すると、光によって光電変換素子部1内に電
子−正孔対が発生する。このようにして発生した電子は
光電変換素子部1より垂直CCD転送電極部2に送られ
る。垂直CCD転送電極部2には、垂直CCD転送電極
部2の長手方向に配列された各光電変換素子部1の電子
が同時に送り込まれる。さらに、垂直CCD転送電極部
2に取り出された電子は、水平CCD転送電極部3に送
られる。水平CCD転送電極部3には、水平CCD転送
電極部3の長手方向と垂直に配列された各垂直CCD転
送電極2の電子が同時に送り込まれる。 【0006】このようにして水平CCD転送電極部3に
取り出された電子は出力部4を通して出力される。この
出力信号は画像の再生回路を通ってディスプレイ等の出
力媒体から被写体の画像として出力される。 【0007】図25に光電変換素子部1及び垂直CCD
転送電極部2を通るA−A’線での固体撮像装置の断面
図を示す。 【0008】n型基板5上に形成された所定範囲の深さ
と濃度を有したp層6がある。p層6の内部の所定領域
にn層7の光電変換素子が形成されている。また、p層
6にあってn層7と離間した位置に高濃度のp層8が形
成されている。p層8内に垂直CCDである転送チャン
ネルとなるn層9が設けられている。 【0009】n層7に蓄積された信号電荷はn層9に読
み出され、n層9内であって紙面に垂直な方向に信号電
荷は転送される。 【0010】n層7上に形成された高濃度p層10は、
Si−SiO2の界面準位に起因する暗電流の発生を防
止するために形成されている。 【0011】p層6と基板5の間には基板に正電位、p
層6に負電位となる逆バイアス電圧Vsubが電源11
によって印加されている。すなわち、p層8と基板5の
間に逆バイアス電圧Vsubが印加されている。このた
めn層7で形成された光電変換素子下のp層6は空乏化
する。p層6が空乏化すると、n層7に蓄積することの
できる電荷量より過剰となった電荷を基板5側に排出す
る。このようにしてブルーミング現象を防止することが
行なわれている。 【0012】また、更にn型基板5にパルス電圧を印加
することによってn層7内の信号電荷をすべて基板5側
に排出する、いわゆる電子シャッタの動作を行なうこと
が可能となる。 【0013】基板5の表面上には、SiO2等の絶縁膜
12が形成されている。絶縁膜12上には垂直CCD部
2を構成しているp層8とn層9上、及びn層7とp層
8の間隙領域を含む領域上に垂直CCD転送電極13が
形成されている。さらに、固体撮像装置を物理的な衝撃
から保護するために転送電極13の側壁及び上面に絶縁
膜12を形成している。 【0014】垂直CCD転送電極13は、n層7に蓄積
された電子を垂直CCD転送チャンネルとなるp層8あ
るいはp層9に読み出させるための電極として作用して
いる。 【0015】以上のようにブルーミング現象を防止した
り、電子シャッタ動作を行なうためには、p層6が所定
範囲の濃度と深さを有していることが必要である。 【0016】図26に、図25の光電変換素子部1を通
るB−B’線に沿った不純物濃度分布を示す。また、図
27に、図26の不純物濃度のネット値を示す。両図面
において、縦軸は不純物の濃度を示す。横軸は基板表面
からの距離を示す。縦軸の上側にp型不純物原子の濃度
を示し、縦軸の下側にn型不純物原子の濃度を示す。 【0017】図26の破線14,15,16,17はそ
れぞれ図8のp層10、p層6、基板5、n層7の不純
物濃度を示している。 【0018】図27の実線18は、図26の各々の不純
物濃度のネット値を示している。斜線19の領域は光電
変換素子のn層7のネット不純物分布であって、n層に
蓄積される有効ドナーの総量を示している。 【0019】光電変換素子であるn層7の不純物濃度1
7は、基板5表面で最も高濃度であり、基板5内部に行
くにつれて濃度が低下する。n層7の上部には暗電流を
低減するためにp層10が形成されている。p層10の
不純物濃度14は、n層7の濃度より高濃度で、基板5
内部への広がりが少ない。このためn層7はネット不純
物19になる。 【0020】p層6は、不純物濃度は低いが、その分布
状態は広く分布している。すなわち、基板5表面を濃度
の極大点として基板5内部に行くにつれて、徐々にその
濃度が減少する。 【0021】固体撮像素子ではブルーミング現象を生じ
させないように、光電変換素子に蓄積された電子を垂直
CCD転送電極部に読みだした後、光電変換素子のn層
7がほぼ完全に空乏化させる必要がある。このため、ネ
ット不純物濃度19に示された有効ドナーの総量がn層
7に蓄積できる電荷量の上限にしておくことが必要であ
る。すなわち、有効ドナーの総量が光電変換素子の飽和
特性の上限値を決定することになる。 【0022】ネット不純物濃度19は不純物濃度17に
基板5の不純物濃度16を加えた値から、p層10の不
純物濃度14とp層6の不純物濃度15を差し引いたも
のである。各々のプロセス上の制約からネット不純物濃
度19は、不純物濃度14と不純物濃度17によって決
まる。不純物濃度17は基板5表面での濃度が最も高く
なっている。この濃度が最も高くなっている部分を逆導
電型のp層10の不純物濃度14によって補償している
。 【0023】図28〜図31に従来のCCD型固体撮像
装置の断面工程図を示す。n型基板5の主面上にp型不
純物であるボロンをイオン注入する。この後、高温の熱
処理によってp層6を形成する。この後、通常のフォト
リソグラフィを用いて垂直CCD転送チャネルとなる領
域以外にレジストパターンを形成する。レジストパター
ンをマスクとしてボロンをイオン注入しp層8を形成す
る。この後、再度、フォトリソグラフィを用いて垂直C
CD転送チャネルとなるp層8内のn層9を形成する領
域以外にレジストパターンを形成する。レジストパター
ンをマスクとしてリンをイオン注入しn層9を形成する
。この後、基板5主面に絶縁膜12を熱酸化により堆積
する。さらに、絶縁膜12上に垂直CCD転送電極13
となる電極材料を形成する(図28)。 【0024】さらに、電極材料上にフォトリソグラフィ
を用いて転送電極13となる領域より広い領域以外の領
域にレジストパターン20を形成する。レジストパター
ン20をマスクに電極材料をドライエッチングを施し、
絶縁膜12が露出するまでエッチングする。次にレジス
トパターン20をマスクにさらに絶縁膜20を保護膜と
してリンのイオン注入を行なう。このイオン注入によっ
て光電変換素子となるn層7が形成される(図29)。 【0025】この後、レジストパターン20を除去する
。基板5表面には絶縁膜12と転送電極13より広い領
域の電極材料が形成されている。次に、転送電極13と
なる領域以外にレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクに電極材料をドライエッチングする
。以上の工程で転送電極13が形成される。この時、光
電変換素子より電子が垂直CCD転送チャンネルに読み
出されるn層7とp層8の間隙上に転送電極13が設け
られていなければならない。このため転送電極13作製
時のドライエッチングでは、もともと光電変換素子とな
るn層7の側壁端と転送電極13の側壁端が一致してい
るため、転送電極13の一方の側壁端を短くして所定の
長さに形成する(図30)。 【0026】次に、この転送電極13の一端およびレジ
ストをマスクにボロンをイオン注入する。これによって
n層7上に暗電流を防止するためのp層10が形成され
る(図31)。 【0027】 【発明が解決しようとする課題】このような従来の電荷
転送装置では 以下のような欠点があった。 【0028】不純物濃度17は基板5表面での濃度が最
も高くなっており、この濃度が最も高くなっている部分
を逆導電型のp層10の不純物濃度14によって補償し
ている。このため、光電変換素子として導入されたn層
7の不純物濃度17の内、比較的濃度の低い領域を光電
変換素子として用いている。すなわち、濃度の低い光電
変換素子では、そこに蓄積できる有効ドナー総量が少な
くなり飽和電荷量を十分に高くとることができない。 【0029】このため、不純物濃度17に導入される不
純物の導入量を増やしている。また、導入された不純物
を高温熱処理によって基板深部へ拡散させて、光電変換
素子の面積を増加させることが行なわれる。 【0030】しかし、高温熱処理を行なうと基板5表面
と垂直な方向に不純物濃度17が広がる。このためp層
8とn層7の間隙部や、垂直CCD転送チャンネルであ
るp層8へも拡散してしまう。 【0031】n層7の端部と垂直CCD転送電極12と
の位置関係は、転送電極12を形成する時に行なわれる
露光工程でのマスクの位置合わせ精度と拡散によって形
成されるn層7の拡散領域によって定まる。このため高
温での熱拡散によって形成される位置を制御することが
極めて困難である。n層7の端部と垂直CCD転送電極
12との位置の制御性が悪いと、光電変換素子より垂直
CCD転送チャンネルに取り出す読み出しの際に光電変
換素子に信号となる電子が取り残されてしまう。 【0032】このように取り残された電子は、残像現象
を生じさせる原因となり、著しく画質を劣化させる。 【0033】一方、導入量を増加した時、イオン注入時
の欠陥が増加し、いわゆる白キズが増加する。このため
歩留まりが低下する。 【0034】さらに、p層6は単一の不純物層で形成さ
れている。このため、ブルーミング現象を防止したり、
電子シャッタ動作を行なわせるためには、p層6へ印加
される電圧を制御しなければならない。 【0035】このような構造ではブルーミング現象を防
止するためにn型基板5に印加される電圧は通常10V
程度である。また、電子シャッタの動作を行なわせるた
めには30V程度のパルス電圧が必要である。 【0036】以上のような電圧を印加するためには、通
常固体撮像装置が使用されるカメラ一体型VTRを製造
するにあたって、部品の数が増加し、消費電力が増加等
するため小型で、軽量さらには低消費電力のものを製造
するための妨げとなっている。 【0037】 【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、本発明の固体撮像装置は半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた一導電型の第1の半導体領
域と、前記第1の半導体領域内に形成された逆導電型の
第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の表面に隣
接して形成された逆導電型の第3の半導体領域と、前記
第1の半導体領域内で前記第2の半導体領域と離間して
形成された同第2の半導体領域と同一導電型の第4の半
導体領域を備え、前記第2の半導体領域の前記半導体基
板の深さ方向の不純物濃度の分布が前記半導体基板表面
よりも内部において極大部を有する。 【0038】また、半導体基板と、前記半導体基板に設
けられた一導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半
導体領域内に形成された逆導電型の第2の半導体領域と
、前記第2の半導体領域の表面に隣接して形成された逆
導電型の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内
で前記第2の半導体領域と離間して形成された同第2の
半導体領域と同一導電型の第4の半導体領域を備え、前
記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域の前記半導
体基板の深さ方向の不純物濃度の分布が前記半導体基板
表面よりも内部において極大部を有する。 【0039】また、半導体基板と、前記半導体基板の所
定領域に形成された一導電型の第1の半導体領域と、前
記第1の半導体領域および前記第1の半導体領域間に少
なくとも形成された逆導電型の第2の半導体領域と、前
記第2の半導体領域の少なくとも表面に形成された逆導
電型の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内で
前記第2の半導体領域と離間して形成された前記第2の
半導体領域と同一導電型の第4の半導体領域と、前記第
1の半導体領域間に形成された前記第2の半導体領域と
同一導電型の第5の半導体領域を有する。 【0040】また、その固体撮像装置の駆動方法におい
ては、半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成
された一導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導
体領域および前記第1の半導体領域間に少なくとも形成
された逆導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導
体領域の少なくとも表面に形成された逆導電型の第3の
半導体領域と、前記第1の半導体領域内で前記第2の半
導体領域と離間して形成された前記第2の半導体領域と
同一導電型の第4の半導体領域と、前記第1の半導体領
域間に形成された前記第2の半導体領域と同一導電型の
第5の半導体領域を備え、前記第1の半導体領域と前記
半導体基板の間に逆バイアス電圧が印加され、この逆バ
イアス電圧印加期間が第1および第2の印加期間よりな
り、第1の印加期間中の第1の半導体領域の極小電位が
第5の半導体領域の極小電位よりも高く、第2の印加期
間中の第5の半導体領域の極小電位が第1の半導体領域
の極小電位よりも高くなる。 【0041】さらに、その固体撮像装置の製造方法にお
いては、半導体基板に第1のイオン注入を用いて第1の
半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体領域に
転送チャンネルを形成する工程と、前記半導体基板上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電極材料を形
成する工程と、少なくとも前記電極材料をマスクに第2
のイオン注入して第2の半導体領域を形成する工程と、
前記電極材料をエッチングして転送電極を形成する工程
と、前記第2の半導体領域の表面に隣接して第3の半導
体領域を形成する工程を備え、前記第1または第2のイ
オン注入の少なくとも一方のイオン注入の加速電圧が2
00keV以上である。 【0042】また、半導体基板に第1のイオン注入を用
いて第1の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半
導体領域に転送チャンネルを形成する工程と、前記半導
体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電
極材料を形成する工程と、第1のレジストパターンと少
なくとも前記電極材料をマスクに第2のイオン注入によ
って第2の半導体領域を形成する工程と、前記第1のレ
ジストパターンの凹凸が逆となる第2のレジストパター
ンと少なくとも前記電極材料をマスクに第3のイオン注
入して第3の半導体領域を形成する工程と、前記電極材
料をエッチングして転送電極を形成する工程と、前記第
3の半導体領域の表面に隣接して第4の半導体領域を形
成する工程を備え、前記第2のイオン注入の加速電圧が
200keV以上である。 【0043】さらに、半導体基板に第1のイオン注入を
用いて第1の半導体領域を形成する工程と、前記第1の
半導体領域に転送チャンネルを形成する工程と、前記半
導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に
電極材料を形成する工程と、第1のレジストパターンと
少なくとも前記電極材料をマスクに第2のイオン注入に
よって第2の半導体領域を形成する工程と、前記第1の
レジストパターンの凹凸が逆となる第2のレジストパタ
ーンと少なくとも前記電極材料をマスクに第3のイオン
注入して第3の半導体領域を形成する工程と、前記電極
材料をエッチングして転送電極を形成する工程と、前記
第3の半導体領域の表面に隣接して第4の半導体領域を
形成する工程を備え、前記第3のイオン注入の加速電圧
が200keV以上であり、前記第1または第2のイオ
ン注入の内少なくとも一方のイオン注入の加速電圧が2
00keV以上である。 【0044】 【作用】以上述べたように本発明による固体撮像装置で
は、光電変換素子となるn層を高加速エネルギーのイオ
ン注入を用いて実現するため、不純物濃度分布は基板内
部に最も濃度の高い領域を持たせることができる。 【0045】このため、光電変換素子に蓄積できる有効
ドナー総量が増加し飽和電荷量を十分に高くする。 【0046】イオン注入によって光電変換素子を形成す
るため、光電変換素子の端部と垂直CCD転送電極との
位置関係は、転送電極12を形成する時に行なわれる露
光工程でのマスクの位置合わせ精度によって定まる。こ
のため高温での熱拡散によって形成される位置を制御す
る必要がなく、光電変換素子の端部と垂直CCD転送電
極との位置の制御性が高い。このため固体撮像装置は残
像現象を生じ難くなり、画質が劣化するのを防止できる
。 【0047】また、イオン注入によって光電変換素子を
形成するn層の不純物濃度分布において、その濃度の極
大値が基板内部にすることができる。このため光電変換
素子に蓄積される有効ドナー総量が多くなる。したがっ
て高い飽和特性を有する光電変換素子を備えた固体撮像
装置を得ることができる。 【0048】また、光電変換素子のn層上には、暗電流
防止用のp層が形成されている。イオン注入によって基
板内部に光電変換素子となるn層の濃度の極大値を形成
されている。このため基板表面でのp層の不純物濃度の
ネット値は、従来の固体撮像素子のp層の濃度より高濃
度にすることができる。このため低い暗電流特性を有す
る光電変換素子を備えた固体撮像装置を得ることができ
る。 【0049】さらに、光電変換素子で蓄積される電荷量
を減少しないで、低電圧で電子シャッタとしての動作が
可能となる固体撮像装置が形成される。 【0050】本発明の固体撮像装置の製造方法では、光
電変換素子の不純物濃度は基板深部での濃度が最も高く
なっている。このため従来行なわれていたような光電変
換素子に導入される不純物の導入量を増やす必要がない
。導入量を増加させるためには、相当時間のロスを生じ
ることとなる。このため固体撮像装置を形成する時のス
ループットが低下することがない。さらに、白きずによ
る歩留まりの低下を防止することができる。 【0051】また、導入された不純物を高温熱処理によ
って基板深部へ拡散させて、光電変換素子の面積を増加
させる必要がない。このため高温熱処理によって誘起さ
れる基板内の欠陥が生じることがない。さらに、他の拡
散層から不純物が拡散され、所望の不純物濃度をもたせ
るよう制御する必要がない。また、高温熱処理を行なう
ことで光電変換素子が拡散し広がって、垂直CCD転送
チャンネルや転送チャンネルと光電変換素子との間隙に
まで拡散することがない。 【0052】また、光電変換素子の端部と垂直CCD転
送電極の端部との位置関係は、高温の熱処理を行なうこ
とによって、その拡散層の位置を制御することが困難と
なることがない。このため両者の位置関係を容易に得る
ことができる。このことは固体撮像装置のブルーミング
および残像現象を生じることを防止でき、画質の劣化を
とどめることができる。 【0053】本発明の目的は、ブルーミング現象を生じ
難く、画質の劣化を防止すること、さらに、低電圧で電
子シャッタとしての動作を可能とする固体撮像装置を提
供することである。 【0054】また、本発明の別の目的は、容易なプロセ
スで上記固体撮像装置を形成することのできる固体撮像
装置の製造方法を提供することにある。 【0055】 【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。 【0056】図1に本発明の第一の実施例の固体撮像装
置の断面図を示す。この実施例は図8で示した従来の固
体撮像装置と全く同じ構成をしている。 【0057】n型基板5上に形成された所定範囲の深さ
と濃度を有したp層6がある。p層6の内部の所定領域
にn層7の光電変換素子が形成されている。また、p層
6にあってn層7と離間した位置に高濃度のp層8が形
成されている。p層8内に垂直CCDである転送チャン
ネルとなるn層9が設けられている。n層7に蓄積され
た信号電荷はn層9に読み出され、n層9内であって紙
面に垂直な方向に信号電荷は転送される。n層7上であ
って基板5の表面に高濃度のp層10が形成されている
。p層10は、Si−SiO2の界面準位に起因する暗
電流の発生を防止するために形成されている。 【0058】基板5の表面上には、SiO2等の絶縁膜
12が形成されている。絶縁膜12上には垂直CCD部
2を構成しているp層8とn層9上、及びn層7とp層
8の間隙領域を含む領域上に垂直CCD転送電極13が
形成されている。さらに、固体撮像装置を物理的な衝撃
から保護するために転送電極13の側壁及び上面に絶縁
膜12を形成している。 【0059】垂直CCD転送電極13は、n層7に蓄積
された電子を垂直CCD転送チャンネルとなるp層8を
経由してn層9に読み出させるための電極としても作用
している。 【0060】図2に、図1に示されたp層10と光電変
換素子のn層7、p層6及び基板5を通るA−A’線に
沿った基板内の不純物濃度分布を示す。また、図3に、
図2の不純物濃度分布のネット不純物分布を示す。 【0061】本発明では図1に示されているように固体
撮像装置の断面形状については、従来のそれと全く同じ
であるが、形成されている不純物層の不純物濃度分布が
異なっている。このことについてより詳細に説明してい
く。 【0062】両図面において、縦軸は不純物濃度を示す
。横軸は基板5表面からの距離を示す。横軸より上側す
なわち縦軸の上側にp型不純物の濃度を示し、横軸より
下側すなわち縦軸の下側にn型不純物の濃度を示す。 【0063】図2の破線21,22,23,24はそれ
ぞれ図1のp層6、基板5、n層7、p層10の不純物
濃度を示している。 【0064】図3の実線25は、図2の各々の不純物濃
度を合成した値(以下、ネット値と呼ぶ)を示している
。斜線26の領域は光電変換素子のn層7のネット不純
物濃度である。n層7に蓄積される有効ドナーの総量を
示している。 【0065】光電変換素子であるn層7の不純物濃度2
3は、基板5の内部に最も高濃度すなわち濃度が極大と
なる点が存在する。基板5表面では、n層7の不純物濃
度は低く、基板5内部に行くにつれて濃度が高くなる。 このように基板5内部にn層7の不純物濃度の極大値が
存在し、極大値となる深さよりさらに基板内部に行くに
つれてn層7の不純物濃度は低下する。従来の固体撮像
装置ではn層7の不純物濃度は、基板5表面あるいは暗
電流を低減するp層10の不純物濃度が分布している深
さ程度に浅い領域に極大となる領域を持つように形成さ
れている。 【0066】n層7の上部には暗電流を低減するために
p層10が形成されている。p層10の不純物濃度24
は、n層7の濃度より高濃度で、基板5内部への広がり
が少なくなるように形成されている。 【0067】さらに、p層6は基板5内部にあって、光
電変換素子のn層7の基板5内部の深部にある端部に少
なくとも重なるように形成されている。その不純物濃度
21は、n層7と重なり合った部分より濃度が高くなり
始め、さらに基板5深部に極大値を持つように分布して
いる。従来の固体撮像装置ではp層6の不純物濃度は、
基板5表面あるいは暗電流を低減するp層10の不純物
濃度が分布している深さ程度に浅い領域に極大となる領
域を持つように形成されている。またその不純物濃度の
分布状態は低濃度で基板5のかなり深部にまで及んでい
る。 【0068】本発明の固体撮像装置と従来のそれとの不
純物濃度の分布状態の相違は、光電変換素子に蓄積され
る有効ドナーの総量に大きな違いが生じる。 【0069】すなわち、ネット不純物濃度26で示され
る有効ドナーの総量は、次のようにして求められる。不
純物濃度23に基板5の不純物濃度22を加えた値から
、p層10の不純物濃度24とp層6の不純物濃度21
を差し引いた値から求められる。 【0070】従来の固体撮像装置では、光電変換素子の
n層7の不純物濃度は、基板5表面あるいは暗電流を低
減するp層10の不純物濃度が分布している深さ程度に
浅い領域に極大となる領域を持つように形成されている
。このため、光電変換素子となるn層7の内、最も不純
物濃度の高い領域は、基板5の表面に形成された高濃度
で、分布状態の浅いp層10によって打ち消されてしま
う。このため光電変換素子に蓄積される有効ドナーの絶
対量は低下することになる。さらに、p層6の不純物濃
度が低濃度であるが基板5深部にまで深く分布している
ため光電変換素子のn層7の濃度は全体に低くなってし
まう。このため光電変換素子に蓄積される有効ドナーの
絶対量は低下することになる。 【0071】一方、本発明の固体撮像装置では、光電変
換素子であるn層7は、基板5表面あるいは暗電流を低
減するp層10の不純物濃度が分布している深さ程度に
浅い領域では不純物濃度は極端に低くなるように形成さ
れている。このため、光電変換素子となるn層7が、基
板5の表面に形成された高濃度の不純物濃度24すなわ
ち分布状態の浅いp層10によって打ち消される濃度は
殆ど問題にならない程度である。このため光電変換素子
に蓄積される有効ドナーの絶対量は従来の場合と比べて
問題にならない程度低下するのみである。 【0072】さらに、p層6の不純物濃度21は、基板
5の深部に不純物濃度21が形成されている。不純物濃
度21の端部は光電変換素子のn層7の端部と重なるよ
うに分布している。ここでも、不純物濃度21と重なり
合う不純物濃度23の領域では、そのn型不純物の濃度
は極端に低くなるように形成されている。このため、光
電変換素子となるn層7が、不純物濃度21によって打
ち消される濃度は殆ど問題にならない程度である。この
ため光電変換素子に蓄積される有効ドナーの絶対量は従
来の場合と比べて問題にならない程度低下するのみであ
る。このようにp層6とn層7を重ねる時、不純物濃度
21には次のような制限が加えられる。第1に重なりが
ない場合には、図3で示されるネット不純物濃度の実線
25が図4に示すような形状になる。有効ドナーが蓄積
される領域が基板5深部に突起状に突き出た領域ができ
る。このような形状の光電変換素子では、ネット不純物
濃度26が不純物濃度21によって打ち消されることが
ないため、実質的なネット不純物濃度26が大きくなる
。ネット不純物濃度26が大きくなると有効ドナー総量
が大きくなる。 【0073】また、重なり合う領域が浅い場合には、重
なり合う領域の不純物濃度21の最大値aの濃度が、基
板5の不純物濃度bより大きくなくてはならない。すな
わちaの濃度はn層7の不純物濃度の分布端部での不純
物濃度6の濃度を示している。もし、aの値がbの値よ
り小さい場合には、図4に示されたネット不純物濃度の
実線25のように基板5深部で不純物濃度は突起形状と
なる。 【0074】逆にaの値が極端にbの値より大きい場合
には、実線25のp側の盛り上がりの壁が高くなる。す
なわち、n層7と基板5との間に形成される電位障壁が
高くなる。電位障壁が高いと、基板5に印加すべき電圧
を高くすることでブルーミング現象を防止することがで
きる。 【0075】しかし、不純物濃度21の分布が、急峻で
あってn層7とp層6の重なり合う領域が浅く、aの値
が極端にbの値より大きくかつp層6の厚さが薄い場合
には、ネット不純物濃度26が不純物濃度25によって
打ち消される量が少なくなるためネット不純物濃度26
は高くなる。このため有効ドナー総量は大きくなる。ま
た、基板5に印加すべき電圧は低くても十分な効果が得
られる。 【0076】n層7の不純物濃度23の極大点は、p層
10とp層6の不純物濃度21,24と全く重ならない
領域に持っている。このように不純物濃度23を形成す
ることによって有効ドナーの総量を多くすることができ
る。 【0077】このようにn層7の不純物濃度23は、p
層10及びp層6の不純物濃度21,24とそれぞれ端
部でのみ重なり合っている。すなわち、p層10の不純
物濃度24とp層6の不純物濃度21とは重なり合うこ
とがなく、両者をn層7の不純物濃度23によって連続
している。このような不純物濃度分布を造ることで、光
電変換素子のn層7に蓄積される有効ドナーの総量を顕
著に増加させることができる。 【0078】一方、ネット不純物濃度25において、光
電変換素子のn層7に蓄積される有効ドナー総量を示す
斜線26の面積は、従来の総量を示す斜線19の面積よ
り大きくなっている。 【0079】このため、光電変換素子の飽和特性の上限
値が従来のものより大きくなり、固体撮像素子の飽和電
荷量、すなわちダイナミックレンジを大幅に向上させる
ことができる。 【0080】ここで、基板5の濃度は、約1015cm
−3である。p層10の濃度は、1018〜1019c
m−3で、その拡散長は0.5ミクロンである。また、
p層6の濃度は、約1015cm−3で、その領域は基
板5表面から1.5ミクロンから拡散長3.0ミクロン
である。n層7の濃度は、1016〜1017cm−3
で、その拡散長は1.8ミクロンである。よってn層7
とp層6の重なり合う領域は0.3ミクロンとなる。 【0081】図5に、第2の実施例である固体撮像装置
内の不純物濃度を示す。具体的には、図1に示されたp
層10と光電変換素子のn層7、p層6及び基板5を通
るA−A’線に沿った基板内の不純物濃度を示す。 【0082】図6に、図5の不純物濃度のネット値を示
す。本発明では図1に示されているように固体撮像装置
の断面形状については、従来のそれと全く同じであるが
、形成されている不純物層の不純物濃度分布が異なって
いる。このことについてより詳細に説明していく。 【0083】両図面において、縦軸、横軸は図2、3と
全く同じものを示す。図5の破線27,28,29,3
0はそれぞれ図1のp層6、基板5、n層7、p層10
の不純物濃度を示している。 【0084】図6の実線31は、図2の各々の不純物濃
度のネット値を示している。斜線32の領域は光電変換
素子のn層7のネット不純物濃度である。n層7に蓄積
される有効ドナーの総量を示している。 【0085】光電変換素子であるn層7の不純物濃度2
9は、基板5の内部に最も高濃度すなわち濃度が極大と
なる点が存在する。基板5表面では、n層7の不純物濃
度は低く、基板5内部に行くにつれて濃度が高くなる。 このように基板5内部にn層7の不純物濃度の極大値が
存在し、極大値となる深さよりさらに基板内部に行くに
つれてn層7の不純物濃度は低下する。以上のようにn
層7の不純物濃度の分布は第1の実施例と同じである。 【0086】また、n層7の上部には暗電流を低減する
ためにp層10が形成されている。p層10の不純物濃
度30は、n層7の濃度より高濃度で、基板5内部への
広がりが少なくなるように形成されているのも第1の実
施例と同じである。 【0087】第1の実施例と異なる点は、p層6が従来
の固体撮像装置の不純物濃度15と同じように低濃度で
、基板5表面から基板5深部にまで形成されている点で
ある。 【0088】すなわち、不純物濃度6は、基板5表面に
濃度の極大値を持つ。またその分布状態は基板5深部に
広がっている。p層6の拡散深さはn層7の拡散深さよ
り深くまで形成されている。 【0089】本発明の固体撮像装置と従来のそれとの不
純物濃度の分布状態の相違は、光電変換素子に蓄積され
る有効ドナーの総量に大きな違いが生じる。 【0090】すなわち、ネット不純物濃度32で示され
る有効ドナーの総量は、次のようにして求められる。不
純物濃度29に基板5の不純物濃度28を加えた値から
、p層10の不純物濃度30とp層6の不純物濃度27
を差し引いた値から求められる。 【0091】従来の固体撮像装置では、光電変換素子の
n層7の不純物濃度は、基板5表面あるいは暗電流を低
減するp層10の不純物濃度が分布している深さ程度に
浅い領域に極大となる領域を持つように形成されている
。このため、光電変換素子となるn層7の内、最も不純
物濃度の高い領域は、基板5の表面に形成された高濃度
で、分布状態の浅いp層10によって打ち消されてしま
う。このため光電変換素子に蓄積される有効ドナーの絶
対量は低下することになる。さらに、p層6の不純物濃
度が低濃度であるが基板5深部にまで深く分布している
ため光電変換素子のn層7の濃度は全体に低くなってし
まう。このため光電変換素子に蓄積される有効ドナーの
絶対量は低下することになる。 【0092】一方、本発明の固体撮像装置では、光電変
換素子であるn層7は、基板5表面あるいは暗電流を低
減するp層10の不純物濃度が分布している深さ程度に
浅い領域では不純物濃度は極端に低くなるように形成さ
れている。このため、光電変換素子となるn層7が、基
板5の表面に形成された高濃度の不純物濃度30すなわ
ち分布状態の浅いp層10によって打ち消される濃度は
殆ど問題にならない程度である。このため光電変換素子
に蓄積される有効ドナーの絶対量は従来の場合と比べて
問題にならない程度低下するのみである。しかし、第2
の実施例では、第1の実施例においてp層6の不純物濃
度27が、基板5の深部に形成されている。不純物濃度
27の端部は光電変換素子のn層7の端部と重なるよう
に分布している。このため、光電変換素子となるn層7
が、不純物濃度27によって打ち消される濃度は殆ど問
題にならない程度であった。 これと比較すると第2
の実施例では、p層6が基板5表面から拡散されて形成
されている点で従来の固体撮像装置と同じである。この
ため、第1の実施例よりは光電変換素子に蓄積される有
効ドナーの絶対量は少なくなる。従来の場合と比べた場
合には、第2の実施例でも問題にならない程度有効ドナ
ーの総量が低下するのみである。 【0093】また、第1の実施例ではp層6とn層7を
重ねる時、不純物濃度27には制限が加えられる。しか
し、第2の実施例ではn層7のみが従来の固体撮像装置
と異なる部分である。第1の実施例ではn層7とp層6
の重なり合う領域が問題となったが、第2の実施例では
従来のプロセスで容易に形成することができる。 【0094】ネット不純物濃度31において、光電変換
素子のn層7に蓄積される有効ドナー総量を示す斜線3
2の面積は、従来の総量を示す斜線15の面積より大き
くなっている。 【0095】このため、光電変換素子の飽和特性の上限
値が従来のものより大きくなり、固体撮像素子の飽和電
荷量を大きくすることができる。 【0096】ここで、基板5の濃度は、1015cm−
3である。p層10の濃度は、1018〜1019cm
−3で、その拡散長は0.5ミクロンである。また、p
層6の濃度は、約2×1014cm−3で、その領域は
基板5表面から1.5ミクロンから拡散長5.5ミクロ
ンである。n層7の濃度は、1016〜1017cm−
3で、その拡散長は1.8ミクロンである。よってn層
7とp層6の重なり合う領域は1.8ミクロンとなる。 【0097】以上のような条件で固体撮像装置を形成す
ると、従来の固体撮像装置ではその飽和電荷量が4×1
04/画素程度であったのが、1.2×105/画素程
度の値が得られる。 【0098】図7に本発明の第3の実施例である固体撮
像装置の断面構造を示す。この図は従来技術の図27に
示された固体撮像装置に対応した領域の断面図である。 【0099】n型基板5上に形成された所定範囲の深さ
と濃度を有したp層33が形成されている。p層33に
n層の光電変換素子7の一部の領域が形成されている。 また、p層33には高濃度のp層8が形成され、p層8
内に垂直CCD転送チャンネルとなるn層9が設けられ
ている。さらに、光電変換素子7の底部に接して高濃度
で厚さの薄いp層34が形成されている。p層34はp
層33とそれと隣合うp層33で挟まれたn型基板5に
形成されている。光電変換素子7の上には高濃度のp層
10が形成されている。また、p層8は、n層7及びp
層10と離間して形成されている。 【0100】n型基板5上には、少なくとも光電変換素
子7の所定領域を除く領域にSiO2等の絶縁膜12を
介して垂直CCD転送電極13が形成されている。 【0101】光電変換素子のn層7は低濃度で厚いp層
33と、高濃度で厚さの薄いp層34の2つの領域上に
形成されている。 【0102】光電変換素子のn層7に蓄積された信号電
荷はn層9に読み出され、n層9内であって紙面に垂直
な方向に信号電荷は転送される。 【0103】光電変換素子のn層7上に形成された高濃
度p層10は、Si−SiO2の界面準位に起因する暗
電流の発生を防止するために形成されている。 【0104】以上のように本発明の固体撮像装置で、従
来の固体撮像装置と異なっている構成は、光電変換素子
のn層7が、低濃度で厚いp層21と、高濃度で厚さの
薄いp層34の2つの領域上にまたがる領域に接して少
なくとも形成されている点である。 【0105】ここで、基板5の濃度は1015cm−3
のものを用いた。また、p層33の濃度は1015cm
−3で、その拡散長は3ミクロンである。n層7の濃度
は1016〜1017cm−3で、その拡散長は1.8
ミクロンである。また、p層10の濃度は1018〜1
019cm−3で、その拡散長は0.5ミクロンである
。p層8の濃度は3×1017cm−3で、その拡散長
は1.2ミクロンである。n層9の濃度は5×1016
cm−3で、その拡散長は0.8ミクロンである。p層
34の濃度は4×1015cm−3で、その拡散長は1
.5ミクロンである。 【0106】p層34は、光電変換素子であるn層7の
垂直CCD転送部であるn層9から離れた位置に形成さ
れている。p層34は光電変換素子のn層7の長辺に沿
って形成されている。p層34の長辺方向への長さは3
ミクロンである。この長さが、さらに長く光電変換素子
のn層7の長辺に沿って形成されていると電子シャッタ
を動作させるための印加電圧を低くすることができる。 すなわち、n層7に蓄積された信号電荷を全て基板5に
排出するために基板5に印加すべきパルス電圧を低くす
ることができる。 【0107】また、光電変換素子のn層7とp層34の
、垂直CCD転送部であるn層9から最も離れた端部が
この実施例では一致している。n層7の端部よりp層3
4の端部が隣接するp層33にまで伸びて形成されてい
ても同様の効果を得ることができる。このように、端部
を形成するのにその位置関係に余裕があるため製造上の
マージンが大きくなる。 【0108】一方、n層7の端部よりp層34の端部が
短くなる場合には、n層7が基板5と直接接触すること
となり、n層7には信号電荷が蓄積できなくなる。 【0109】さらに、p層34の基板5深部方向への厚
さは、1.5ミクロンである。この厚さは固体撮像装置
の電子シャッタを動作させるときにn層7に印加すべき
パルス電圧の値を左右する。すなわち、この厚さより薄
い場合には、n層7と基板5の間に生じる電位障壁が低
くなる。このため基板5に印加すべき電圧を低くするこ
とができる。 【0110】また、この厚さより厚く形成されている場
合には、n層7と基板5の間に生じる電位障壁が高くな
る。このため基板5に印加すべき電圧を高くする必要が
ある。 【0111】p層33とn型基板5の間にはn型基板5
に正電位、p層33に負電位となる逆バイアス電圧Vs
ubが印加される。 【0112】ブルーミング現象を防止するために正電圧
Vsubをn型基板5に印加したときに、図7で示され
たC−C’線、及びD−D’線に沿った電位分布を図8
,9に示す。 【0113】図8は本発明の固体撮像装置がブルーミン
グ現象を減少させるのに効果があることを詳細に説明す
るための図である。 【0114】図8の破線36は、図7で示されたC−C
’線、及び実線37はD−D’線に沿った電位分布を示
す。領域10,7,33,5はそれぞれ高濃度p層10
、光電変換素子のn層7,低濃度で厚いp層33,n型
基板5の深さ方向の厚さを示している。 【0115】Vsubの電位が印加された時、低濃度で
厚いp層33内での極小電位38の値が高濃度で厚さの
薄いp層34の極小電位39の値よりも高くなっている
。 【0116】光電変換素子のn層7では、電位の井戸を
形成している。このためn層7及びその周辺で発生した
電荷は、この電位の井戸を形成するポテンシャルに沿っ
て移動する。この結果電位の井戸内に電荷が蓄積されて
いく。さらに蓄積される電荷が多くなり、極小電位38
を越える電位を持つ電荷がでてくると、過剰電荷となっ
てp層33の電位分布に沿って移動する。この結果、過
剰電荷はn型基板5へ排出される。 【0117】ブルーミング現象は、光電変換素子のn層
7に高輝度の光が入射したときに生じる現象である。す
なわち、入射した光によって光電変換素子内に瞬時に多
量の電子が生じる。光電変換素子内には一定容量の電子
しか蓄積することができない。そこで瞬時に生じた電子
の量が多量で光電変換素子に蓄積される容量より多い場
合には、隣接した垂直CCDの転送チャンネル内に過剰
な電子が流入することによってが生じる。このような現
象をブルーミング現象と呼ばれている。 【0118】図8から、光電変換素子内の電位分布は、
図8に示される破線36と実線37の2つのタイプの分
布を示す。光電変換素子のn層7で形成された電子は、
電位の井戸内に蓄積されていく。その蓄積量が多くなる
と、光電変換素子のn層7の2つの分布形状の内、より
電位の低い方の電位分布の部分から電子がp層33へ流
れていく。実線37で示される分布状態の極小電位38
は破線36の極小電位39より低いため、実線37の電
位分布を持つ領域から最初に電子がp層33へ流れてい
く。 【0119】図9は本発明の固体撮像装置が電子シャッ
タの動作を行なうのに有効な構成であることを詳細に説
明するための図である。 【0120】電子シャッタは光電変換素子のn層7に蓄
積された全ての信号電荷をn型基板5に排出することで
ある。図9は電子シャッタの動作を行わせた時の基板5
内の電位分布である。すなわち電子シャッタの動作は光
電変換素子のn層7に蓄積された電子が全て基板5に排
出することである。蓄積された電子が完全に排出されな
ければ電子シャッタを動作させた時に、光電変換素子単
位に各々異なる電荷量が内部に蓄積された(取り残され
た)状態となる。このため取り残された電荷によって固
定パターンを発生させることになる。 【0121】電子シャッタを動作させるためにn型基板
5に図8より更に高い正電圧Vsubを印加されている
。 【0122】図9に、図7のC−C’線、及びD−D’
線に沿った電位分布をそれぞれ破線40及び実線41に
示す。 【0123】図9の領域10,7,33,5はそれぞれ
高濃度p層10、光電変換素子のn層7,低濃度で厚い
p層33,n型基板5の深さ方向の厚さを示している。 【0124】Vsubの電位が印加されると、高濃度で
厚さの薄いp層34の極小電位42が低濃度で厚いp層
33の極小電位43よりも高くなっており、かつ極小電
位42はn層7の電位44よりも低くなっている。この
ため、光電変換素子のn層7に蓄積された信号電荷は、
電位の低い破線42に沿って移動する。この時、光電変
換素子のn層7内の極小電位44より破線42の電位が
低くなっているため、光電変換素子に蓄積された信号電
荷が全てn型基板5に排出される。 【0125】図10はこのようになる理由を説明するた
めのVsubに対する電位の関係を示す図である。 【0126】図10中の実線45及び破線46はそれぞ
れ低濃度で厚いp層33、及び高濃度で厚さの薄いp層
34内の極小電位のVsub電圧依存性を示している。 【0127】実線45はVsub電位が高くなるにつれ
て、p層33内の極小電位が徐々に高くなる。 【0128】一方、破線46はVsub電位が高くなる
につれて、p層34内の極小電位が急激に高くなる。 【0129】この差はp層33とp層34を比較した場
合、p層33の不純物濃度がp層34の不純物濃度より
低く、かつその厚さが厚くなっている点に起因する。す
なわち、p層34は逆に不純物濃度は高く、かつその厚
さが薄く形成されている。 【0130】したがって、光電変換素子のn層7の蓄積
電荷量のVsub電位依存性は、図10の交点47以下
では実線45によって、また交点47以上では破線46
で決定される。すなわち、光電変換素子の蓄積電荷量は
図11に示すようなVsub電位依存性を持つ。これよ
り光電変換素子に蓄積されている間、すなわち図8で示
された状態が図11の領域48に相当している。 【0131】電子シャッタを動作させて信号電荷を排出
する時には図9に示された状態、すなわち図11で示さ
れた実線よりも高電圧の時の状態で動作させる。このよ
うにすることで、高い飽和電荷量を持つ光電変換素子を
低いVsubとなるパルス電圧で電子シャッタの動作を
行なうことができる。 【0132】これより、ブルーミングの発生を防止する
ためには、領域48のように最大蓄積電荷量の変化がV
sub電位に対して緩やかなVsub電位依存性領域で
行うのがよい。 【0133】このような領域で用いることで、カメラ一
体型VTRのVsub電位調整が容易となる。また、こ
のようなVsub電位領域で用いることで光電変換素子
の最大蓄積電荷量の減少を少なくすることができる。 【0134】その一方で電子シャッタを動作させる時は
、領域49のように最大蓄積電荷量の変化がVsubに
対して急峻なVsub依存性を有する領域で用いるのが
よい。 【0135】というのも電子シャッタを動作させる電位
は、ブルーミングの発生を防止する時に印加される電位
に更にクロック電圧を加えて実現する。 【0136】本発明の固体撮像装置では従来の固体撮像
装置で電子シャッタを動作させる時に、印加されるクロ
ック電圧より低い電圧で電子シャッタを動作させること
ができる。 【0137】すなわち、従来の固体撮像装置で電子シャ
ッタを動作させる時に、印加されるクロック電圧は、3
0ボルトであるのに対して第3の実施例の固体撮像装置
では18ボルトという低い電圧で電子シャッタを動作さ
せることができる。 【0138】このように光電変換素子のn層7に接して
低濃度で厚いp層33と高濃度で厚さの薄いp層34を
形成することによって、ブルーミングを防止するための
ビデオカメラのVsub電位の調整を容易にでき、また
光電変換素子の最大蓄積電荷量(飽和電荷量)を高くす
ることができる。また、電子シャッタを動作させるのに
低いクロック電圧で実現することができる。 【0139】さらに、高濃度で浅いp層34を図7の破
線35で示すように光電変換素子のn層7内に一部が重
なるように形成する。すなわち、破線35に示すような
位置に形成することで、高濃度で薄いp層34と接する
n層7の厚さが実質上薄くなる。このため、光電変換素
子の信号電荷を読み出す際に、光電変換素子のn層7が
空乏化した状態となる。よってそこに発生する電位分布
は読み出し側に深くなるため、残像の発生を防止するこ
とがより容易になる。 【0140】次に本発明の第4の実施例の固体撮像装置
について図12、図13を用いて説明する。 【0141】図12の断面図は従来技術(図26)のA
−A’線に沿った断面図である。n型基板5上に形成さ
れた所定範囲の深さと濃度を有したp層33が形成され
ている。p層33にn層7の光電変換素子の一部の領域
が形成されている。また、p層33には高濃度のp層8
が形成され、p層8内に垂直CCDである転送チャンネ
ルとなるn層9が設けられている。さらに、光電変換素
子のn層7の底部の一部に接して高濃度で厚さの薄いp
層34が形成されている。p層34はp層33とそれと
隣合うp層33で挟まれたn型基板5に形成されている
。光電変換素子のn層7の上には高濃度のp層10が形
成されている。また、p層8は、p層7及びp層10と
離間して形成されている。 【0142】n型基板5上には、少なくとも光電変換素
子のn層7の所定領域を除く領域にSiO2等の絶縁膜
12を介して垂直CCDの転送電極13が形成されてい
る。 【0143】ここで第1の実施例と異なる部分は、高濃
度で厚さの薄いp層34が垂直CCD転送チャンネルと
なるp層8の読み出し側に形成されていることである。 【0144】すなわち光電変換素子のn層7内の高濃度
で厚さの薄いp層34に接した部分を低濃度で厚いp層
33に接した部分よりもやや深く形成する。光電変換素
子のn層7の形状は鍵型となり、その短辺の先端にp層
34が形成されている。これによって、光電変換素子の
n層7が空乏化されたとき、光電変換素子の読み出し側
の電位が高くなる。このため、読み出し時に光電変換素
子の電荷が容易に移動することができる。このため残像
の発生を防止することがより容易になる。 【0145】ここで、図7の固体撮像装置についてその
駆動方法を図8、9を参照しながら説明する。 【0146】図7において、p層8は電気的に接地され
ている。基板5には正電圧が印加されている。このため
、p層8、33、34と基板5の間は、逆バイアス状態
となっている。この時の信号電荷蓄積期間における電位
分布を図7のC−C’線、D−D’線に沿った電位分布
として示したのが上記したように図8である。 【0147】この期間では、p層33の極小電位38が
、p層34の極小電位39よりも深い。このため、光電
変換素子のn層7で過剰電荷となったなった電子が極小
電位38に沿って移動し、基板5に排出されなければな
らない。このためには、基板5へ所定の電圧を印加すれ
ばよい。 【0148】一方、電子シャッタの動作を行なわせる期
間での電位分布を図7のC−C’線、D−D’線に沿っ
た電位分布として示したのが上記したように図9である
。 【0149】この期間では信号電荷蓄積期間よりも更に
高い電圧を基板5に印加する必要がある。更に高い電圧
を基板5に印加することで、n層7に蓄積されていた信
号電荷をすべてn型基板5へ排出することができる。こ
のためには、n層7の極大電位44よりも、p層34の
極小電位42の方が、高い電位にする必要がある。 【0150】p層33を低濃度で、その分布の厚さを厚
くし、p層34を高濃度で、深く形成することによって
、従来より低い電圧で電子シャッタの動作をさせること
ができる。この時、p層33の極小電位43の電位は、
p層34の極小電位42よりも低くなっている。すなわ
ち、基板5に印加するVsub電位を高くして行くと、
p層33の極小電位43がp層34の極小電位42を追
い越すことができる。 【0151】このようにして、基板5に印加する電位が
低くとも、電位シャッタを動作させることができる。 【0152】次に本発明の第5の実施例を図13を用い
て説明する。図13の断面図は従来技術(図26)のB
−B’線に沿った断面図である。n型基板5上に形成さ
れた所定範囲の深さと濃度を有したp層33が形成され
ている。p層33とその隣合うp層33で挟まれた領域
はn型基板5である。p層33と隣合うp層33に挟ま
れたn型基板5にはp層34が形成されている。p層3
3とp層34の各々の一部の領域に光電変換素子のn層
7が連続して形成されている。隣合う光電変換素子の間
は分離用のp層52が形成されている。 【0153】本発明を、第1、2の実施例と比較したと
き、p層33内のp層8および、p層8内の転送チャン
ネルとなるn層9が設けられていない構成である。 【0154】さらに、光電変換素子のn層7の底部の一
部に接して高濃度で厚さの薄いp層34が形成されてい
る。光電変換素子のn層7の上には高濃度のp層10が
形成されている。 【0155】n型基板5上には、少なくとも光電変換素
子のn層7の所定領域を除く領域にSiO2等の絶縁膜
12を介して垂直CCDの転送電極50が形成されてい
る。さらに垂直CCDの転送電極51が絶縁膜12を介
して形成されている。 【0156】高濃度で厚さの薄いp層34は光電変換素
子とその隣合う光電変換素子間の分離部に1個形成され
ている。すなわち、p層34が2個の光電変換素子に対
して共通に形成されている。 【0157】こうすることによって高濃度で厚さの薄い
p層34の形成個数を光電変換素子の個数の半分にする
ことができる。また、光電変換素子と接する高濃度で厚
さの薄いp層34の面積を小さくすることができるので
ブルーミングの発生を防止することが容易になる。 【0158】図14は図7のC−C’線、及びD−D’
線にに沿った深さ方向の不純物原子濃度分布である。5
3,54,55,56,57はそれぞれ高濃度p層10
,光電変換素子のn層7,高濃度で厚さの薄いp層34
,低濃度で厚いp層33,n型基板5の不純物濃度であ
る。 【0159】p層34を高濃度で厚さの薄い層である不
純物濃度52を形成するためには、光電変換素子のn層
7の不純物濃度54を基板5表面よりも基板内部に不純
物原子濃度の極大値を有するように形成する。このよう
な構造にすることで光電変換素子のn層7内のネット不
純物濃度の減少を少なくできる。このため、光電変換素
子の特性を劣化することがない。このとき低濃度で厚い
p層33の不純物濃度56も高濃度で厚さの薄いp層3
4と同様に基板表面よりも基板内部にその不純物原子濃
度分布の極大値を有する構造とすることによって、低濃
度で厚いp層33と高濃度で厚さの薄いp層34の不純
物濃度55との独立性が保ち易く不純物濃度の制御がよ
り容易になる。 【0160】以上のような構造を形成するには、高濃度
で厚さの薄いp層17を形成するときにホウ素等の不純
物を200KeV以上の加速エネルギーで注入すること
によって実現することできる。 【0161】このように形成された光電変換素子周辺の
ネット不純物濃度分布は図15のようになる。58,5
9,60,61はそれぞれ高濃度p層10,光電変換素
子のn層7,高濃度で厚さの薄いp層34,n型基板5
のネット不純物濃度を示す。62,63はそれぞれ低濃
度で厚いp層33,n型基板5のネット不純物濃度を示
している。このとき低濃度で厚いp層33も高濃度で厚
さの薄いp層34と同様に200KeV以上の加速エネ
ルギーで注入することによって不純物濃度分布制御がよ
り容易になる。 【0162】図16〜図19に上記第1の実施例の固体
撮像装置の断面工程図を示す。比抵抗20オーム・cm
であるn型基板5の主面のほぼ全面にp型不純物である
ボロンをイオン注入する。ここでボロンのイオン注入は
、注入量約5×1011/cm2で行なう。このイオン
注入によって基板5表面にボロンが導入される。 【0163】この後、基板5を熱処理することによって
p層6を形成する。上記第2の実施例の固体撮像装置で
は、イオンを基板5表面に導入し、熱拡散させて不純物
濃度が広範囲に分布するようにしている。すなわち基板
5を高温で熱処理することによってイオン注入されたボ
ロンを拡散させてp層6を形成する。 【0164】p層6は、基板表面にイオンが導入された
が高温の熱処理によってイオンを広範囲に拡散させるた
め、不純物濃度はp層6の領域内で広範囲に分布するよ
うに形成させている。 【0165】この後、通常のフォトリソグラフィを用い
て垂直CCD転送チャネルとなる領域以外にレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンをマスクとしてボ
ロンをイオン注入しp層8を形成する。 【0166】この後、先のレジストパターンを酸素系の
ガスを用いてドライエッチングを行い除去する。さらに
再度、フォトリソグラフィを用いて垂直CCD転送チャ
ネルとなるp層8内のn層9を形成する領域以外にレジ
ストパターンを形成する。 【0167】レジストパターンをマスクとしてリンをイ
オン注入しn層9を形成する。この後、レジストパター
ンを酸素系のドライエッチングを用いて除去する。 【0168】次に基板5主面に絶縁膜12を熱酸化によ
り形成する。ここでは、絶縁膜12として酸化膜を用い
ている。 【0169】さらに、絶縁膜12上に垂直CCD転送電
極13となる電極材料を形成する。さらに、電極材料上
にレジストを塗布する(図16)。 【0170】次に、フォトリソグラフィを用いて転送電
極13となる領域より広い領域以外の領域、すなわち光
電変換素子となるn層7が形成されるべき領域のレジス
トを通常のフォトリソグラフィを用いて除去し、レジス
トパターン20を形成する。レジストパターン20をマ
スクに電極材料にドライエッチングを施し、絶縁膜12
が露出するまでエッチングする。 【0171】次にレジストパターン20および電極材料
をマスクにさらに絶縁膜12を保護膜としてリンのイオ
ン注入を行なう。このイオン注入によって光電変換素子
となるn層7が形成される(図17)。 【0172】ここでリンのイオン注入は、加速エネルギ
360〜800keV、注入量1.2×1012〜3.
4×1012/cm2で行なう。 【0173】以上のことから、従来のように光電変換素
子に導入される不純物の導入量を増やす必要がない。導
入量を増加させるためには、相当時間のロスを生じるこ
ととなる。このため固体撮像装置を形成する時のスルー
プットが低下することがない。 【0174】また、導入された不純物を高温熱処理によ
って基板深部へ拡散させて、光電変換素子の体積を増加
させる必要がない。このため高温熱処理によって誘起さ
れる基板内の欠陥が生じることがない。さらに、他の拡
散層から不純物が拡散され、所望の不純物濃度をもたせ
るよう制御する必要がない。また、高温熱処理を行なう
ことで光電変換素子が拡散し広がって、垂直CCD転送
チャンネルや転送チャンネルと光電変換素子との間隙に
まで拡散することがない。 【0175】また、光電変換素子の端部と垂直CCD転
送電極の端部との位置関係は、高温の熱処理を行なうこ
とによって、その拡散層の位置を制御することが困難と
なることがない。このため両者の位置関係を容易に得る
ことができる。このことは固体撮像装置のブルーミング
現象を生じることを防止でき、飽和特性が低下すること
による画質の劣化をとどめることができる。 【0176】この後、レジストパターン20を除去する
。基板5表面には絶縁膜12と転送電極13より広い領
域の電極材料が形成されている。次に、転送電極13と
なる領域以外にレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクに電極材料をドライエッチングする
。以上の工程で転送電極13が形成される(図18)。 【0177】この時、光電変換素子より電子が垂直CC
D転送チャンネルに読み出されるn層7とp層8の間隙
上に転送電極13が設けられていなければならない。こ
のため転送電極13作成時のドライエッチングでは、も
ともと光電変換素子となるn層7の側壁端と転送電極1
3の側壁端が一致しているため、転送電極13の一方の
側壁端を短くして所定の長さに形成する。 【0178】次に、基板5主面に絶縁膜12を堆積する
。この転送電極13とレジストパターンをマスクにボロ
ンをイオン注入する。これによってn層7上に暗電流を
防止するためのp層10が形成される(図19)。 【0179】なお、ここの説明はn型光電変換素子の例
であったが、p型光電変換素子の場合も同様の効果があ
ることはもちろんである。 【0180】また、導電型の極性を逆にして 印加電
圧の極性を逆にしても同様の効果があることももちろん
である。 【0181】また、注入イオン種はここに上げた物に限
定する必要がないのは当然である。図20〜図23に上
記第3の実施例の固体撮像装置の断面工程図を示す。 【0182】n型基板5の主面にp層33となる領域以
外の領域にレジストパターンを形成する。すなわち光電
変換素子の下に形成された高濃度で薄いp層34の領域
の基板5上にレジストパターンを形成する。次にレジス
トパターンをマスクにして基板5全面にp型不純物であ
るボロンをイオン注入する。 【0183】この後、レジストパターンを酸素系のドラ
イエッチングを用いて除去する。次にp層33となる領
域に新たにレジストパターン64を形成する。すなわち
光電変換素子の下に形成された高濃度で薄いp層34の
領域以外の基板5上にレジストパターン64を形成する
。次にこのレジストパターン64をマスクにn型基板5
にp型不純物であるボロンをイオン注入する(図20)
。 【0184】この後、レジストパターン64を酸素系の
ドライエッチングを用いて除去する。 【0185】上記2つのボロンのイオン注入工程では、
その注入順序が入れ替わってもかまわない。 【0186】この時、p層33とp層34の拡散層端部
が重なり合うと、重なり合った部分の不純物濃度が高く
なり、またその厚さも厚くなる。このため、重なり合っ
た部分は基板へ信号電荷を排出する場合には寄与しない
。 【0187】また、p層33とp層34の拡散層端部が
重なり合わずに形成されていると、その重なり合わない
間隙の部分のp型不純物濃度が低くなる。このため飽和
電荷量は低下してしまうかあるいは印加すべきVsub
電圧が低下することとなる。 【0188】この後、フォトリソグラフィを用いて垂直
CCD転送チャネルとなる領域以外にレジストパターン
を形成する。レジストパターンをマスクとしてボロンを
イオン注入しp層8を形成する。 【0189】この後、レジストパターンを酸素系のガス
を用いてドライエッチングを行い除去する。さらに再度
、フォトリソグラフィを用いて垂直CCD転送チャネル
となるp層8内のn層9を形成する領域以外にレジスト
パターンを形成する。 【0190】レジストパターンをマスクとしてリンをイ
オン注入しn層9を形成する。この後、レジストパター
ンを酸素系のドライエッチングを用いて除去する。 【0191】次に基板5主面に絶縁膜12を熱酸化によ
って形成する。ここでは、絶縁膜12として酸化膜を用
いている。 【0192】この酸化膜の膜厚は、後の工程で形成され
る光電変換素子のイオン注入のマスクとして用いられる
ため、高精度に膜厚が制御されていなければならない。 【0193】さらに、絶縁膜12上に垂直CCD転送電
極13となる電極材料を形成する。さらに、電極材料上
にフォトリソグラフィを用いて転送電極13となる領域
より広い領域以外の領域にレジストパターン65を形成
する。レジストパターン65をマスクに電極材料をドラ
イエッチングを施し、絶縁膜12が露出するまでエッチ
ングする(図21)。 【0194】次にレジストパターン65および電極材料
をマスクにさらに絶縁膜12を保護膜としてリンのイオ
ン注入を行なう。このイオン注入によって光電変換素子
となるn層7が形成される。 【0195】p層7の不純物濃度の分布は、基板5に形
成されている領域で高く、p層33に形成されている領
域では低くなる。すなわち、基板5に形成されている光
電変換素子のn層7は、基板5のn型不純物濃度とイオ
ン注入されたn型不純物濃度の和で決まる。これに対し
て、p層33に形成されている光電変換素子のn層7は
、p層33のp型不純物濃度とイオン注入されたn型不
純物濃度の和で決まる。 【0196】このように、1つの光電変換素子のn層7
内で不純物濃度の異なる領域が形成される。 【0197】さらに、高濃度の薄いp層34は光電変換
素子となるn層7の拡散層底部に形成されるように制御
されている。 【0198】上記した固体撮像装置の第4の実施例では
、高濃度で薄いp層34は、転送電極13側に形成され
る。 【0199】この時もp層35とn層7が重なり合った
領域では、その不純物濃度はn層7とp層35の不純物
濃度の和となる。 【0200】ここでは光電変換素子のn層7は高濃度で
厚さの薄いp層34に接した部分を低濃度で厚いp層3
3に接した部分よりもやや深く形成する。光電変換素子
のn層7の形状は鍵型となり、その短辺の先端にp層3
4が形成されている。これによって、光電変換素子のn
層7が空乏化されたとき、光電変換素子の読み出し側の
電位が高くなる。このため、読み出し時に光電変換素子
の電荷が容易に移動できるようになる。 【0201】このように鍵型のn層は、p層34とn層
7との接合面が、p層33とn層7との接合面より深く
なるように形成されている。すなわち、p層34を形成
するときに、イオン注入するボロンの加速エネルギを、
p層33を形成する時のイオン注入の加速エネルギより
も高くして行なう。従って、n層7の基板5の深さ方向
への厚さが厚くすることによって、その部分の電位を高
くなる。 【0202】以上のことから、従来のように光電変換素
子に導入される不純物の導入量を増やす必要がない。導
入量を増加させるためには、相当時間のロスを生じるこ
ととなる。このため固体撮像装置を形成する時にスルー
プットが低下することがない。 【0203】また、導入された不純物を高温熱処理によ
って基板深部へ拡散させて、光電変換素子の体積を増加
させる必要がない。このため高温熱処理によって誘起さ
れる基板内の欠陥が生じることがない。さらに、他の拡
散層から不純物が拡散され、所望の不純物濃度をもたせ
るよう制御する必要がない。また、高温熱処理を行なう
ことで光電変換素子が拡散し広がって、垂直CCD転送
チャンネルや転送チャンネルと光電変換素子との間隙に
まで拡散することがない。 【0204】また、光電変換素子の端部と垂直CCD転
送電極の端部との位置関係は、高温の熱処理を行なうこ
とによって、その拡散層の位置を制御することが困難と
なることがない。このため両者の位置関係を容易に得る
ことができる。このことは固体撮像装置のブルーミング
現象を生じることを防止でき、画質の劣化をとどめるこ
とができる。 【0205】この後、レジストパターン65を除去する
。基板5表面には絶縁膜12と転送電極13より広い領
域の電極材料が形成されている。次に、転送電極13と
なる領域以外にレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクに電極材料をドライエッチングする
。以上の工程で転送電極13が形成される(図22)。 【0206】この時、光電変換素子より電子が垂直CC
D転送チャンネルに読み出されるn層7とp層8の間隙
上に転送電極13が設けられていなければならない。こ
のため転送電極13作成時のドライエッチングでは、も
ともと光電変換素子となるn層7の側壁端と転送電極1
3の側壁端が一致しているため、転送電極13の一方の
側壁端を短くして所定の長さに形成する。 【0207】次に、基板5主面に絶縁膜12を堆積する
。この転送電極13とレジストパターンをマスクにボロ
ンをイオン注入する。これによってn層7上に暗電流を
防止するためのp層10が形成される(図23)。 【0208】以上述べたように、本発明の固体撮像装置
の製造方法では、光電変換素子となるn層を高加速エネ
ルギのイオン注入を用いて実現するため、不純物濃度分
布は基板内部に最も濃度の高い領域を持たせることがで
きる。 【0209】このため、光電変換素子に蓄積できる有効
ドナー総量が増加し飽和電荷量を十分に高くすることが
できる。 【0210】イオン注入によって光電変換素子を形成す
るため、光電変換素子の端部と垂直CCD転送電極との
位置関係は、転送電極12を形成する時に行なわれる露
光工程でのマスクの位置合わせ精度によって定まる。こ
のため高温での熱拡散によって形成される位置を制御す
る必要がなく、光電変換素子の端部と垂直CCD転送電
極との位置の制御性が高い。このため固体撮像装置は残
像現象を生じ難くなり、画質が劣化するのを防止できる
。 【0211】また、イオン注入によって光電変換素子を
形成するn層の不純物濃度分布において、その濃度の極
大値が基板内部にすることができる。このため光電変換
素子に蓄積される有効ドナー総量が多くなる。したがっ
て高い飽和特性を有する光電変換素子を備えた固体撮像
装置を得ることができる。 【0212】また、光電変換素子のn層上には、暗電流
防止用のp層が形成されている。イオン注入によって基
板内部に光電変換素子となるn層の濃度の極大値を形成
されている。このため基板表面でのp層の不純物濃度の
ネット値は、従来の固体撮像素子のp層の濃度より高濃
度にすることができる。このため低い暗電流特性を有す
る光電変換素子を備えた固体撮像装置を得ることができ
る。 【0213】本発明の固体撮像装置の製造方法では、光
電変換素子の不純物濃度は基板深部での濃度が最も高く
なっている。このため従来行なわれていたような光電変
換素子に導入される不純物の導入量を増やす必要がない
。導入量を増加させるためには、相当時間のロスを生じ
ることとなる。このため固体撮像装置を形成する時のス
ループットが低下することがない。さらに、白きずによ
る歩留まりの低下を防止することができる。 【0214】また、導入された不純物を高温熱処理によ
って基板深部へ拡散させて、光電変換素子の面積を増加
させる必要がない。このため高温熱処理によって誘起さ
れる基板内の欠陥が生じることがない。さらに、他の拡
散層から不純物が拡散され、所望の不純物濃度をもたせ
るよう制御する必要がない。また、高温熱処理を行なう
ことで光電変換素子が拡散し広がって、垂直CCD転送
チャンネルや転送チャンネルと光電変換素子との間隙に
まで拡散することがない。 【0215】なお、ここでの説明はn型光電変換素子の
例であったが、p型光電変換素子の場合も同様の効果が
あることはもちろんである。 【0216】 【発明の効果】本発明によれば、n型光電変換素子に接
して低濃度で厚いp層と高濃度で厚さの薄いp層を形成
することによって、ブルーミングの発生を防止するため
のビデオカメラの容易なVsub調整と光電変換素子の
高い最大蓄積電荷量(飽和電荷量)を得ることができる
。また電子シャッタの動作を低い電圧を印加することで
実現できる。このように、本発明の実用的効果は大なる
ものがある。
るための断面図
濃度を説明するための図
不純物濃度を説明するための図
不純物濃度を説明するための図
濃度を説明するための図
不純物濃度を説明するための図
るための断面図
明するための電位分布図
説明するための電位分布図
るための図
明するための図
するための断面図
するための別の断面図
物濃度を説明するための図
ト不純物濃度を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
施例を説明するための図
ための図
明するための図
めの断面図
めの断面図
めの断面図
めの断面図
Claims (11)
- 【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板に設けられ
た一導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領
域内に形成された逆導電型の第2の半導体領域と、前記
第2の半導体領域の表面に隣接して形成された逆導電型
の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内で前記
第2の半導体領域と離間して形成された同第2の半導体
領域と同一導電型の第4の半導体領域を備え、前記第2
の半導体領域の前記半導体基板の深さ方向の不純物濃度
の分布が前記半導体基板表面よりも内部において極大部
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】半導体基板と、前記半導体基板に設けられ
た一導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領
域内に形成された逆導電型の第2の半導体領域と、前記
第2の半導体領域の表面に隣接して形成された逆導電型
の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内で前記
第2の半導体領域と離間して形成された同第2の半導体
領域と同一導電型の第4の半導体領域を備え、前記第1
の半導体領域と前記第2の半導体領域の前記半導体基板
の深さ方向の不純物濃度の分布が前記半導体基板表面よ
りも内部において極大部を有することを特徴とする固体
撮像装置。 - 【請求項3】半導体基板と、前記半導体基板の所定領域
に形成された一導電型の第1の半導体領域と、前記第1
の半導体領域および前記第1の半導体領域間に少なくと
も形成された逆導電型の第2の半導体領域と、前記第2
の半導体領域の少なくとも表面に形成された逆導電型の
第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内で前記第
2の半導体領域と離間して形成された前記第2の半導体
領域と同一導電型の第4の半導体領域と、前記第1の半
導体領域間に形成された前記第2の半導体領域と同一導
電型の第5の半導体領域を有する固体撮像装置。 - 【請求項4】第5の半導体領域が前記第2の半導体領域
底部の一部と接触して形成されているか、または重なり
合って形成されている請求項3の固体撮像装置。 - 【請求項5】第5の半導体領域の底部の前記半導体基板
の深さ方向の位置が、前記第1の半導体領域の底部の前
記半導体基板の深さ方向の位置より浅く形成されている
請求項3の固体撮像装置 - 【請求項6】第2の半導体領域の前記半導体基板の深さ
方向の不純物濃度の分布が前記半導体基板表面よりも内
部において極大部を有する請求項3の固体撮像装置。 - 【請求項7】第1の半導体領域と前記第2の半導体領域
の前記半導体基板の深さ方向の不純物濃度の分布が前記
半導体基板表面よりも内部において極大部を有する請求
項3の固体撮像装置。 - 【請求項8】半導体基板と、前記半導体基板の所定領域
に形成された一導電型の第1の半導体領域と、前記第1
の半導体領域および前記第1の半導体領域間に少なくと
も形成された逆導電型の第2の半導体領域と、前記第2
の半導体領域の少なくとも表面に形成された逆導電型の
第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域内で前記第
2の半導体領域と離間して形成された前記第2の半導体
領域と同一導電型の第4の半導体領域と、前記第1の半
導体領域間に形成された前記第2の半導体領域と同一導
電型の第5の半導体領域を備え、前記第1の半導体領域
と前記半導体基板の間に逆バイアス電圧が印加され、こ
の逆バイアス電圧印加期間が第1および第2の印加期間
よりなり、第1の印加期間中の第1の半導体領域の極小
電位が第5の半導体領域の極小電位よりも高く、第2の
印加期間中の第5の半導体領域の極小電位が第1の半導
体領域の極小電位よりも高くなることことを特徴とする
固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項9】半導体基板に第1のイオン注入を用いて第
1の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体領
域に転送チャンネルを形成する工程と、前記半導体基板
上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電極材料
を形成する工程と、少なくとも前記電極材料をマスクに
第2のイオン注入して第2の半導体領域を形成する工程
と、前記電極材料をエッチングして転送電極を形成する
工程と、前記第2の半導体領域の表面に隣接して第3の
半導体領域を形成する工程を備え、前記第1または第2
のイオン注入の少なくとも一方のイオン注入の加速電圧
が200keV以上である固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項10】半導体基板に第1のイオン注入を用いて
第1の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体
領域に転送チャンネルを形成する工程と、前記半導体基
板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電極材
料を形成する工程と、第1のレジストパターンと少なく
とも前記電極材料をマスクに第2のイオン注入によって
第2の半導体領域を形成する工程と、前記第1のレジス
トパターンの凹凸が逆となる第2のレジストパターンと
少なくとも前記電極材料をマスクに第3のイオン注入し
て第3の半導体領域を形成する工程と、前記電極材料を
エッチングして転送電極を形成する工程と、前記第3の
半導体領域の表面に隣接して第4の半導体領域を形成す
る工程を備え、前記第2のイオン注入の加速電圧が20
0keV以上である固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項11】半導体基板に第1のイオン注入を用いて
第1の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体
領域に転送チャンネルを形成する工程と、前記半導体基
板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電極材
料を形成する工程と、第1のレジストパターンと少なく
とも前記電極材料をマスクに第2のイオン注入によって
第2の半導体領域を形成する工程と、前記第1のレジス
トパターンの凹凸が逆となる第2のレジストパターンと
少なくとも前記電極材料をマスクに第3のイオン注入し
て第3の半導体領域を形成する工程と、前記電極材料を
エッチングして転送電極を形成する工程と、前記第3の
半導体領域の表面に隣接して第4の半導体領域を形成す
る工程を備え、前記第3のイオン注入の加速電圧が20
0keV以上であり、前記第1または第2のイオン注入
の内少なくとも一方のイオン注入の加速電圧が200k
eV以上である固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09388891A JP3326798B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-04-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-167134 | 1990-06-25 | ||
JP16713490 | 1990-06-25 | ||
JP09388891A JP3326798B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-04-24 | 固体撮像装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001027913A Division JP2001250937A (ja) | 1990-06-25 | 2001-02-05 | 固体撮像装置およびその駆動方法およびその製造方法 |
JP2001203034A Division JP2002026303A (ja) | 1990-06-25 | 2001-07-04 | 固体撮像装置の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218966A true JPH04218966A (ja) | 1992-08-10 |
JP3326798B2 JP3326798B2 (ja) | 2002-09-24 |
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ID=26435164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09388891A Expired - Lifetime JP3326798B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-04-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3326798B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5466612A (en) * | 1992-03-11 | 1995-11-14 | Matsushita Electronics Corp. | Method of manufacturing a solid-state image pickup device |
US7948048B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2015050389A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
WO2017090322A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | イオン濃度センサ |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP09388891A patent/JP3326798B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5466612A (en) * | 1992-03-11 | 1995-11-14 | Matsushita Electronics Corp. | Method of manufacturing a solid-state image pickup device |
US7948048B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2015050389A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
WO2017090322A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | イオン濃度センサ |
JPWO2017090322A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2018-08-09 | シャープ株式会社 | イオン濃度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3326798B2 (ja) | 2002-09-24 |
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