JPH1197666A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に溝を形成することにより、微細化し
たＣＣＤ素子において、読み出し電圧の低電圧化および
制御マージンの拡大ができ、かつ製造工程を削減できる
固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６を底部と
する溝が形成され、読み出し電極および転送電極の対向
チャンネルとして前記溝が使用され、前記溝の深さは、
埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺層１０の拡散層接合
深さより深い。このことにより、電荷を読み出すための
読み出しゲートチャンネル長を長くとれ、この領域にか
かる電界が高くなるため、画素部を微細化しても読み出
し電圧上昇を抑制できる。また、ｐ⁺層１０形成後の熱
処理が変動しても、ｐ⁺層１０の横方向の拡散は溝の側
壁でストップするため、深さ方向の不純物拡散のみを考
慮すればよいため、読み出し電圧制御の制御性のマージ
ンを拡大できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置の素
子構造および製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ビデオカメラに使用されている従来の固
体撮像素子の製造方法について、図面を用いて説明す
る。図５（ａ）〜（ｄ）は、フォトダイオード部（光を
光電変換により電荷として蓄える部分）と垂直転送部と
を含む固体撮像素子の１画素部の従来の製造方法による
工程順の断面図を示している。

【０００３】図５では、垂直転送部の読み出し電極兼転
送電極のポリシリコン電極を形成する工程までを示して
おり、図示はしていないが一般的にはポリシリコン電極
形成以降に層間絶縁膜および遮光膜を形成する工程があ
る。

【０００４】以下、工程順に説明する。最初に図５
（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１上に第１ｐ型
ウエル２を形成する。その後、前記第１ｐ型ウエル２内
に第２ｐ型ウエル５を形成する。

【０００５】次に、図５（ｂ）に示すように、第２ｐ型
ウエル５内に垂直転送部ｎ⁺層６をイオン注入法により
形成する。そして、フォトダイオードの電荷の読み出し
を制御するためのｐ^-層１２と隣接するフォトダイオー
ドと前記垂直転送部との分離のためのｐ⁺層１１をイオ
ン注入法により形成する。その後、ゲート絶縁膜７を基
板表面に形成する。

【０００６】次に、図５（ｃ）に示すように、ポリシリ
コンを前記ゲート絶縁膜７上に形成し、フォトダイオー
ドからの電荷の読み出しおよび転送のためのポリシリコ
ン電極８をフォトリソグラフとドライエッチング法を用
いてパターニングする。そして、ポリシリコン電極８の
読み出し側をセルフアラインになるようにレジスト４を
形成し、レジスト４をマスクとしてフォトダイオード部
のｎ層９をイオン注入法を用いて形成する。

【０００７】その後、図５（ｄ）に示すように、レジス
ト４を除去した後、ポリシリコン電極８をマスクとして
フォトダイオード部の表面に埋め込みフォトダイオード
形成のためのｐ⁺層１０をイオン注入法を用いて形成
し、ポリシリコン電極までの一般的な画素部の断面構造
が形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな従来の固体撮像装置では、以下のような問題があっ
た。 （１）画素部を微細化する場合には、読み出し電極の微
細化も行われ、埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺層と
垂直ＣＣＤチャンネル端部の距離が縮小されるためフォ
トダイオード電荷を全て読み出すための読み出し電圧値
が高くなる。 （２）また、画素部を微細化する場合に、前記のように
読み出し電極の微細化を行わなければ、フォトダイオー
ド開口面積が小さくなるため、感度が低下したりフォト
ダイオードの飽和電荷量が減少してしまう。 （３）さらに、画素部を微細化すれば、垂直ＣＣＤ容量
が減少してしまう。 （４）また、埋め込みフォトダイオードｐ⁺層形成後の
熱処理が変動した場合、埋め込みフォトダイオードｐ⁺
層の横方向の拡散の延び（読み出し電極に入り込む方
向）が大きくなり、読み出し電圧値が高くなってしま
う。

【０００９】本発明は前記問題を解決するものであり、
基板表面に溝を形成することにより、微細化したＣＣＤ
素子において、読み出し電圧の低電圧化および制御マー
ジンの拡大を図り、かつ工程の削減ができる固体撮像装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の固体撮像装置は、フォトダイオードと垂直
転送部とをアレイ状に配列した固体撮像装置であって、
基板表面に形成した溝を備え、電荷を前記フォトダイオ
ードから前記垂直転送部へ読み出す際に使用する読み出
し電極および電荷を転送する転送電極に対向するチャン
ネルとして、前記溝が使用されていることを特徴とす
る。

【００１１】前記のような固体撮像装置によれば、画素
部をより微細化した際に生じる読み出し電圧の上昇を抑
えることができる。さらに、埋め込みフォトダイオード
部のｐ⁺層形成後の熱処理が変動した場合でも、埋め込
みフォトダイオード部のｐ⁺層の横方向の拡散は溝の側
壁でストップするため、深さ方向の不純物拡散のみを考
慮すればよいため、読み出し電圧制御の制御性のマージ
ン拡大できる。

【００１２】前記固体撮像装置においては、前記フォト
ダイオードの表面に埋め込みフォトダイオードｐ⁺層が
形成され、前記溝の深さが前記埋め込みフォトダイオー
ドｐ⁺層の最高不純物濃度部の深さより深いことが好ま
しい。

【００１３】また、前記フォトダイオードの表面に埋め
込みフォトダイオードｐ⁺層が形成され、前記溝の深さ
が前記埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の拡散層接合深
さより深いことが好ましい。

【００１４】前記のような溝の深さであれば、フォトダ
イオード部の信号電荷を読み出すための読み出しゲート
チャンネル長を長くとれ、読み出しゲートチャンネル領
域にかかる電界が高くなるため、画素部の微細化を行っ
ても読み出し電圧の上昇を抑制し、かつ電圧のマージン
を拡大することができる。

【００１５】また、前記溝の底部が前記垂直転送部であ
ることが好ましい。また、前記溝の底部と分離部側の側
壁とが前記垂直転送部であることが好ましい。前記のよ
うな固体撮像装置によれば、微細化した場合でも垂直Ｃ
ＣＤの容量を増大させることができる。

【００１６】また、前記溝の側壁に読み出し電圧制御用
の不純物導入が行われていることが好ましい。次に、本
発明の固体撮像装置の製造方法は、フォトダイオードと
垂直転送部とをアレイ状に配列した固体撮像装置の製造
方法であって、基板上に溝を形成した後に、前記溝の底
面と側面とに前記垂直転送部を形成する不純物導入を行
い、前記溝を含む領域上に前記フォトダイオードから前
記垂直転送部に電荷を読み出すための読み出し電極およ
び電荷を転送する転送電極を形成することを特徴とす
る。前記のような製造方法によれば、溝形成に用いたマ
スクで垂直転送部を形成できるので、マスク工程を削減
できる。

【００１７】前記固体撮像装置の製造方法においては、
前記溝の深さを前記フォトダイオードの表面に形成する
埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の最高不純物物濃度の
深さより深く形成することが好ましい。

【００１８】また、前記溝の深さを前記フォトダイオー
ドの表面に形成する埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の
拡散層接合深さより深く形成することが好ましい。ま
た、前記溝の底部と分離部側の側壁とが前記垂直転送部
となるように、前記垂直転送部を形成する不純物導入を
行うことが好ましい。前記のような製造方法によれば、
溝形成に用いたマスクで垂直転送部を形成できるので、
マスク工程を削減できる。

【００１９】また、前記溝を形成した後に、前記溝の側
壁に読み出し電圧制御用の不純物導入を行うことが好ま
しい。前記のような製造方法によれば、マスク工程を削
減できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施形態１に係るＣ
ＣＤ固体撮像素子の一画素部におけるフォトダイオード
部と垂直ＣＣＤ部の構成を示す断面図である。本図で
は、図５に示したものと同一またはこれに相当する部分
は同一符号を付して、詳細な説明は省略する（以下の図
２〜４も同じ）。

【００２１】本図のものは、基板上に溝が形成され、こ
の溝は垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６を底部とし、第１ｐ型ウエ
ル２を側壁としている。また、この溝は深さが埋め込み
フォトダイオード部ｐ⁺層１０の拡散層接合深さＸｊよ
り深くなるように形成されている。

【００２２】図１に示したものは、垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層
６を分離するために、第１ｐ型ウエル２内に第２ｐ型ウ
エル５を垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６と同時形成しているが、
第２ｐ型ウエル５を溝形成前に形成し、第２ｐ型ウエル
５内に溝形成後に垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６を形成してもよ
い。

【００２３】また、図１では読み出し制御用のＶｔ注入
を溝側壁に行っていないが、溝形成後にフォトダイオー
ド部の電荷を読み出す側の溝側壁部へ傾斜イオン注入法
を用いてＶｔ注入を行ってもよい。なお、Ｖｔとは読み
出し制御トランジスタのしきい値電圧のことで、Ｖｔ注
入とはこのしきい値制御のための不純物のイオン注入の
ことである。

【００２４】また、通常のイオン注入法では、基板に不
純物を注入するビーム方向は基板垂線に対して５〜１０
度傾いているが、この方法では基板底部に不純物が注入
されてしまう。本実施形態の傾斜イオン注入は通常の方
法とは異なり、例えば６０度のような大傾斜でイオン注
入を行う方法である。この方法では、溝底部がイオンビ
ームのレジストマスク等の陰になるため、溝底部に不純
物が注入されず、所望の溝側壁部にだけ不純物の注入が
可能となる。

【００２５】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示した実施
形態１に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を示す工程
順断面図を示している。以下、工程順に説明する。まず
図２（ａ）に示したように、ｎ型シリコン基板１に第１
ｐ型ウエル（キャリア濃度：１×１０¹⁴〜１×１０¹⁵ｃ
ｍ^-3）２を形成した後、第１ｐ型ウエル２の表面に熱酸
化法で約５０ｎｍの熱酸化膜３を形成する。

【００２６】次に、図２（ｂ）に示したように、垂直Ｃ
ＣＤ部の形成領域にレジストマスク４ａを形成し、この
レジストマスク４ａをマスクとして基板上に溝を形成す
る。この溝は、第１ｐ型ウエル２を側壁としている。溝
の深さは、後に形成する埋め込みフォトダイオード部の
ｐ⁺層１０の拡散層接合深さＸｊより深くする。

【００２７】次に、レジストマスク４ａを形成したまま
溝底部にイオン注入法を用いて、垂直ＣＣＤ部分離用の
第２ｐ型ウエル（キャリア濃度：１×１０¹⁵〜１×１０
¹⁶ｃｍ^-3）５および垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層（キャリア濃
度：１×１０¹⁶〜１×１０¹⁷ｃｍ^-3）６を同時に形成す
る。

【００２８】次に、図２（ｃ）に示したようにレジスト
マスク４ａおよび熱酸化膜３を除去した後、基板表面に
例えば熱酸化膜５０ｎｍからなるゲート絶縁膜７を形成
する。このゲート絶縁膜７の上にポリシリコンを４００
ｎｍ堆積し、ドライエッチング法を用いて読み出し兼転
送電極であるポリシリコン電極８を形成する。さらに、
ポリシリコン電極８のフォトダイオード部の信号を読み
出す側のポリシリコン電極８端をセルフアラインになる
ようにレジストマスク４ｂを形成する。レジストマスク
４ｂをマスクとして、フォトダイオード部のｎ層（キャ
リア濃度：５×１０¹⁵〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3）９を形成す
る。

【００２９】次に、図２（ｄ）に示したように、レジス
トマスク４ｂを除去した後、前記ポリシリコン電極８を
マスクとして埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺層（キ
ャリア濃度：１×１０¹⁷〜１×１０²⁰ｃｍ^-3）１０をイ
オン注入法を用いてセルフアラインで形成した後、図示
していない層間絶縁膜および遮光膜を必要に応じて形成
し、ＣＣＤ固体撮像素子を完了する。

【００３０】なお、図示はしていないが図２（ｂ）に示
した垂直ＣＣＤ部のｎ⁺層６の形成後に同一レジストマ
スク４ａで溝内のフォトダイオード部の信号を読み出す
側の溝側壁に傾斜イオン注入法を用いてＶｔ制御用の不
純物導入を行うことにより、より精密に読み出し電圧を
制御することが可能になる。

【００３１】また、図２（ｂ）に示した溝の深さを制御
することでも、読み出し電圧を精密制御することが可能
になる。この場合は、溝深さを埋め込みフォトダイオー
ド部のｐ⁺層１０の最高不純物濃度の深さＲｐより深く
することにより、読み出しゲートチャンネル長を長くと
れるので、読み出し電圧印加時の読み出しゲートチャン
ネル領域にかかる電界が従来構造より高くなるため、読
み出し易くなる。

【００３２】また、前記溝深さを埋め込みフォトダイオ
ード部のｐ⁺層１０の拡散層接合深さＸｊより深くする
と読み出しゲートチャンネル領域にかかる電界がより大
きくなるため、より低電圧に読み出しが可能となる。

【００３３】また、埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺
層１０を形成した後、プロセス熱処理が増えた場合にお
いて、従来構造では埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺
層１０の横方向拡散が大きくなり、その結果埋め込みフ
ォトダイオード部のｐ⁺層１０と垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６の
距離が近くなり、読み出し電圧が上昇することになる。

【００３４】これに対して本実施形態では、埋め込みフ
ォトダイオード部のｐ⁺層１０を形成した後、プロセス
熱処理が増えた場合においても埋め込みフォトダイオー
ド部のｐ⁺層１０の横方向拡散が溝側壁でストップする
ため、深さ方向拡散のみを考慮すればよく、従来構造よ
りも読み出し電圧上昇に対するマージンを拡大すること
が可能となる。

【００３５】（実施例の形態２）図３は、本発明の実施
形態２に係るＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す断面図で
ある。基板上には溝が形成され、この溝は垂直ＣＣＤ部
ｎ⁺層６を底部としている。分離部側の溝の側壁には、
垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６が形成され、読み出し部側の溝の
側壁には、第１ｐ型ウエル２が形成されている。しかも
前記溝の深さは埋め込みフォトダイオード部ｐ⁺層１０
の拡散層接合深さＸｊより深くなるように形成してい
る。

【００３６】ここで、分離部とは、フォトダイオード部
ｎ層９と垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６とを電気的に分離する領
域のことで、本図では左側のフォトダイオード部ｎ層９
と垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６との間に、第２ｐ型ウエル５と
第１ｐ型ウエル２とで形成されている。読み出し部と
は、フォトダイオード部ｎ層９に蓄積された電荷をポリ
シリコン電極８を用いて垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６に読み出
す領域のことであり、本図では読み出し部のフォトダイ
オード部ｎ層９は右側のものである。

【００３７】図３では、垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６を分離す
るために、第１ｐ型ウエル２内に第２ｐ型ウエル５を垂
直ＣＣＤ部ｎ⁺層６と同時形成しているが、前記第２ｐ
型ウエル５を溝形成前に形成し、前記第２ｐ型ウエル５
内に溝形成後に前記垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６を形成しても
よい。

【００３８】また図３では、読み出し制御用のＶｔ注入
を溝側壁に行っていないが、溝形成後にフォトダイオー
ド部の電荷を読み出す側の溝側壁部へ傾斜イオン注入法
を用いてＶｔ制御用不純物導入を行ってもよい。

【００３９】図４（ａ）〜（ｄ）は、図３に示した実施
形態２に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を示す工程
順断面図を示している。以下、工程順に説明する。本実
施形態２に係る製造方法は、実施形態１の図２（ａ）に
示した工程までは同一工程である。図４（ａ）に示した
ように、垂直ＣＣＤ部の形成領域にレジストマスク４ａ
を形成し、このレジストマスク４ａをマスクとして基板
上に溝を形成する。

【００４０】溝の深さは、後に形成する埋め込みフォト
ダイオード部のｐ⁺層１０の拡散層接合深さＸｊより深
くする。次に、レジストマスク４ａを形成したまま溝底
部および分離部側の溝側壁にイオン注入法を用いて、垂
直ＣＣＤ部分離用の第２ｐ型ウエル（キャリア濃度：１
×１０¹⁵〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3）５および垂直ＣＣＤ部ｎ
⁺層（キャリア濃度：１×１０¹⁶〜１×１０¹⁷ｃｍ^-3）
６を同時に形成する。

【００４１】次に、図４（ｂ）に示したように、レジス
トマスク４ａおよび熱酸化膜３を除去した後、基板表面
に例えば熱酸化膜５０ｎｍからなるゲート絶縁膜７を形
成する。そして、このゲート絶縁膜７の上にポリシリコ
ンを４００ｎｍ堆積し、ドライエッチング法を用いて読
み出し兼転送電極であるポリシリコン電極８を形成す
る。

【００４２】そして、ポリシリコン電極８のフォトダイ
オード部の信号を読み出す側のポリシリコン電極８端を
セルフアラインになるようにレジストマスク４ｂを形成
する。レジストマスク４ｂをマスクとして、フォトダイ
オード部のｎ層（キャリア濃度：５×１０¹⁵〜１×１０
¹⁶ｃｍ^-3）９を形成する。

【００４３】次に、図４（ｃ）に示したように、レジス
トマスク４ｂを除去した後、ポリシリコン電極８をマス
クとして埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺層１０（キ
ャリア濃度：１×１０¹⁷〜１×１０²⁰ｃｍ^-3）をイオン
注入法を用いてセルフアラインで形成した後、図示して
いない層間絶縁膜および遮光膜を必要に応じて形成し、
ＣＣＤ固体撮像素子を完了する。 図示はしていない
が、図４（ａ）の垂直ＣＣＤ部のｎ⁺層６を形成後に同
一レジストマスク４ａで読み出し側の溝側壁に傾斜イオ
ン注入法を用いてＶｔ制御用の不純物導入を行うことに
より、より精密に読み出し電圧を制御することが可能と
なる。

【００４４】また、図４（ａ）に示した溝の深さを制御
することでも、読み出し電圧を精密制御することが可能
となる。この場合は溝深さを埋め込みフォトダイオード
部のｐ⁺層１０の最高不純物濃度の深さＲｐより深くす
ることにより、読み出しゲートチャンネル長を長くとれ
るので、読み出し電圧印加時の読み出しゲートチャンネ
ル領域にかかる電界が従来構造より高くなるため、読み
出し易くなる。

【００４５】また、前記溝深さを埋め込みフォトダイオ
ード部のｐ⁺層１０の拡散層接合深さＸｊより深くする
と読み出しゲートチャンネル領域にかかる電界がより大
きくなるため、より低電圧に読み出しが可能となる。

【００４６】また、埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺
層１０を形成した後、プロセス熱処理が増えた場合にお
いて、従来構造では埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺
層１０の横方向拡散が大きくなり、その結果埋め込みフ
ォトダイオード部のｐ⁺層１０と垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層６の
距離が近くなり、読み出し電圧が上昇することになる。

【００４７】これに対して、本実施形態においては、埋
め込みフォトダイオード部のｐ⁺層１０を形成した後、
プロセス熱処理が増えた場合においても埋め込みフォト
ダイオード部のｐ⁺層１０の横方向拡散が溝側壁でスト
ップするため、深さ方向拡散のみ考慮すればよく、従来
構造よりも読み出し電圧上昇に対するマージンを拡大す
ることが可能となる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように本発明の固体撮像装置によ
れば、基板上に溝を形成し、この溝を読み出し電極およ
び電荷を転送する転送電極に対向するチャンネルとして
使用することにより、画素部をより微細化した際に生じ
る読み出し電圧の上昇を抑えることができる。さらに、
埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺層形成後の熱処理が
変動した場合でも、埋め込みフォトダイオード部のｐ⁺
層の横方向の拡散は溝の側壁でストップするため、深さ
方向の不純物拡散のみを考慮すればよいため、読み出し
電圧制御の制御性のマージン拡大を図ることができる。

【００４９】また、本発明の固体撮像装置の製造方法に
よれば、溝形成に用いたマスクで垂直転送部を形成でき
るので、マスク工程を削減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１に係るＣＣＤ固体撮像素子
の一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部
の構成を示す断面図

【図２】図１に示したＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を
示す工程別断面図

【図３】本発明の実施形態２に係るＣＣＤ固体撮像素子
の一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部
の構成を示す断面図

【図４】図３に示したＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を
示す工程別断面図

【図５】従来のＣＣＤ固体撮像素子の一画素部における
フォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の製造工程の一例を
示す工程別断面図

【符号の説明】

１ ｎ型シリコン基板 ２ 第１ｐ型ウエル ３ 酸化膜 ４ａ，４ｂ レジスト ５ 第２ｐ型ウエル ６ 垂直ＣＣＤ部ｎ⁺層 ７ ゲート絶縁膜 ８ ポリシリコン電極 ９ フォトダイオード部ｎ層 １０ 埋め込みフォトダイオード部ｐ⁺層 １１ 垂直ＣＣＤ部とこれと隣接するフォトダイオード
との分離用ｐ⁺層 １２ フォトダイオード電荷読み出し制御用ｐ^-層

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトダイオードと垂直転送部とをアレ
   イ状に配列した固体撮像装置であって、基板表面に形成
   した溝を備え、電荷を前記フォトダイオードから前記垂
   直転送部へ読み出す際に使用する読み出し電極および電
   荷を転送する転送電極に対向するチャンネルとして、前
   記溝が使用されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 【請求項２】 前記フォトダイオードの表面に埋め込み
   フォトダイオードｐ⁺層が形成され、前記溝の深さが前
   記埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の最高不純物濃度部
   の深さより深い請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 【請求項３】 前記フォトダイオードの表面に埋め込み
   フォトダイオードｐ⁺層が形成され、前記溝の深さが前
   記埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の拡散層接合深さよ
   り深い請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 【請求項４】 前記溝の底部が前記垂直転送部である請
   求項１から３のいずれかに記載の固体撮像装置。
5. 【請求項５】 前記溝の底部と分離部側の側壁とが前記
   垂直転送部である請求項１から３のいずれかに記載の固
   体撮像装置。
6. 【請求項６】 前記溝の側壁に読み出し電圧制御用の不
   純物導入が行われている請求項１から５のいずれかに記
   載の固体撮像装置。
7. 【請求項７】 フォトダイオードと垂直転送部とをアレ
   イ状に配列した固体撮像装置の製造方法であって、基板
   上に溝を形成した後に、前記溝の底面と側面とに前記垂
   直転送部を形成する不純物導入を行い、前記溝を含む領
   域上に前記フォトダイオードから前記垂直転送部に電荷
   を読み出すための読み出し電極および電荷を転送する転
   送電極を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記溝の深さを前記フォトダイオードの
   表面に形成する埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の最高
   不純物濃度部の深さより深く形成する請求項７に記載の
   固体撮像装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記溝の深さを前記フォトダイオードの
   表面に形成する埋め込みフォトダイオードｐ⁺層の拡散
   層接合深さより深く形成する請求項７に記載の固体撮像
   装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記溝の底部と分離部側の側壁とが前
    記垂直転送部となるように、前記垂直転送部を形成する
    不純物導入を行う請求項７から９のいずれかに記載の固
    体撮像装置。
11. 【請求項１１】 前記溝を形成した後に、前記溝の側壁
    に読み出し電圧制御用の不純物導入を行う請求項７から
    １０のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。