JP2006147757A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体基板1上には、n+半導体層2が形成されており、n+半導体層2上にp型エピタキシャル層3が形成されている。p型エピタキシャル層3には、撮像素子領域Arを取り囲む埋め込み絶縁膜4が形成されている。埋め込み絶縁膜4の周囲のp型エピタキシャル層3の部位に、n+半導体層2に達するn+拡散層5が形成されている。埋め込み絶縁膜4およびn+拡散層5により、撮像素子領域Arとなる内側のp型エピタキシャル層3aと、チップ端面Fが存在する外側のp型エピタキシャル層3bとが電気的に分離される。端子9と、端子11との間に基板電圧Vsubが印加される。
【選択図】図1
Description
第1導電型半導体層は、第1導電型の半導体基板と電気的に接続されている。したがって、第1導電型半導体層と内側のエピタキシャル層との間に基板電圧を印加した場合には、エピタキシャル層と半導体基板との間に基板電圧がかかる。ここで、第1導電型半導体層より外側のエピタキシャル層は、電気的に浮遊状態にあることから、外側のエピタキシャル層と半導体基板との間には電圧がかからない。
本実施形態では、n型半導体基板1上にp型エピタキシャル層3が形成された基板構造を用いる例について説明したが、p型半導体基板上にn型エピタキシャル層が形成された基板構造を用いてもよい。この場合には、各種の半導体領域の極性を逆にすればよい。例えば、埋め込み絶縁膜4として、p型不純物であるボロンを含んだBSGを用いればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層に形成された撮像素子部と、
前記撮像素子部を取り囲むように前記エピタキシャル層に形成され、前記半導体基板に電気的に接続する第1導電型半導体層と
を有する固体撮像装置。 - 前記撮像素子部を取り囲むように前記エピタキシャル層に埋め込まれた埋め込み絶縁膜をさらに有し、
前記第1導電型半導体層は、前記埋め込み絶縁膜の周囲の前記エピタキシャル層に形成された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板と前記エピタキシャル層との間に形成され、前記半導体基板よりも第1導電型の不純物濃度が高い第1導電型の高濃度半導体層をさらに有し、
前記第1導電型半導体層は、前記高濃度半導体層に到達する深さまで形成された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記エピタキシャル層の表面に形成され、前記第1導電型半導体層に接続する第1導電型のコンタクト領域をさらに有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 第1導電型の半導体基板上に、第2導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に、撮像素子領域を取り囲む溝を形成する工程と、
前記溝内に第1導電型不純物を拡散させて、前記半導体基板に電気的に接続する第1導電型半導体層を前記溝の内壁に形成する工程と、
前記エピタキシャル層の前記撮像素子領域に撮像素子を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1導電型半導体層を形成する工程は、
前記溝内に第1導電型不純物を含有する埋め込み絶縁膜を形成する工程と、
熱処理により前記埋め込み絶縁膜内の前記第1導電型不純物を前記溝の内壁に拡散させて、前記第1導電型半導体層を形成する工程と
を有する請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記エピタキシャル層を形成する工程の前に、前記半導体基板よりも第1導電型不純物濃度が高い第1導電型の高濃度半導体層を前記半導体基板に形成する工程をさらに有し、
前記溝を形成する工程において、後に形成する前記第1導電型半導体層が前記高濃度半導体層に到達し得る深さまで前記溝を形成する
請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004334268A JP4561327B2 (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006147757A true JP2006147757A (ja) | 2006-06-08 |
JP4561327B2 JP4561327B2 (ja) | 2010-10-13 |
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ID=36627107
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JP2004334268A Expired - Fee Related JP4561327B2 (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4561327B2 (ja) |
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