JPS63182854A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63182854A JPS63182854A JP62015421A JP1542187A JPS63182854A JP S63182854 A JPS63182854 A JP S63182854A JP 62015421 A JP62015421 A JP 62015421A JP 1542187 A JP1542187 A JP 1542187A JP S63182854 A JPS63182854 A JP S63182854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- solid
- light
- state image
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子の構造に関する。
本発明は、固体撮像素子において、第１導電型の半導体
基板上に形成された、第２導電型のエピタキシャル層の
主表面に、フォトダイオードと、該フォトダイオードの
出力を読み出すためのスイッチ素子と走査回路を形成す
ることにより、波長の長い光に対する感度を持たせ、か
つ、必要以上に波長の長い光によって該エピタキシャル
層の深い部分で発生した電荷を基板側に排出し、隣接す
る他の受光部へ入り込むことを防止するものである。
基板上に形成された、第２導電型のエピタキシャル層の
主表面に、フォトダイオードと、該フォトダイオードの
出力を読み出すためのスイッチ素子と走査回路を形成す
ることにより、波長の長い光に対する感度を持たせ、か
つ、必要以上に波長の長い光によって該エピタキシャル
層の深い部分で発生した電荷を基板側に排出し、隣接す
る他の受光部へ入り込むことを防止するものである。
従来、固体撮像素子において、波長の長い光に対する感
度を持たせるためには、例えば、第２図にあるように、
Ｐ型シリコン基板２０１の表面部分に、Ｎ型不純物によ
って受光部２０２を形成することにより、波長の長い光
によって該基板の深い部分で発生した電荷を受光部２０
２に蓄えるという構造がある。
度を持たせるためには、例えば、第２図にあるように、
Ｐ型シリコン基板２０１の表面部分に、Ｎ型不純物によ
って受光部２０２を形成することにより、波長の長い光
によって該基板の深い部分で発生した電荷を受光部２０
２に蓄えるという構造がある。
しかし、前述の従来の構造では、基板の深い部分で発生
した電荷が、隣接する他の受光部に入り込み易く、部分
的に強い光が当たると、画面上でその上下に白い帯状の
模様が現われる現象、いわゆるスミアが発生してしまう
。
した電荷が、隣接する他の受光部に入り込み易く、部分
的に強い光が当たると、画面上でその上下に白い帯状の
模様が現われる現象、いわゆるスミアが発生してしまう
。
そこで、本発明は、このような従来の固体撮像素子の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、波長
の長い光に対する感度を持ち、かつ、スミアを防止した
固体撮像素子を提供するところにある。
題点を解決するもので、その目的とするところは、波長
の長い光に対する感度を持ち、かつ、スミアを防止した
固体撮像素子を提供するところにある。
本発明の固体撮像素子は、第１導電型の半導体基板上に
形成された第２導電型のエピタキシャル層の主表面に、
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力を読み
出すためのスイッチ素子と走査回路が形成されているこ
とを特徴とする。
形成された第２導電型のエピタキシャル層の主表面に、
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力を読み
出すためのスイッチ素子と走査回路が形成されているこ
とを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例における、固体撮像素子の受
光領域の構造を示す図であって、Ｎチャンネル型ＭＯ３
）ランジスタを例示する。
光領域の構造を示す図であって、Ｎチャンネル型ＭＯ３
）ランジスタを例示する。
比抵抗１０（Ωｃｍ）のＮ型シリコン基板１０１上に、
化学的気相成長法等により、比抵抗２０（Ωｃｍ）のＰ
型エピタキシャルｒ！Ｊ１０２が、２０（μｍ）程の厚
さで形成されている。このＰ型エピタキシャル層１０２
０表面近傍には、Ｎ型不純物（例えばり７Ｐ）がイオン
打込み、あるいは熱拡散等の方法により、深さ約１（μ
ｍ）の値をもって、部分的に注入されており、ソース（
受光部）領域１０３及びドレイン領域１０４をＪＥ［し
ている。
化学的気相成長法等により、比抵抗２０（Ωｃｍ）のＰ
型エピタキシャルｒ！Ｊ１０２が、２０（μｍ）程の厚
さで形成されている。このＰ型エピタキシャル層１０２
０表面近傍には、Ｎ型不純物（例えばり７Ｐ）がイオン
打込み、あるいは熱拡散等の方法により、深さ約１（μ
ｍ）の値をもって、部分的に注入されており、ソース（
受光部）領域１０３及びドレイン領域１０４をＪＥ［し
ている。
そして、Ｐｆｆｉエピタキシャル届１０２の上には、ｉ
！１常の熱酸化法によって形成された酸化膜１０５、例
えび、多結晶シリコンにより形成されたケート電［１０
Ｇ、アルミニウムなどにより形成された、ドレイン領域
からの引出し電極１０７゜ＰＳＧ等よりなる層間絶縁！
２１０８．ＮＳＣ等よりなるパブシベーシｑン膜１０９
がそれぞれ形成されている。
！１常の熱酸化法によって形成された酸化膜１０５、例
えび、多結晶シリコンにより形成されたケート電［１０
Ｇ、アルミニウムなどにより形成された、ドレイン領域
からの引出し電極１０７゜ＰＳＧ等よりなる層間絶縁！
２１０８．ＮＳＣ等よりなるパブシベーシｑン膜１０９
がそれぞれ形成されている。
以上のような構造で、固体撮像素子の受光領域が形成さ
れている。
れている。
以上の実施例は、Ｎチャンネル型ＭＯ３）ランジスタの
場合について述べであるが、Ｐヂャンネル型ＭＯ３）ラ
ンジスタの場合も、Ｐ、Ｎの不純物タイプを入れ換えれ
ば、適用できる。
場合について述べであるが、Ｐヂャンネル型ＭＯ３）ラ
ンジスタの場合も、Ｐ、Ｎの不純物タイプを入れ換えれ
ば、適用できる。
以上述べたように本発明によれば、ｍｌｃ電型の半導体
基板上に形成された、第２４１！型のエピタキシャル層
の主表面に、フォトダイオードと、該フォトダイオード
の出力を読み出すためのスイッチ素子と走査回路を形成
することにより、該エピタキシャル層の厚さによって、
任意の波長の光に対する感度を持たせることができ、か
つ、必要以上に波長の長い光によって該エピタキシャル
層の深い部分で発生した電荷を基板側に排出し、隣接す
る他の受光部への入り込むことを防止することが可能で
ある。
基板上に形成された、第２４１！型のエピタキシャル層
の主表面に、フォトダイオードと、該フォトダイオード
の出力を読み出すためのスイッチ素子と走査回路を形成
することにより、該エピタキシャル層の厚さによって、
任意の波長の光に対する感度を持たせることができ、か
つ、必要以上に波長の長い光によって該エピタキシャル
層の深い部分で発生した電荷を基板側に排出し、隣接す
る他の受光部への入り込むことを防止することが可能で
ある。
第１図は、本発明による実施例の固体撮像素子の構造を
示す断面図である。 第２図は、従来の固体撮像素子の構造を示す断面図であ
る。 １０１・・・Ｎ型シリコン基板 １０２・・・ＰＷエピタキシャル層 １０３・・・ソース領域（受光部） １０４・・・ドレイ／領域 １０５・・・酸化膜 １０６・・・ゲート電極 １０７・・・引出し電極 １０８・・・層間絶縁膜 １０９・・・パブシベーシｇノ膜 １１０・・・素子分１１ｔＩ１２ ２０１・・・ＰＩＪ１シリコン基板 ２０２・・・ソース領域（受光部） ２０３・・・ドレイン領域 ２０４・・・素子分離膜 ２０５・・・酸化膜 ２０６・・・層間絶縁膜 ２０７・・・パブシベーション膜 ２０８・・・引出し電極 ２０９・・・ゲート電極 以 上
示す断面図である。 第２図は、従来の固体撮像素子の構造を示す断面図であ
る。 １０１・・・Ｎ型シリコン基板 １０２・・・ＰＷエピタキシャル層 １０３・・・ソース領域（受光部） １０４・・・ドレイ／領域 １０５・・・酸化膜 １０６・・・ゲート電極 １０７・・・引出し電極 １０８・・・層間絶縁膜 １０９・・・パブシベーシｇノ膜 １１０・・・素子分１１ｔＩ１２ ２０１・・・ＰＩＪ１シリコン基板 ２０２・・・ソース領域（受光部） ２０３・・・ドレイン領域 ２０４・・・素子分離膜 ２０５・・・酸化膜 ２０６・・・層間絶縁膜 ２０７・・・パブシベーション膜 ２０８・・・引出し電極 ２０９・・・ゲート電極 以 上
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板上に形成された第２導電型のエ
ピタキシャル層の主表面に、フォトダイオードと、該フ
ォトダイオードの出力を読み出すためのスイッチ素子と
走査回路が形成されていることを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62015421A JPS63182854A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62015421A JPS63182854A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182854A true JPS63182854A (ja) | 1988-07-28 |
Family
ID=11888299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62015421A Pending JPS63182854A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63182854A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512220B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-01-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor image sensor incorporating therein optical layer |
| JP2006502585A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | ジャオ，リシン | 画素イメージセンサ |
| JP2006147757A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2006147758A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2007088304A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP62015421A patent/JPS63182854A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512220B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-01-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor image sensor incorporating therein optical layer |
| JP2006502585A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | ジャオ，リシン | 画素イメージセンサ |
| JP2006147757A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2006147758A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4561328B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2007088304A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
| US9343496B2 (en) | 2005-09-22 | 2016-05-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof and camera |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7465598B2 (en) | Solid-state imaging device and method for fabricating same | |
| KR100809322B1 (ko) | 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 | |
| JPS58138187A (ja) | 固体イメ−ジセンサ | |
| JPS6043857A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JPS5977776A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63182854A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63177460A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001060680A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| WO1988002186A1 (en) | Output circuit for image sensor | |
| JPS6089967A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH02278874A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS6018957A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01220862A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3648518B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02304974A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2012253224A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH069236B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0391969A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS62217656A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR100672736B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 포토 다이오드 | |
| JPH0254561A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2870048B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0682821B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6229913B2 (ja) | ||
| JPH04158575A (ja) | 固体撮像装置 |