JP2007088304A - 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像装置は、n型シリコン基板20と、n型シリコン基板20上に形成されたp型エピタキシャル層21と、p型エピタキシャル層21に形成されたn型センサ部22と、p型エピタキシャル層21に形成され、n型センサ部22により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。
【選択図】図4
Description
図2は、単位画素11の回路構成の一例を示す回路図である。
例えば、画素アレイ部にp型領域を形成した後に、マスクを用いてn型センサ部の領域にn型不純物をイオン注入することにより、p型の拡散分離層24とセンサ表層部22aを自己整合的に形成してもよい。また、トランジスタの形成前であれば、p型ウェル21aの形成時に限定はない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (11)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層に形成された第1導電型のセンサ部と、
前記エピタキシャル層に形成され、前記センサ部により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子と
を有する固体撮像装置。 - 前記エピタキシャル層に形成され、前記センサ部間を電気的に分離する第2導電型の拡散分離層をさらに有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板に対して接続された第1導電型のコンタクト部をさらに有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記エピタキシャル層の第2導電型不純物濃度は、深さ方向に異なる
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記センサ部の面積は、浅い領域に比べて、深い領域の方が大きい
請求項1記載の固体撮像装置。 - 第1導電型の半導体基板に、第2導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に第1導電型のセンサ部を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に能動素子を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記センサ部を形成する工程は、
画素アレイ部の全面に第1導電型不純物を導入する工程と、
前記エピタキシャル層上に、前記センサ部間となる領域を開口するパターンの第1マスクを形成する工程と、
前記第1マスクを用いて第2導電型不純物をイオン注入して、前記第1導電型不純物を含有する前記センサ部の表層部と、前記センサ部の表層部を分離する第2導電型の拡散分離層とを自己整合的に形成する工程と
を有する請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記センサ部の表層部と前記拡散分離層とを形成する工程の後に、
前記第1マスクの開口内に第2マスクを埋め込む工程と、
前記第1マスクを除去して、前記センサ部を開口するパターンの第2マスクを形成する工程と、
前記第2マスクを用いて第1導電型不純物をイオン注入して、前記センサ部の深部を形成する工程と
を有する請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記センサ部と同時に、前記半導体基板に達する第1導電型のコンタクト部を形成する
請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記エピタキシャル層を形成する工程の後、前記コンタクト部を形成する工程の前に、前記コンタクト部を除く領域において、前記半導体基板と前記エピタキシャル層との境界に第2導電型領域を形成する工程をさらに有する
請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を有し、
前記固体撮像装置は、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層に形成された第1導電型のセンサ部と、
前記エピタキシャル層に形成され、前記センサ部により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子と
を有するカメラ。
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