JP2006502585A - 画素イメージセンサ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
- H01L27/14656—Overflow drain structures
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
Description
Claims (24)
- 第1の電気伝導型の第1の領域と、第1の半導体材料からなる第3の領域と、第2の電気伝導型の第2の領域とを有する水平フォトダイオード素子であって、前記第3の領域は、前記第1の領域を水平方向に取り囲み、前記第2の領域は、実質的に前記第3の領域を取り囲んで、実質的に前記第1の領域を覆い、前記第1の半導体材料は、前記第1の領域のドーパント濃度および前記第2の領域のドーパント濃度に比べて、実質的に低いドーパント濃度である、水平フォトダイオード素子、および
前記水平フォトダイオード素子に結合された垂直オーバーフロードレインシステムであって、該垂直オーバーフロードレインシステムは、第2の半導体材料からなる第1の層と、第2の層とを有し、前記第1の層は、前記水平フォトダイオード素子と前記第2の層を分離し、前記第2の半導体材料は、前記第2の層のドーパント濃度と前記第1の領域のドーパント濃度の平均値に比べて、実質的に低いドーパント濃度である、垂直オーバーフロードレインシステム、
を有するイメージセンサ画素。 - 前記第1の半導体材料は、
a)第1の電気伝導型;
b)第2の電気伝導型;
c)固有の型;
のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。 - 第1の半導体材料および第2の半導体材料は同じ型であって、第1の半導体材料のドーパント濃度は、第2の半導体材料のドーパント濃度と実質的に等しいことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ画素。
- 第1の電気伝導型はN型であり、第2の電気伝導型はP型であり、第2の層はN型基板を有し、第1の領域は、水平フォトダイオード素子が逆方向バイアス化されている際に、該水平フォトダイオード素子において光電気変換で生じた電子を収集することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。
- 第1の電気伝導型はP型であり、第2の電気伝導型はN型であり、第2の層はP型基板を有し、第1の領域は、水平フォトダイオード素子が逆方向バイアス化されている際に、該水平フォトダイオード素子において光電気変換で生じた電子を収集することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。
- 第1の領域は、水平フォトダイオード素子が逆方向バイアス化されている際に、該水平フォトダイオード素子において光電気変換で生じた電荷を収集し、第2の領域が第2の電位レベルにあり、第2の層が第3の電位レベルにあるときには、垂直オーバーフロードレインシステムに形成された電位障壁は、前記第1の領域が第1の電位レベルに至るまで、前記第1の領域にある電荷が第1の層を横断して第2の層に移動することを抑制することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。
- 電位障壁は、第2の層にある電荷が第1の層を横断して第1の領域に移動することを抑制することを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ画素。
- 第2の領域が第2の電位レベルにあり、第2の層が第3の電位レベルにあるときには、第1の領域にある電荷は、前記第1の領域が第1の電位レベルに到達した際、第1の層を横断して前記第2の層まで移動することを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ画素。
- 第2の領域が第2の電位レベルにあり、第1の領域が第1の電位レベルに至ったときには、水平フォトダイオード素子が順方向バイアス化されないことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサ画素。
- ゲート構造、ソース領域およびドレイン領域を有するトランジスタであって、前記ゲート構造は第1の領域に電気的に接続される、トランジスタと、
第1の導電性表面および第2の導電性表面を有するキャパシタであって、前記第1の導電表面は、前記第2の導電表面から電気的に絶縁され、前記第1の導電表面は前記第1の領域に電気的に接続される、キャパシタと、
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。 - 第1の領域は、水平フォトダイオード素子が逆方向バイアス化されている際に、該水平フォトダイオード素子において光電気変換で生じた電荷を収集し、第2の領域が第2の電位レベルにあり、第2の層が第3の電位レベルにあるときには、垂直オーバーフロードレインシステムに形成された電位障壁は、第1の領域が第1の電位レベルに到達するまで、電荷が第1の層を横断して、第2の層と第1の領域の間を移動することを抑制することを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサ画素。
- 請求項11に記載のイメージセンサ画素であって、
a)キャパシタの第2の導電表面が第4の電位レベルに維持されているときには、トランジスタが活性化されないため、出力信号は生じず、第1の領域は、該第1の領域に十分な電荷が蓄積されて、前記第1の領域が第1の電位レベルに至るまで、該第1の電位レベルには至らず、
b)キャパシタの第2の導電表面が第5の電位レベルに維持されているときには、トランジスタが活性化されて出力信号が生じ、第1の領域に蓄積された電荷が測定され、前記第1の領域は、該第1の領域に十分な電荷が蓄積されて、前記第1の領域が第1の電位レベルに至るまで、該第1の電位レベルには至らず、
c)キャパシタの第2の導電表面が第6の電位レベルに維持されているときには、トランジスタが活性化されないため、出力信号は生じず、第1の領域は第1の電位レベルにされ、前記第1の領域に蓄積された電荷は、第1の層を横断して第2の層に移動することを特徴とする、イメージセンサ画素。 - 第1の電気伝導型はN型であり、第2の電気伝導型はP型であり、第2の層はN型基板を有することを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサ画素。
- 第6の電位レベルは、第4の電位レベルよりも高く、第4の電位レベルは第5の電位レベルよりも高いことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサ画素。
- 第2の導電部は、ソース領域およびドレイン領域のいずれかに電気的に接続され、請求項1に記載のイメージセンサ画素の第1の領域は、第1の領域と第2の領域の間の第3の領域よりも水平方向に短いことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサ画素。
- 第1の領域は、該第1の領域と第2の領域の間の第3の領域よりも水平方向に短いことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。
- 第2の層は、第1の電気伝導型の基板を有し、第1の層と前記基板の間に設置された第2の電気伝導型の層を有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。
- 請求項1に記載のイメージセンサ画素であって、さらに、
第2の電気伝導型の固定層は、水平フォトダイオード素子上部の、第1の層とは反対の側に設置され、前記固定層は、少なくとも一部が第1の領域、第2の領域および第3の領域と接触することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。 - イメージセンサ画素を形成する方法であって、当該方法は、
第1の半導体材料からなる第1の層上に第1の電気伝導型の第1の領域を形成するステップであって、前記第1の層は、第1の電気伝導型の基板に設置される、ステップと、
前記第1の層上に第2の電気伝導型の第2の領域を形成するステップであって、前記第1の領域は、前記第2の領域に実質的に囲まれ、前記第1の領域および前記第2の領域は、第1の半導体材料からなる第3の領域で分離される、ステップと、
を有し、
前記第1の半導体材料のドーパント濃度は、前記第1の領域のドーパント濃度および前記第2の領域のドーパント濃度よりも実質的に低く、
前記第1の領域、前記第3の領域および前記第2の領域は、逆方向バイアス化された際に水平フォトダイオード素子を構成することを特徴とする方法。 - 前記第1の半導体材料は、
a)第1の電気伝導型;
b)第2の電気伝導型;
c)固有の型;
のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ画素。 - 濃度が1E13原子/cm3から1E16原子/cm3の範囲にあり、厚さが2μmより厚い、第2の電気伝導型のドーパントを有する第1の層を成長させるステップをさらに有し、
前記基板は、1E15原子/cm3から1E18原子/cm3の範囲の濃度で、第1の電気伝導型のドーパントでドープされることを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第1の領域を構成するステップと、前記第2の領域を形成するステップは、いずれも、1MeVを越えるエネルギーレベルでイオン注入するステップを有し、注入量は1E12原子/cm2から1E14原子/cm2の範囲にあり、最大注入深さは2μmより大きく、第1および第2の領域は、第1の半導体材料によって、平均0.5μm乃至10μmだけ離れるように分離されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 第1の領域は、水平フォトダイオード素子が逆方向バイアス化されている際には、該水平フォトダイオード素子における光電気変換で生じた電荷を収集し、第2の領域は、第2の電位レベルにされ、前記基板は第3の電位レベルにされ、垂直オーバーフロードレインシステムに形成された電位障壁は、前記第1の領域が第1の電位レベルに至るまで、電荷が前記第1の層を横断して前記第1の領域と前記基板との間を移動することを抑制することを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 水平フォトダイオード素子の第1の層とは反対の側の上部に、第2の電気伝導型の固定層を形成するステップであって、前記固定層の少なくとも一部は、第1の領域、第2の領域および第3の領域と接触する、ステップをさらに有することを特徴とする請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/266,839 US6586789B1 (en) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | Pixel image sensor |
PCT/US2003/025274 WO2004034479A1 (en) | 2002-10-07 | 2003-08-02 | Pixel image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006502585A true JP2006502585A (ja) | 2006-01-19 |
Family
ID=23016199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004543238A Pending JP2006502585A (ja) | 2002-10-07 | 2003-08-02 | 画素イメージセンサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6586789B1 (ja) |
JP (1) | JP2006502585A (ja) |
KR (1) | KR20050057624A (ja) |
CN (1) | CN100414720C (ja) |
AU (1) | AU2003299213A1 (ja) |
WO (1) | WO2004034479A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2003-05-12 US US10/436,563 patent/US6982183B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-02 KR KR1020057005969A patent/KR20050057624A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-02 CN CNB038234408A patent/CN100414720C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-02 JP JP2004543238A patent/JP2006502585A/ja active Pending
- 2003-08-02 WO PCT/US2003/025274 patent/WO2004034479A1/en active Application Filing
- 2003-08-02 AU AU2003299213A patent/AU2003299213A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1685527A (zh) | 2005-10-19 |
US20040065911A1 (en) | 2004-04-08 |
AU2003299213A1 (en) | 2004-05-04 |
US6982183B2 (en) | 2006-01-03 |
US6586789B1 (en) | 2003-07-01 |
CN100414720C (zh) | 2008-08-27 |
WO2004034479A1 (en) | 2004-04-22 |
KR20050057624A (ko) | 2005-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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