JP5478871B2 - 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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本発明の第5側面に係る光電変換装置の製造方法は、半導体基板の上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記半導体基板内に、光電変換部として機能する第1の半導体領域を形成する第2の工程と、ソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域を形成する第3の工程と、前記半導体基板の表面と前記ゲート電極とを覆うように絶縁膜を形成する第4の工程と、前記第2の半導体領域の上面と前記ゲート電極の上面の少なくとも一部とを露出させるように、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する第5の工程と、前記コンタクトホールに導電体を埋め込む第6の工程と、前記ゲート電極の上面の一部が露出されるように、前記絶縁膜及び前記導電体を研磨する第7の工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明の第6側面に係る光電変換装置の製造方法は、半導体基板の上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記半導体基板内に、光電変換部として機能する第1の半導体領域を形成する第2の工程と、ソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域を形成する第3の工程と、前記ゲート電極の上面の一部を覆う第1の絶縁膜を形成する第4の工程と、前記半導体基板の表面、前記第1の絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆うように第2の絶縁膜を形成する第5の工程と、前記第2の半導体領域の上面と前記ゲート電極の上面の少なくとも一部とを露出するようにドライエッチングを行うことにより、前記第2の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第6の工程と、前記コンタクトホールに導電体を埋め込む第7の工程と、前記第1の絶縁膜の上面が露出されるように、前記第2の絶縁膜及び前記導電体を研磨する第8の工程と、を備えたことを特徴とする。
Claims (8)
- 光電変換部として機能する第1の半導体領域とソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域とを含む半導体基板と、
前記半導体基板の上に配されたゲート電極と、
前記第2の半導体領域と前記ゲート電極との両方に接触したコンタクトプラグと、
を備え、
前記ゲート電極の上面は、
前記コンタクトプラグの上面より高さが低い第1の領域と、
前記コンタクトプラグの上面と高さが同じ第2の領域と、
を含み、
前記第1の領域は、前記第2の領域より前記第2の半導体領域の近くに位置し、
前記コンタクトプラグの上面と前記ゲート電極の上面における前記第2の領域とによって連続した面が形成されている
ことを特徴とする光電変換装置。 - 光電変換部として機能する第1の半導体領域とソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域とを含む半導体基板と、
前記半導体基板の上に配されたゲート電極と、
前記第2の半導体領域と前記ゲート電極との両方に接触したコンタクトプラグと、
を備え、
前記ゲート電極の上面は、
前記コンタクトプラグの上面より高さが低い第1の領域と、
前記コンタクトプラグの上面と高さが同じ第2の領域と、
を含み、
前記コンタクトプラグの上面と前記ゲート電極の上面における前記第2の領域とによって連続した面が形成されており、
前記第1の領域は前記コンタクトプラグに接触している
ことを特徴とする光電変換装置。 - 光電変換部として機能する第1の半導体領域とソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域とを含む半導体基板と、
前記半導体基板の上に配されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上面の一部を覆って配された絶縁膜と、
前記第2の半導体領域と前記ゲート電極との両方に接触したコンタクトプラグと、
を備え、
前記コンタクトプラグの上面と前記絶縁膜の上面とによって連続した面が形成され、
前記絶縁膜は、反射防止膜として機能する
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2の半導体領域は、前記光電変換部から転送された電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョンであり、
前記ゲート電極は、前記フローティングディフュージョンの電圧に応じた信号を出力する増幅トランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。 - 半導体基板の上にゲート電極を形成する第1の工程と、
前記半導体基板内に、光電変換部として機能する第1の半導体領域を形成する第2の工程と、
ソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域を形成する第3の工程と、
前記半導体基板の表面と前記ゲート電極とを覆うように絶縁膜を形成する第4の工程と、
前記第2の半導体領域の上面と前記ゲート電極の上面の少なくとも一部とを露出させるように、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する第5の工程と、
前記コンタクトホールに導電体を埋め込む第6の工程と、
前記ゲート電極の上面の一部が露出されるように、前記絶縁膜及び前記導電体を研磨する第7の工程と、
を備えたことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 半導体基板の上にゲート電極を形成する第1の工程と、
前記半導体基板内に、光電変換部として機能する第1の半導体領域を形成する第2の工程と、ソース電極又はドレイン電極として機能する第2の半導体領域を形成する第3の工程と、
前記ゲート電極の上面の一部を覆う第1の絶縁膜を形成する第4の工程と、
前記半導体基板の表面、前記第1の絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆うように第2の絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記第2の半導体領域の上面と前記ゲート電極の上面の少なくとも一部とを露出するようにドライエッチングを行うことにより、前記第2の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第6の工程と、
前記コンタクトホールに導電体を埋め込む第7の工程と、
前記第1の絶縁膜の上面が露出されるように、前記第2の絶縁膜及び前記導電体を研磨する第8の工程と、
を備えたことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第2の半導体領域は、前記光電変換部から転送された電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョンであり、
前記ゲート電極は、前記フローティングディフュージョンの電圧に応じた信号を出力する増幅トランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする請求項6又は7に記載の光電変換装置の製造方法。
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