JP5717357B2 - 光電変換装置およびカメラ - Google Patents
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Claims (13)
- 光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷をフローティングディフュージョンに転送する転送MOSトランジスタと、を有する画素領域、および、前記画素領域から信号を読み出すための、複数のMOSトランジスタを含んで構成された周辺回路領域を含む光電変換装置であって、
前記複数のMOSトランジスタの少なくとも1つのMOSトランジスタのゲート電極および拡散領域が金属シリサイド層を含み、
前記光電変換装置は、
前記光電変換素子ならびに前記転送MOSトランジスタのゲート電極の第1側面および上面の第1領域を覆うように連続的に配置された第1絶縁膜と、
前記フローティングディフュージョンに接続されたコンタクトプラグと、
前記フローティングディフュージョンにおける前記コンタクトプラグの周囲ならびに前記ゲート電極の第2側面および前記上面の第2領域を覆うように連続的に配置された部分を有する第2絶縁膜と、
前記転送MOSトランジスタのゲート電極の前記第2領域および前記第2側面ならびに前記フローティングディフュージョンにおける前記コンタクトプラグの周囲を覆い、前記金属シリサイド層を覆わないように、前記第2絶縁膜と前記転送MOSトランジスタとの間に配置された保護膜と、を含み、
前記第1絶縁膜と第2絶縁膜は、前記ゲート電極の前記上面の上で重なり合っていない、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記ゲート電極の前記第2側面に接するサイドスペーサを更に備え、前記第1絶縁膜は、前記サイドスペーサと同一の材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記保護膜は前記ゲート電極の前記上面における前記第1絶縁膜でも前記第2絶縁膜でも覆われていない領域を覆う、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
- 前記保護膜は前記第1領域を覆うように前記第1絶縁膜に重なっており、前記第1絶縁膜は前記第1領域と前記保護膜との間に位置する部分を含む
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2絶縁膜と同一の材料で構成されている膜が、前記金属シリサイド層を覆う、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2絶縁膜は、前記光電変換素子が配置された領域における前記第1絶縁膜の上には配置されていない、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記金属シリサイド層は、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、パラジウムシリサイド又はプラチナシリサイドを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記保護膜は、前記金属シリサイド層の形成工程において前記第2領域および前記フローティングディフュージョンの表面がシリサイド化されることを防止する、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷をフローティングディフュージョンに転送する転送MOSトランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするリセットMOSトランジスタとを有する画素領域、および、複数のMOSトランジスタを含んで構成され前記画素領域から信号を読み出す周辺回路領域を含む光電変換装置であって、
前記フローティングディフュージョン、前記光電変換素子、前記リセットMOSトランジスタのゲート電極の上面および前記転送MOSトランジスタのゲート電極の上面を覆う第1絶縁膜と、
前記複数のMOSトランジスタの少なくとも1つのMOSトランジスタを覆う第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜のコンタクトホールに配置され、前記フローティングディフュージョンに接続されたコンタクトプラグと、
前記第1絶縁膜のコンタクトホールに配置され、前記リセットMOSトランジスタの半導体領域に接続されたコンタクトプラグと、
前記第2絶縁膜のコンタクトホールに配置され、前記少なくとも1つのMOSトランジスタの拡散領域に接続されたコンタクトプラグと、
を備え、
前記転送MOSトランジスタの前記ゲート電極の上面の上、および、前記リセットMOSトランジスタの前記ゲート電極の上面の上には前記第2絶縁膜が配置されていない、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記複数のMOSトランジスタの少なくとも1つのMOSトランジスタのゲート電極の側面に接するサイドスペーサを更に備え、前記サイドスペーサは、前記第1絶縁膜と同一の材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2絶縁膜と同一の材料で構成された膜が、前記光電変換素子が配置された領域における前記第1絶縁膜の上にも配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1絶縁膜は、シリコン窒化膜の単層膜またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との積層構造で構成され、前記第2絶縁膜は、シリコン窒化膜である、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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JP5478871B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2014-04-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
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