JP2015109342A - 撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第一絶縁体膜の第一半導体領域の上に位置する第一部分を残存させつつ、第一絶縁体膜の第二半導体領域の上に位置する部分と、第一絶縁体膜の第三半導体領域の上に位置する部分と、を除去し、第二絶縁体膜の第三半導体領域の上に位置する第二部分を残存させつつ、第二絶縁体膜の第一半導体領域の上に位置する部分と、第二絶縁体膜の第二半導体領域の上に位置する部分とを除去し、第一部分と、第二半導体領域と、第二部分と、を覆う金属膜と第二半導体領域とを反応させて金属化合物層を形成する。
【選択図】 図4
Description
前記金属膜と前記第二ポリシリコン部材とを反応させて金属化合物層を形成した後、前記金属膜の前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分を除去することを特徴とする撮像装置の製造方法。
図1(a)を用いて、撮像装置1000の一例を説明する。撮像装置1000は、画素回路10が配された画素回路部1と周辺回路が配された周辺回路部2とを備える。画素回路部1と周辺回路部2は共通の半導体層100上に設けられる。図1(a)において一点鎖線で囲まれた領域が画素回路部1であり、一点鎖線と二点鎖線の間の領域が周辺回路部2である。周辺回路部2は、画素回路部1の周囲、つまり、画素回路部1と半導体層100の縁との間に位置する。図1(a)では複数の画素回路10を2次元状に配列したエリアセンサの例を示すが、複数の画素回路10を1次元状に配列したリニアセンサとしてもよい。
画素回路10が配された画素回路部1と周辺回路が配された周辺回路部2とを備える撮像装置1000の製造方法を、図6を用いて説明する。ここで説明する製造方法は、図2(b)に示した断面構造を有する撮像装置1000とは異なる構造を有する。以下の説明では、撮像装置1000の製造工程m〜pを、典型的な工程順に断面図を用いて示すが、第一実施形態と共通する点についての説明を適宜省略する。
画素回路10が配された画素回路部1と周辺回路が配された周辺回路部2とを備える撮像装置1000の製造方法を、図7を用いて説明する。ここで説明する製造方法は、図2(b)に示した断面構造を有する撮像装置1000とは異なる構造を有する。以下の説明では、撮像装置1000の製造工程q〜tを、典型的な工程順に断面図を用いて示す。
2 周辺回路部
100 半導体層
1001 第一半導体領域
1002 第二半導体領域
1003 第三半導体領域
122 ゲート電極
126 ゲート電極
128 ゲート電極
130 金属膜
131 金属化合物層
132 金属化合物層
210 第一絶縁体膜
220 第二絶縁体膜
230 第三絶縁体膜
Claims (20)
- 画素回路部と周辺回路部とを備える撮像装置の製造方法であって、
前記画素回路部に位置する第一半導体領域と、前記周辺回路部に位置する第二半導体領域と、前記画素回路部および周辺回路部の少なくとも一方に位置する第三半導体領域とを覆う第一絶縁体膜を形成し、
前記第一絶縁体膜の前記第一半導体領域の上に位置する第一部分を残存させつつ、前記第一絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する部分と、前記第一絶縁体膜の前記第三半導体領域の上に位置する部分とを除去し、
前記第一半導体領域と、前記第二半導体領域と、前記第三半導体領域と、を覆う第二絶縁体膜を形成し、
前記第二絶縁体膜の前記第三半導体領域の上に位置する第二部分を残存させつつ、前記第二絶縁体膜の前記第一部分の上に位置する部分と、前記第二絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する部分とを除去し、
前記第一部分と、前記第二半導体領域と、前記第二部分とを覆う金属膜を形成し、
前記金属膜と前記第二半導体領域とを反応させて金属化合物層を形成し、
前記第一部分と、前記金属化合物層と、前記第二部分とを覆う第三絶縁体膜を形成し、
前記第三絶縁体膜を貫通して前記金属化合物層に接触する導電体部材を形成することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 前記第一絶縁体膜の前記第三半導体領域の上に位置する部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記第三半導体領域に不純物を導入する、請求項1に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記第二半導体領域に不純物を導入し、
前記第二半導体領域への不純物の導入と、前記第三半導体領域への不純物の導入とを並行して行う、請求項2に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第一絶縁体膜の形成の前に、前記第一半導体領域および前記第二半導体領域に第一のドーズ量で不純物を導入し、
前記第一絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記第二半導体領域および前記第三半導体領域に前記第一のドーズ量よりも高い第二のドーズ量で不純物を導入する、請求項1に記載の撮像装置の製造方法。 - 第一絶縁体膜の下であって前記第二半導体領域の上にはゲート電極が設けられており、前記第一絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する部分を除去する際に、前記第一絶縁体膜から前記ゲート電極に対するサイドウォールスペーサを形成する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第三半導体領域は前記周辺回路部の抵抗素子が設けられる区域を含み、前記第一絶縁体膜の前記抵抗素子が設けられる前記区域の上に位置する部分を除去した後に、前記抵抗素子が設けられる前記区域に前記抵抗素子の不純物領域を形成し、前記第二部分は、前記抵抗素子の前記不純物領域を覆う、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一半導体領域は前記画素回路部の光電変換素子の不純物領域を含み、前記第一絶縁体膜の前記第一半導体領域の上に残存させる前記第一部分は前記光電変換素子の不純物領域を覆い、前記第二絶縁体膜の前記光電変換素子の不純物領域の上に位置する部分を除去する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一半導体領域は前記画素回路部の容量素子の不純物領域を含み、前記第一絶縁体膜の前記第一半導体領域の上に残存させる前記第一部分は前記容量素子の前記不純物領域を覆い、前記第二絶縁体膜の前記容量素子の前記不純物領域の上に位置する部分を除去し、
前記第一絶縁体膜の形成の前に、前記容量素子の前記不純物領域の形成のための前記第一半導体領域への不純物の導入と、前記第二半導体領域への不純物の導入とを並行して行う、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第一半導体領域は前記画素回路部の増幅素子の不純物領域を含み、前記第一絶縁体膜の前記第一半導体領域の上に残存させる前記第一部分は前記増幅素子の前記不純物領域を覆い、前記第二絶縁体膜の前記増幅素子の前記不純物領域の上に位置する部分を除去する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第三半導体領域は前記画素回路部の基準電位を供給するためのコンタクトに対応する区域を含み、
前記第一絶縁体膜の前記コンタクトに対応する前記区域の上に位置する部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記コンタクトに対応する前記区域に不純物を導入する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第三半導体領域は前記画素回路部のLDD構造を有するMOSトランジスタの不純物領域を含み、前記第一絶縁体膜の前記MOSトランジスタの前記不純物領域の上に位置する部分を除去し、前記第二絶縁体膜の前記第三半導体領域の上に残存させる前記第二部分は前記MOSトランジスタの前記不純物領域を覆う、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一絶縁体膜は前記周辺回路部の抵抗素子の不純物領域を覆い、前記第二絶縁体膜は前記第一絶縁体膜の前記抵抗素子の前記不純物領域の上に位置する部分を覆う、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一絶縁体膜は、前記第一半導体領域の上に位置する第一ポリシリコン部材と、前記第二半導体領域の上に位置する第二ポリシリコン部材と、を覆うように形成され、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分を残存させつつ、前記第一絶縁体膜の前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分を除去し、
前記第二絶縁体膜は、前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材と、を覆うように形成され、
前記第二絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分と、前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分とを除去する、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材とを覆う金属膜を形成し、
前記金属膜と前記第二ポリシリコン部材とを反応させてシリサイド層を形成する、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。 - 画素回路部および周辺回路部を備える撮像装置の製造方法であって、
画素回路部に位置する第一ポリシリコン部材と、前記周辺回路部に位置する第二ポリシリコン部材と、前記画素回路部および周辺回路部の少なくとも一方に位置する半導体領域と、を覆う第一絶縁体膜を形成し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分を残存させつつ、前記第一絶縁体膜の前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分と、前記第一絶縁体膜の前記半導体領域の上に位置する部分と、を除去し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材と、前記半導体領域と、を覆う第二絶縁体膜を形成し、
前記第二絶縁体膜の前記半導体領域の上に位置する部分を残存させつつ、前記第二絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分と、前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分とを除去し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材と、前記半導体領域の上に位置する前記部分と、を覆う金属膜を形成し、
前記金属膜と前記第二ポリシリコン部材とを反応させてシリサイド層を形成した後、前記金属膜の前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分を除去することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 画素回路部および周辺回路部を備える撮像装置の製造方法であって、
画素回路部に位置する第一ポリシリコン部材と、前記周辺回路部に位置する第二ポリシリコン部材と、前記画素回路部および周辺回路部の少なくとも一方に位置する第三ポリシリコン部材と、を覆う第一絶縁体膜を形成し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分を残存させつつ、前記第一絶縁体膜の前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分と、前記第一絶縁体膜の前記第三ポリシリコン部材の上に位置する部分と、を除去し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材と、前記第三ポリシリコン部材と、を覆う第二絶縁体膜を形成し、
前記第二絶縁体膜の前記第三ポリシリコン部材の上に位置する部分を残存させつつ、前記第二絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する部分と、前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分とを除去し、
前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、前記第二ポリシリコン部材と、前記第三ポリシリコン部材の上に位置する前記部分と、を覆う金属膜を形成し、
前記金属膜と前記第二ポリシリコン部材とを反応させた後、前記金属膜の前記第一絶縁体膜の前記第一ポリシリコン部材の上に位置する前記部分を除去することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 前記第一絶縁体膜の前記第二ポリシリコン部材の上に位置する前記部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記半導体領域に不純物を導入する、請求項15に記載の撮像装置の製造方法、または、
前記第一絶縁体膜の前記第二半導体領域の上に位置する前記部分を除去した後であって、前記第二絶縁体膜を形成する前に、前記第三ポリシリコン部材に不純物を導入する、請求項16に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第一絶縁体膜の前記第二ポリシリコン部材の上に位置する部分を除去する際に、前記第一絶縁体膜の一部を、前記第二ポリシリコン部材に対するサイドウォールスペーサとして残存させる、請求項15乃至17のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一絶縁体膜を形成した後に前記第二絶縁体膜を形成し、前記導電体部材を形成する前に前記第三絶縁体膜を平坦化する、請求項1乃至18のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第一絶縁体膜は窒化シリコン層および酸窒化シリコン層の少なくとも一方を含み、前記第二絶縁体膜は酸化シリコン層を含む、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
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