JP4729933B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4729933B2 JP4729933B2 JP2005025526A JP2005025526A JP4729933B2 JP 4729933 B2 JP4729933 B2 JP 4729933B2 JP 2005025526 A JP2005025526 A JP 2005025526A JP 2005025526 A JP2005025526 A JP 2005025526A JP 4729933 B2 JP4729933 B2 JP 4729933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- transistor
- pixel
- film
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図8Aに示すように、シリコン半導体基板1を用意する。この半導体基板1の画素領域(いわゆる撮像領域)となる第1の領域2上にゲート絶縁膜5を介して各画素の転送トランジスタTr1のゲート電極6、リセットトランジスタTr2のゲート電極7及びアンプトランジスタTr3のゲート電極8を形成する。また、半導体基板1のCMOSロジック回路による周辺回路となる第2の領域3上にゲート絶縁膜11を介してCMOSトランジスタのゲート電極を形成する。図ではnチャネルMOSトランジスタTr4のゲート電極12のみを示す。次いで、半導体基板11の全面にシリコン酸化膜14とシリコン窒化膜15の積層膜によるシリサイドブロック膜16を成膜した後、画素のフォトダイオード形成領域4をレジストマスク18で被覆して、各ゲート電極6、7、8及び12をマスクにn型不純物をイオン注入してセルファラインにてLDD構造のn型低濃度不純物領域21及び31を形成する。
一方、両者の構成上の他の違いは、イオン注入後の活性化のための熱処理時に、トランジスタ上に硬い膜(例えばSiN膜のような絶縁膜)の存在の有無である。硬い膜が存在しているときは、熱処理でソース・ドレイン領域、ゲート電極下のチャネル部などの表面にストレスが発生し、特にチャネル部に準位が発生する。この準位が1/fノイズの発生に影響すると考えられる。
アンプトランジスタTr3では、そのゲート電極301上及びソース・ドレイン領域322、323上にサイドウォール形成材料となる第1のシリサイドブロック膜134が存在せず、そのゲート電極301の側壁に第1、第2及び第3の絶縁膜135、136及び137のよる3層膜構造のサイドウォール133が形成される。このアンプトランジスタTr3のサイドウォール133は、周辺回路108であるCMOSロジック回路のMOSトランジスタTr4、Tr5でのサイドウォール138と同じ構造を有している。
Claims (2)
- 半導体基板の画素領域形成領域に、各画素のアンプトランジスタを含む複数の画素トランジスタのゲート電極及びソース・ドレイン領域となる不純物領域を形成し、
周辺回路形成領域に、MOSトランジスタを構成するゲート電極及びソース・ドレイン領域となる不純物領域を形成し、
前記画素領域形成領域及び前記周辺回路形成領域上に、シリコン酸化膜による第1の絶縁膜及びシリコン窒化膜による第2の絶縁膜の2層膜構造の第1のシリサイドブロック膜を形成する第1の工程と、
前記アンプトランジスタ及び前記周辺回路形成領域のMOSトランジスタ上の前記第1のシリサイドブロック膜を除去する第2の工程と、
前記画素トランジスタのソース・ドレイン領域となる不純物領域と、前記MOSトランジスタのソース・ドレイン領域となる不純物領域を形成する第3の工程と、
熱処理して前記画素トランジスタのソース・ドレイン領域及び前記周辺回路のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域を活性化する第4の工程と、
前記第1のシリサイドブロック膜上に在ってフォトダイオード形成領域を除く前記画素領域形成領域上に第2のシリサイドブロック膜を形成する第5の工程と、
高融点金属膜を形成し、熱処理して周辺回路のMOSトランジスタをシリサイド化する第6の工程と、
各画素のフォトダイオードを形成する第7の工程と
を有し、
フォトダイオードとアンプトランジスタを含む複数の非シリサイド化された画素トランジスタとで構成された画素が複数配列された画素領域と、シリサイド化されたMOSトランジスタを有する周辺回路を形成する
固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3の工程では、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜による3層膜構造のサイドウォール構造を介して、前記画素トランジスタのソース・ドレイン領域となる不純物領域と、前記MOSトランジスタのソース・ドレイン領域となる不純物領域を形成する
請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005025526A JP4729933B2 (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005025526A JP4729933B2 (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216615A JP2006216615A (ja) | 2006-08-17 |
JP4729933B2 true JP4729933B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=36979595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005025526A Expired - Fee Related JP4729933B2 (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4729933B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200903790A (en) * | 2007-04-18 | 2009-01-16 | Rosnes Corp | Solid-state imaging device |
JP2009065118A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP5347283B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-11-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5292878B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-09-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5493382B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
TWI581409B (zh) * | 2008-08-01 | 2017-05-01 | 索尼半導體解決方案公司 | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法,及成像裝置 |
JP2010212536A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP5704848B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP5930650B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012146989A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-08-02 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
WO2014199509A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
JP2015109342A (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法 |
JP6282109B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-02-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
JP6325904B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-05-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラ |
JP6664353B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2020-03-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置を備えた機器、光電変換装置の製造方法 |
JP2017220673A (ja) * | 2017-07-24 | 2017-12-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
JP6630392B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2020-01-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3457551B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP3624140B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ |
JP3782297B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-01 JP JP2005025526A patent/JP4729933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006216615A (ja) | 2006-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4729933B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US7285482B2 (en) | Method for producing solid-state imaging device | |
US9825077B2 (en) | Photoelectric conversion device, method for producing photoelectric conversion device, and image pickup system | |
US9893114B2 (en) | Method of producing image pick-up apparatus and image pick-up apparatus | |
JP4470734B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5470928B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP5446281B2 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 | |
JP5493382B2 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 | |
JP4793402B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US9202842B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
US20080258188A1 (en) | Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2007027705A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
TWI648841B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
JP2013089652A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP4449106B2 (ja) | Mos型固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4892836B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、並びに固体撮像素子とその製造方法 | |
JP2007311804A (ja) | イメージセンサ及びその形成方法 | |
JP2008016723A (ja) | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 | |
JP2005223085A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006216617A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4810831B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007036244A (ja) | Cmosイメージセンサ、及びその製造方法 | |
JP6700655B2 (ja) | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 | |
JP2008198679A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、半導体装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP2009158753A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |