JP2020123717A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)また、本発明のある実施形態は、上記(1)の構成に加え、上記エピタキシャル層の一部であって、隣接する上記空乏層領域の間に形成される画素分離電位障壁をさらに備え、当該画素分離電位障壁の一部には、当該一部を除く上記エピタキシャル層とは異なる材料が1種類以上埋め込まれている、固体撮像装置。
(3)また、本発明のある実施形態は、上記(1)または上記(2)の構成に加え、上記半導体基板と、上記エピタキシャル層との間に、裏面反射層、および、表面半導体基板層をさらに備えている、固体撮像装置。
(4)また、本発明のある実施形態は、上記(1)の構成に加え、第1導電型はp型であり、第2導電型はn型である、固体撮像装置。
図1は、本発明の実施形態に係る固体撮像装置100の画素構造の例を示す断面図である。固体撮像装置100においては、基板11上に、撮像画像の各画素に対応した光電変換領域20を備えている。
エピタキシャル層2の不純物濃度を4×1014[cm−3]以上にし、かつ、エピタキシャル層2の厚さを10μm以上にすることで、暗時特性が改善された結果を以下に示す。
2 エピタキシャル層
3 拡散領域
4 空乏層領域
5 画素分離電位障壁
6 半導体埋め込み領域
7 表面ピンニング層
8 ディープトレンチアイソレーション、DTI
9 裏面反射層
10 表面半導体基板層
11 基板
20 光電変換領域
100、100a、100b 固体撮像装置
Claims (4)
- 基板上に、撮影画像の各画素に対応した光電変換領域を備え、
上記基板は、半導体基板と、当該半導体基板上に形成された、第1導電型であって、不純物濃度が4×1014[cm−3]以上、かつ、1×1016[cm−3]以下であり、厚さが10μm以上のエピタキシャル層とを備え、
上記光電変換領域は、上記エピタキシャル層の一部に埋め込まれた空乏層領域と、上記エピタキシャル層の一部であって、当該空乏層領域および上記半導体基板の間に介在する拡散領域とから形成され、
上記空乏層領域は、第2導電型の半導体埋め込み領域を含んでいることを特徴とする固体撮像装置。 - 上記エピタキシャル層の一部であって、隣接する上記空乏層領域の間に形成される画素分離電位障壁をさらに備え、
当該画素分離電位障壁の一部には、当該一部を除く上記エピタキシャル層とは異なる材料が1種類以上埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 上記半導体基板と、上記エピタキシャル層との間に、裏面反射層、および、表面半導体基板層をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 第1導電型はp型であり、第2導電型はn型であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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2019
- 2019-12-03 JP JP2019218822A patent/JP2020123717A/ja active Pending
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