JPH033362A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH033362A JPH033362A JP1138706A JP13870689A JPH033362A JP H033362 A JPH033362 A JP H033362A JP 1138706 A JP1138706 A JP 1138706A JP 13870689 A JP13870689 A JP 13870689A JP H033362 A JPH033362 A JP H033362A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- light receiving
- receiving part
- refractive index
- light
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- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特に光センサ部の構造に
関する。
関する。
従来、この種の固体撮像素子の光センサ部は第３図に示
す構成となっている。図において、半導体基板１に受光
部としての不純物拡散層２と転送部としての不純物拡散
層３を形成し、受光部２の端部から転送部３を覆う領域
にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。ま
た、受光部２乃至ゲート電極５上に層間絶縁膜６を形成
し、かつその上に受光部２のみを開口する光シールドア
ルミニウム膜７を形成している。なお、８はカバー酸化
膜である。
す構成となっている。図において、半導体基板１に受光
部としての不純物拡散層２と転送部としての不純物拡散
層３を形成し、受光部２の端部から転送部３を覆う領域
にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。ま
た、受光部２乃至ゲート電極５上に層間絶縁膜６を形成
し、かつその上に受光部２のみを開口する光シールドア
ルミニウム膜７を形成している。なお、８はカバー酸化
膜である。
上述した従来の固体撮像素子では、光シールドアルミニ
ウム膜７の開口部から入った光が半導体基板１の受光部
２に達して電気信号が発生し、転送部３を通して外部に
導出される。しかしながら、この光の一部は受光部２を
覆う層間絶縁膜６の膜内において散乱、屈折されてゲー
ト電極５や転送部３に侵入され易く、これらの部位にお
いて電気信号を発生させ、固体撮像素子のスミア特性を
劣化させるという問題がある。
ウム膜７の開口部から入った光が半導体基板１の受光部
２に達して電気信号が発生し、転送部３を通して外部に
導出される。しかしながら、この光の一部は受光部２を
覆う層間絶縁膜６の膜内において散乱、屈折されてゲー
ト電極５や転送部３に侵入され易く、これらの部位にお
いて電気信号を発生させ、固体撮像素子のスミア特性を
劣化させるという問題がある。
本発明はこのようなスミア特性の劣化を防止した固体撮
像素子を提供することを目的とする。
像素子を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板に形成した受光部
を覆う絶縁膜を、受光部と並んで形成した転送部を覆う
絶縁膜よりも光屈折率が大きい材質で構成している。
を覆う絶縁膜を、受光部と並んで形成した転送部を覆う
絶縁膜よりも光屈折率が大きい材質で構成している。
この構成では、受光部上の絶縁膜から転送部上の絶縁膜
に向かう光を両地縁膜の境界面において全反射させ、転
送部への光の侵入を防止し、スミアを防止する。
に向かう光を両地縁膜の境界面において全反射させ、転
送部への光の侵入を防止し、スミアを防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、１は一導電型の半導体基板であり、この半導体基板１
に逆導電型の不純物拡散層２．３を形成し、これらをそ
れぞれ受光部、転送部として構成している。そして、受
光部２の端部から転送部３を覆うように、ゲート絶縁膜
４を介してゲート電極５を形成している。更に、前記受
光部２を除く領域には、眉間絶縁膜６を形成している。
、１は一導電型の半導体基板であり、この半導体基板１
に逆導電型の不純物拡散層２．３を形成し、これらをそ
れぞれ受光部、転送部として構成している。そして、受
光部２の端部から転送部３を覆うように、ゲート絶縁膜
４を介してゲート電極５を形成している。更に、前記受
光部２を除く領域には、眉間絶縁膜６を形成している。
ここで、前記受光部２上には眉間絶縁膜６を形成しては
おらず、この眉間絶縁膜６よりも光屈折率が大きい材質
の絶縁膜９を形成している。そして、この真先屈折率絶
縁膜９を除く領域、即ち前記眉間絶縁膜６の上の領域に
光シールドアルミニウム膜７を形成している。
おらず、この眉間絶縁膜６よりも光屈折率が大きい材質
の絶縁膜９を形成している。そして、この真先屈折率絶
縁膜９を除く領域、即ち前記眉間絶縁膜６の上の領域に
光シールドアルミニウム膜７を形成している。
なお、８はカバー酸化膜である。
第２図（ａ）乃至（ｄ）は第１図の構造を製造する方法
を工程順に示す断面図である。
を工程順に示す断面図である。
先ず、第２図（ａ）のように、半導体基板１に受光部２
．転送部３の不純物拡散層を形成した後、全面にゲート
絶縁膜４を形成し、かつゲート電極５を選択形成する。
．転送部３の不純物拡散層を形成した後、全面にゲート
絶縁膜４を形成し、かつゲート電極５を選択形成する。
このゲート電極５の表面はゲート絶縁膜４と一体化され
るゲート絶縁膜４で被覆する。その上に眉間絶縁膜６を
所要厚さに形成し、かつこの上の全面に光シールドアル
ミニウム膜７を形成する。この工程は、これまでの工程
と同じ工程が採用できる。
るゲート絶縁膜４で被覆する。その上に眉間絶縁膜６を
所要厚さに形成し、かつこの上の全面に光シールドアル
ミニウム膜７を形成する。この工程は、これまでの工程
と同じ工程が採用できる。
次に、第２図（ｂ）のように、図外のフォトレジストを
マスクとして光シールドアルミニウム膜７を受光部２上
で選択エツチングし、開口部を形成する。更に、その下
層の眉間絶縁膜６を選択的にエツチングし、受光部２の
上部に該受光部２を開放させる溝を形成する。
マスクとして光シールドアルミニウム膜７を受光部２上
で選択エツチングし、開口部を形成する。更に、その下
層の眉間絶縁膜６を選択的にエツチングし、受光部２の
上部に該受光部２を開放させる溝を形成する。
次に、第２図（Ｃ）のように、全面に眉間絶縁膜６に比
べて屈折率の大きい絶縁膜９を形成し、この真先屈折率
絶縁膜９により少なくとも受光部２上の溝を埋設する。
べて屈折率の大きい絶縁膜９を形成し、この真先屈折率
絶縁膜９により少なくとも受光部２上の溝を埋設する。
しかる上で、第２図（ｄ）のように、光シールドアルミ
ニウム膜７が露呈されるまで真先屈折率絶縁膜９をエツ
チングバックする。
ニウム膜７が露呈されるまで真先屈折率絶縁膜９をエツ
チングバックする。
その後、全面にカバー酸化膜８を形成することで、第１
図の構成が完成される。
図の構成が完成される。
この構成によれば、光シールドアルミニウム膜７の開口
部から入射した光は真先屈折率絶縁膜９を通って受光部
２に達し、ここにおいて電気信号が発生され、転送部３
を通して外部に導出される。
部から入射した光は真先屈折率絶縁膜９を通って受光部
２に達し、ここにおいて電気信号が発生され、転送部３
を通して外部に導出される。
そして、このとき入射した光の一部が真先屈折率絶縁膜
９において屈折、散乱されて横方向に向けられた場合で
も、この絶縁膜９の光屈折率が眉間絶縁膜６の光屈折率
よりも大きいことから、この光は眉間絶縁膜６と絶縁膜
９の境界面で殆どが全反射され、ゲート電極５や転送部
３側に侵入されることはない。これにより、転送部３等
における電気信号の発生を防止でき、スミア特性が改善
できる。
９において屈折、散乱されて横方向に向けられた場合で
も、この絶縁膜９の光屈折率が眉間絶縁膜６の光屈折率
よりも大きいことから、この光は眉間絶縁膜６と絶縁膜
９の境界面で殆どが全反射され、ゲート電極５や転送部
３側に侵入されることはない。これにより、転送部３等
における電気信号の発生を防止でき、スミア特性が改善
できる。
以上説明したように本発明は、受光部を覆う絶縁膜を転
送部を覆う絶縁膜よりも光屈折率が大きい材質で構成し
ているので、受光部上の絶縁膜から転送部上の絶縁膜に
向かう光を両地縁膜の境界面において全反射させ、転送
部への光の侵入を防止して、スミア特性を改善できる効
果がある。
送部を覆う絶縁膜よりも光屈折率が大きい材質で構成し
ているので、受光部上の絶縁膜から転送部上の絶縁膜に
向かう光を両地縁膜の境界面において全反射させ、転送
部への光の侵入を防止して、スミア特性を改善できる効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ）乃至
第２図（ｄ）は第１図の構造を製造する方法を工程順に
示す断面図、第３図は従来の固体逼像素子の光センサ部
の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・受光部（不純物拡散層）
、３・・・転送部（不純物拡散層）、４・・・ゲート絶
縁膜、５・・・ゲート電極、６・・・層間絶縁膜、７・
・・光シールドアルミニウム膜、８・・・カバー酸化膜
、９・・・高光第 １ 図 第３ 図
第２図（ｄ）は第１図の構造を製造する方法を工程順に
示す断面図、第３図は従来の固体逼像素子の光センサ部
の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・受光部（不純物拡散層）
、３・・・転送部（不純物拡散層）、４・・・ゲート絶
縁膜、５・・・ゲート電極、６・・・層間絶縁膜、７・
・・光シールドアルミニウム膜、８・・・カバー酸化膜
、９・・・高光第 １ 図 第３ 図
Claims (1)
- １、半導体基板に受光部と転送部とを配列形成し、かつ
これらを絶縁膜で被覆してなる固体撮像素子において、
前記受光部上の絶縁膜を転送部上の絶縁膜よりも光屈折
率が大きい材質で構成したことを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138706A JPH033362A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138706A JPH033362A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033362A true JPH033362A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15228225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138706A Pending JPH033362A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040031119A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-13 | (주)그래픽테크노재팬 | 화소격리영역을 갖는 이미지 센서 |
| KR20040031862A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-14 | (주)그래픽테크노재팬 | 생산성 및 감도가 향상된 이미지 센서 |
| US8018109B2 (en) | 2008-11-11 | 2011-09-13 | Ford Global Technologies, Llc | Permanent magnet machine with offset pole spacing |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138706A patent/JPH033362A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040031119A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-13 | (주)그래픽테크노재팬 | 화소격리영역을 갖는 이미지 센서 |
| KR20040031862A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-14 | (주)그래픽테크노재팬 | 생산성 및 감도가 향상된 이미지 센서 |
| WO2004032240A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Graphic Techno Japan Co., Ltd. | Image sensor having improved productivity and sensitivity |
| WO2004032239A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Graphic Techno Japan Co., Ltd. | Image sensor having pixel isolator area |
| US8018109B2 (en) | 2008-11-11 | 2011-09-13 | Ford Global Technologies, Llc | Permanent magnet machine with offset pole spacing |
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