JPS633457A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS633457A JPS633457A JP61148569A JP14856986A JPS633457A JP S633457 A JPS633457 A JP S633457A JP 61148569 A JP61148569 A JP 61148569A JP 14856986 A JP14856986 A JP 14856986A JP S633457 A JPS633457 A JP S633457A
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- Japan
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- polycrystalline silicon
- silicon electrode
- electrode layer
- solid
- film
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 37
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に２層以上の多結晶シ
リコン電極層を含む固体撮像装置に関する。
リコン電極層を含む固体撮像装置に関する。
第２図（ａ）、（ｂ）は従来のインクライントランスフ
ァ形の固体撮像装置の平面図及び断面図である。図のよ
うに、インクライントランスファ形固体撮像装置は、チ
ャネルストップ領域１により電気的に分離された受光素
子８の列と第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結
晶シリコン電極層３からなるトランファゲート９，１０
を含むＣＣＤレジスタが交互に形成されている。各受光
素子８をお互いに分離しているチャネルストップ領域の
上部では、第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結
晶シリコン電極層３が重なって形成されている。
ァ形の固体撮像装置の平面図及び断面図である。図のよ
うに、インクライントランスファ形固体撮像装置は、チ
ャネルストップ領域１により電気的に分離された受光素
子８の列と第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結
晶シリコン電極層３からなるトランファゲート９，１０
を含むＣＣＤレジスタが交互に形成されている。各受光
素子８をお互いに分離しているチャネルストップ領域の
上部では、第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結
晶シリコン電極層３が重なって形成されている。
第２図（ｂ）において、５はｐ型半導体基板、４はｐ型
半導体基板の表面に形成されているｎ型領域の受光素子
である。第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結晶
シリコン電極層３は、重なってチャネルストップ領域１
上に酸化膜を介して形成され、さらに眉間絶縁膜６を介
して遮光金属膜７が形成されている。この遮光金属膜７
は各受光素子４を光学的に分離している。なお、第２図
（ａ）には簡単のため、チャネルストップ領域１と第１
．第２の多結晶シリコン層（及びトランスファゲート）
のみを示しである。
半導体基板の表面に形成されているｎ型領域の受光素子
である。第１の多結晶シリコン電極層２と第２の多結晶
シリコン電極層３は、重なってチャネルストップ領域１
上に酸化膜を介して形成され、さらに眉間絶縁膜６を介
して遮光金属膜７が形成されている。この遮光金属膜７
は各受光素子４を光学的に分離している。なお、第２図
（ａ）には簡単のため、チャネルストップ領域１と第１
．第２の多結晶シリコン層（及びトランスファゲート）
のみを示しである。
このような固体撮像装置では、入射した光を各受光素子
８の部分でそれぞれ光電変換し、受光素子８は、第２図
（ｂ）に示されるようにｐ型基板５とｎ型領域４のｐ−
ｎ接合ダイオードとなっているため、光電変換により発
生した電子を一時蓄積する。この蓄えられた信号電子は
、トランスファゲート９．１０の直下に移すことにより
ＣＯＤレジスタによって同時に読み出すことができるの
でテレビジョン信号として容易に変換できる受像信号を
発生することができる。
８の部分でそれぞれ光電変換し、受光素子８は、第２図
（ｂ）に示されるようにｐ型基板５とｎ型領域４のｐ−
ｎ接合ダイオードとなっているため、光電変換により発
生した電子を一時蓄積する。この蓄えられた信号電子は
、トランスファゲート９．１０の直下に移すことにより
ＣＯＤレジスタによって同時に読み出すことができるの
でテレビジョン信号として容易に変換できる受像信号を
発生することができる。
ところでこのようなインクライントランスファ形固体撮
像装置には、ＣＯＤレジスタに漏れ込んだ光及び電荷に
よりスミア現象という画質の劣化が生じる。この漏れ込
んだ光による電荷の発生量（スミア量）と層間膜の関係
を第３図に示す。これにより、眉間膜を薄くすれば、ス
ミア量を減少させることができることがわかる。しかし
、従来のインクライントランスファ形固体撮像装置では
同じ幅の多結晶シリコン電極層を２層重ねた構造になっ
ているため、遮光金属膜７を段切れ等の不良をおこさず
に形成するには、適当な厚さの眉間絶縁膜を用いる必要
があるため層間絶縁膜の薄膜化には限界があった。
像装置には、ＣＯＤレジスタに漏れ込んだ光及び電荷に
よりスミア現象という画質の劣化が生じる。この漏れ込
んだ光による電荷の発生量（スミア量）と層間膜の関係
を第３図に示す。これにより、眉間膜を薄くすれば、ス
ミア量を減少させることができることがわかる。しかし
、従来のインクライントランスファ形固体撮像装置では
同じ幅の多結晶シリコン電極層を２層重ねた構造になっ
ているため、遮光金属膜７を段切れ等の不良をおこさず
に形成するには、適当な厚さの眉間絶縁膜を用いる必要
があるため層間絶縁膜の薄膜化には限界があった。
上述した従来の固体撮像装置は、眉間絶縁膜の薄膜化が
困難であるのでスミアを少なくできないという欠点があ
る。
困難であるのでスミアを少なくできないという欠点があ
る。
本発明の目的はスミアの少ない固体撮像装置を提供する
ことにある。
ことにある。
本発明の固体撮像装置は、隣接した受光素子を互いに電
気的に分離しているチャネルストップ領域上に、第１．
第２の多結晶シリコン電極層が間に絶縁膜を介して積層
された構成を有する固体撮像装置において、前記積層部
分で第２の多結晶シリコン電極層が第１の多結晶シリコ
ン電極層の側面を覆って積層されているものである。
気的に分離しているチャネルストップ領域上に、第１．
第２の多結晶シリコン電極層が間に絶縁膜を介して積層
された構成を有する固体撮像装置において、前記積層部
分で第２の多結晶シリコン電極層が第１の多結晶シリコ
ン電極層の側面を覆って積層されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示すＣＯＤチップ
の断面図である。従来例との相違点は、第１の多結晶シ
リコン電極層２が第２の多結晶シリコン電極層３によっ
てその上面と側面を覆われていることにある。このよう
な構造においては第１の多結晶シリコン電極層２の幅と
膜厚を第２の多結晶シリコン電極層３に比べ適当にそれ
ぞれ小さく厚くすることによって段差部の形状は改善さ
れ、従来例に比較して層間絶縁膜６の厚さを薄くするこ
とが可能になる。従来、第１の多結晶シリコン電極層の
膜厚を０．６μｍ、第２の多結晶シリコン電極層の膜厚
を０．６μｍで形成した場合の層間絶縁膜が１．０μｍ
以上必要だったのに対して、本発明による固体撮像装置
においては、第１の多結晶シリコン電極層の膜厚を０．
８μｍ、第２の多結晶シリコン電極層の膜厚を０．４μ
ｍで形成した場合、眉間絶縁膜の厚さを０．５μｍにま
で薄くすることが可能になった。また、第１の多結晶シ
リコン電極層のチャネルストップ領域上の幅が短かくな
ることによる層抵抗の増大は膜厚を厚くすることにより
解消された。
の断面図である。従来例との相違点は、第１の多結晶シ
リコン電極層２が第２の多結晶シリコン電極層３によっ
てその上面と側面を覆われていることにある。このよう
な構造においては第１の多結晶シリコン電極層２の幅と
膜厚を第２の多結晶シリコン電極層３に比べ適当にそれ
ぞれ小さく厚くすることによって段差部の形状は改善さ
れ、従来例に比較して層間絶縁膜６の厚さを薄くするこ
とが可能になる。従来、第１の多結晶シリコン電極層の
膜厚を０．６μｍ、第２の多結晶シリコン電極層の膜厚
を０．６μｍで形成した場合の層間絶縁膜が１．０μｍ
以上必要だったのに対して、本発明による固体撮像装置
においては、第１の多結晶シリコン電極層の膜厚を０．
８μｍ、第２の多結晶シリコン電極層の膜厚を０．４μ
ｍで形成した場合、眉間絶縁膜の厚さを０．５μｍにま
で薄くすることが可能になった。また、第１の多結晶シ
リコン電極層のチャネルストップ領域上の幅が短かくな
ることによる層抵抗の増大は膜厚を厚くすることにより
解消された。
なお、第１．第２の多結晶シリコン電極層はそれぞれト
ランスファゲート９．１０に接続されているが、これら
のトランスファゲートには基板に対して負電圧のパルス
が印加されるのでチャネルストップ領域の絶縁作用は強
調される。
ランスファゲート９．１０に接続されているが、これら
のトランスファゲートには基板に対して負電圧のパルス
が印加されるのでチャネルストップ領域の絶縁作用は強
調される。
又、トランスファゲート１０がトランスファゲート９の
側面を覆って設けられている必要はない。スミアに関係
するのは主として受光素子間の漏れ光によるからである
。
側面を覆って設けられている必要はない。スミアに関係
するのは主として受光素子間の漏れ光によるからである
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、第２の多結晶シリコン電
極層が第１の多結晶シリコン電極層の側面を覆って受光
素子を分離するチャネルストップ領域上に設けることに
よって眉間絶縁層の膜厚を薄くすることができるのでス
ミアを低減できる効果がある。
極層が第１の多結晶シリコン電極層の側面を覆って受光
素子を分離するチャネルストップ領域上に設けることに
よって眉間絶縁層の膜厚を薄くすることができるのでス
ミアを低減できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示すＣＣＤチップ
の断面図、第２図（ａ）は従来例の主要部を示すＣＣＤ
チップの平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ〉のＡ−Ａ
’線断面図、第３図はスミア量と眉間絶縁層の厚さの関
係を示す特性図である。 １・・・チャネルストップ領域、２・・・第１の多結晶
シリコン電極層、３・・・第２の多結晶シリコン電極層
、４・・・ｎ型領域、５・・・ｐ型半導体基板、６・・
・層間絶縁層、７・・・遮光金属膜、８・・・受光素子
、９゜１０・・・トランスファゲート。 第 １ｖＪ ｑ とラバファゲ°−ト 磐 ２ 図 θ２θ’ｌ Ｏ，Ｓ ０８１θ 層間梗脱・胃（、ｕバ） 第３ 図
の断面図、第２図（ａ）は従来例の主要部を示すＣＣＤ
チップの平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ〉のＡ−Ａ
’線断面図、第３図はスミア量と眉間絶縁層の厚さの関
係を示す特性図である。 １・・・チャネルストップ領域、２・・・第１の多結晶
シリコン電極層、３・・・第２の多結晶シリコン電極層
、４・・・ｎ型領域、５・・・ｐ型半導体基板、６・・
・層間絶縁層、７・・・遮光金属膜、８・・・受光素子
、９゜１０・・・トランスファゲート。 第 １ｖＪ ｑ とラバファゲ°−ト 磐 ２ 図 θ２θ’ｌ Ｏ，Ｓ ０８１θ 層間梗脱・胃（、ｕバ） 第３ 図
Claims (2)
- （１）隣接した受光素子を互いに電気的に分離している
チャネルストップ領域上に、第１、第２の多結晶シリコ
ン電極層が間に絶縁膜を介して積層された構成を有する
固体撮像装置において、前記積層部分で第２の多結晶シ
リコン電極層が第１の多結晶シリコン電極層の側面を覆
つて積層されていることを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記第１の多結晶シリコン電極層の膜厚が、前記
第２の多結晶シリコン電極層の膜厚より大きい特許請求
の範囲第（１）項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148569A JPH07114275B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148569A JPH07114275B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633457A true JPS633457A (ja) | 1988-01-08 |
| JPH07114275B2 JPH07114275B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=15455677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61148569A Expired - Lifetime JPH07114275B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114275B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230770A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0344073A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH06350065A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153879A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61148569A patent/JPH07114275B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153879A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230770A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0344073A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH06350065A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114275B2 (ja) | 1995-12-06 |
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