JP2531435B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は光電変換部において光電
変換され、蓄積された電荷を一定期間ごとに電荷転送レ
ジスタ部に読みだし、それを順次出力部に転送し、出力
部で電気信号に変換して外部に出力する装置である。
変換され、蓄積された電荷を一定期間ごとに電荷転送レ
ジスタ部に読みだし、それを順次出力部に転送し、出力
部で電気信号に変換して外部に出力する装置である。
【０００３】図６は従来の２次元ＣＣＤ型の固体撮像装
置の平面図、図７（ａ）は図６のＡ−Ａ線断面図、図７
（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線断面図である。
置の平面図、図７（ａ）は図６のＡ−Ａ線断面図、図７
（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【０００４】この従来例について、その製造工程に沿っ
て説明する。
て説明する。
【０００５】まず、Ｎ型シリコン基板１の表面部に選択
的にＰ型ウェル層２を形成する。続いて光電変換部のＮ
型拡散層３、電荷転送部のＮ型埋込チャネル４、電荷読
出部のＰ型拡散層５及び素子分離部のチャネルストッパ
６をそれぞれリソグラフィ技術及びイオン注入技術を用
いて形成する。
的にＰ型ウェル層２を形成する。続いて光電変換部のＮ
型拡散層３、電荷転送部のＮ型埋込チャネル４、電荷読
出部のＰ型拡散層５及び素子分離部のチャネルストッパ
６をそれぞれリソグラフィ技術及びイオン注入技術を用
いて形成する。
【０００６】次に、基板表面を熱酸化し、第１のゲート
絶縁膜７を形成し、その上部に減圧ＣＶＤ法により、多
結晶シリコン膜を４００ｎｍ堆積し、これをフォトリソ
グラフィ技術及びドライエッチング法を適用して、転送
ゲート電極８−１および転送電極配線１５を形成する。
絶縁膜７を形成し、その上部に減圧ＣＶＤ法により、多
結晶シリコン膜を４００ｎｍ堆積し、これをフォトリソ
グラフィ技術及びドライエッチング法を適用して、転送
ゲート電極８−１および転送電極配線１５を形成する。
【０００７】次に、転送ゲート電極８−１及び転送ゲー
ト電極配線１５をマスクとして第１のゲート絶縁膜７を
エッチング除去し、新たに熱酸化を行って第２のゲート
絶縁膜９を形成した後、再び多結晶シリコン膜を４００
ｎｍ堆積し、パターニングして転送ゲート電極８−２お
よび転送電極配線１０を形成する。
ト電極配線１５をマスクとして第１のゲート絶縁膜７を
エッチング除去し、新たに熱酸化を行って第２のゲート
絶縁膜９を形成した後、再び多結晶シリコン膜を４００
ｎｍ堆積し、パターニングして転送ゲート電極８−２お
よび転送電極配線１０を形成する。
【０００８】さらに、層間絶縁膜１１を形成した後、転
送電極配線１０，１５の端部上にコンタクトホール（図
示せず）を開口し、アルミニウム膜をスパッタ法を用い
て蒸着し、Ｎ型拡散層３上部に開口１７を有する遮光膜
１２および転送電極配線１０，１５にそれぞれ転送パル
スを供給する金属膜配線（図示せず）を形成する。
送電極配線１０，１５の端部上にコンタクトホール（図
示せず）を開口し、アルミニウム膜をスパッタ法を用い
て蒸着し、Ｎ型拡散層３上部に開口１７を有する遮光膜
１２および転送電極配線１０，１５にそれぞれ転送パル
スを供給する金属膜配線（図示せず）を形成する。
【０００９】最後に、透明高分子樹脂をスピンコート法
により塗布し、熱硬化させることにより平坦化層１３を
形成した後、感光性高分子樹脂を同じくスピンコート法
により塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングし、熱処理することで軟化させ、マイクロレンズ
１４を形成する。
により塗布し、熱硬化させることにより平坦化層１３を
形成した後、感光性高分子樹脂を同じくスピンコート法
により塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングし、熱処理することで軟化させ、マイクロレンズ
１４を形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像装置では電荷転送部に光が漏れ込む現象であるスミア
を低減するために遮光膜１２が転送ゲート電極及び電送
電極配線を完全に覆うように形成されている。各画素列
の対応する転送ゲート電極は行方向に転送電極配線によ
り接続されているので、これらの転送電極配線へ転送パ
ルスを供給する金属膜配線から離れているチップ中央付
近で転送パルスになまりが生じ、電気的特性劣化が生じ
るのを防ぐため、多結晶シリコン膜の厚さはあまり薄く
できない。例えば、受光サイズ１／２インチ、画素数４
０万個程度の固体撮像装置においては、転送パルスがな
まらないための転送電極配線の層抵抗として４０Ω／□
程度が限界であり、これを実現するには４００ｎｍ程度
の多結晶シリコン膜が必要となる。
像装置では電荷転送部に光が漏れ込む現象であるスミア
を低減するために遮光膜１２が転送ゲート電極及び電送
電極配線を完全に覆うように形成されている。各画素列
の対応する転送ゲート電極は行方向に転送電極配線によ
り接続されているので、これらの転送電極配線へ転送パ
ルスを供給する金属膜配線から離れているチップ中央付
近で転送パルスになまりが生じ、電気的特性劣化が生じ
るのを防ぐため、多結晶シリコン膜の厚さはあまり薄く
できない。例えば、受光サイズ１／２インチ、画素数４
０万個程度の固体撮像装置においては、転送パルスがな
まらないための転送電極配線の層抵抗として４０Ω／□
程度が限界であり、これを実現するには４００ｎｍ程度
の多結晶シリコン膜が必要となる。
【００１１】しかしながら、転送ゲート電極８−２がＮ
型拡散層３の上方へ張り出しているので、４００ｎｍ程
度の厚さであってもその段差部で被覆形状が悪くなり、
図８に示す従来の固体撮像装置における集光状態を示す
断面図のようにマイクロレンズアレイを用いても完全に
遮光開口部に光が集光できなく、マイクロレンズで屈折
した光の一部が遮光膜１２で反射もしくは吸収してしま
うため、感度が低くなっているという問題があった。
型拡散層３の上方へ張り出しているので、４００ｎｍ程
度の厚さであってもその段差部で被覆形状が悪くなり、
図８に示す従来の固体撮像装置における集光状態を示す
断面図のようにマイクロレンズアレイを用いても完全に
遮光開口部に光が集光できなく、マイクロレンズで屈折
した光の一部が遮光膜１２で反射もしくは吸収してしま
うため、感度が低くなっているという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、複数の光電変換素子からなる光電変換素子列および
前記光電変換素子毎に複数の転送ゲート電極を設けてな
る垂直転送レジスタからなる画素列を複数並列して配置
し、前記各画素列の対応する転送ゲート電極どうしを行
方向に接続し、各行の光電変換素子あたり複数ある転送
電極配線のそれぞれが互いに絶縁されて積層されて集積
した半導体チップを層間絶縁膜を介して前記光電変換素
子の上部にそれぞれ開口が設けられた遮光膜で被覆する
ＣＣＤ方式の固体撮像装置において、前記各転送電極配
線は、前記各転送電極配線上に積層される転送ゲート電
極と同一材質で且つ転送ゲート電極より厚い導電膜から
なる。
は、複数の光電変換素子からなる光電変換素子列および
前記光電変換素子毎に複数の転送ゲート電極を設けてな
る垂直転送レジスタからなる画素列を複数並列して配置
し、前記各画素列の対応する転送ゲート電極どうしを行
方向に接続し、各行の光電変換素子あたり複数ある転送
電極配線のそれぞれが互いに絶縁されて積層されて集積
した半導体チップを層間絶縁膜を介して前記光電変換素
子の上部にそれぞれ開口が設けられた遮光膜で被覆する
ＣＣＤ方式の固体撮像装置において、前記各転送電極配
線は、前記各転送電極配線上に積層される転送ゲート電
極と同一材質で且つ転送ゲート電極より厚い導電膜から
なる。
【００１３】また、本発明の固体撮像装置の製造方法
は、半導体基板表面の所定領域にゲート絶縁膜を形成
し、前記ゲート絶縁膜を第１の導電性膜で被覆しパター
ニングして第１の転送電極配線層を形成する工程と、前
記第１の導電性膜と同一材質の第２の導電性膜を全面に
堆積しパターニングすることにより、前記第１の転送電
極配線層に積層されてともに転送電極配線を構成する第
２の転送電極配線層および前記第２の転送電極配線層か
ら列方向に張り出した転送ゲート電極を形成する工程
と、しかる後に層間絶縁膜を堆積し、所定領域に開口を
有する遮光膜を形成する工程とを有するというものであ
る。
は、半導体基板表面の所定領域にゲート絶縁膜を形成
し、前記ゲート絶縁膜を第１の導電性膜で被覆しパター
ニングして第１の転送電極配線層を形成する工程と、前
記第１の導電性膜と同一材質の第２の導電性膜を全面に
堆積しパターニングすることにより、前記第１の転送電
極配線層に積層されてともに転送電極配線を構成する第
２の転送電極配線層および前記第２の転送電極配線層か
ら列方向に張り出した転送ゲート電極を形成する工程
と、しかる後に層間絶縁膜を堆積し、所定領域に開口を
有する遮光膜を形成する工程とを有するというものであ
る。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の一実施例のＣＣＤ型の固体撮
像装置を示す平面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面
図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。
像装置を示す平面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面
図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１５】Ｎ型シリコン基板１の表面部にＰ型ウェル
層２が選択的に形成されている。Ｐ型ウェル層２の表面
部に選択的にＮ型埋込チャネル４が形成されている。Ｎ
型埋込チャネル層４と平行してフォトダイオードのＮ型
拡散層３が列状に配置されている。Ｎ型拡散層３とＮ型
埋込みチャネル４との間には電荷読出部のＰ型拡散層５
が形成されている。６はＮ型拡散層３，Ｎ型埋込チャネ
ル４等を絶縁分離するＰ+ 型のチャネルストッパであ
る。
層２が選択的に形成されている。Ｐ型ウェル層２の表面
部に選択的にＮ型埋込チャネル４が形成されている。Ｎ
型埋込チャネル層４と平行してフォトダイオードのＮ型
拡散層３が列状に配置されている。Ｎ型拡散層３とＮ型
埋込みチャネル４との間には電荷読出部のＰ型拡散層５
が形成されている。６はＮ型拡散層３，Ｎ型埋込チャネ
ル４等を絶縁分離するＰ+ 型のチャネルストッパであ
る。
【００１６】Ｎ型埋込チャネル４上には第１のゲート酸
化膜７を介して転送ゲート電極８−１Ａが各Ｎ型拡散層
３に対応して一つ宛設けられ、各画素列の転送ゲート電
極８−１Ａは行方向に転送電極配線１５Ａにより相互に
連結されている。転送電極配線１５Ａは約４００ｎｍの
厚さの多結晶シリコンで構成され、転送ゲート電極８−
１Ａは約１５０ｎｍの厚さの多結晶シリコン膜で構成さ
れている。同様に、Ｎ型埋込チャネル４上にはまた第２
のゲート酸化膜９を介して転送ゲート電極８−２Ａ（厚
さ約１５０ｎｍの多結晶シリコン膜）が各Ｎ型拡散層３
に対応して一つ宛形成され、各画素列の転送ゲート電極
８−２Ａは行方向に転送電極配線１０Ａ（厚さ約４００
ｎｍの多結晶シリコン膜）により相互に連結されてい
る。図６に示した従来例との相違点は転送電極配線の厚
さが転送ゲート電極より厚くなっていることである。
化膜７を介して転送ゲート電極８−１Ａが各Ｎ型拡散層
３に対応して一つ宛設けられ、各画素列の転送ゲート電
極８−１Ａは行方向に転送電極配線１５Ａにより相互に
連結されている。転送電極配線１５Ａは約４００ｎｍの
厚さの多結晶シリコンで構成され、転送ゲート電極８−
１Ａは約１５０ｎｍの厚さの多結晶シリコン膜で構成さ
れている。同様に、Ｎ型埋込チャネル４上にはまた第２
のゲート酸化膜９を介して転送ゲート電極８−２Ａ（厚
さ約１５０ｎｍの多結晶シリコン膜）が各Ｎ型拡散層３
に対応して一つ宛形成され、各画素列の転送ゲート電極
８−２Ａは行方向に転送電極配線１０Ａ（厚さ約４００
ｎｍの多結晶シリコン膜）により相互に連結されてい
る。図６に示した従来例との相違点は転送電極配線の厚
さが転送ゲート電極より厚くなっていることである。
【００１７】次に、この実施例の製造方法について説明
する。
する。
【００１８】まず、図３（ａ）に示すように、Ｎ型シリ
コン基板１の表面部に選択的にＰ型ウェル層２を形成す
る。続いて図３（ｂ）に示すように、光電変換部のＮ型
拡散層（図２（ｂ）の３）、電荷転送部のＮ型埋込チャ
ネル４、電荷読出部のＰ型拡散層（図２（ｂ）の５）及
び素子分離用のチャネルストッパ（図２（ｂ）の６）を
それぞれ形成する。
コン基板１の表面部に選択的にＰ型ウェル層２を形成す
る。続いて図３（ｂ）に示すように、光電変換部のＮ型
拡散層（図２（ｂ）の３）、電荷転送部のＮ型埋込チャ
ネル４、電荷読出部のＰ型拡散層（図２（ｂ）の５）及
び素子分離用のチャネルストッパ（図２（ｂ）の６）を
それぞれ形成する。
【００１９】次に、基板表面を熱酸化し、図３（ｃ）に
示すように、第１のゲート酸化膜７を形成し、その上部
に減圧ＣＶＤ法により、多結晶シリコン膜を２５０ｎｍ
堆積し、これをフォトリソグラフィ技術及びウェットエ
ッチング法を適用して、転送ゲート電極８−１Ａを行方
向に接続する転送電極配線を形成するため第１の転送電
極配線層１５ａを形成する。
示すように、第１のゲート酸化膜７を形成し、その上部
に減圧ＣＶＤ法により、多結晶シリコン膜を２５０ｎｍ
堆積し、これをフォトリソグラフィ技術及びウェットエ
ッチング法を適用して、転送ゲート電極８−１Ａを行方
向に接続する転送電極配線を形成するため第１の転送電
極配線層１５ａを形成する。
【００２０】続いて、減圧ＣＶＤ法により、図３（ｄ）
に示すように、再度多結晶シリコン膜１６を１５０ｎｍ
堆積する。これをフォトリソグラフィ技術及びドライエ
ッチング法を適用して、図４（ａ）に示すように、第１
の転送電極配線層１５ａを被覆する第２の転送電極配線
層１５ｂと列方向に長方形状に張り出した転送ゲート電
極８−１Ａとを形成する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、２層膜構成の転送電極配線１５Ａおよび転送ゲート
電極８−１Ａをマスクとして第１のゲート酸化膜７をエ
ッチング除去し、新たに熱酸化を行って第２のゲート酸
化膜９を形成した後、第１の多結晶シリコン電極（１５
Ａ，８−１Ａ）を形成したのと同様の２段階で形成する
手法を用いて、光電変換部（３）から電荷転送部（４）
への信号電荷の読出及び電荷転送を行うための第２の多
結晶シリコン電極（転送ゲート電極８−２Ａおよび転送
電極配線１０Ａ）を形成する。
に示すように、再度多結晶シリコン膜１６を１５０ｎｍ
堆積する。これをフォトリソグラフィ技術及びドライエ
ッチング法を適用して、図４（ａ）に示すように、第１
の転送電極配線層１５ａを被覆する第２の転送電極配線
層１５ｂと列方向に長方形状に張り出した転送ゲート電
極８−１Ａとを形成する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、２層膜構成の転送電極配線１５Ａおよび転送ゲート
電極８−１Ａをマスクとして第１のゲート酸化膜７をエ
ッチング除去し、新たに熱酸化を行って第２のゲート酸
化膜９を形成した後、第１の多結晶シリコン電極（１５
Ａ，８−１Ａ）を形成したのと同様の２段階で形成する
手法を用いて、光電変換部（３）から電荷転送部（４）
への信号電荷の読出及び電荷転送を行うための第２の多
結晶シリコン電極（転送ゲート電極８−２Ａおよび転送
電極配線１０Ａ）を形成する。
【００２１】さらに、図２に示すように、層間絶縁膜１
１を形成した後、転送電極配線１０Ａ，１５Ａの端部上
にコンタクトホール（図示せず）を開口し、たとえばア
ルミニウム膜等をスパッタ法を用いて３５０ｎｍ蒸着
し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法を
適用して遮光膜１２と転送電極配線１０Ａ，１５Ａにそ
れぞれ転送パルスを供給する金属膜配線（図示せず）を
形成する。
１を形成した後、転送電極配線１０Ａ，１５Ａの端部上
にコンタクトホール（図示せず）を開口し、たとえばア
ルミニウム膜等をスパッタ法を用いて３５０ｎｍ蒸着
し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法を
適用して遮光膜１２と転送電極配線１０Ａ，１５Ａにそ
れぞれ転送パルスを供給する金属膜配線（図示せず）を
形成する。
【００２２】最後に、透明高分子樹脂をスピンコート法
により塗布し、熱硬化させることにより平坦化層１３を
形成し、感光性高分子樹脂を同じくスピンコート法によ
り塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニン
グし、熱処理することで軟化させ、マイクロレンズ１４
を形成することにより、本発明の固体撮像装置が得られ
る。
により塗布し、熱硬化させることにより平坦化層１３を
形成し、感光性高分子樹脂を同じくスピンコート法によ
り塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニン
グし、熱処理することで軟化させ、マイクロレンズ１４
を形成することにより、本発明の固体撮像装置が得られ
る。
【００２３】転送電極配線１０Ａ，１５Ａを厚くして転
送パルスのなまりを防止しても、Ｎ型拡散層３上へ張り
出している転送ゲート電極８−２Ａの厚さは薄くできる
ので、遮光膜１２の開口１７近傍での段差が小さくな
り、図５に示すように、マイクロレンズ１４により集束
された光が遮光膜１２の端部に当って反射されるのを防
止できる。つまり、集光可能角度θ1 は従来例における
θ2 より大きくできる。
送パルスのなまりを防止しても、Ｎ型拡散層３上へ張り
出している転送ゲート電極８−２Ａの厚さは薄くできる
ので、遮光膜１２の開口１７近傍での段差が小さくな
り、図５に示すように、マイクロレンズ１４により集束
された光が遮光膜１２の端部に当って反射されるのを防
止できる。つまり、集光可能角度θ1 は従来例における
θ2 より大きくできる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば転
送電極配線より転送ゲート電極の厚さを小さくすること
ができるので、転送パルスのなまりを防ぎかつ集光量を
増加させることができるので固体撮像装置の感度を一層
改善できる効果がある。
送電極配線より転送ゲート電極の厚さを小さくすること
ができるので、転送パルスのなまりを防ぎかつ集光量を
増加させることができるので固体撮像装置の感度を一層
改善できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図（図２（ａ））およびＢ
−Ｂ線断面図（図２（ｂ））である。
−Ｂ線断面図（図２（ｂ））である。
【図３】前述の一実施例の製造方法の説明のため（ａ）
〜（ｄ）に分図して示す工程断面図である。
〜（ｄ）に分図して示す工程断面図である。
【図４】図３に対応する工程の次工程の説明のため
（ａ），（ｂ）に分図して示す工程順断面図である。
（ａ），（ｂ）に分図して示す工程順断面図である。
【図５】前述の一実施例による集光量の改善を説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図６】従来例を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図（図７（ａ））およびＢ
−Ｂ線断面図（図７（ｂ））である。
−Ｂ線断面図（図７（ｂ））である。
【図８】従来例の問題点の説明のための模式図である。
【符号の説明】 １ Ｎ型シリコン基板 ２ Ｐ型ウェル層 ３ Ｎ型拡散層 ４ Ｎ型埋込チャネル ５ Ｐ型拡散層 ６ チャネルストッパ ７ 第１のゲート酸化膜 ８−１，８−１Ａ 第１の多結晶シリコン電極（転送
ゲート電極） ８−２，８−２Ａ 第２の多結晶シリコン電極（転送
ゲート電極） ９ 第２のゲート酸化膜 １０，１０Ａ 転送電極配線 １１ 層間絶縁膜 １２ 遮光膜 １３ 平坦化層 １４ マイクロレンズ １５，１５Ａ 転送電極配線 １６ 多結晶シリコン膜 １７ 開口
ゲート電極） ８−２，８−２Ａ 第２の多結晶シリコン電極（転送
ゲート電極） ９ 第２のゲート酸化膜 １０，１０Ａ 転送電極配線 １１ 層間絶縁膜 １２ 遮光膜 １３ 平坦化層 １４ マイクロレンズ １５，１５Ａ 転送電極配線 １６ 多結晶シリコン膜 １７ 開口
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の光電変換素子からなる光電変換素
子列および前記光電変換素子毎に複数の転送ゲート電極
を設けてなる垂直転送レジスタからなる画素列を複数並
列して配置し、前記各画素列の対応する転送ゲート電極
どうしを行方向に接続し、各行の光電変換素子あたり複
数ある転送電極配線のそれぞれが互いに絶縁されて積層
されて集積した半導体チップを、層間絶縁膜を介して前
記光電変換素子の上部にそれぞれ開口が設けられた遮光
膜で被覆するＣＣＤ方式の固体撮像装置において、前記
各転送電極配線は、前記各転送電極配線上に積層される
転送ゲート電極と同一材質で且つ転送ゲート電極より厚
い導電膜からなることを特徴とするＣＣＤ方式の固体撮
像装置。 - 【請求項２】 複数の光電変換素子からなる光電変換素
子列および前記光電変換素子毎に複数の転送ゲート電極
を設けてなる垂直転送レジスタからなる画素列を複数並
列して配置し、前記各画素列の対応する転送ゲート電極
どうしを行方向に接続し、各行の光電変換素子あたり複
数ある転送電極配線のそれぞれが互いに絶縁されて積層
されて集積した半導体チップを、層間絶縁膜を介して前
記光電変換素子の上部にそれぞれ開口が設けられた遮光
膜で被覆するＣＣＤ方式の固体撮像装置の製造方法にお
いて、半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜を第１の導電性膜で被覆しパターンニングし
て第１の転送電極配線層を行方向に形成する工程と、前
記第１の導電性膜と同一材質の第２の導電性膜を全面に
堆積しパターンニングすることにより、前記第１の転送
電極配線層に積層されてともに転送電極配線を構成する
第２の転送電極配線層および前記第２の転送電極配線層
から列方向に張り出した転送ゲート電極を形成する工程
と、しかる後に層間絶縁膜を堆積し、所定領域に開口を
設けた遮光膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133761A JP2531435B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133761A JP2531435B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350065A JPH06350065A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2531435B2 true JP2531435B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=15112340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5133761A Expired - Lifetime JP2531435B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531435B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114275B2 (ja) * | 1986-06-24 | 1995-12-06 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH07123161B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1995-12-25 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5133761A patent/JP2531435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350065A (ja) | 1994-12-22 |
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