JPH07123161B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH07123161B2 JPH07123161B2 JP61288219A JP28821986A JPH07123161B2 JP H07123161 B2 JPH07123161 B2 JP H07123161B2 JP 61288219 A JP61288219 A JP 61288219A JP 28821986 A JP28821986 A JP 28821986A JP H07123161 B2 JPH07123161 B2 JP H07123161B2
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- JP
- Japan
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- solid
- transfer
- gate electrode
- wiring
- state image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H01L27/14643—
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電荷転送素子に関し、その走査線の断線に
よる固体撮像素子の動作不良を防止するための走査線の
改良に関するものである。
よる固体撮像素子の動作不良を防止するための走査線の
改良に関するものである。
第２図は、従来のCSD（charge SWeep Device:電荷掃き
寄せ素子）方式の固体撮像素子における１画素の平面構
造の一例を示す。この構造は例えばテレビジヨン学会技
術報告No.TEVS101-6,ED841（木股ほか）に開示されてい
る。
寄せ素子）方式の固体撮像素子における１画素の平面構
造の一例を示す。この構造は例えばテレビジヨン学会技
術報告No.TEVS101-6,ED841（木股ほか）に開示されてい
る。
このものは、与えられた光信号を信号電荷に変換するフ
オトダイオード（８）と、フオトダイオード（８）から
の信号を選択的に読み出す為の表面チヤネルを有するト
ランスフアゲート（９）と、トランスフアゲート（９）
から信号電荷を転送する為の通路となる埋め込みチヤネ
ルで形成される転送チヤネル（10）とを含む。トランス
フアゲート（９）及び転送チヤネル（10）の電荷転送
は、コンタクトホール（７）を介して走査線（６）から
ゲート電極（３）へ与えられる電圧レベルを制御する事
により行なわれる。すなわち、この固体撮像素子の１画
素は１個のフオトダイオードと１個のゲート電極とゲー
ト電極（３）に電圧を与える走査線（６）から構成され
ている。
オトダイオード（８）と、フオトダイオード（８）から
の信号を選択的に読み出す為の表面チヤネルを有するト
ランスフアゲート（９）と、トランスフアゲート（９）
から信号電荷を転送する為の通路となる埋め込みチヤネ
ルで形成される転送チヤネル（10）とを含む。トランス
フアゲート（９）及び転送チヤネル（10）の電荷転送
は、コンタクトホール（７）を介して走査線（６）から
ゲート電極（３）へ与えられる電圧レベルを制御する事
により行なわれる。すなわち、この固体撮像素子の１画
素は１個のフオトダイオードと１個のゲート電極とゲー
ト電極（３）に電圧を与える走査線（６）から構成され
ている。
以下に従来装置の動作について説明する。
ゲート電極（３）に与えられる電圧レベルは“L"レベル
と“H"レベルとさらに高い“HH"レベルである。トラン
スフアゲート（９）は“HH"レベルで導通、“L"レベル
と“H"レベルで非導通となる様なスレツシユホールド電
圧を持つ。まず信号電荷蓄積状態について説明する。
と“H"レベルとさらに高い“HH"レベルである。トラン
スフアゲート（９）は“HH"レベルで導通、“L"レベル
と“H"レベルで非導通となる様なスレツシユホールド電
圧を持つ。まず信号電荷蓄積状態について説明する。
この状態においては、ゲート電極（３）へ与えられる電
位は“H"レベルと“L"レベルの間を往復しているのでト
ランスフアゲート（９）は非導通である。この間光信号
はフオトダイオード（８）により信号電荷に変換され蓄
積される。
位は“H"レベルと“L"レベルの間を往復しているのでト
ランスフアゲート（９）は非導通である。この間光信号
はフオトダイオード（８）により信号電荷に変換され蓄
積される。
次に信号電荷読出し状態について説明する。
この状態においては、ゲート電極（３）へ与えられる電
位は“HH"レベルであるのでトランスフアゲート（９）
は、導通となり、フオトダイオード（８）に蓄積された
信号電荷は転送チヤネルへ読み出される。次に再び信号
電荷蓄積状態へ移行し、読み出された信号電荷はゲート
電極（３）に与える電圧を“L"レベルと“H"レベルで繰
り返すCSDの電荷転送動作によつて転送チヤネルに沿つ
て順次転送する。
位は“HH"レベルであるのでトランスフアゲート（９）
は、導通となり、フオトダイオード（８）に蓄積された
信号電荷は転送チヤネルへ読み出される。次に再び信号
電荷蓄積状態へ移行し、読み出された信号電荷はゲート
電極（３）に与える電圧を“L"レベルと“H"レベルで繰
り返すCSDの電荷転送動作によつて転送チヤネルに沿つ
て順次転送する。
従来装置は、以上の様に構成されているので、その製造
において、例えば写真製版工程におけるゴミの付着によ
り、走査線（６）が断線した場合、ゲート電極（３）の
電圧レベルの制御がきかなくなり従来装置の動作で説明
した様にフオトダイオード（８）から転送チヤネル（1
0）への信号電荷の読出し及び転送チヤネル（10）に沿
つた電荷転送を行う事ができなくなると言う問題があ
る。
において、例えば写真製版工程におけるゴミの付着によ
り、走査線（６）が断線した場合、ゲート電極（３）の
電圧レベルの制御がきかなくなり従来装置の動作で説明
した様にフオトダイオード（８）から転送チヤネル（1
0）への信号電荷の読出し及び転送チヤネル（10）に沿
つた電荷転送を行う事ができなくなると言う問題があ
る。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
のであり、走査線の断線不良を防止する事を目的とす
る。
のであり、走査線の断線不良を防止する事を目的とす
る。
この発明にかかる固体撮像素子は、マトリクス状に配列
されたゲート電極に信号を与えるための行方向に配列し
た走査線を多層配線によって形成するとともに、多層配
線を構成する各配線がいずれもゲート電極と各列毎に接
続されているものである。
されたゲート電極に信号を与えるための行方向に配列し
た走査線を多層配線によって形成するとともに、多層配
線を構成する各配線がいずれもゲート電極と各列毎に接
続されているものである。
この発明における多層配線によつて形成された走査線
は、走査線の断線が生じた場合においてもゲート電圧の
制御を可能にする。
は、走査線の断線が生じた場合においてもゲート電圧の
制御を可能にする。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による固体撮像素子
の２画素分の平面図であり、第１図（ｂ）は、第１図
（ａ）の要部断面図である。シリコン基板（１）上にシ
リコン酸化膜（２）を形成し、その上からポリシリコン
のゲート電極（３）及び第１層配線（４）を同時に形成
する。さらに層間絶縁膜（５）をはさみ、上からアルミ
ニウムの第２層配線（６）を形成しコンタクトホール
（７）を介してゲート電極（３）とコンタクトをとる。
第１図（ａ）及び（ｂ）に見られる様にこの発明の一実
施例の特徴は走査線を２層の配線により形成しているこ
とである。
の２画素分の平面図であり、第１図（ｂ）は、第１図
（ａ）の要部断面図である。シリコン基板（１）上にシ
リコン酸化膜（２）を形成し、その上からポリシリコン
のゲート電極（３）及び第１層配線（４）を同時に形成
する。さらに層間絶縁膜（５）をはさみ、上からアルミ
ニウムの第２層配線（６）を形成しコンタクトホール
（７）を介してゲート電極（３）とコンタクトをとる。
第１図（ａ）及び（ｂ）に見られる様にこの発明の一実
施例の特徴は走査線を２層の配線により形成しているこ
とである。
上記実施例に示した構造から分かる様に走査線の一方、
例えば第２層配線（６）がコンタクトホール間で断線し
た場合、断線部分では下のポリシリコンの第１層配線
（４）により導通している。この場合、ポリシリコン
は、Alに比べて高抵抗であるがポリシリコンを通るの
は、わずかに断線箇所の１画素分であり、実際上頻繁に
断線が生じる事はなく、第１層配線が高抵抗である事
は、問題にはならない。
例えば第２層配線（６）がコンタクトホール間で断線し
た場合、断線部分では下のポリシリコンの第１層配線
（４）により導通している。この場合、ポリシリコン
は、Alに比べて高抵抗であるがポリシリコンを通るの
は、わずかに断線箇所の１画素分であり、実際上頻繁に
断線が生じる事はなく、第１層配線が高抵抗である事
は、問題にはならない。
この発明は上記一実施例に限られるものではなく、走査
線を３層以上の多層配線により形成しても同様の効果を
得る事ができる。
線を３層以上の多層配線により形成しても同様の効果を
得る事ができる。
以上の様にこの発明は走査線を多層配線により形成した
ので、走査線の断線が生じても正常な走査を行う事がで
きるという優れた効果を有する。
ので、走査線の断線が生じても正常な走査を行う事がで
きるという優れた効果を有する。
第１図（ａ）は、この発明の一実施例による固体撮像素
子の２画素分の平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）
の要部断面図である。第２図は、従来の固体撮像素子に
おける１画素分の平面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はシリコン
酸化膜、（３）はポリシリコンゲート、（４）はポリシ
リコン第１層配線、（５）は層間絶縁膜、（６）はアル
ミニウム第２層配線、（７）はコンタクトホールであ
る。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
子の２画素分の平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）
の要部断面図である。第２図は、従来の固体撮像素子に
おける１画素分の平面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はシリコン
酸化膜、（３）はポリシリコンゲート、（４）はポリシ
リコン第１層配線、（５）は層間絶縁膜、（６）はアル
ミニウム第２層配線、（７）はコンタクトホールであ
る。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】複数個の光電変換素子がマトリクス状に配
列されており、前記各光電変換素子からの信号電荷を選
択的に読み出すトランスファゲートと当該トランスファ
ゲートからの信号電荷を受けて列方向へ転送するための
転送ゲートとが１つのゲート電極で形成されているとと
もに、当該ゲート電極が前記複数個の光電変換素子の各
１毎に設けられ、マトリクス状に配列されている固体撮
像素子であって、前記ゲート電極に接続され前記転送の
ための信号を与える走査線が行方向に配列しており、し
かも当該各走査線が多層配線によって形成されるととも
に、当該多層配線を構成する各配線がいずれも前記ゲー
ト電極と各列毎に接続されている事を特徴とする固体撮
像素子。 - 【請求項２】前記走査線がアルミニウム、ポリシリコ
ン、高融点金属、高融点金属のシリサイド、又はそれら
の混合物による配線材料によって形成されている事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】前記走査線がポリシリコンの第１層配線と
アルミニウムの第２層配線によって形成されている事を
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288219A JPH07123161B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288219A JPH07123161B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141367A JPS63141367A (ja) | 1988-06-13 |
| JPH07123161B2 true JPH07123161B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=17727359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61288219A Expired - Lifetime JPH07123161B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123161B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531435B2 (ja) * | 1993-06-04 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125975A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPS6126258A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP61288219A patent/JPH07123161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63141367A (ja) | 1988-06-13 |
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