JP3042042B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に正孔蓄積ダイオード(Holl AccumulationDiode :Ｈ
ＡＤ）構造のセンサ部を備えた固体撮像装置におけるセ
ンサ部の構造に関する。
特に正孔蓄積ダイオード(Holl AccumulationDiode :Ｈ
ＡＤ）構造のセンサ部を備えた固体撮像装置におけるセ
ンサ部の構造に関する。
【０００２】
【技術的背景】固体撮像装置の一例として、例えばイン
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を図３
に示す。同図において、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積する
複数個のセンサ部１と、これらセンサ部１から垂直列毎
に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数本の
垂直シフトレジスタ（垂直転送部）２とによって撮像部
３が構成されている。
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を図３
に示す。同図において、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積する
複数個のセンサ部１と、これらセンサ部１から垂直列毎
に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数本の
垂直シフトレジスタ（垂直転送部）２とによって撮像部
３が構成されている。
【０００３】センサ部１で光電変換された信号電荷は、
垂直ブランキング期間の一部で瞬時に垂直シフトレジス
タ２に読み出される。垂直シフトレジスタ２に移された
信号電荷は、水平ブランキング期間の一部にて１走査線
に相当する部分ずつ水平シフトレジスタ４へ移される。
１走査線分の信号電荷は、水平シフトレジスタ４にて順
次水平方向に転送される。
垂直ブランキング期間の一部で瞬時に垂直シフトレジス
タ２に読み出される。垂直シフトレジスタ２に移された
信号電荷は、水平ブランキング期間の一部にて１走査線
に相当する部分ずつ水平シフトレジスタ４へ移される。
１走査線分の信号電荷は、水平シフトレジスタ４にて順
次水平方向に転送される。
【０００４】水平シフトレジスタ４の最終端には、ＦＤ
Ａ(FloatingDiffusion Amplifier)等からなる出力回路
部５が接続されている。この出力回路部５は、センサ部
１における光電変換によって得られ、かつ垂直シフトレ
ジスタ２及び水平シフトレジスタ４によって転送されて
きた信号電荷を検出し、電気信号に変換してテレビジョ
ン信号として出力する。
Ａ(FloatingDiffusion Amplifier)等からなる出力回路
部５が接続されている。この出力回路部５は、センサ部
１における光電変換によって得られ、かつ垂直シフトレ
ジスタ２及び水平シフトレジスタ４によって転送されて
きた信号電荷を検出し、電気信号に変換してテレビジョ
ン信号として出力する。
【０００５】ところで、センサ部１に入射した光によっ
て発生したホール（正孔）は、撮像部３の１画素分の平
面構造を示す図４において、チャネルストップ領域６を
通って装置のグランド（ＧＮＤ）に排出される。しか
し、チャネルストップ領域６を形成するＰ領域の不純物
濃度が低く、しかもチャネルストップ領域６は幅が狭く
かつ長いために、ホール電流に対する抵抗が高い。
て発生したホール（正孔）は、撮像部３の１画素分の平
面構造を示す図４において、チャネルストップ領域６を
通って装置のグランド（ＧＮＤ）に排出される。しか
し、チャネルストップ領域６を形成するＰ領域の不純物
濃度が低く、しかもチャネルストップ領域６は幅が狭く
かつ長いために、ホール電流に対する抵抗が高い。
【０００６】したがって、大光量が入射した場合、チャ
ネルストップ領域６においてホール電流により電位変動
が発生するため、センサ部１の表面電位が変動し、セン
サ部１の動作特性が変化する。その結果、センサ部１の
取扱い電荷量が異常に増加することになるため、垂直シ
フトレジスタ（垂直ＣＣＤ）２において信号電荷が溢れ
る現象が生ずることになる。
ネルストップ領域６においてホール電流により電位変動
が発生するため、センサ部１の表面電位が変動し、セン
サ部１の動作特性が変化する。その結果、センサ部１の
取扱い電荷量が異常に増加することになるため、垂直シ
フトレジスタ（垂直ＣＣＤ）２において信号電荷が溢れ
る現象が生ずることになる。
【０００７】
【従来の技術】この光電変換により発生したホール電流
に対する抵抗を低減するために、従来の固体撮像装置に
おいては、センサ部１のチャネルストップ領域６の不純
物濃度を上げることで対処していた。すなわち、図４の
Ｘ‐Ｘ線断面構造及びＹ‐Ｙ線断面構造を示す図５
（ａ）及び（ｂ）において、チャネルストップ領域６の
内側に、さらに濃度の濃い不純物のＰ+ 領域によってチ
ャネルストップ領域７を形成することにより、ホール電
流に対する抵抗を下げていた。
に対する抵抗を低減するために、従来の固体撮像装置に
おいては、センサ部１のチャネルストップ領域６の不純
物濃度を上げることで対処していた。すなわち、図４の
Ｘ‐Ｘ線断面構造及びＹ‐Ｙ線断面構造を示す図５
（ａ）及び（ｂ）において、チャネルストップ領域６の
内側に、さらに濃度の濃い不純物のＰ+ 領域によってチ
ャネルストップ領域７を形成することにより、ホール電
流に対する抵抗を下げていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チャネ
ルストップ領域６の内側にさらに高濃度のチャネルスト
ップ領域７を形成した構造の従来装置では、半導体製造
工程の熱処理によりＰ+ 領域の不純物が拡散し、高濃度
異常拡散が生じて垂直シフトレジスタ（垂直ＣＣＤ）２
を侵すことにより、垂直シフトレジスタ２の実効的な幅
が狭まって垂直シフトレジスタ２の取扱い電荷量が減る
という問題があった。
ルストップ領域６の内側にさらに高濃度のチャネルスト
ップ領域７を形成した構造の従来装置では、半導体製造
工程の熱処理によりＰ+ 領域の不純物が拡散し、高濃度
異常拡散が生じて垂直シフトレジスタ（垂直ＣＣＤ）２
を侵すことにより、垂直シフトレジスタ２の実効的な幅
が狭まって垂直シフトレジスタ２の取扱い電荷量が減る
という問題があった。
【０００９】さらには、高濃度異常拡散によってセンサ
部１まで侵されることにより、センサ部１に蓄積された
信号電荷を半導体基板に掃き出すいわゆる電子シャッタ
動作を行った場合に、容量的な結合が介在し、チャネル
ストップ領域６からの容量が増えることにより、半導体
基板に印加する基板パルスの電圧（振幅）を高くして
も、なかなかオーバーフローバリアが崩れないため、よ
り高い電圧の基板パルスが必要となるという問題もあっ
た。
部１まで侵されることにより、センサ部１に蓄積された
信号電荷を半導体基板に掃き出すいわゆる電子シャッタ
動作を行った場合に、容量的な結合が介在し、チャネル
ストップ領域６からの容量が増えることにより、半導体
基板に印加する基板パルスの電圧（振幅）を高くして
も、なかなかオーバーフローバリアが崩れないため、よ
り高い電圧の基板パルスが必要となるという問題もあっ
た。
【００１０】そこで、本発明は、垂直転送部の取扱い電
荷量を減らすことなく、しかも電子シャッタ動作時の基
板パルスの振幅を増大することなく、大光量入力時のセ
ンサ部の取扱い電荷量の異常増加を抑制し得る固体撮像
装置を提供することを目的とする。
荷量を減らすことなく、しかも電子シャッタ動作時の基
板パルスの振幅を増大することなく、大光量入力時のセ
ンサ部の取扱い電荷量の異常増加を抑制し得る固体撮像
装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、光電変換により発生した信号電荷を蓄積する領域
上に積層された正孔蓄積層を有して垂直及び水平方向に
画素単位で２次元配列された複数個のセンサ部と、これ
らセンサ部から垂直列毎に読み出された信号電荷を垂直
方向に転送する垂直転送部とを具備し、複数個のセンサ
部の正孔蓄積層を垂直列毎に繋ぐように、正孔蓄積層と
同導電型の高濃度の付加領域を各センサ部間に形成した
構成となっている。
置は、光電変換により発生した信号電荷を蓄積する領域
上に積層された正孔蓄積層を有して垂直及び水平方向に
画素単位で２次元配列された複数個のセンサ部と、これ
らセンサ部から垂直列毎に読み出された信号電荷を垂直
方向に転送する垂直転送部とを具備し、複数個のセンサ
部の正孔蓄積層を垂直列毎に繋ぐように、正孔蓄積層と
同導電型の高濃度の付加領域を各センサ部間に形成した
構成となっている。
【００１２】
【作用】本発明による固体撮像装置においては、センサ
部表面の正孔蓄積層を、センサ部の暗電流を減らすとい
う目的の他に、ホールの通り道として利用するために、
垂直方向における各センサ部間に、正孔蓄積層と同導電
型の高濃度の付加領域を形成し、光電変換によって発生
したホールの通り道を確保することで、ホール電流に対
する抵抗を下げる。
部表面の正孔蓄積層を、センサ部の暗電流を減らすとい
う目的の他に、ホールの通り道として利用するために、
垂直方向における各センサ部間に、正孔蓄積層と同導電
型の高濃度の付加領域を形成し、光電変換によって発生
したホールの通り道を確保することで、ホール電流に対
する抵抗を下げる。
【００１３】これによれば、チャネルストップ領域の不
純物濃度を高くする必要がないことから、垂直転送部の
取扱い電荷量の減少や、電子シャッタ動作の際の基板パ
ルスの振幅の増大という問題を生ずることなく、大光量
入射時のセンサ部の取扱い電荷量の異常増加を抑制でき
る。
純物濃度を高くする必要がないことから、垂直転送部の
取扱い電荷量の減少や、電子シャッタ動作の際の基板パ
ルスの振幅の増大という問題を生ずることなく、大光量
入射時のセンサ部の取扱い電荷量の異常増加を抑制でき
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。本発明は、ＨＡＤ（正孔蓄積ダイオー
ド）構造のセンサ部を備えたＣＣＤ固体撮像装置に適応
され、このＣＣＤ固体撮像装置の撮像部におけるセンサ
部の構造に特徴を有するものである。
細に説明する。本発明は、ＨＡＤ（正孔蓄積ダイオー
ド）構造のセンサ部を備えたＣＣＤ固体撮像装置に適応
され、このＣＣＤ固体撮像装置の撮像部におけるセンサ
部の構造に特徴を有するものである。
【００１５】図１は、本発明による固体撮像装置の撮像
部における１画素分のセンサ部の構成図であり、図１
（ａ）に１画素分の平面構造を、図１（ｂ）に図１
（ａ）のＹ‐Ｙ線断面構造をそれぞれ示している。ま
た、図２（ａ）に図１（ａ）のＸ‐Ｘ線断面構造を、図
２（ｂ）に図１（ａ）のＹ′‐Ｙ′線断面構造をそれぞ
れ示している。
部における１画素分のセンサ部の構成図であり、図１
（ａ）に１画素分の平面構造を、図１（ｂ）に図１
（ａ）のＹ‐Ｙ線断面構造をそれぞれ示している。ま
た、図２（ａ）に図１（ａ）のＸ‐Ｘ線断面構造を、図
２（ｂ）に図１（ａ）のＹ′‐Ｙ′線断面構造をそれぞ
れ示している。
【００１６】図１及び図２において、Ｎ型シリコン基板
１１上にＰ型領域１２が形成されており、センサ部１
は、このＰ型領域１２の表面領域に形成された浅いＰ+
型領域よりなる正孔蓄積層１３及びこの正孔蓄積層１３
の下方に形成されたＮ型領域よりなる信号電荷蓄積領域
１４によって構成されている。また、正孔蓄積層１３及
び信号電荷蓄積領域１４に隣接してＰ型のチャネルスト
ップ領域６が形成されている。
１１上にＰ型領域１２が形成されており、センサ部１
は、このＰ型領域１２の表面領域に形成された浅いＰ+
型領域よりなる正孔蓄積層１３及びこの正孔蓄積層１３
の下方に形成されたＮ型領域よりなる信号電荷蓄積領域
１４によって構成されている。また、正孔蓄積層１３及
び信号電荷蓄積領域１４に隣接してＰ型のチャネルスト
ップ領域６が形成されている。
【００１７】また、図１（ａ），（ｂ）に示すように、
垂直方向（Ｙ方向）におけるセンサ部１間には、各セン
サ部１の正孔蓄積層１３を垂直列毎に繋ぐように、正孔
蓄積層１３と同導電型（Ｐ+ 型）の高濃度のＨＣＳ(Hea
vy Channel Stop)領域１９が付加領域として形成されて
いる。なお、センサ１の正孔蓄積層１３の濃度は、ＨＣ
Ｓ領域１９のそれよりも濃い方が、垂直シフトレジスタ
２に悪影響を及ぼさないので好ましい。
垂直方向（Ｙ方向）におけるセンサ部１間には、各セン
サ部１の正孔蓄積層１３を垂直列毎に繋ぐように、正孔
蓄積層１３と同導電型（Ｐ+ 型）の高濃度のＨＣＳ(Hea
vy Channel Stop)領域１９が付加領域として形成されて
いる。なお、センサ１の正孔蓄積層１３の濃度は、ＨＣ
Ｓ領域１９のそれよりも濃い方が、垂直シフトレジスタ
２に悪影響を及ぼさないので好ましい。
【００１８】ＨＣＳ領域１９の水平方向（Ｘ方向）の幅
は、チャネルストップ領域６の幅と同一又はそれ以上で
あれば良く、ＨＣＳ領域１９を形成するに当たっては、
図１（ａ）から特に明らかなように、センサ部１間の全
面に形成しないで、一部分で良く、しかもチャネルスト
ップ領域６に近くかつ垂直シフトレジスタ２からは離れ
た位置に形成するのが好ましい。
は、チャネルストップ領域６の幅と同一又はそれ以上で
あれば良く、ＨＣＳ領域１９を形成するに当たっては、
図１（ａ）から特に明らかなように、センサ部１間の全
面に形成しないで、一部分で良く、しかもチャネルスト
ップ領域６に近くかつ垂直シフトレジスタ２からは離れ
た位置に形成するのが好ましい。
【００１９】これは、ＨＣＳ領域１９のＸ方向の幅が、
チャネルストップ領域６の幅と少なくとも同一であれ
ば、光電変換により発生したホール電流に対する抵抗を
低減できることは、チャネルストップ領域６の内側にさ
らに高濃度のチャネルストップ領域７を形成した構造の
従来装置（図５（ａ）参照）から明らかであり、またＨ
ＣＳ領域１９が垂直シフトレジスタ２に近すぎると、従
来装置の場合と同様に、垂直シフトレジスタ２の取扱い
電荷量の減少が予想されるためである。
チャネルストップ領域６の幅と少なくとも同一であれ
ば、光電変換により発生したホール電流に対する抵抗を
低減できることは、チャネルストップ領域６の内側にさ
らに高濃度のチャネルストップ領域７を形成した構造の
従来装置（図５（ａ）参照）から明らかであり、またＨ
ＣＳ領域１９が垂直シフトレジスタ２に近すぎると、従
来装置の場合と同様に、垂直シフトレジスタ２の取扱い
電荷量の減少が予想されるためである。
【００２０】垂直シフトレジスタ２は、Ｐ型領域１２の
表面領域に形成されたＮ型領域よりなる信号電荷転送領
域１５及びその上にシリコン酸化膜SiO2よりなる絶縁層
（図示せず）を介して形成された転送電極１６によって
構成されている。なお、信号電荷の垂直転送をなす転送
電極は、図１から明らかなように、ポリシリコンよりな
る２層構造の転送電極１６，１７によって構成されてい
る。また、スミアを抑圧するために、垂直シフトレジス
タ２の下方、即ち信号電荷転送領域１５の下方にＰ型領
域１８が形成されている。
表面領域に形成されたＮ型領域よりなる信号電荷転送領
域１５及びその上にシリコン酸化膜SiO2よりなる絶縁層
（図示せず）を介して形成された転送電極１６によって
構成されている。なお、信号電荷の垂直転送をなす転送
電極は、図１から明らかなように、ポリシリコンよりな
る２層構造の転送電極１６，１７によって構成されてい
る。また、スミアを抑圧するために、垂直シフトレジス
タ２の下方、即ち信号電荷転送領域１５の下方にＰ型領
域１８が形成されている。
【００２１】上述したように、センサ部１表面の正孔蓄
積層１３を、センサ部１の暗電流を減らす目的の他に、
光電変換により発生したホールの通り道として利用する
ために、垂直方向における各センサ部１間に、ＨＣＳ領
域１９を付加領域として形成したことにより、光電変換
によって発生したホールの通り道を確保できるため、ホ
ール電流に対する抵抗を十分に低くすることができる。
積層１３を、センサ部１の暗電流を減らす目的の他に、
光電変換により発生したホールの通り道として利用する
ために、垂直方向における各センサ部１間に、ＨＣＳ領
域１９を付加領域として形成したことにより、光電変換
によって発生したホールの通り道を確保できるため、ホ
ール電流に対する抵抗を十分に低くすることができる。
【００２２】その結果、チャネルストップの不純物濃度
を高くする必要がないため、垂直シフトレジスタ２の取
扱い電荷量の減少や、センサ部１に蓄積された信号電荷
をシリコン基板１１に掃き出す電子シャッタ動作を行う
際にシリコン基板１１に印加する基板パルスの振幅の増
大というような問題を生ずることなく、大光量入射時の
センサ部１の取扱い電荷量の異常増加を抑制できること
になる。
を高くする必要がないため、垂直シフトレジスタ２の取
扱い電荷量の減少や、センサ部１に蓄積された信号電荷
をシリコン基板１１に掃き出す電子シャッタ動作を行う
際にシリコン基板１１に印加する基板パルスの振幅の増
大というような問題を生ずることなく、大光量入射時の
センサ部１の取扱い電荷量の異常増加を抑制できること
になる。
【００２３】なお、本発明と同一の課題を解決すべく、
正孔蓄積層１３を垂直列毎に各センサ部１間で共通に形
成した構成の固体撮像装置が、本願出願人により提案さ
れている（特願平２−３０９１５５号明細書参照）。こ
の提案による固体撮像装置の場合には、ポリシリコン電
極１６，１７を形成する前にセンサ部１の正孔蓄積層１
３を形成しなければならない。そうすると、その後の熱
処理によって高濃度のＰ+ 層である正孔蓄積層１３が拡
散してセンサ部１中のＮ+ 層が無くなってしまうことか
ら、それを防ぐためには、正孔蓄積層１３を形成した後
のプロセスを十分に拡散を抑えられるように低温化しな
ければならなく、その実施は非常に難しい。
正孔蓄積層１３を垂直列毎に各センサ部１間で共通に形
成した構成の固体撮像装置が、本願出願人により提案さ
れている（特願平２−３０９１５５号明細書参照）。こ
の提案による固体撮像装置の場合には、ポリシリコン電
極１６，１７を形成する前にセンサ部１の正孔蓄積層１
３を形成しなければならない。そうすると、その後の熱
処理によって高濃度のＰ+ 層である正孔蓄積層１３が拡
散してセンサ部１中のＮ+ 層が無くなってしまうことか
ら、それを防ぐためには、正孔蓄積層１３を形成した後
のプロセスを十分に拡散を抑えられるように低温化しな
ければならなく、その実施は非常に難しい。
【００２４】これに対し、本発明による固体撮像装置の
場合には、垂直方向における各センサ部１間に、正孔蓄
積層１３とは別にＨＣＳ領域１９を形成する構成となっ
ているため、ＨＣＳ領域１９を形成するプロセスが高温
化されても、センサ部１への影響は極めて少なく、容易
に実施できることになる。
場合には、垂直方向における各センサ部１間に、正孔蓄
積層１３とは別にＨＣＳ領域１９を形成する構成となっ
ているため、ＨＣＳ領域１９を形成するプロセスが高温
化されても、センサ部１への影響は極めて少なく、容易
に実施できることになる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＨＡＤ構造のセンサ部を備えた固体撮像装置において、
垂直方向における各センサ部間に、正孔蓄積層と同導電
型の高濃度の付加領域を形成することにより、光電変換
によって発生したホールの通り道を確保し、ホール電流
に対する抵抗を十分に低くしたので、チャネルストップ
領域の不純物濃度を高くする必要がなくなる。
ＨＡＤ構造のセンサ部を備えた固体撮像装置において、
垂直方向における各センサ部間に、正孔蓄積層と同導電
型の高濃度の付加領域を形成することにより、光電変換
によって発生したホールの通り道を確保し、ホール電流
に対する抵抗を十分に低くしたので、チャネルストップ
領域の不純物濃度を高くする必要がなくなる。
【００２６】その結果、従来装置のように、チャネルス
トップ領域の不純物濃度を高くすることに伴う垂直シフ
トレジスタの取扱い電荷量の減少や、電子シャッタ動作
の際の基板パルスの振幅の増大というような問題を生ず
ることなく、大光量入射時のセンサ部の取扱い電荷量の
異常増加を抑制できることになる。
トップ領域の不純物濃度を高くすることに伴う垂直シフ
トレジスタの取扱い電荷量の減少や、電子シャッタ動作
の際の基板パルスの振幅の増大というような問題を生ず
ることなく、大光量入射時のセンサ部の取扱い電荷量の
異常増加を抑制できることになる。
【図１】本発明による固体撮像装置の撮像部における１
画素分のセンサ部を示す構成図であり、図（ａ）は１画
素分の平面構造を、図（ｂ）は図（ａ）のＹ‐Ｙ線断面
構造をそれぞれ示している。
画素分のセンサ部を示す構成図であり、図（ａ）は１画
素分の平面構造を、図（ｂ）は図（ａ）のＹ‐Ｙ線断面
構造をそれぞれ示している。
【図２】センサ部の断面構造図であり、図（ａ）は図１
（ａ）のＸ‐Ｘ線断面構造を、図（ｂ）は図１（ａ）の
Ｙ′‐Ｙ′線断面構造をそれぞれ示している。
（ａ）のＸ‐Ｘ線断面構造を、図（ｂ）は図１（ａ）の
Ｙ′‐Ｙ′線断面構造をそれぞれ示している。
【図３】インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図４】撮像部の１画素分の構造を示す平面図である。
【図５】従来の固体撮像装置の撮像部における１画素分
の構造を示す断面図であり、図（ａ）は図４のＸ‐Ｘ線
断面構造を、図（ｂ）は図４のＹ‐Ｙ線断面構造をそれ
ぞれ示している。
の構造を示す断面図であり、図（ａ）は図４のＸ‐Ｘ線
断面構造を、図（ｂ）は図４のＹ‐Ｙ線断面構造をそれ
ぞれ示している。
１ センサ部 ２ 垂直シフトレジスタ ３ 撮像部 ４ 水平シフトレジスタ ６，７ チャネルストップ領域 １１ シリコン基板 １３ 正孔蓄積層 １４ 信号電荷蓄積領域 １５ 信号電荷転送領域 １６，１７ 転送電極 １９ ＨＣＳ領域（付加領域）
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換により発生した信号電荷を蓄積
する領域上に積層された正孔蓄積層を有して垂直及び水
平方向に画素単位で２次元配列された複数個のセンサ部
と、前記複数個のセンサ部から垂直列毎に読み出された
信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部とを具備し、
前記複数個のセンサ部の正孔蓄積層を垂直列毎に繋ぐよ
うに、前記正孔蓄積層と同導電型の高濃度の付加領域を
各センサ部間に形成したことを特徴とする固体撮像装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177177A JP3042042B2 (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 固体撮像装置 |
| EP92110259A EP0519443B1 (en) | 1991-06-21 | 1992-06-17 | Charge coupled device image sensor |
| DE69224408T DE69224408T2 (de) | 1991-06-21 | 1992-06-17 | Ladungsgekoppelter Bildsensor |
| KR1019920010630A KR100247831B1 (ko) | 1991-06-21 | 1992-06-19 | 고체촬상장치 |
| US07/902,666 US5286988A (en) | 1991-06-21 | 1992-06-22 | Charge coupled device image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177177A JP3042042B2 (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 固体撮像装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373174A JPH04373174A (ja) | 1992-12-25 |
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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-
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-
1992
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- 1992-06-22 US US07/902,666 patent/US5286988A/en not_active Expired - Lifetime
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