JPH0289367A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0289367A JPH0289367A JP63242712A JP24271288A JPH0289367A JP H0289367 A JPH0289367 A JP H0289367A JP 63242712 A JP63242712 A JP 63242712A JP 24271288 A JP24271288 A JP 24271288A JP H0289367 A JPH0289367 A JP H0289367A
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- JP
- Japan
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- film
- screening
- photo
- aluminum
- solid
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- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特にインクライン転送方
式のCCDイメージセンサに関する。
式のCCDイメージセンサに関する。
従来、この種の固体撮像素子は、第2図に示すように、
光電変換素子(n+型ホトダイオード領域3として図示
)の上方に開口を有するアルミニウム遮光膜7と、これ
を覆うカバー絶縁膜8とを有している。
光電変換素子(n+型ホトダイオード領域3として図示
)の上方に開口を有するアルミニウム遮光膜7と、これ
を覆うカバー絶縁膜8とを有している。
上述した従来の固体撮像素子は、アルミニウム遮光膜が
カバー絶縁膜で覆われているので、カバー絶縁膜を被着
するCVD工程やその後の熱処理において、300℃以
上の熱履歴をうけると、マイグレーションが起こり、ピ
ンホールや厚さの不均一が生じ易く遮光が不完全になる
という欠点がある。
カバー絶縁膜で覆われているので、カバー絶縁膜を被着
するCVD工程やその後の熱処理において、300℃以
上の熱履歴をうけると、マイグレーションが起こり、ピ
ンホールや厚さの不均一が生じ易く遮光が不完全になる
という欠点がある。
本発明の固体撮像素子は、光電変換素子の上方に開口を
有するアルミニウム遮光膜と前記アルミニウム遮光膜を
覆うカバー絶縁膜とを含む固体撮像素子において、前記
カバー絶縁膜上に他のアルミニウム遮光膜が重なってい
るというものである。
有するアルミニウム遮光膜と前記アルミニウム遮光膜を
覆うカバー絶縁膜とを含む固体撮像素子において、前記
カバー絶縁膜上に他のアルミニウム遮光膜が重なってい
るというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すセンサチップの断面図
である。
である。
この実施例は、n+型ホトダイオード領域3の上方に開
口を有するアルミニウム遮光膜7とアルミニウム遮光膜
7を覆うPSG (リンケイ酸ガラス)からなるカバー
絶縁膜8とを含む固体撮像素子において、カバー絶縁膜
8上に厚さ1μmの他のアルミニウム遮光膜11が重な
っているというものである。
口を有するアルミニウム遮光膜7とアルミニウム遮光膜
7を覆うPSG (リンケイ酸ガラス)からなるカバー
絶縁膜8とを含む固体撮像素子において、カバー絶縁膜
8上に厚さ1μmの他のアルミニウム遮光膜11が重な
っているというものである。
従って、アルミニウム遮光膜7にピンホールや厚さの不
均一などの欠陥があっても他のアルミニウム遮光膜11
があるので、遮光の不完全さは除去される。逆に、アル
ミニウム遮光膜7の厚さは従来より薄くできるので、エ
ツチングによる開口面積のばらつきも少なくなり、感度
むらを少なくすることができる。他のアルミニウム遮光
膜11の開口面積の方をやや大きくしておけば、感度む
らはアルミニウム遮光膜7の開口で決定されるので一層
よい。
均一などの欠陥があっても他のアルミニウム遮光膜11
があるので、遮光の不完全さは除去される。逆に、アル
ミニウム遮光膜7の厚さは従来より薄くできるので、エ
ツチングによる開口面積のばらつきも少なくなり、感度
むらを少なくすることができる。他のアルミニウム遮光
膜11の開口面積の方をやや大きくしておけば、感度む
らはアルミニウム遮光膜7の開口で決定されるので一層
よい。
以上説明したように本発明は、カバー絶縁膜の上下にア
ルミニウム遮光膜をそれぞれ一層づつ設けることにより
、−層めの膜に欠点が生じた場合でも、2層めの膜で遮
光を補足することができるので固体撮像素子の歩留りを
改善できる効果がある。
ルミニウム遮光膜をそれぞれ一層づつ設けることにより
、−層めの膜に欠点が生じた場合でも、2層めの膜で遮
光を補足することができるので固体撮像素子の歩留りを
改善できる効果がある。
第1図及び第2図はそれぞれ一実施例及び従来例を示す
センサチップの断面図である。 1・・・n型Si基板、2・・・pウェル、3・・・n
+型ホトダイオード領域、4・・・n型埋込チャネル、
5・・・酸化シリコン膜、6・・・転送電極、7・・・
アルミニウム遮光膜、8・・・カバー絶縁膜、9・・・
チャネルストッパ、10・・・トランスファゲート、1
1・・・他のアルミニウム遮光膜。
センサチップの断面図である。 1・・・n型Si基板、2・・・pウェル、3・・・n
+型ホトダイオード領域、4・・・n型埋込チャネル、
5・・・酸化シリコン膜、6・・・転送電極、7・・・
アルミニウム遮光膜、8・・・カバー絶縁膜、9・・・
チャネルストッパ、10・・・トランスファゲート、1
1・・・他のアルミニウム遮光膜。
Claims (1)
- 光電変換素子の上方に開口を有するアルミニウム遮光
膜と前記アルミニウム遮光膜を覆うカバー絶縁膜とを含
む固体撮像素子において、前記カバー絶縁膜上に他のア
ルミニウム遮光膜が重なっていることを特徴とする固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63242712A JPH0289367A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63242712A JPH0289367A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0289367A true JPH0289367A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17093120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63242712A Pending JPH0289367A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0289367A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199875A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60170255A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS61147567A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS6390165A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Hitachi Ltd | 光半導体素子 |
JPS63161667A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63242712A patent/JPH0289367A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60170255A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS61147567A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS6390165A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Hitachi Ltd | 光半導体素子 |
JPS63161667A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199875A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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