JPH0289367A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

Info

Publication number
JPH0289367A
JPH0289367A JP63242712A JP24271288A JPH0289367A JP H0289367 A JPH0289367 A JP H0289367A JP 63242712 A JP63242712 A JP 63242712A JP 24271288 A JP24271288 A JP 24271288A JP H0289367 A JPH0289367 A JP H0289367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
screening
photo
aluminum
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63242712A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Hirata
剛 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63242712A priority Critical patent/JPH0289367A/ja
Publication of JPH0289367A publication Critical patent/JPH0289367A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像素子に関し、特にインクライン転送方
式のCCDイメージセンサに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の固体撮像素子は、第2図に示すように、
光電変換素子(n+型ホトダイオード領域3として図示
)の上方に開口を有するアルミニウム遮光膜7と、これ
を覆うカバー絶縁膜8とを有している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の固体撮像素子は、アルミニウム遮光膜が
カバー絶縁膜で覆われているので、カバー絶縁膜を被着
するCVD工程やその後の熱処理において、300℃以
上の熱履歴をうけると、マイグレーションが起こり、ピ
ンホールや厚さの不均一が生じ易く遮光が不完全になる
という欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の固体撮像素子は、光電変換素子の上方に開口を
有するアルミニウム遮光膜と前記アルミニウム遮光膜を
覆うカバー絶縁膜とを含む固体撮像素子において、前記
カバー絶縁膜上に他のアルミニウム遮光膜が重なってい
るというものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すセンサチップの断面図
である。
この実施例は、n+型ホトダイオード領域3の上方に開
口を有するアルミニウム遮光膜7とアルミニウム遮光膜
7を覆うPSG (リンケイ酸ガラス)からなるカバー
絶縁膜8とを含む固体撮像素子において、カバー絶縁膜
8上に厚さ1μmの他のアルミニウム遮光膜11が重な
っているというものである。
従って、アルミニウム遮光膜7にピンホールや厚さの不
均一などの欠陥があっても他のアルミニウム遮光膜11
があるので、遮光の不完全さは除去される。逆に、アル
ミニウム遮光膜7の厚さは従来より薄くできるので、エ
ツチングによる開口面積のばらつきも少なくなり、感度
むらを少なくすることができる。他のアルミニウム遮光
膜11の開口面積の方をやや大きくしておけば、感度む
らはアルミニウム遮光膜7の開口で決定されるので一層
よい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、カバー絶縁膜の上下にア
ルミニウム遮光膜をそれぞれ一層づつ設けることにより
、−層めの膜に欠点が生じた場合でも、2層めの膜で遮
光を補足することができるので固体撮像素子の歩留りを
改善できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ一実施例及び従来例を示す
センサチップの断面図である。 1・・・n型Si基板、2・・・pウェル、3・・・n
+型ホトダイオード領域、4・・・n型埋込チャネル、
5・・・酸化シリコン膜、6・・・転送電極、7・・・
アルミニウム遮光膜、8・・・カバー絶縁膜、9・・・
チャネルストッパ、10・・・トランスファゲート、1
1・・・他のアルミニウム遮光膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  光電変換素子の上方に開口を有するアルミニウム遮光
    膜と前記アルミニウム遮光膜を覆うカバー絶縁膜とを含
    む固体撮像素子において、前記カバー絶縁膜上に他のア
    ルミニウム遮光膜が重なっていることを特徴とする固体
    撮像素子。
JP63242712A 1988-09-27 1988-09-27 固体撮像素子 Pending JPH0289367A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63242712A JPH0289367A (ja) 1988-09-27 1988-09-27 固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63242712A JPH0289367A (ja) 1988-09-27 1988-09-27 固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0289367A true JPH0289367A (ja) 1990-03-29

Family

ID=17093120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63242712A Pending JPH0289367A (ja) 1988-09-27 1988-09-27 固体撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0289367A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04199875A (ja) * 1990-11-29 1992-07-21 Nec Corp 固体撮像装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170255A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS61147567A (ja) * 1984-12-21 1986-07-05 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS6390165A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Hitachi Ltd 光半導体素子
JPS63161667A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Nec Corp 固体撮像素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170255A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS61147567A (ja) * 1984-12-21 1986-07-05 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS6390165A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Hitachi Ltd 光半導体素子
JPS63161667A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Nec Corp 固体撮像素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04199875A (ja) * 1990-11-29 1992-07-21 Nec Corp 固体撮像装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05134111A (ja) 固体撮像装置
JPH10189929A (ja) 固体撮像素子
US4783691A (en) Color solid-state image sensor
JPH0289367A (ja) 固体撮像素子
JPH04152674A (ja) 固体撮像素子
JP2570264B2 (ja) 固体撮像装置
JPS60262458A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2001308299A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH06112452A (ja) 固体撮像素子とその製造方法
JPS61287263A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2630407B2 (ja) 電荷結合素子
JP2956092B2 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPS59163860A (ja) 固体撮像素子
JPH06132515A (ja) 固体撮像素子
JPS59172763A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH10321828A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH033362A (ja) 固体撮像素子
JPS63285969A (ja) 固体撮像素子
JPH04337667A (ja) 固体撮像素子
JPS633457A (ja) 固体撮像装置
JP2698293B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2002184966A (ja) 固体撮像素子
JPS63181367A (ja) 固体撮像装置
JPH11145439A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH04155964A (ja) 固体撮像素子