JPS60170255A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS60170255A JPS60170255A JP59026390A JP2639084A JPS60170255A JP S60170255 A JPS60170255 A JP S60170255A JP 59026390 A JP59026390 A JP 59026390A JP 2639084 A JP2639084 A JP 2639084A JP S60170255 A JPS60170255 A JP S60170255A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置に係シ、特に感光領域決定用の第
１層の遮光膜および光シールド用の第２層の遮光膜に関
する。
１層の遮光膜および光シールド用の第２層の遮光膜に関
する。
固体撮像装置（固体イメージセンサ）には各種の構造の
ものがあるが、たとえばＣＯＤ （電荷結合素子）を用
いたＣＣＵイメージセンサには２層アルミ技術が用いら
れたものがある。第１図は、ライン像撮像用の従来のＣ
ＣＤ ＩＪニアセンザの一部を示しており、ｌＦｉたと
えばｐ型シリコンからなる半導体基板、２は上記基板の
表面の一部に形成された基板とは逆導電型（ｎ型）の不
純物領域からなり入力光に応じて光電変換により生じた
電荷を蓄積するための感光画素領域、３は前記基板の表
面で上記感光画素領域２の近傍に形成された基板とは逆
導電型（ｎ型）の不純物領域からなシミ荷を時系列的に
水平方向に読み出すための電荷転送レジスタ領域、４は
前紀基板上に形成された絶縁膜、５は上記絶縁膜４内に
設けられた前記感光画素領域２から電荷転送レジスタ領
域３へ蓄積電荷をシフト制御するためのソフトダート用
の１？リシリコン膜からなるケ°−ト電極、６け同じく
前記絶縁膜４内で前記電荷転送レジスタ領域３の方向に
設けられたポリシリコン膜からなる転送電極、７は前記
絶縁膜４上に形成され前記り゛−ト電極５に接続された
アルミニウム膜からなる電極配線、８けＭｊＪ記絶縁膜
４上に形成され前記転送電極６に接続されたアルミニウ
ム膜からなる電極配線、９は同じく前記絶縁膜４上で感
光画素領域２の水平方向の両端ｉ／ｉ：、 ｒｒｊって
形成され、感光画素領域２の垂直方向（縦方向）の感光
領域（寸法を図中Ａで表わす）全決定するだめのアルミ
ニウム膜からなる第１の遮光膜、１Ｏ（ｄ、上記各アル
ミニウム膜および絶縁膜４の上に形成されたＰＳＧ（リ
ン珪酸ガラス）からなる層間絶縁膜、１１は上記層間絶
縁膜１ｏ上で撮像光入射窓Ｊ２を除いた部分に形成され
たアルミニウム膜からなる第２の遮光膜であり、この第
２の遮光膜１１上にさらにＰＳＧＦｉＩＡからなる保鰻
絶縁膜（図示せず）が形成されている。
ものがあるが、たとえばＣＯＤ （電荷結合素子）を用
いたＣＣＵイメージセンサには２層アルミ技術が用いら
れたものがある。第１図は、ライン像撮像用の従来のＣ
ＣＤ ＩＪニアセンザの一部を示しており、ｌＦｉたと
えばｐ型シリコンからなる半導体基板、２は上記基板の
表面の一部に形成された基板とは逆導電型（ｎ型）の不
純物領域からなり入力光に応じて光電変換により生じた
電荷を蓄積するための感光画素領域、３は前記基板の表
面で上記感光画素領域２の近傍に形成された基板とは逆
導電型（ｎ型）の不純物領域からなシミ荷を時系列的に
水平方向に読み出すための電荷転送レジスタ領域、４は
前紀基板上に形成された絶縁膜、５は上記絶縁膜４内に
設けられた前記感光画素領域２から電荷転送レジスタ領
域３へ蓄積電荷をシフト制御するためのソフトダート用
の１？リシリコン膜からなるケ°−ト電極、６け同じく
前記絶縁膜４内で前記電荷転送レジスタ領域３の方向に
設けられたポリシリコン膜からなる転送電極、７は前記
絶縁膜４上に形成され前記り゛−ト電極５に接続された
アルミニウム膜からなる電極配線、８けＭｊＪ記絶縁膜
４上に形成され前記転送電極６に接続されたアルミニウ
ム膜からなる電極配線、９は同じく前記絶縁膜４上で感
光画素領域２の水平方向の両端ｉ／ｉ：、 ｒｒｊって
形成され、感光画素領域２の垂直方向（縦方向）の感光
領域（寸法を図中Ａで表わす）全決定するだめのアルミ
ニウム膜からなる第１の遮光膜、１Ｏ（ｄ、上記各アル
ミニウム膜および絶縁膜４の上に形成されたＰＳＧ（リ
ン珪酸ガラス）からなる層間絶縁膜、１１は上記層間絶
縁膜１ｏ上で撮像光入射窓Ｊ２を除いた部分に形成され
たアルミニウム膜からなる第２の遮光膜であり、この第
２の遮光膜１１上にさらにＰＳＧＦｉＩＡからなる保鰻
絶縁膜（図示せず）が形成されている。
なお、第２図は上記リニアセンサのセンサ領域の平面構
成を示しており、２．・・・はそれぞれ前記感光画素領
域、９は前記感光領域決定用の遮光膜、２０は前記基板
１に形成された基板とは同一導電型の不純物を高濃度に
含むｐ＋型の画素分離領域であって、感光画素領域２の
水平方向（横方向）の感光領域（寸法を図中Ｂで表わす
）を決定している。本例では、水平方向における奇数番
目、偶数番目の感光画素領域の電荷を相異なる片側ＶＣ
それぞれ設けられる電荷転送レジスタへ読み出すように
なっている。
成を示しており、２．・・・はそれぞれ前記感光画素領
域、９は前記感光領域決定用の遮光膜、２０は前記基板
１に形成された基板とは同一導電型の不純物を高濃度に
含むｐ＋型の画素分離領域であって、感光画素領域２の
水平方向（横方向）の感光領域（寸法を図中Ｂで表わす
）を決定している。本例では、水平方向における奇数番
目、偶数番目の感光画素領域の電荷を相異なる片側ＶＣ
それぞれ設けられる電荷転送レジスタへ読み出すように
なっている。
上述したように絶縁膜４上の電極配線７．８および第１
の遮光膜９を形成する第１層のアルミニウム膜と、層間
絶縁膜１０上の第２層のアルミニウム膜とを有するＣＯ
Ｄリニアセンサにおいて、感光画素領域２の縦方向感光
領域寸法Ａはたとえば１０μｍであり、第１層のアルミ
ニウム膜の膜厚は電極配線７．８として所要の電流容量
を祷るためにたとえば０９〜１．２μｍに形成されてい
る。
の遮光膜９を形成する第１層のアルミニウム膜と、層間
絶縁膜１０上の第２層のアルミニウム膜とを有するＣＯ
Ｄリニアセンサにおいて、感光画素領域２の縦方向感光
領域寸法Ａはたとえば１０μｍであり、第１層のアルミ
ニウム膜の膜厚は電極配線７．８として所要の電流容量
を祷るためにたとえば０９〜１．２μｍに形成されてい
る。
ところで、上記ＣＣＤ ＩＪ ニアセンサの製造工程に
お・いてｔま、第１層のアルミニウム膜を形成するため
のアルミニウム膜エツチングのばらつきが発生し、この
ばらつきに伴って感光領域寸法Ａは上記第１層のアルミ
ニウム膜からなル第１の遮光膜９の膜厚程度のばらつき
（上記例では士１０μ？ｎ程度）が発生する。したがっ
て、上記寸法Ａがたとえば前述したように１０μｍ程度
の場合に上記ばらつきによる感光画素領域２の感光面ａ
変化に伴なう感度変化により、センサ出力信号（前記電
荷転送レジスタからの睨み出し電荷が電圧信号に変換さ
れたもの）のレベル変化が発生し、センサの品質（出力
特性）不良の原因となる。このような感光領域寸法Ａの
ばらつきによる影響は、リニアセンサの小型化につれて
感光画素領域２のサイズを縮小すればするほど大きくな
り、その防止対策が必要となってくる。
お・いてｔま、第１層のアルミニウム膜を形成するため
のアルミニウム膜エツチングのばらつきが発生し、この
ばらつきに伴って感光領域寸法Ａは上記第１層のアルミ
ニウム膜からなル第１の遮光膜９の膜厚程度のばらつき
（上記例では士１０μ？ｎ程度）が発生する。したがっ
て、上記寸法Ａがたとえば前述したように１０μｍ程度
の場合に上記ばらつきによる感光画素領域２の感光面ａ
変化に伴なう感度変化により、センサ出力信号（前記電
荷転送レジスタからの睨み出し電荷が電圧信号に変換さ
れたもの）のレベル変化が発生し、センサの品質（出力
特性）不良の原因となる。このような感光領域寸法Ａの
ばらつきによる影響は、リニアセンサの小型化につれて
感光画素領域２のサイズを縮小すればするほど大きくな
り、その防止対策が必要となってくる。
なお、上述したような問題けりニアセンサに限らず、エ
リアセンサにおいても同様に発生する。
リアセンサにおいても同様に発生する。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、感光画素
領域の感光面積のばらつきを減少させることができ、出
力信号特性不良の発生を防止し得る固体撮像装置全提供
するものである。
領域の感光面積のばらつきを減少させることができ、出
力信号特性不良の発生を防止し得る固体撮像装置全提供
するものである。
即ち、本発明の固体撮像装＋１は、半導体基板の表面に
感光画素領域を有し、−ト記基板上に絶縁膜を介して前
記感光画素領域の感光領域を決定するｋめの第１層の遮
光膜、電極配線および配１１！ハツト部がパターン形成
されており、これらの上に層間絶縁膜を介して撮像光入
射窓を除く部分に第２層の遮光膜、電極部およびポンデ
ィングパッド部が）ｊターン形成されており、前記第１
層の遮光膜は約３０００Ｘ乃至５０００Ｘの膜厚であ！
、ｔｌ前記電極部およびボンディング部は前記層間絶縁
膜に設けられたコンタクトホールを介して下層の前記電
極配線および配線・ｅ、。
感光画素領域を有し、−ト記基板上に絶縁膜を介して前
記感光画素領域の感光領域を決定するｋめの第１層の遮
光膜、電極配線および配１１！ハツト部がパターン形成
されており、これらの上に層間絶縁膜を介して撮像光入
射窓を除く部分に第２層の遮光膜、電極部およびポンデ
ィングパッド部が）ｊターン形成されており、前記第１
層の遮光膜は約３０００Ｘ乃至５０００Ｘの膜厚であ！
、ｔｌ前記電極部およびボンディング部は前記層間絶縁
膜に設けられたコンタクトホールを介して下層の前記電
極配線および配線・ｅ、。
ド部に接続されており、前記第２の遮光膜の・やターン
側端部と下層のｍｌｌ短電極配線・２タ一ン側端部とは
上下方向に所定量のオーバーラツプ部を有してなること
を特徴とするものである。
側端部と下層のｍｌｌ短電極配線・２タ一ン側端部とは
上下方向に所定量のオーバーラツプ部を有してなること
を特徴とするものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第３図はＣＣＤ ＩＪニアセンサの一部を示してお
り、半導体基板１、感光画素領域２、電荷転送レノスタ
領域３、絶縁膜４、ダート電極５、転送電極６、層間絶
縁膜１ｏおよび保傅絶縁ｇ！（図示せず）は第１図を参
照して前セ１（シたと同様であり、第１図中と同一符号
を付してその説明を省略する。捷だ、第２図を参照して
Ａｉｌ述したと同様に、感光画素領域２の水平方向寸法
Ｂを規定するための分離層２０が設けられ゛ている。
る。第３図はＣＣＤ ＩＪニアセンサの一部を示してお
り、半導体基板１、感光画素領域２、電荷転送レノスタ
領域３、絶縁膜４、ダート電極５、転送電極６、層間絶
縁膜１ｏおよび保傅絶縁ｇ！（図示せず）は第１図を参
照して前セ１（シたと同様であり、第１図中と同一符号
を付してその説明を省略する。捷だ、第２図を参照して
Ａｉｌ述したと同様に、感光画素領域２の水平方向寸法
Ｂを規定するための分離層２０が設けられ゛ている。
そして、本実施例においては、第１層のアルミニウム膜
が３０００１〜３５００Ｘの膜厚で絶縁膜４上の全面に
形成されたのちエツチングによυ第１の遮光膜３１、ｒ
−）電極配線３２、転送電極配線３３のほかその他の配
線用の配線・千ッド部３４が形成されている。この場合
、第１の遮光膜３１は感光画素領域２の縦方向の感光領
域寸法ＡＱ規定するものであり、ダート電極配線３２お
よび転送電極配線３３ｔＩｉ、前記絶縁膜４に設けらり
、たコンタクトホールを通じてｆＪｉｒ記ｒ−）電極５
および転送電極６に各対応して接続されるように形成さ
れている。
が３０００１〜３５００Ｘの膜厚で絶縁膜４上の全面に
形成されたのちエツチングによυ第１の遮光膜３１、ｒ
−）電極配線３２、転送電極配線３３のほかその他の配
線用の配線・千ッド部３４が形成されている。この場合
、第１の遮光膜３１は感光画素領域２の縦方向の感光領
域寸法ＡＱ規定するものであり、ダート電極配線３２お
よび転送電極配線３３ｔＩｉ、前記絶縁膜４に設けらり
、たコンタクトホールを通じてｆＪｉｒ記ｒ−）電極５
および転送電極６に各対応して接続されるように形成さ
れている。
また、本実施例においては、前記層間絶縁膜（約２μｍ
）Ｊ ｏ上に第２Ｎのアルミニウム膜が約１ｏｏｏｏ１
の膜厚で形成されたのち、エツチングにより撮像光入射
窓３５を除いた部分に第２の遮光膜３６、ダート電極部
３７、転送電極部３８、ボンディング、６２２部３９が
形成されている。この場合、ｒ−ト電極部３７、転送電
極部３８、？ンディングノ９ッド部３９は層間絶縁膜１
０ｔｌｃ設けられたコンタクトホールを通じて前記第１
層のアルミニウム膜からなる各電極配線、？ ２ 、３
３およびノクッド部３４に対応して接続されるように形
成されており、それぞれセンサ外囲器の各端子にボンデ
ィングワイヤ全弁して接続される。また、上記第２の遮
光膜３６の７ｆタ一ン側端部とｎ７ｊ記第１層のアルミ
ニウム膜からなる電極配線、・９ラド部等の・２タ一ン
側端部とは上下方向にオーバーラツプしており、このオ
ーバーラツプ部の幅Ｗは約５μｍ以上である。
）Ｊ ｏ上に第２Ｎのアルミニウム膜が約１ｏｏｏｏ１
の膜厚で形成されたのち、エツチングにより撮像光入射
窓３５を除いた部分に第２の遮光膜３６、ダート電極部
３７、転送電極部３８、ボンディング、６２２部３９が
形成されている。この場合、ｒ−ト電極部３７、転送電
極部３８、？ンディングノ９ッド部３９は層間絶縁膜１
０ｔｌｃ設けられたコンタクトホールを通じて前記第１
層のアルミニウム膜からなる各電極配線、？ ２ 、３
３およびノクッド部３４に対応して接続されるように形
成されており、それぞれセンサ外囲器の各端子にボンデ
ィングワイヤ全弁して接続される。また、上記第２の遮
光膜３６の７ｆタ一ン側端部とｎ７ｊ記第１層のアルミ
ニウム膜からなる電極配線、・９ラド部等の・２タ一ン
側端部とは上下方向にオーバーラツプしており、このオ
ーバーラツプ部の幅Ｗは約５μｍ以上である。
上記ＣＣＤ ＩＪニアセセンにおいては、第１の遮ＸＢ
’Ａ、？Ｉ（ＤＩＪＩ）Ｈ−１ｔ’３０００＝３５００
１ テ１）ルので、その・ぞターンエツチングによる感
光領域寸法へのばらつきの発生をよ±３００ （１〜３
５００ Ｘの範囲内におさ−まる。これは、従来のばら
つきの範囲±１ ／１ｍに比べて減少してｊ７−リ、本
実施例によれば、センサ出力特性に関してセンサ品質の
ばらつきが減少し、センサ出力の不均一の割合＆：１ニ
ー１−３％以内であった。この場合、第１の遮光膜３１
を形成する第１層のアルミニウム膜として入射光を全波
長にわたって遮断するために必要な膜厚は最低３０００
Ｘである。
’Ａ、？Ｉ（ＤＩＪＩ）Ｈ−１ｔ’３０００＝３５００
１ テ１）ルので、その・ぞターンエツチングによる感
光領域寸法へのばらつきの発生をよ±３００ （１〜３
５００ Ｘの範囲内におさ−まる。これは、従来のばら
つきの範囲±１ ／１ｍに比べて減少してｊ７−リ、本
実施例によれば、センサ出力特性に関してセンサ品質の
ばらつきが減少し、センサ出力の不均一の割合＆：１ニ
ー１−３％以内であった。この場合、第１の遮光膜３１
を形成する第１層のアルミニウム膜として入射光を全波
長にわたって遮断するために必要な膜厚は最低３０００
Ｘである。
また、第１の遮光膜３１の膜厚を約５０００Ｘまで厚く
しても感光領域寸法Ａが約７μｍの場合に寸法Ａのばら
つきに伴なうセンサ出力のばらつきは実用上許容範囲に
おさまる。寸た、第２の遮光膜３６は充分な遮光作用を
有しており、各電極部３７．３８の近傍では第２の遮光
膜３６と第１層のアルミニウム膜とがオーバーラツプし
ているので、遮光上問題はない。また、各電極部、？
７ 、３８および？ンディングノ千ッド部３９は第１層
のアルミニウム膜上に第２層のアルミニウム膜が形成さ
れているので、それぞれアルミニウム膜の膜厚の合計は
１３０００〜１３５００ Ｋになっておシ、充分々遮光
性およびＣＣＤ駆動に必要な電流容量を有している。
しても感光領域寸法Ａが約７μｍの場合に寸法Ａのばら
つきに伴なうセンサ出力のばらつきは実用上許容範囲に
おさまる。寸た、第２の遮光膜３６は充分な遮光作用を
有しており、各電極部３７．３８の近傍では第２の遮光
膜３６と第１層のアルミニウム膜とがオーバーラツプし
ているので、遮光上問題はない。また、各電極部、？
７ 、３８および？ンディングノ千ッド部３９は第１層
のアルミニウム膜上に第２層のアルミニウム膜が形成さ
れているので、それぞれアルミニウム膜の膜厚の合計は
１３０００〜１３５００ Ｋになっておシ、充分々遮光
性およびＣＣＤ駆動に必要な電流容量を有している。
なお、本発明は上記実施例に限られることなく、エリア
センザ形のＣＣＤイメージセンサとかＭＯ８形イメージ
センサなどにも適用可能である。
センザ形のＣＣＤイメージセンサとかＭＯ８形イメージ
センサなどにも適用可能である。
上述したように本発明の固体撮像装置によれば、感光領
域決定用の第１層の遮光膜を薄くしたので、感光画素領
域の感光面積のばらつきを減少させることができ、出力
信号の不均一による特性不良の発生を防止でき、製造歩
留りを向上することができる。
域決定用の第１層の遮光膜を薄くしたので、感光画素領
域の感光面積のばらつきを減少させることができ、出力
信号の不均一による特性不良の発生を防止でき、製造歩
留りを向上することができる。
第１図は従来のＣＯＤ ＩＪ ニアセンサの一部を示す
断面図、第２図は第１図のセンサ領域を取シ出して平面
構成を説明するために示す図、第３図は本発明の一実施
例に係るＣＯＤ ’）ニアセンサの一部を示す断面図で
ある。 １・・・半導体基板、２・・・感光画素領域、４・・・
絶縁膜、１０・・・層間絶縁膜、３１・・・第１の遮光
膜、３２．３３・・・電極配線、３４・・・配線用パッ
ド部、３５・・・撮像光入射窓、３６・・第２の遮光膜
、３７．３８・・・電極部、３９・・・ポンディングパ
ッド部。 第１図 第２図
断面図、第２図は第１図のセンサ領域を取シ出して平面
構成を説明するために示す図、第３図は本発明の一実施
例に係るＣＯＤ ’）ニアセンサの一部を示す断面図で
ある。 １・・・半導体基板、２・・・感光画素領域、４・・・
絶縁膜、１０・・・層間絶縁膜、３１・・・第１の遮光
膜、３２．３３・・・電極配線、３４・・・配線用パッ
ド部、３５・・・撮像光入射窓、３６・・第２の遮光膜
、３７．３８・・・電極部、３９・・・ポンディングパ
ッド部。 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の表面に感光画素領域を有し、上記基板上に
絶縁膜全弁［７て前記感光画素領域の感光領域を決定す
るための第１層の遮光膜、電極配線および配線・９ラド
部が・母ターン形成されでおり、これらの上に層間絶縁
膜を介して撮像光入射窓を除く部分に第２層の遮！膜、
電極部および鱈？ンディングパッド部がパターン形成さ
れており、前記第１層の遮光膜は約３０００Ｘ乃至５０
００ Ｘの膜厚であり、前記電極部およびｒンディンダ
パッド部はＡｉ前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト
ホールを介して下層の前記電極配線および配線パッド部
に接続されており、Ａｉｌ記第２の遮光膜の・ゼターン
側端部と下層の前記電極配線の・セターン側端部とは上
下方向に所定檻のオーバーラツプ部を有してなることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026390A JPS60170255A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026390A JPS60170255A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170255A true JPS60170255A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12192207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59026390A Pending JPS60170255A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170255A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
| JPS63244879A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6464356A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH0289367A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| EP0590598A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-06 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer |
| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
| EP3442032A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-13 | ams AG | Single photon avalanche diode and array of single photon avalanche diodes |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP59026390A patent/JPS60170255A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
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| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
| DE102007051752B4 (de) * | 2007-10-30 | 2010-01-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung |
| US8187908B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-05-29 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Light-blocking layer sequence having one or more metal layers for an integrated circuit and method for the production of the layer sequence |
| EP3442032A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-13 | ams AG | Single photon avalanche diode and array of single photon avalanche diodes |
| WO2019030009A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Ams Ag | SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE AND SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE ARRAY |
| US11081599B2 (en) | 2017-08-10 | 2021-08-03 | Ams Ag | Single photon avalanche diode and array of single photon avalanche diodes |
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