JPS61198670A - アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS61198670A JPS61198670A JP60039998A JP3999885A JPS61198670A JP S61198670 A JPS61198670 A JP S61198670A JP 60039998 A JP60039998 A JP 60039998A JP 3999885 A JP3999885 A JP 3999885A JP S61198670 A JPS61198670 A JP S61198670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- lower electrode
- amorphous
- image sensor
- blocking diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アモルファスイメージセンサの製造方法に係
わり、特にマトリックス状に形成されたアモルファスシ
リコンイメージセンサのブロッキングダイオードの電極
の形状と配列に関するものである。
わり、特にマトリックス状に形成されたアモルファスシ
リコンイメージセンサのブロッキングダイオードの電極
の形状と配列に関するものである。
近時、イメージセンサが広範囲に利用され、高性能、高
品質の装置が開発されており、センサ素子として使用さ
れるフォトセンサも多種類に及ぶが、その一つにアモル
ファスシリコンで製作されたフォトダイオードセンサが
ある。
品質の装置が開発されており、センサ素子として使用さ
れるフォトセンサも多種類に及ぶが、その一つにアモル
ファスシリコンで製作されたフォトダイオードセンサが
ある。
通常１、イメージセンサでは、直線状に配列されたフォ
トダイオードセンサの取り出し線を、可能な限り少数に
するために、フォトダイオードセンサをマトリックス状
に配列して使用さているが、この方式を採用した場合に
、それぞれのフォトダイオードセンサ間に廻り込む電流
を阻止するために、それぞれのフォトダイオードセンサ
に直列に、ブロンキングダイオードを設けて一対として
、マトリックス配線をすることになっている。
トダイオードセンサの取り出し線を、可能な限り少数に
するために、フォトダイオードセンサをマトリックス状
に配列して使用さているが、この方式を採用した場合に
、それぞれのフォトダイオードセンサ間に廻り込む電流
を阻止するために、それぞれのフォトダイオードセンサ
に直列に、ブロンキングダイオードを設けて一対として
、マトリックス配線をすることになっている。
然しながら、従来のプロンキングダイオードの構造では
、下部電極よりもアモルファスシリコンのパターンが大
きく、そのために外部からの投射光がアモルファスシリ
コン層に照射して、ブロッキングダイオードの漏洩電流
を増大させて、センサ品質を低下させるために基板の裏
面に光速光膜を形成する必要があり、センサの性能向上
のため、その改善が要望されている。
、下部電極よりもアモルファスシリコンのパターンが大
きく、そのために外部からの投射光がアモルファスシリ
コン層に照射して、ブロッキングダイオードの漏洩電流
を増大させて、センサ品質を低下させるために基板の裏
面に光速光膜を形成する必要があり、センサの性能向上
のため、その改善が要望されている。
第３図は、従来のイメージセンサのフォトダイオードと
ブロンキングダイオードの要部断面図を示している。
ブロンキングダイオードの要部断面図を示している。
光が投射されるガラス板１の同一面上に、フォトダイオ
ード２とブロッキングダイオード３が形成されている。
ード２とブロッキングダイオード３が形成されている。
フォトダイオード２は透明膜である下部電極４として、
例えば酸化錫（Ｓｎ０２ ）又はインジウム錫の酸化物
（ＩＴＯ）が使用され、その表面にアモルファスシリコ
ン１１１５が形成されていて、更にアモルファスシリコ
ン膜５の上部電極の配線６がアルミニウム膜て形成され
ている。
例えば酸化錫（Ｓｎ０２ ）又はインジウム錫の酸化物
（ＩＴＯ）が使用され、その表面にアモルファスシリコ
ン１１１５が形成されていて、更にアモルファスシリコ
ン膜５の上部電極の配線６がアルミニウム膜て形成され
ている。
ブロッキングダイオード３では、下部電極７として白金
が蒸着により成膜され、その表面にアモルファスシリコ
ンＩｌｌ！８が形成されて、アルミニウムの配線６によ
ってフォトダイオード２と接続されている。
が蒸着により成膜され、その表面にアモルファスシリコ
ンＩｌｌ！８が形成されて、アルミニウムの配線６によ
ってフォトダイオード２と接続されている。
この構造で、アモルファスシリコンＩＩ！！５．８が直
接ガラス基板と接面しているＡ、Ｂ領域は約１０μ−程
度であるが、下部電極４．７と上部電極配線６の絶縁を
アモルファスシリコンで絶縁するためになされたもので
ある。
接ガラス基板と接面しているＡ、Ｂ領域は約１０μ−程
度であるが、下部電極４．７と上部電極配線６の絶縁を
アモルファスシリコンで絶縁するためになされたもので
ある。
このような構造では、ブロッキングダイオードにＢ領域
を通過して矢印の光が透過することになり、そのために
アモルファスシリコン膜の抵抗が減少して漏洩電流が発
生して、ブロッキング効果を劣化することになる。
を通過して矢印の光が透過することになり、そのために
アモルファスシリコン膜の抵抗が減少して漏洩電流が発
生して、ブロッキング効果を劣化することになる。
その対策としてガラス基板の裏面に遮光膜１０を形成す
る必要があり、この遮光膜は、例えばスクリーン印刷等
によってなされるが、製造工程が複雑になるのと、遮蔽
効果が十分でないという欠点がある。
る必要があり、この遮光膜は、例えばスクリーン印刷等
によってなされるが、製造工程が複雑になるのと、遮蔽
効果が十分でないという欠点がある。
上記の、アモルファスイメージセンサのブロッキングダ
イオードの構造では、光の透過を防止するための遮光膜
を形成する必要があるという問題がある。
イオードの構造では、光の透過を防止するための遮光膜
を形成する必要があるという問題がある。
本発明は、上記問題点を解消したアモルファスイメージ
センサを提供するもので、その手段は、マトリックス状
に形成されたアモルファスシリコンイメージセンサのブ
ロッキングダイオードの下部電極のパターンを下部電極
の上部に形成されるアモルファスシリコンのパターンよ
りも太き（形成した後、その表面に絶縁膜を被着し、且
つ下部電極をジグザグに配列したアモルファスイメージ
センサの製造方法によって達成できる。
センサを提供するもので、その手段は、マトリックス状
に形成されたアモルファスシリコンイメージセンサのブ
ロッキングダイオードの下部電極のパターンを下部電極
の上部に形成されるアモルファスシリコンのパターンよ
りも太き（形成した後、その表面に絶縁膜を被着し、且
つ下部電極をジグザグに配列したアモルファスイメージ
センサの製造方法によって達成できる。
（作用〕
本発明は、アモルファスイメージセンサのブロッキング
ダイオードで、遮光膜を形成する必要がないように、ブ
ロッキングダイオードの下部電極のパターンを、下部電
極の上部に形成されるアモルファスシリコンのパターン
よりも大きくして、従来のようなアモルファスシリコン
膜の一部を絶縁膜に使用することなしに、新たに下部電
極と上部電極間に絶縁膜を被着し、一方大きくなったブ
ロッキングダイオードの金属電極のそれぞれが、接触し
ないように、ジグザグに配列することにより、遮光膜を
形成しなくとも十分な遮光性を得ることができる。
ダイオードで、遮光膜を形成する必要がないように、ブ
ロッキングダイオードの下部電極のパターンを、下部電
極の上部に形成されるアモルファスシリコンのパターン
よりも大きくして、従来のようなアモルファスシリコン
膜の一部を絶縁膜に使用することなしに、新たに下部電
極と上部電極間に絶縁膜を被着し、一方大きくなったブ
ロッキングダイオードの金属電極のそれぞれが、接触し
ないように、ジグザグに配列することにより、遮光膜を
形成しなくとも十分な遮光性を得ることができる。
第１図は、本発明のイメージセンサのフォトダイオード
とプロ７キングダイオードの要部断面図を示している。
とプロ７キングダイオードの要部断面図を示している。
光が投射されるガラス板１１の同一面上に、フォトダイ
オード１２とブロッキングダイオード１３が形成され、
フォトダイオード１２は透明膜である下部電極１４の表
面にアモルファスシリコンｙ！１５が形成されていて、
その表面に薄膜又は厚膜の絶縁膜１９を介して上部電極
の引出し配線１６が形成されている。
オード１２とブロッキングダイオード１３が形成され、
フォトダイオード１２は透明膜である下部電極１４の表
面にアモルファスシリコンｙ！１５が形成されていて、
その表面に薄膜又は厚膜の絶縁膜１９を介して上部電極
の引出し配線１６が形成されている。
ブロッキングダイオード１３では、光を透過しない白金
の下部電極１７を、その表面に形成されるアモルファス
シリコンｙ！１８よりも、大きく形成するが、その大き
さＣは２０μ−程度がよく、その表面に絶縁１１１１１
９が被着されていて、その上面にアルミニウムの配線２
６が被着形成されている。
の下部電極１７を、その表面に形成されるアモルファス
シリコンｙ！１８よりも、大きく形成するが、その大き
さＣは２０μ−程度がよく、その表面に絶縁１１１１１
９が被着されていて、その上面にアルミニウムの配線２
６が被着形成されている。
絶縁膜１９は、例えば無機物の絶縁膜として二酸化シリ
コン膜を５０００人程度０厚みで被着してもよいし、又
樹脂系の絶縁物を２μｌ程度の厚みでスピンナによって
塗布しても良い。
コン膜を５０００人程度０厚みで被着してもよいし、又
樹脂系の絶縁物を２μｌ程度の厚みでスピンナによって
塗布しても良い。
第２図は、本発明によるアモルファスイメージセンサの
フォトダイオード１２とブロッキングダイオード１３の
配列を示す模式上面図である。
フォトダイオード１２とブロッキングダイオード１３の
配列を示す模式上面図である。
それぞれのブロッキングダイオードが、ＸとＹグローブ
のマトリックス接続になされているが、従来構造におけ
る下部電極の配列では、アモルファスシリコン膜を絶縁
層に利用したため、直線状に配列する必要があったが、
本発明によるブロッキングダイオードでは、下部電極１
７がアモルファスシリコン膜１８よりも大きくて十分に
遮光がなされ、且つ絶縁もアモルファスシリコンと無関
係であるので、下部電極を一列に配置する必要がなく、
配列はジグザク配置を行って、下部電極の形状が太き（
なった領域骨をジグザグ配置で補うことができる。
のマトリックス接続になされているが、従来構造におけ
る下部電極の配列では、アモルファスシリコン膜を絶縁
層に利用したため、直線状に配列する必要があったが、
本発明によるブロッキングダイオードでは、下部電極１
７がアモルファスシリコン膜１８よりも大きくて十分に
遮光がなされ、且つ絶縁もアモルファスシリコンと無関
係であるので、下部電極を一列に配置する必要がなく、
配列はジグザク配置を行って、下部電極の形状が太き（
なった領域骨をジグザグ配置で補うことができる。
本発明により、ブロンキングダイオードの完全な遮光性
、製造プロセスの効率化、及び絶縁性の向上が実現する
ことになる。
、製造プロセスの効率化、及び絶縁性の向上が実現する
ことになる。
以上、詳細に説明したように、本発明のアモルファスイ
メージセンサの製造方法を採用することにより、漏洩電
流の少なく高性能のイメージセンサができると共に、製
造工程の効率化に供しうるという効果大なるものがある
や
メージセンサの製造方法を採用することにより、漏洩電
流の少なく高性能のイメージセンサができると共に、製
造工程の効率化に供しうるという効果大なるものがある
や
第１図は、本発明のイメージセンサの要部断面図、
第２図は、本発明のイメージセンサのブロッキングダイ
オードの下部電極の配列を示す上面図第３図は、従来の
イメージセンサの要部断面図図において、 １１はガラス板、 １２はフォトダイオード１３
はブロッキングダイオード、 １４は下部電極、 １５はアモルファスシリコン膜、 １６は上部電極配線、 １７は白金の下部電極、１８
はアモルファスシリコン膜、 １９は絶縁膜、 をそれぞれ示している。 第１図 ＠ ３ 図
オードの下部電極の配列を示す上面図第３図は、従来の
イメージセンサの要部断面図図において、 １１はガラス板、 １２はフォトダイオード１３
はブロッキングダイオード、 １４は下部電極、 １５はアモルファスシリコン膜、 １６は上部電極配線、 １７は白金の下部電極、１８
はアモルファスシリコン膜、 １９は絶縁膜、 をそれぞれ示している。 第１図 ＠ ３ 図
Claims (1)
- マトリックス状に形成されたアモルファスシリコンイメ
ージセンサのブロッキングダイオードの下部電極のパタ
ーンを該下部電極の上部に形成されるアモルファスシリ
コンのパターンよりも大きく形成した後、その表面に絶
縁膜を被着し、且つ該下部電極をジグザグに配列したこ
とを特徴とするアモルファスイメージセンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039998A JPS61198670A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039998A JPS61198670A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198670A true JPS61198670A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12568594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039998A Pending JPS61198670A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302856A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60039998A patent/JPS61198670A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302856A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
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