JPS6184860A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS6184860A JPS6184860A JP59207345A JP20734584A JPS6184860A JP S6184860 A JPS6184860 A JP S6184860A JP 59207345 A JP59207345 A JP 59207345A JP 20734584 A JP20734584 A JP 20734584A JP S6184860 A JPS6184860 A JP S6184860A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリの送信側に用いる原稿幅と１：
１の大きさを有する光電変換装置の構造に関するもので
ある。
１の大きさを有する光電変換装置の構造に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
近年、ファクシミリ等の読み取り系の光電変換装置とし
て、原稿幅と１：１の大きさを有する読取装置が活発に
開発されている。
て、原稿幅と１：１の大きさを有する読取装置が活発に
開発されている。
以下に従来の光電変換装置について説明する。
第１図は従来の光電変換装置の副走査方向の断面図であ
る。
る。
第１図においてガラス等の透光性絶縁基板１上に、Ｏｒ
、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ 等の高融点で不透明な物質を蒸着
法等で少なくとも光電変換素子Ｓの所には存在する様に
被着し遮光層２とする。遮光層２に７オトリノ法等で照
明窓３を形成し、次にスパッタリング法等で遮光層２と
光電変換素子５との絶練性を保つために透光性絶縁層４
を形成し、その上部に光導電性薄膜を蒸着法等で被着後
、フォトリソ法等で主走査方向に島状に並ぶ光電変換素
子５を形成する。ざらに光電変換素子５を４００〜６０
０℃の活性化熱処理又は高温処理後、第１図では省略し
であるが、第２図の平面図に示す様に、複数個の光電変
換素子５をまとめた共通電極６と各光電変換素子６に対
応する個別電極７を対向して形成し、さらに薄板ガラス
等の透明保護層８を積層した構造で、照明窓３を通って
入射する光１゜で原稿面９を照射し、その散乱光１１を
各光電変換素子５で電気信号に変換する構成である。
、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ 等の高融点で不透明な物質を蒸着
法等で少なくとも光電変換素子Ｓの所には存在する様に
被着し遮光層２とする。遮光層２に７オトリノ法等で照
明窓３を形成し、次にスパッタリング法等で遮光層２と
光電変換素子５との絶練性を保つために透光性絶縁層４
を形成し、その上部に光導電性薄膜を蒸着法等で被着後
、フォトリソ法等で主走査方向に島状に並ぶ光電変換素
子５を形成する。ざらに光電変換素子５を４００〜６０
０℃の活性化熱処理又は高温処理後、第１図では省略し
であるが、第２図の平面図に示す様に、複数個の光電変
換素子５をまとめた共通電極６と各光電変換素子６に対
応する個別電極７を対向して形成し、さらに薄板ガラス
等の透明保護層８を積層した構造で、照明窓３を通って
入射する光１゜で原稿面９を照射し、その散乱光１１を
各光電変換素子５で電気信号に変換する構成である。
しかしながら上記の従来の構成では、透光性絶縁層４と
光電変換素子５との膨張係数の不一致による、光電変換
素子５のクラック等を防ぐために光電変換素子５との膨
張係数を合わせる必要があり、例えばＣｄ Ｓ −Ｃｄ
Ｓ ｅ等のｌｌ−１４族化合物においては、コーニン
グ７０５９等の透光性絶縁層４が用いられているが、コ
ーニング７０６９は低軟化点ガラスのため、５００〜６
００Ｃ活性化熱処理あるいは高温処理において遮光層２
を構成する物質が透光性絶縁層４中を界面拡散し、絶縁
性の低下により印加電圧を制限したり、また光電変換素
子５中へも拡散するために特性にバラツキを生じ、さら
に感度の劣化を引き起こし生産性が低下するという問題
点を有していた。
光電変換素子５との膨張係数の不一致による、光電変換
素子５のクラック等を防ぐために光電変換素子５との膨
張係数を合わせる必要があり、例えばＣｄ Ｓ −Ｃｄ
Ｓ ｅ等のｌｌ−１４族化合物においては、コーニン
グ７０５９等の透光性絶縁層４が用いられているが、コ
ーニング７０６９は低軟化点ガラスのため、５００〜６
００Ｃ活性化熱処理あるいは高温処理において遮光層２
を構成する物質が透光性絶縁層４中を界面拡散し、絶縁
性の低下により印加電圧を制限したり、また光電変換素
子５中へも拡散するために特性にバラツキを生じ、さら
に感度の劣化を引き起こし生産性が低下するという問題
点を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、遮光層を
構成する物質の拡散を防止することにより、特性のバラ
ツキを抑え、高耐圧の絶縁層を形成し生産性を向上させ
る事ができる原稿幅と１＝１に対応した大きさを有する
光電変換装置を提供する事を目的とする。
構成する物質の拡散を防止することにより、特性のバラ
ツキを抑え、高耐圧の絶縁層を形成し生産性を向上させ
る事ができる原稿幅と１＝１に対応した大きさを有する
光電変換装置を提供する事を目的とする。
発明の構成
本発明は、透光性絶縁基板上に照明窓を有する遮光層と
、拡散を防止する第１の透光性絶縁層と、付着歪を少な
くする第２の透光性絶縁層と、主走査方向に島状に並ん
だ光電変換素子と、対向電極と、透明保護層とを積層し
た光電変換装置で、第１の透光性絶縁層と第２の透光性
絶縁層とにより、特性のバラツキを抑え、生産性を向上
する事のできるものである。
、拡散を防止する第１の透光性絶縁層と、付着歪を少な
くする第２の透光性絶縁層と、主走査方向に島状に並ん
だ光電変換素子と、対向電極と、透明保護層とを積層し
た光電変換装置で、第１の透光性絶縁層と第２の透光性
絶縁層とにより、特性のバラツキを抑え、生産性を向上
する事のできるものである。
実施例の説明
以下に本発明における光電変換装置の構成を実施例を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第３図に本発明の実施例における光電変換装置の断面図
を示す。
を示す。
第３図において、ガラス等の透光性絶縁基板１上に、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点を有しが゛っ不透明な物
質を少なくとも可視光を遮光する膜厚例えば８００〜４
０００人を蒸着法等で、少なくとも光電変換素子５０所
には存在する様に被着し遮光層２を形成する。次に遮光
層２中にフォ） ＩＪメソ法で照明窓３を形成する。ざ
らにスパッタリング法等で、１０００℃以上の軟化点を
持つＳｉｏ２で５〜１００００人好ましくは５Ｑ○〜５
０００人の膜厚を有する遮光層２物質の拡散を防止する
第１の透光性絶縁層１２を形成し、次に例えば、Ｃｄ５
−ＣｄＳｅ等のＵ−ＶＩ族化合物薄膜との付着歪を少な
くするために、例えば、コーニング７０５９等で第２の
透光性絶縁層１３スパツタリング法等て形成２する。
ｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点を有しが゛っ不透明な物
質を少なくとも可視光を遮光する膜厚例えば８００〜４
０００人を蒸着法等で、少なくとも光電変換素子５０所
には存在する様に被着し遮光層２を形成する。次に遮光
層２中にフォ） ＩＪメソ法で照明窓３を形成する。ざ
らにスパッタリング法等で、１０００℃以上の軟化点を
持つＳｉｏ２で５〜１００００人好ましくは５Ｑ○〜５
０００人の膜厚を有する遮光層２物質の拡散を防止する
第１の透光性絶縁層１２を形成し、次に例えば、Ｃｄ５
−ＣｄＳｅ等のＵ−ＶＩ族化合物薄膜との付着歪を少な
くするために、例えば、コーニング７０５９等で第２の
透光性絶縁層１３スパツタリング法等て形成２する。
そしてその上部にＣｄ５−ＣｄＳｅ等の［１−１ｔ族化
゛合物を蒸着法等で被着した後、フォトリソ法で主走査
方向に並び、照明窓３と平行に島状の光電変換素子５を
形成し、６００〜６００℃の活性化熱処理後、各光電変
換素子５に対応し、従来例の第２図と同様に、複数個ま
とめた共通電極６と各光電変換素子６に対応した個別電
極７を対向して形成し、さらに透明保護層８を薄板ガラ
スの貼り付は又は、Ｓ ｚ Ｏ２やＳｉ３Ｎ４等の透光
性絶縁物をス・ミッタ法や蒸着法で積層した構造の光電
変換装置で、基板１裏面から照明窓３に入射する光１ｏ
を原稿面９で反射し、その散乱光１１を各光電変換素子
５で電気信号に変換するものである。
゛合物を蒸着法等で被着した後、フォトリソ法で主走査
方向に並び、照明窓３と平行に島状の光電変換素子５を
形成し、６００〜６００℃の活性化熱処理後、各光電変
換素子５に対応し、従来例の第２図と同様に、複数個ま
とめた共通電極６と各光電変換素子６に対応した個別電
極７を対向して形成し、さらに透明保護層８を薄板ガラ
スの貼り付は又は、Ｓ ｚ Ｏ２やＳｉ３Ｎ４等の透光
性絶縁物をス・ミッタ法や蒸着法で積層した構造の光電
変換装置で、基板１裏面から照明窓３に入射する光１ｏ
を原稿面９で反射し、その散乱光１１を各光電変換素子
５で電気信号に変換するものである。
以上のように本実施例によれば、Ｓｉｏ２の様な１００
０℃以上の高軟化点物質で形成される第１の透光性絶縁
層１２を設ける事により、６００〜６００℃の活性化熱
処理において遮光層物質の拡散を容易に防止でき、絶縁
性の低下もなく高耐圧で、さらに下地物質の影響を受け
ずに光電変換素子を形成できるので均一な特性でかつ生
産性の向上が非常に容易にでき工業上有益である。
０℃以上の高軟化点物質で形成される第１の透光性絶縁
層１２を設ける事により、６００〜６００℃の活性化熱
処理において遮光層物質の拡散を容易に防止でき、絶縁
性の低下もなく高耐圧で、さらに下地物質の影響を受け
ずに光電変換素子を形成できるので均一な特性でかつ生
産性の向上が非常に容易にでき工業上有益である。
さらに光電変換素子との膨張係数を一致でせた第２の透
光性絶縁層１３を設ける事により、付着歪が小さくでき
るのでクラック等が光電変換素子に生じず特性のバラツ
キがない安定した光電変換装置を構成する事ができる。
光性絶縁層１３を設ける事により、付着歪が小さくでき
るのでクラック等が光電変換素子に生じず特性のバラツ
キがない安定した光電変換装置を構成する事ができる。
なお、本実施例において、第１の透光性絶縁層をＳ ｔ
Ｏ２としたが、第１の透光性絶縁層は、Ｓ １３Ｎ
４． Ｔ ａ ２０６． Ｓ ＩＣ、Ａ Ｌ ２０３．
Ｔ １０２等でも同様の効果が得られることは言うま
でもない。
Ｏ２としたが、第１の透光性絶縁層は、Ｓ １３Ｎ
４． Ｔ ａ ２０６． Ｓ ＩＣ、Ａ Ｌ ２０３．
Ｔ １０２等でも同様の効果が得られることは言うま
でもない。
また、本実施例において、光電変換素子をＣｄ５−Ｃｄ
Ｓｅ等の１−■族化合物としたが、光電変換素子は、ａ
−３ｔ等でも同様の効果が得られる。
Ｓｅ等の１−■族化合物としたが、光電変換素子は、ａ
−３ｔ等でも同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明は、遮光層物質の拡散を防止する第１の□
透光性絶縁層と光電変換素子との付着歪の小さい第
２の透光性絶縁層を設ける事により、遮光層物質の拡散
による光電変換素子中への導入が防止でき、さらに熱歪
によるクラック等の発生が無いので、特性の均一性、生
産性の向上がはかれると言う潰れた光電変換装置を実現
できるものである。
透光性絶縁層と光電変換素子との付着歪の小さい第
２の透光性絶縁層を設ける事により、遮光層物質の拡散
による光電変換素子中への導入が防止でき、さらに熱歪
によるクラック等の発生が無いので、特性の均一性、生
産性の向上がはかれると言う潰れた光電変換装置を実現
できるものである。
第１図は従来の光電変換装置の断面図、第２図は第１図
の装置の要部概略平面図、第３図は本発明の一実施例に
おける光電変換装置の断面図である０ ２・・・・・遮光層、４・・・・・・透光性絶縁層、５
・・・・・・光電変換素子、１２・・・・・第１の透光
性絶縁層、１３・・・・・・第２の透光性絶縁層。
の装置の要部概略平面図、第３図は本発明の一実施例に
おける光電変換装置の断面図である０ ２・・・・・遮光層、４・・・・・・透光性絶縁層、５
・・・・・・光電変換素子、１２・・・・・第１の透光
性絶縁層、１３・・・・・・第２の透光性絶縁層。
Claims (4)
- （１）透光性絶縁基板上に照明窓を有する遮光層と、前
記遮光層を構成する物質の拡散を防止する第１の透光性
絶縁層と、光電変換素子との付着歪を少なくする第２の
透光性絶縁層と、主走査方向に島状に並んだ前記光電変
換素子と、前記各光電変換素子に形成された対向電極と
、透明保護層とを順次積層してなる事を特徴とする光電
変換装置。 - （２）第１の透光性絶縁層が、１０００℃以上の軟化点
を有する物質で構成される事を特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の光電変換装置。 - （３）第１の透光性絶縁層が、ＳｉＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ
＿４、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＳｉＣ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｔｉ
Ｏ＿２のいずれかからなる事を特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載の光電変換装置。 - （４）光電変換素子が、II−VI族化合物あるいはアモル
ファスシリコンからなる事を特徴とする特許請求の範囲
第１〜３項の何れかに記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207345A JPS6184860A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207345A JPS6184860A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184860A true JPS6184860A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16538195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207345A Pending JPS6184860A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184860A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637072A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着形光電変換素子ユニツト |
| US4920394A (en) * | 1984-08-31 | 1990-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photo-sensing device with S-shaped response curve |
| US4924282A (en) * | 1986-10-07 | 1990-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with moisture resistant layer |
| US5017986A (en) * | 1989-08-28 | 1991-05-21 | At&T Bell Laboratories | Optical device mounting apparatus |
| US5017987A (en) * | 1989-03-22 | 1991-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
| JPH03174771A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-07-29 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US5097304A (en) * | 1986-10-07 | 1992-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with voltage biases |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207345A patent/JPS6184860A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
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| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
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| JPH03174771A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-07-29 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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