JPS637072A - 密着形光電変換素子ユニツト - Google Patents
密着形光電変換素子ユニツトInfo
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- JPS637072A JPS637072A JP61152470A JP15247086A JPS637072A JP S637072 A JPS637072 A JP S637072A JP 61152470 A JP61152470 A JP 61152470A JP 15247086 A JP15247086 A JP 15247086A JP S637072 A JPS637072 A JP S637072A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 41
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
2 ページ′
本発明は、原稿に書かれた文字あるいは図形などの画像
を光学的に走査し、画像情報を電気信号に変換する画像
読取装置等に使用される密着形光電変換素子ユニットに
関するものである。
を光学的に走査し、画像情報を電気信号に変換する画像
読取装置等に使用される密着形光電変換素子ユニットに
関するものである。
従来の技術
従来透明なガラス基板上にCdS −CdS e固溶体
やアモルファスシリコンから成る半導体層を一枚の基板
上に形成して密着形光電変換素子を構成しているものが
ある。密着形光電変換素子は等倍結像レンズ(たとえば
セルフォックレンズ)を用いて原稿像を1=1で読取る
ために非常に大きなものとなる。これらを製造する場合
は一般に読取幅方向に光電変換素子を一直線上に並べた
ものを一枚の大きな基板上に複数列製作し、最後に一列
づつ分離して使用するという形をとっていた。
やアモルファスシリコンから成る半導体層を一枚の基板
上に形成して密着形光電変換素子を構成しているものが
ある。密着形光電変換素子は等倍結像レンズ(たとえば
セルフォックレンズ)を用いて原稿像を1=1で読取る
ために非常に大きなものとなる。これらを製造する場合
は一般に読取幅方向に光電変換素子を一直線上に並べた
ものを一枚の大きな基板上に複数列製作し、最後に一列
づつ分離して使用するという形をとっていた。
したがって製造コストを下げようとすると一枚の基板の
中でできるだけ多くの列を同時に製作することが要求さ
れる。また、基板100は第6図に示すように一般にソ
リδを有している。またセルフォックレンズ101は第
6図に示すように光3−・ 電変換素子102と原稿103との共役長(光路長)T
c に対してA、!:Bを光学的に同じ長さにすること
が必要で、第6図で示したようなソリδを有した基板1
00で構成した光電変換素子102を単純に取付けただ
けでは、第6図Aが光電変換素子配列方向にソリδに相
当するづれ量ΔAが発生して、第7図に示す通り解像度
が悪くなる。したがって、−枚基板の上に光電変換素子
を配列し、しかも光電変換素子配列方向と直角方向に取
付はスペースを設け、装置への取付時にソリを矯正して
取付けるため、10關前後の幅を必要としていた。
中でできるだけ多くの列を同時に製作することが要求さ
れる。また、基板100は第6図に示すように一般にソ
リδを有している。またセルフォックレンズ101は第
6図に示すように光3−・ 電変換素子102と原稿103との共役長(光路長)T
c に対してA、!:Bを光学的に同じ長さにすること
が必要で、第6図で示したようなソリδを有した基板1
00で構成した光電変換素子102を単純に取付けただ
けでは、第6図Aが光電変換素子配列方向にソリδに相
当するづれ量ΔAが発生して、第7図に示す通り解像度
が悪くなる。したがって、−枚基板の上に光電変換素子
を配列し、しかも光電変換素子配列方向と直角方向に取
付はスペースを設け、装置への取付時にソリを矯正して
取付けるため、10關前後の幅を必要としていた。
発明が解決しようとする問題点
上記した従来の構成では、基板のソリを考慮して基板の
装置への取付けを行々うため、光電変換素子配列方向と
直角方向に余裕が必要となり、光電変換素子あるいはそ
の配線パターン部分に必要な最小限の大きさにするとと
はできず、光電変換素子基板が大きくなり、コストダウ
ンを図ることが困難であった。
装置への取付けを行々うため、光電変換素子配列方向と
直角方向に余裕が必要となり、光電変換素子あるいはそ
の配線パターン部分に必要な最小限の大きさにするとと
はできず、光電変換素子基板が大きくなり、コストダウ
ンを図ることが困難であった。
問題点を解決するだめの手段
着して取付けることにより、透明基板を透明基台を介し
て装置に取付ける密着形光電変換素子ユニット構成とす
るものである。
て装置に取付ける密着形光電変換素子ユニット構成とす
るものである。
作 用
本発明は上記した構成により、光電変換素子基板は、光
電変換素子あるいはそれらへ配線パターンに必要なスペ
ースを有する最小限の大きさにすることができるもので
ある。又、製造においては一枚の基板から従来にくらべ
て多くの光電変換素子基板を製作することができ、コス
トダウンを図ることができるものである。
電変換素子あるいはそれらへ配線パターンに必要なスペ
ースを有する最小限の大きさにすることができるもので
ある。又、製造においては一枚の基板から従来にくらべ
て多くの光電変換素子基板を製作することができ、コス
トダウンを図ることができるものである。
実施例
第11図は本発明の一実施例を示す光電変換素子ユニッ
トの光電変換素子配列方向の断面図で、1は透明基板、
2は透明基台、3は透明な接着層である。
トの光電変換素子配列方向の断面図で、1は透明基板、
2は透明基台、3は透明な接着層である。
透明基板1は透明なガラス板から成り接着層36 ベー
ン と反対側面上にCd5−CdSe固溶体から成る半導体
を第2図に示すように直線状に複数個形成して光電変換
素子1aを構成すると共に、薄膜トランジスタでシフト
レジスター部1bおよび、スイッチング回路部1Cをそ
れぞれ薄膜トランジスタで構成している。又外部から光
電変換素子1aあるいは薄膜トランジスターに電力を供
給したり、光電変換素子からの出力を取出すだめの配線
パターンと、その端部にワイヤーボンディング用のパッ
ド部1dを形成している。
ン と反対側面上にCd5−CdSe固溶体から成る半導体
を第2図に示すように直線状に複数個形成して光電変換
素子1aを構成すると共に、薄膜トランジスタでシフト
レジスター部1bおよび、スイッチング回路部1Cをそ
れぞれ薄膜トランジスタで構成している。又外部から光
電変換素子1aあるいは薄膜トランジスターに電力を供
給したり、光電変換素子からの出力を取出すだめの配線
パターンと、その端部にワイヤーボンディング用のパッ
ド部1dを形成している。
透明基台2は透明で透明基板1と同種のガラス1板から
成り、接着層側面で透明基板1を接着取付部以外の一部
に第2図に示す通り、配線パターン2aを蒸着による薄
膜あるいはシルク印刷等で形成し、その−端を透明基板
1のパッド部1dとワイヤー4で接続し、他端はリード
線6とそれぞれ接続している。
成り、接着層側面で透明基板1を接着取付部以外の一部
に第2図に示す通り、配線パターン2aを蒸着による薄
膜あるいはシルク印刷等で形成し、その−端を透明基板
1のパッド部1dとワイヤー4で接続し、他端はリード
線6とそれぞれ接続している。
接着層3は、紫外線硬化形で透明な接着材から成り、透
明基板1番透明基台2に接着して取付けている。
明基板1番透明基台2に接着して取付けている。
6 ベーン
6はシリコン樹脂で、透明基板上に形成した、薄膜トラ
ンジスタ(シフトレジスタ1b、スイッチング回路1C
)、光電変換素子1a、あるいはワイヤーボンディング
部を保護するものである。
ンジスタ(シフトレジスタ1b、スイッチング回路1C
)、光電変換素子1a、あるいはワイヤーボンディング
部を保護するものである。
以上のように構成した密着形光電変換素子ユニット1o
を第2図、第3図に示すように、透明基台3を、装置の
取付部20に取付部材21を用いて矯正取付けすること
により基板のソリを補正して取付けることができ、光電
変換素子配列方向の解像度低下あるいはバラツキを防止
することができる。
を第2図、第3図に示すように、透明基台3を、装置の
取付部20に取付部材21を用いて矯正取付けすること
により基板のソリを補正して取付けることができ、光電
変換素子配列方向の解像度低下あるいはバラツキを防止
することができる。
透明基板1と透明基台2の材質を同種のもので構成する
ことにより、湿度変化等に対して、接着層3に発生する
熱応力を最小限にすることができ、接着部でのはがれ等
が発生しないようにしている。
ことにより、湿度変化等に対して、接着層3に発生する
熱応力を最小限にすることができ、接着部でのはがれ等
が発生しないようにしている。
第4図において、101は読取装置に設けられ、セルフ
ォックレンズから成る等倍結像レンズであり、原稿10
3の像を光電変換素子1a配列面上に結像させる。原稿
からの光は透明基台2.透明な接着層3及び透明基板を
通して光電変換素子1d7′″−・ に入り、原稿像を電気信号に変換することができる。
ォックレンズから成る等倍結像レンズであり、原稿10
3の像を光電変換素子1a配列面上に結像させる。原稿
からの光は透明基台2.透明な接着層3及び透明基板を
通して光電変換素子1d7′″−・ に入り、原稿像を電気信号に変換することができる。
以上のように密着形光電変換素子ユニット10を構成す
ることにより、透明基板1は光電変換素子1al薄膜ト
ランジスタ(シフトレジスタ1b。
ることにより、透明基板1は光電変換素子1al薄膜ト
ランジスタ(シフトレジスタ1b。
スイッチング回路1c)、及び配線パターン等を形成す
るのに必要な最小限の大きさにすることができる。
るのに必要な最小限の大きさにすることができる。
したがって製造する場合に同一の基板の大きさで、多数
の光電変換素子基板(透明基板)を製作することができ
コストダウンを図ることができるものである。
の光電変換素子基板(透明基板)を製作することができ
コストダウンを図ることができるものである。
なお本実施例においては光電変換素子をCd5−CdS
e固溶体で構成したが、アモルファスシリコン等を用い
ても良いことはいう寸でもない。
e固溶体で構成したが、アモルファスシリコン等を用い
ても良いことはいう寸でもない。
発明の効果
以上述べたように本発明によれは、光電変換素子を形成
する透明基板を最小限の太きさまで小さくすることがで
きると共に、−度に多くの透明基板(光電変換素子を形
成した)を得ることができ製造コストを下げることがで
きるものである。
する透明基板を最小限の太きさまで小さくすることがで
きると共に、−度に多くの透明基板(光電変換素子を形
成した)を得ることができ製造コストを下げることがで
きるものである。
第1図は本発明の一実施例における密着形光電変換素子
ユニットの素子配列方向断面図、第2図は同密着形光電
変換素子ユニットの要部拡大平面図、第3図は同密着形
光電変換素子ユニットの装置への取付状態を示す平面図
、第4図は密着形光電変換素子ユニットの装置への取付
状態を示す素子配列方向と直角方向の断面図、第6図は
基板のソリを示す側面図、第6図は読取装置における読
取部を示す要部側面図、第7図は共役長に対する光電変
換素子のずれ量と解像度との関係を示す線図である。 1・・・・・透明基板、2・・・・透明基台、1a・・
・・・・光電変換素子、3・・・接着層、10・・・・
・密着形光電変換素子ユニット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第6図
ユニットの素子配列方向断面図、第2図は同密着形光電
変換素子ユニットの要部拡大平面図、第3図は同密着形
光電変換素子ユニットの装置への取付状態を示す平面図
、第4図は密着形光電変換素子ユニットの装置への取付
状態を示す素子配列方向と直角方向の断面図、第6図は
基板のソリを示す側面図、第6図は読取装置における読
取部を示す要部側面図、第7図は共役長に対する光電変
換素子のずれ量と解像度との関係を示す線図である。 1・・・・・透明基板、2・・・・透明基台、1a・・
・・・・光電変換素子、3・・・接着層、10・・・・
・密着形光電変換素子ユニット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第6図
Claims (4)
- (1)複数の光電変換素子を直線上に配列して成る透明
基板と、この透明基板を取付け保持する透明基台と、前
記透明基板と前記透明基台とを接着する透明な接着材か
ら成る接着層とを備えた密着形光電変換素子ユニット。 - (2)接着層が紫外線硬化形接着材である特許請求の範
囲第1項記載の密着形光電変換素子ユニット。 - (3)透明基台が接着面側の透明基板接着部以外の一部
に配線用のパターンを有する透明基台である特許請求の
範囲第1項または第2項記載の密着形光電変換素子ユニ
ット。 - (4)透明基板と透明基台とを同種の材料で構成した特
許請求の範囲第1項または第2項または第3項記載の密
着形光電変換素子ユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61152470A JP2558639B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 密着形光電変換素子ユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61152470A JP2558639B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 密着形光電変換素子ユニツト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS637072A true JPS637072A (ja) | 1988-01-12 |
JP2558639B2 JP2558639B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=15541218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61152470A Expired - Lifetime JP2558639B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 密着形光電変換素子ユニツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558639B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60100866A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
JPS6184860A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS61199059U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-12 | ||
JPS62142352A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152470A patent/JP2558639B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60100866A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
JPS6184860A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS61199059U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-12 | ||
JPS62142352A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2558639B2 (ja) | 1996-11-27 |
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