JPS637072A - 密着形光電変換素子ユニツト - Google Patents

密着形光電変換素子ユニツト

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JPS637072A
JPS637072A JP61152470A JP15247086A JPS637072A JP S637072 A JPS637072 A JP S637072A JP 61152470 A JP61152470 A JP 61152470A JP 15247086 A JP15247086 A JP 15247086A JP S637072 A JPS637072 A JP S637072A
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JP
Japan
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photoelectric conversion
transparent
substrate
conversion element
contact type
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JP61152470A
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Yoshiteru Namoto
名本 吉輝
Hiroyuki Irie
入江 宏之
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 2 ページ′ 本発明は、原稿に書かれた文字あるいは図形などの画像
を光学的に走査し、画像情報を電気信号に変換する画像
読取装置等に使用される密着形光電変換素子ユニットに
関するものである。
従来の技術 従来透明なガラス基板上にCdS −CdS e固溶体
やアモルファスシリコンから成る半導体層を一枚の基板
上に形成して密着形光電変換素子を構成しているものが
ある。密着形光電変換素子は等倍結像レンズ(たとえば
セルフォックレンズ)を用いて原稿像を1=1で読取る
ために非常に大きなものとなる。これらを製造する場合
は一般に読取幅方向に光電変換素子を一直線上に並べた
ものを一枚の大きな基板上に複数列製作し、最後に一列
づつ分離して使用するという形をとっていた。
したがって製造コストを下げようとすると一枚の基板の
中でできるだけ多くの列を同時に製作することが要求さ
れる。また、基板100は第6図に示すように一般にソ
リδを有している。またセルフォックレンズ101は第
6図に示すように光3−・ 電変換素子102と原稿103との共役長(光路長)T
c に対してA、!:Bを光学的に同じ長さにすること
が必要で、第6図で示したようなソリδを有した基板1
00で構成した光電変換素子102を単純に取付けただ
けでは、第6図Aが光電変換素子配列方向にソリδに相
当するづれ量ΔAが発生して、第7図に示す通り解像度
が悪くなる。したがって、−枚基板の上に光電変換素子
を配列し、しかも光電変換素子配列方向と直角方向に取
付はスペースを設け、装置への取付時にソリを矯正して
取付けるため、10關前後の幅を必要としていた。
発明が解決しようとする問題点 上記した従来の構成では、基板のソリを考慮して基板の
装置への取付けを行々うため、光電変換素子配列方向と
直角方向に余裕が必要となり、光電変換素子あるいはそ
の配線パターン部分に必要な最小限の大きさにするとと
はできず、光電変換素子基板が大きくなり、コストダウ
ンを図ることが困難であった。
問題点を解決するだめの手段 着して取付けることにより、透明基板を透明基台を介し
て装置に取付ける密着形光電変換素子ユニット構成とす
るものである。
作  用 本発明は上記した構成により、光電変換素子基板は、光
電変換素子あるいはそれらへ配線パターンに必要なスペ
ースを有する最小限の大きさにすることができるもので
ある。又、製造においては一枚の基板から従来にくらべ
て多くの光電変換素子基板を製作することができ、コス
トダウンを図ることができるものである。
実施例 第11図は本発明の一実施例を示す光電変換素子ユニッ
トの光電変換素子配列方向の断面図で、1は透明基板、
2は透明基台、3は透明な接着層である。
透明基板1は透明なガラス板から成り接着層36 ベー
ン と反対側面上にCd5−CdSe固溶体から成る半導体
を第2図に示すように直線状に複数個形成して光電変換
素子1aを構成すると共に、薄膜トランジスタでシフト
レジスター部1bおよび、スイッチング回路部1Cをそ
れぞれ薄膜トランジスタで構成している。又外部から光
電変換素子1aあるいは薄膜トランジスターに電力を供
給したり、光電変換素子からの出力を取出すだめの配線
パターンと、その端部にワイヤーボンディング用のパッ
ド部1dを形成している。
透明基台2は透明で透明基板1と同種のガラス1板から
成り、接着層側面で透明基板1を接着取付部以外の一部
に第2図に示す通り、配線パターン2aを蒸着による薄
膜あるいはシルク印刷等で形成し、その−端を透明基板
1のパッド部1dとワイヤー4で接続し、他端はリード
線6とそれぞれ接続している。
接着層3は、紫外線硬化形で透明な接着材から成り、透
明基板1番透明基台2に接着して取付けている。
6 ベーン 6はシリコン樹脂で、透明基板上に形成した、薄膜トラ
ンジスタ(シフトレジスタ1b、スイッチング回路1C
)、光電変換素子1a、あるいはワイヤーボンディング
部を保護するものである。
以上のように構成した密着形光電変換素子ユニット1o
を第2図、第3図に示すように、透明基台3を、装置の
取付部20に取付部材21を用いて矯正取付けすること
により基板のソリを補正して取付けることができ、光電
変換素子配列方向の解像度低下あるいはバラツキを防止
することができる。
透明基板1と透明基台2の材質を同種のもので構成する
ことにより、湿度変化等に対して、接着層3に発生する
熱応力を最小限にすることができ、接着部でのはがれ等
が発生しないようにしている。
第4図において、101は読取装置に設けられ、セルフ
ォックレンズから成る等倍結像レンズであり、原稿10
3の像を光電変換素子1a配列面上に結像させる。原稿
からの光は透明基台2.透明な接着層3及び透明基板を
通して光電変換素子1d7′″−・ に入り、原稿像を電気信号に変換することができる。
以上のように密着形光電変換素子ユニット10を構成す
ることにより、透明基板1は光電変換素子1al薄膜ト
ランジスタ(シフトレジスタ1b。
スイッチング回路1c)、及び配線パターン等を形成す
るのに必要な最小限の大きさにすることができる。
したがって製造する場合に同一の基板の大きさで、多数
の光電変換素子基板(透明基板)を製作することができ
コストダウンを図ることができるものである。
なお本実施例においては光電変換素子をCd5−CdS
e固溶体で構成したが、アモルファスシリコン等を用い
ても良いことはいう寸でもない。
発明の効果 以上述べたように本発明によれは、光電変換素子を形成
する透明基板を最小限の太きさまで小さくすることがで
きると共に、−度に多くの透明基板(光電変換素子を形
成した)を得ることができ製造コストを下げることがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における密着形光電変換素子
ユニットの素子配列方向断面図、第2図は同密着形光電
変換素子ユニットの要部拡大平面図、第3図は同密着形
光電変換素子ユニットの装置への取付状態を示す平面図
、第4図は密着形光電変換素子ユニットの装置への取付
状態を示す素子配列方向と直角方向の断面図、第6図は
基板のソリを示す側面図、第6図は読取装置における読
取部を示す要部側面図、第7図は共役長に対する光電変
換素子のずれ量と解像度との関係を示す線図である。 1・・・・・透明基板、2・・・・透明基台、1a・・
・・・・光電変換素子、3・・・接着層、10・・・・
・密着形光電変換素子ユニット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第6図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の光電変換素子を直線上に配列して成る透明
    基板と、この透明基板を取付け保持する透明基台と、前
    記透明基板と前記透明基台とを接着する透明な接着材か
    ら成る接着層とを備えた密着形光電変換素子ユニット。
  2. (2)接着層が紫外線硬化形接着材である特許請求の範
    囲第1項記載の密着形光電変換素子ユニット。
  3. (3)透明基台が接着面側の透明基板接着部以外の一部
    に配線用のパターンを有する透明基台である特許請求の
    範囲第1項または第2項記載の密着形光電変換素子ユニ
    ット。
  4. (4)透明基板と透明基台とを同種の材料で構成した特
    許請求の範囲第1項または第2項または第3項記載の密
    着形光電変換素子ユニット。
JP61152470A 1986-06-27 1986-06-27 密着形光電変換素子ユニツト Expired - Lifetime JP2558639B2 (ja)

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JPS637072A true JPS637072A (ja) 1988-01-12
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60100866A (ja) * 1983-11-07 1985-06-04 Toshiba Corp 密着型イメ−ジセンサ
JPS6184860A (ja) * 1984-10-02 1986-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置
JPS61199059U (ja) * 1985-05-31 1986-12-12
JPS62142352A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Seiko Epson Corp 固体撮像装置

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JP2558639B2 (ja) 1996-11-27

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