JPH088414A - 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 - Google Patents
画像読取装置の駆動回路チップ接続構造Info
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- JPH088414A JPH088414A JP6162971A JP16297194A JPH088414A JP H088414 A JPH088414 A JP H088414A JP 6162971 A JP6162971 A JP 6162971A JP 16297194 A JP16297194 A JP 16297194A JP H088414 A JPH088414 A JP H088414A
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- Japan
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- circuit chip
- wiring
- sensor
- drive circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 原稿サイズに制約を受けない完全密着型の画
像読取装置を提供する。 【構成】 ガラス基板１２の読取領域Ｒにセンサ素子１
３及びカバーガラス１４を設け、この読取領域Ｒの外側
の領域にセンサ素子１３側から引き出した配線１５を、
ガラス基板１２の裏面周縁部まで基板側壁を介して延在
し、この配線１５の基板裏面の端部にＬＳＩパッケージ
１６を実装する。このような構成としたことにより、セ
ンサ面の周囲にこのセンサ面より高い構造物をなくすこ
とができ、原稿をセンサ面に完全密着させることが可能
となる。
像読取装置を提供する。 【構成】 ガラス基板１２の読取領域Ｒにセンサ素子１
３及びカバーガラス１４を設け、この読取領域Ｒの外側
の領域にセンサ素子１３側から引き出した配線１５を、
ガラス基板１２の裏面周縁部まで基板側壁を介して延在
し、この配線１５の基板裏面の端部にＬＳＩパッケージ
１６を実装する。このような構成としたことにより、セ
ンサ面の周囲にこのセンサ面より高い構造物をなくすこ
とができ、原稿をセンサ面に完全密着させることが可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、画像読取装置の駆動
回路チップ接続構造に関し、さらに詳しくは、高解像度
が得られる完全密着型フォトセンサの実装法に係るもの
である。そして、この発明は、ラインセンサや平面セン
サなど各種のフォトセンサの製造分野で利用することが
できる。
回路チップ接続構造に関し、さらに詳しくは、高解像度
が得られる完全密着型フォトセンサの実装法に係るもの
である。そして、この発明は、ラインセンサや平面セン
サなど各種のフォトセンサの製造分野で利用することが
できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の完全密着型フォトセンサ
は、出力のセンスアンプなどの駆動回路チップ、すなわ
ち出力信号増幅用ＩＣチップがセンサ面と同一平面上に
実装されていた。このようにセンサ面と同一平面上にチ
ップ等を実装する方式としては、ＴＡＢ実装やＣＯＧ実
装などがある。ＴＡＢ(tape automated bonding)実装の
場合は、フィルムキャリアにＬＳＩパッケージを実装
し、このフィルムキャリアを、読取領域の形成されたガ
ラス基板上に接続している。また、ＣＯＧ(chip onglas
s)実装の場合は、図３に示すように、ガラス基板１表面
の略中央に複数のセンサ素子２を配設させて読取領域を
形成し、その読取領域の周辺にＬＳＩパッケージ３を実
装した構成となっている。なお、同図中４は、カバーガ
ラスを示している。
は、出力のセンスアンプなどの駆動回路チップ、すなわ
ち出力信号増幅用ＩＣチップがセンサ面と同一平面上に
実装されていた。このようにセンサ面と同一平面上にチ
ップ等を実装する方式としては、ＴＡＢ実装やＣＯＧ実
装などがある。ＴＡＢ(tape automated bonding)実装の
場合は、フィルムキャリアにＬＳＩパッケージを実装
し、このフィルムキャリアを、読取領域の形成されたガ
ラス基板上に接続している。また、ＣＯＧ(chip onglas
s)実装の場合は、図３に示すように、ガラス基板１表面
の略中央に複数のセンサ素子２を配設させて読取領域を
形成し、その読取領域の周辺にＬＳＩパッケージ３を実
装した構成となっている。なお、同図中４は、カバーガ
ラスを示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たフィルムキャリアを用いた実装構造では、フィルムキ
ャリアの厚みに起因してセンサ表面よりフィルムキャリ
アの表面のほうが高くなっていた。また、ＬＳＩパッケ
ージをＣＯＧ実装した構造でも、ＬＳＩパッケージ３の
厚みによりセンサ表面よりＬＳＩパッケージ３のほうが
高くなっていた。このため、読取領域より大きな原稿
を、読み取ろうとしても、上記フィルムキャリアやＬＳ
Ｉパッケージと、センサ面との間に段差ギャップが生じ
ているため、原稿の平坦性を保つことができず、この画
像読取装置では良好な読み取りが行えないという問題が
あった。ちなみに、このような完全密着型の画像読取装
置で２００ＤＰＩ(dot per inch)の解像度を確保するた
めには、ギャップ量は１００μｍ以下程度に抑える必要
がある。この対策として、図４に示すように、従来の１
次元センサでは原稿５をローラ６に巻き付けてセンサ面
（カバーガラス面）と原稿とが線接触するようにした
り、２次元センサでは原稿の紙のサイズが実装部に及ば
ない程度の小さなものに限定するなどの方策が講じられ
ている。しかし、実際には原稿サイズのやや大きめなも
のの読み取りも必要となることがあるため、このような
場合にも高解像度の読み取りが要望されている。この発
明が解決しようとする課題は、原稿サイズの制約なしに
センサ面と原稿面とを完全密着できる画像読取装置の駆
動回路チップ接続構造を得るには、どのような手段を講
じればよいかという点にある。
たフィルムキャリアを用いた実装構造では、フィルムキ
ャリアの厚みに起因してセンサ表面よりフィルムキャリ
アの表面のほうが高くなっていた。また、ＬＳＩパッケ
ージをＣＯＧ実装した構造でも、ＬＳＩパッケージ３の
厚みによりセンサ表面よりＬＳＩパッケージ３のほうが
高くなっていた。このため、読取領域より大きな原稿
を、読み取ろうとしても、上記フィルムキャリアやＬＳ
Ｉパッケージと、センサ面との間に段差ギャップが生じ
ているため、原稿の平坦性を保つことができず、この画
像読取装置では良好な読み取りが行えないという問題が
あった。ちなみに、このような完全密着型の画像読取装
置で２００ＤＰＩ(dot per inch)の解像度を確保するた
めには、ギャップ量は１００μｍ以下程度に抑える必要
がある。この対策として、図４に示すように、従来の１
次元センサでは原稿５をローラ６に巻き付けてセンサ面
（カバーガラス面）と原稿とが線接触するようにした
り、２次元センサでは原稿の紙のサイズが実装部に及ば
ない程度の小さなものに限定するなどの方策が講じられ
ている。しかし、実際には原稿サイズのやや大きめなも
のの読み取りも必要となることがあるため、このような
場合にも高解像度の読み取りが要望されている。この発
明が解決しようとする課題は、原稿サイズの制約なしに
センサ面と原稿面とを完全密着できる画像読取装置の駆
動回路チップ接続構造を得るには、どのような手段を講
じればよいかという点にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１記載の
発明は、透明基板の表面の読取領域にセンサ素子を配設
すると共に、この基板の裏面の前記読取領域外に駆動回
路チップを実装し、該センサ素子と前記駆動回路チップ
とを配線で接続したことを、その解決手段としている。
また、請求項２記載の発明は、配線を透明基板の側壁を
介して（迂回して）接続することを特徴としている。さ
らに、請求項３記載の発明は、配線が透明基板内に設け
たスルーホールを介して接続されることを特徴としてい
る。さらにまた、請求項４記載の発明は、そのスルーホ
ール内の配線をスルーホールに充填した導電性ペースト
としたことを特徴としている。
発明は、透明基板の表面の読取領域にセンサ素子を配設
すると共に、この基板の裏面の前記読取領域外に駆動回
路チップを実装し、該センサ素子と前記駆動回路チップ
とを配線で接続したことを、その解決手段としている。
また、請求項２記載の発明は、配線を透明基板の側壁を
介して（迂回して）接続することを特徴としている。さ
らに、請求項３記載の発明は、配線が透明基板内に設け
たスルーホールを介して接続されることを特徴としてい
る。さらにまた、請求項４記載の発明は、そのスルーホ
ール内の配線をスルーホールに充填した導電性ペースト
としたことを特徴としている。
【０００５】
【作用】この発明においては、透明基板の裏面の前記読
取領域外に駆動回路チップを実装することにより、透明
基板に配設されたセンサ素子に被読取物（原稿）を密着
させることが可能となる。すなわち、センサ素子の周囲
にこのセンサ素子よりも高い段差ギャップが生じないた
め、読取領域よりも面積の大きい被読取物が段差によっ
て読取面から浮いてしまうのを回避することができる。
また、駆動回路チップを透明基板の裏面における前記読
取領域外に実装するため、駆動回路チップが、この基板
の裏面側から照射される光の障害物となることがなく、
読み取りを阻害することがない。さらに、導電性薄膜で
配線を構成し、この配線を透明基板の側壁を介して接続
することにより、被読取物が読取領域に密着するのを妨
害することなく、基板表面側の構造を簡素化することが
できる。さらにまた、配線を基板に開口したスルーホー
ルを介して接続することにより、配線の露出度を抑制す
ることができるため、配線の破損等を防止する作用があ
る。
取領域外に駆動回路チップを実装することにより、透明
基板に配設されたセンサ素子に被読取物（原稿）を密着
させることが可能となる。すなわち、センサ素子の周囲
にこのセンサ素子よりも高い段差ギャップが生じないた
め、読取領域よりも面積の大きい被読取物が段差によっ
て読取面から浮いてしまうのを回避することができる。
また、駆動回路チップを透明基板の裏面における前記読
取領域外に実装するため、駆動回路チップが、この基板
の裏面側から照射される光の障害物となることがなく、
読み取りを阻害することがない。さらに、導電性薄膜で
配線を構成し、この配線を透明基板の側壁を介して接続
することにより、被読取物が読取領域に密着するのを妨
害することなく、基板表面側の構造を簡素化することが
できる。さらにまた、配線を基板に開口したスルーホー
ルを介して接続することにより、配線の露出度を抑制す
ることができるため、配線の破損等を防止する作用があ
る。
【０００６】
【実施例】以下、この発明に係る画像読取装置の駆動回
路チップの接続構造の詳細を図面に示す各実施例に基づ
いて説明する。
路チップの接続構造の詳細を図面に示す各実施例に基づ
いて説明する。
【０００７】（実施例１）図１はこの発明の実施例１を
示す断面説明図である。同図に示すように、本実施例に
係る画像読取装置１１は、ガラス基板１２の表面の読取
領域Ｒに周知の素子形成技術にてセンサ素子１３が複数
配設され、これらセンサ素子１３の上にカバーガラス１
４が載置されている。そして、これらセンサ素子１３側
の電極からは、配線１５が、ガラス基板１２の表面及び
側壁を介してガラス基板１２の裏面まで延在されてい
る。この配線１５のガラス基板１２の裏面における端部
１５Ａは、ガラス基板１２の読取領域Ｒの外側に位置す
るように設定されている。なお、この配線１５は、例え
ばガラス基板１２に導電性材料を蒸着したり、導電性材
料を印刷するなどの方法で形成することができる。この
配線１５のガラス基板１２の裏面側の端部１５Ａには、
同図に示すように、出力増幅用のＬＳＩパッケージ１６
がそのバンプ１６Ａを介して実装されている。そして、
実装されるＬＳＩパッケージ１６は、ガラス基板１２の
読取領域Ｒの外側に位置するように設定されている。こ
のため、ＬＳＩパッケージ１６は、ガラス基板１２の裏
面側から照射される光が読取領域Ｒに入射されるのを妨
害しないようになっている。
示す断面説明図である。同図に示すように、本実施例に
係る画像読取装置１１は、ガラス基板１２の表面の読取
領域Ｒに周知の素子形成技術にてセンサ素子１３が複数
配設され、これらセンサ素子１３の上にカバーガラス１
４が載置されている。そして、これらセンサ素子１３側
の電極からは、配線１５が、ガラス基板１２の表面及び
側壁を介してガラス基板１２の裏面まで延在されてい
る。この配線１５のガラス基板１２の裏面における端部
１５Ａは、ガラス基板１２の読取領域Ｒの外側に位置す
るように設定されている。なお、この配線１５は、例え
ばガラス基板１２に導電性材料を蒸着したり、導電性材
料を印刷するなどの方法で形成することができる。この
配線１５のガラス基板１２の裏面側の端部１５Ａには、
同図に示すように、出力増幅用のＬＳＩパッケージ１６
がそのバンプ１６Ａを介して実装されている。そして、
実装されるＬＳＩパッケージ１６は、ガラス基板１２の
読取領域Ｒの外側に位置するように設定されている。こ
のため、ＬＳＩパッケージ１６は、ガラス基板１２の裏
面側から照射される光が読取領域Ｒに入射されるのを妨
害しないようになっている。
【０００８】本実施例においては、ガラス基板１２の表
面側にＬＳＩパッケージ１６が存在しないため、センサ
面よりも突出する構造物がない。このため、もし被読取
物である原稿のサイズが読取領域Ｒの幅よりも大きくて
も、この原稿がセンサ面から浮き上がることがない。こ
のため、原稿をセンサ面に密着させることができ、高解
像度の画像読取が可能となる。なお、本実施例ではカバ
ーガラス１４のサイズを読取領域Ｒとほぼ等しく設定し
たが、原稿サイズが大きくなることを勘案してさらに大
きいサイズに設定してもよい。また、本実施例では、カ
バーガラス１４を備える構成としたが、これを省略した
構成としても勿論よい。さらに、配線１５の数やＬＳＩ
パッケージ１６の数も適宜変更可能である。
面側にＬＳＩパッケージ１６が存在しないため、センサ
面よりも突出する構造物がない。このため、もし被読取
物である原稿のサイズが読取領域Ｒの幅よりも大きくて
も、この原稿がセンサ面から浮き上がることがない。こ
のため、原稿をセンサ面に密着させることができ、高解
像度の画像読取が可能となる。なお、本実施例ではカバ
ーガラス１４のサイズを読取領域Ｒとほぼ等しく設定し
たが、原稿サイズが大きくなることを勘案してさらに大
きいサイズに設定してもよい。また、本実施例では、カ
バーガラス１４を備える構成としたが、これを省略した
構成としても勿論よい。さらに、配線１５の数やＬＳＩ
パッケージ１６の数も適宜変更可能である。
【０００９】（実施例２）図２は、この発明の実施例２
を示す断面説明図である。本実施例では、センサ素子１
３側とＬＳＩパッケージ１６側とを接続する配線１５
を、ガラス基板１２に開口したスルーホール１２Ａを介
して接続した構成としたものである。図２に示すよう
に、本実施例の画像読取装置１１は、ガラス基板１２の
略中央に上記実施例１と同様なセンサ素子１３及びカバ
ーガラス１４が設けられている。そして、ガラス基板１
２の周辺部の所定の複数箇所にスルーホール１２Ａが例
えばレーザの照射などの加工技術により開口されてい
る。このスルーホール１２Ａ内には、導電性ペーストを
充填してなる配線１５が形成されている。この配線１５
のガラス基板１２の裏面側の端部のパッド１５Ｂは、裏
面実装されるＬＳＩパッケージ１６がバンプ１６Ａを介
して接続されている。なお、スルーホール１２Ａの数
は、ＬＳＩパッケージ１６とセンサ素子側とを接続する
配線１５の数だけ形成されている。また、ガラス基板１
２の表裏面には、スルーホール１２Ａ以外の配線（図示
省略する）が適宜形成されている。なお、本実施例の他
の構成は、上記した実施例１と同様である。
を示す断面説明図である。本実施例では、センサ素子１
３側とＬＳＩパッケージ１６側とを接続する配線１５
を、ガラス基板１２に開口したスルーホール１２Ａを介
して接続した構成としたものである。図２に示すよう
に、本実施例の画像読取装置１１は、ガラス基板１２の
略中央に上記実施例１と同様なセンサ素子１３及びカバ
ーガラス１４が設けられている。そして、ガラス基板１
２の周辺部の所定の複数箇所にスルーホール１２Ａが例
えばレーザの照射などの加工技術により開口されてい
る。このスルーホール１２Ａ内には、導電性ペーストを
充填してなる配線１５が形成されている。この配線１５
のガラス基板１２の裏面側の端部のパッド１５Ｂは、裏
面実装されるＬＳＩパッケージ１６がバンプ１６Ａを介
して接続されている。なお、スルーホール１２Ａの数
は、ＬＳＩパッケージ１６とセンサ素子側とを接続する
配線１５の数だけ形成されている。また、ガラス基板１
２の表裏面には、スルーホール１２Ａ以外の配線（図示
省略する）が適宜形成されている。なお、本実施例の他
の構成は、上記した実施例１と同様である。
【００１０】本実施例は、このような構成としたことに
より、配線１５が主にスルーホール１２Ａを介して接続
されるため、この画像読取装置が装着されるケーシング
等と配線とが接触することがなく、このため配線１５の
破損等を防止できる利点がある。また、本実施例でも同
様に、読取領域Ｒの周囲に突出する段差が存在しないた
め原稿のサイズが少々大きくとも原稿がセンサ面から浮
き上がることがなく、密着性の高い読み取りが可能にな
る。このため、この画像読取装置を用いれば高解像度の
読み取りを行うことができる。
より、配線１５が主にスルーホール１２Ａを介して接続
されるため、この画像読取装置が装着されるケーシング
等と配線とが接触することがなく、このため配線１５の
破損等を防止できる利点がある。また、本実施例でも同
様に、読取領域Ｒの周囲に突出する段差が存在しないた
め原稿のサイズが少々大きくとも原稿がセンサ面から浮
き上がることがなく、密着性の高い読み取りが可能にな
る。このため、この画像読取装置を用いれば高解像度の
読み取りを行うことができる。
【００１１】以上、各実施例について説明したが、この
発明は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨
に付随する各種の設計変更が可能である。たとえば、上
記各実施例においては、透明基板としてガラス基板１２
を用いたが、他の材料でなる透明基板を用いてもよい。
また、本発明は、２次元センサ以外に１次元センサにも
適用できることは言うまでもない。さらに、本発明は、
駆動回路チップとして各種の構造のＬＳＩパッケージを
用いることが可能である。
発明は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨
に付随する各種の設計変更が可能である。たとえば、上
記各実施例においては、透明基板としてガラス基板１２
を用いたが、他の材料でなる透明基板を用いてもよい。
また、本発明は、２次元センサ以外に１次元センサにも
適用できることは言うまでもない。さらに、本発明は、
駆動回路チップとして各種の構造のＬＳＩパッケージを
用いることが可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、原稿サイズに制約なくセンサ面と原稿面と
を完全密着させることのできる画像読取装置が得られる
効果を有する。また、特に請求項３及び４記載の発明に
よれば、配線の損傷を防止する効果を奏する。
明によれば、原稿サイズに制約なくセンサ面と原稿面と
を完全密着させることのできる画像読取装置が得られる
効果を有する。また、特に請求項３及び４記載の発明に
よれば、配線の損傷を防止する効果を奏する。
【図１】この発明の実施例１を示す断面説明図。
【図２】この発明の実施例２を示す断面説明図。
【図３】従来の画像読取装置の実装構造を示す断面説明
図。
図。
【図４】従来の画像読取装置（１次元センサ）の読み取
り状態を示す断面説明図。
り状態を示す断面説明図。
１１ 画像読取装置 １２ ガラス基板（透明基板） １２Ａ スルーホール １３ センサ素子 １５ 配線 １６ ＬＳＩパッケージ
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板の表面の読取領域にセンサ素子
を配設すると共に、該透明基板の裏面の前記読取領域外
に駆動回路チップを実装し、該センサ素子と前記駆動回
路チップとを配線で接続したことを特徴とする画像読取
装置の駆動回路チップ接続構造。 - 【請求項２】 前記配線は前記透明基板の側壁を介して
接続される請求項１記載の画像読取装置の駆動回路チッ
プ接続構造。 - 【請求項３】前記配線は前記透明基板内に設けたスルー
ホールを介して接続される請求項１記載の画像読取装置
の駆動回路チップ接続構造。 - 【請求項４】 前記スルーホール内の配線は該スルーホ
ールに充填された導電性ペーストである請求項３記載の
画像読取装置の駆動回路チップ接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162971A JPH088414A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162971A JPH088414A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088414A true JPH088414A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15764764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6162971A Pending JPH088414A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088414A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1589581A1 (en) * | 2003-01-08 | 2005-10-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wiring substrate and radiation detector using same |
| JP2006173220A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Kyushu Institute Of Technology | イメージセンサーチップパッケージ及びその製造方法 |
| US7211880B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and manufacturing method of same |
| US7321672B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-01-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Image reading apparatus and image reading system equipped with the image reading apparatus |
| JP2009117760A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 光透過部材及び電子回路基板 |
| US7915723B2 (en) | 2004-01-29 | 2011-03-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor array, manufacturing method thereof and image processor |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6162971A patent/JPH088414A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211880B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and manufacturing method of same |
| EP1589581A1 (en) * | 2003-01-08 | 2005-10-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wiring substrate and radiation detector using same |
| EP1589581A4 (en) * | 2003-01-08 | 2006-08-23 | Hamamatsu Photonics Kk | WIRING SUBSTRATE AND RADIATION DETECTOR USING THE SAME |
| US7326907B2 (en) | 2003-01-08 | 2008-02-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wiring substrate and radiation detector using same |
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