JP2003133654A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半導体素子と、外部接続端子に形成される外部接続面及び側面とを含む基板と、
   前記外部接続端子に一端が接続されるインナーリードと前記インナーリード上に形成されるベースフィルムとを含むフレキシブル基板と、を含む半導体装置において、
   前記ベースフィルムの一部が前記外部接続端子より薄く、当該ベースフィルムの一部は、前記側面に最も近い前記外部接続面の縁上に配置されることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置を備える撮像装置において、
   前記半導体素子と、前記外部接続端子に形成される前記外部接続面及び前記側面とを含む前記基板が光電変換基板であることを特徴とする撮像装置。
3. 複数の光電変換基板を含むことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
4. 前記フレキシブル基板は複数の光電変換基板の間に配置されることを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
5. 請求項２記載の撮像装置と、蛍光体とを備えることを特徴とする放射線撮像装置。
6. 請求項５記載の放射線撮像装置と、
   前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
   前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
   前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
   前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
7. 外部接続端子に形成される外部接続面と側面とを備える光電変換基板と、一端が前記外部接続端子に接続されるフレキシブル基板と、を備える半導体装置において、
   前記フレキシブル基板は、前記外部接続面と前記側面とに沿って配置され、前記外部接続面と前記側面の間の角が面取りされていることを特徴とする半導体装置。
8. 前記外部接続端子はバンプであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。