JP2003133654A - フレキシブル基板、半導体装置、撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 別途有機絶縁層を設けるという面倒な作業を
行うことなく、高品位、高解像度の撮像装置或いは放射
線撮像装置等を提供することを課題とする。 【解決手段】 基板１上の素子が形成されている面の端
部にあるバンプ５に一端が接続されるインナーリード４
０１と、インナーリード４０１の基板１側を覆うベース
フィルム４０２で構成されたフレキシブル基板４におい
て、ベースフィルム４０２のうち少なくとも先端はバン
プ５よりも薄くしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブル基
板、半導体装置、撮像装置、放射線撮像装置及び放射線
撮像システムに関し、特に、医療用のＸ線撮像装置や産
業用の非破壊装置などのフレキシブル基板、放射線撮像
装置及び放射線撮像システムに関する。

【０００２】なお、本明細書では、放射線の範ちゅう
に、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波も含むものと
する。

【０００３】

【従来の技術】従来、放射線撮像装置、特に医療を目的
とするＸ線撮影装置ではＸ線動画が可能で画像品位が優
れ、且つ、薄型で大面積入力範囲を有するＸ線撮像装置
が求められている。また医療用のみならず、産業用非破
壊検査機などにも薄型で安価な大面積のＸ線撮像装置が
求められている。

【０００４】このようなＸ線撮像装置としては、たとえ
ば、ファイバープレートの厚みに段差をつけてＣＣＤセ
ンサの非受光部が干渉しないように大面積化したＸ線撮
像装置などがある。

【０００５】図１４は、従来から知られているＸ線撮像
装置の概略的断面図である。

【０００６】図１４には、Ｘ線を可視光に変換するシン
チレータなどからなる蛍光体３と、蛍光体３によって変
換された可視光を撮像素子１（基板）側へ導く光ファイ
バなどのファイバープレート２と、ファイバープレート
２によって伝送された可視光を電気信号に変換する撮像
素子１とを示している。

【０００７】このＸ線撮像装置は、図示されていないが
各撮像素子１を駆動して各撮像素子１からの電気信号の
読み出しを制御する制御手段を隣接する撮像素子１間に
設けるために、ファイバープレート２が撮像素子１に対
して傾斜を設けて形成されている。

【０００８】図１５は、図１４とは別の構成のＸ線撮像
装置の従来技術の概略的斜視図である。なお、図１５に
おいて、図１４と同様の部分には、同一の符号を付して
いる。

【０００９】図１５のＸ線撮像装置では、ファイバープ
レート２の長さを変えて、たとえば３つの撮像素子１を
一組として各組毎に段差を設けることによって、各撮像
素子１に制御手段を設けられるようにしている。

【００１０】但し、蛍光体の大きさによっては周辺に位
置する撮像素子１に設けられている制御手段にはＸ線が
入射する場合があるので、これを防止するために撮像素
子の周辺には、鉛などのＸ線遮蔽部材を設ける必要があ
る。

【００１１】しかし、図１４に示すＸ線撮像装置では、
ファイバープレート２を斜めに切断する加工が困難なこ
と、加えてロット当りの取り個数が少なくなるので価格
が高くなる。また、傾斜を設けると、ファイバープレー
ト２の各ファイバで光の伝送効率が悪くなりセンサの感
度が低下する。

【００１２】さらに、図示したものは２×２ブロックの
ファイバープレート２を貼り合わせたもので、現有する
ファイバープレート２を使用すると１００×１００ｍｍ
程度の大きさが限界である。

【００１３】しかるにファイバの傾斜を変えて３×３等
にすると、各撮像素子内の画素のうち、中央に配置して
いるファイバープレートよりも、周辺に配置しているフ
ァイバープレートの方が光の透過率が劣り、各撮像素子
から出力される信号にムラが生じる。

【００１４】一方、図１５に示したＸ線撮像装置では、
Ｘ線撮像装置が大型化したり、鉛などのＸ線遮蔽部材を
備えたりすることで重量化する。また、各段差部分と撮
像素子との位置合わせ精度が厳しいため、製造工数が多
くなり、且つ高精度な位置合わせ装置が必要になる。

【００１５】図１６は、Ｘ線撮像装置の感度を低下させ
ずに、大型化、重量化、高コスト化の問題に適し、製造
工程での作業性に優れた従来技術のＸ線撮像装置の模式
的断面図である。

【００１６】図１６には、Ｘ線を可視光等の検知可能な
波長の光に変換するシンチレータとしての蛍光体（波長
変換手段）３と、蛍光体３によって変換された光を撮像
素子１側へ導くと共に蛍光体３で変換しきれなかったＸ
線を遮蔽する遮蔽材を含む複数の光ファイバからなるフ
ァイバープレート２と、隣接するファイバープレート２
を接着する接着材７と、ファイバープレート２と撮像素
子１とを接着する透明接着材６と、光を電気信号に変換
する撮像素子１と、撮像素子１からの電気信号を外部に
出力するフレキシブル基板４と、フレキシブル基板４と
撮像素子１とを電気的に接続するバンプ５と、フレキシ
ブル基板４が接続される電荷読み出し手段であるプリン
ト基板１２と、蛍光体３を保護するアルミニウムなどか
らなる保護シート８と、撮像素子１を搭載するベース基
板１０と、ベース基板１０を保持するためのベース筐体
１１と、ベース筐体１１に備えられた筐体カバー９と、
撮像素子１とファイバープレート２との間に設けられた
一定間隔を保持するためのスペーサ１３と、撮像素子１
を外気から遮断する封止樹脂１５とを示している。

【００１７】本構成で示すＸ線撮像装置は、制御回路を
各撮像素子１の画素間に配置したことで上記問題を解決
している。

【００１８】また、プリント基板１２と撮像素子１とを
電気的に接続させるために、フレキシブル基板４を曲げ
て複数の隣接する撮像素子１間を通して接続させてい
る。

【００１９】なお、図１６に示すＸ線撮像装置は、複数
のファイバープレート２が接着材７で接着されたファイ
バープレートと、複数の撮像素子１とを透明接着材６に
よって貼り合わせることによって製造する。

【００２０】或いは、図１７に示すように、撮像素子１
又はファイバープレート２の大きさなどを基準にしたＸ
線撮像装置ユニットを複数貼り合わせることによって製
造してもよい。

【００２１】図１８は、図１６の領域Ｙを拡大した模式
的断面図である。図１８において、４０１はインナーリ
ード、４０２はフィルムとしてのベースフィルム、４０
３はカバーフィルム、１０５は撮像素子１の端部とイン
ナーリード４０１とのショートの防止及び撮像素子１の
端部欠損を防止するポリイミド樹脂層などの有機絶縁層
である。フレキシブル基板４はインナーリード４０１、
ベースフィルム４０２及びカバーフィルム４０３であ
る。

【００２２】ここで、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）を
用いて、図１８に示すバンプ５とフレキシブル基板４と
の従来の接続方法について説明する。

【００２３】図１９は、図１８に示すバンプ５とフレキ
シブル基板４との接続工程を示した模式的断面図であ
る。

【００２４】はじめに、有機絶縁層１０５を２５μｍの
厚さとなるように形成する。つぎに、バンプ５とフレキ
シブル基板４との電気的接続を行うために、撮像素子１
に、スタッドバンプ方式やメッキなどによりバンプ５を
形成する。

【００２５】そして、バンプ５とインナーリード４０１
とを、たとえば超音波により金属間接合する。ここで、
フレキシブル基板の総厚は、５０μｍ程度としている。

【００２６】つぎに、撮像素子１を保持台１７，１８に
よって保持した状態で、治具１９を保持台１７，１８の
方向に或いは、保持台１７、１８を治具１９の方向に移
動させる。こうして、撮像素子１の端部に沿う様にイン
ナーリード４０１を図面下側に向けて曲げる。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、フレキシブル基板４を構成するベースフィルム４０
２が外部接続端子であるバンプ５の撮像素子１（基板）
からの厚みよりも厚く形成されているために、基板上ま
でベースフィルム４０２を配することができなかった。
従って、曲げた際にインナーリード４０１が基板に接し
てショートすることを防ぐために別途有機絶縁層１０５
を設ける必要があり面倒であった。

【００２８】また、フレキシブル基板４を曲げるうえ
で、ベースフィルム４０２とバンプ５との位置関係が良
好となるように位置合わせする必要があった。

【００２９】図２０は、ベースフィルム４０２とバンプ
５との位置関係が良好に位置合わせされて形成されたフ
レキシブル基板の模式的断面図である。

【００３０】図２１（ａ），図２１（ｂ）は、それぞれ
ベースフィルム４０２とバンプ５との位置合わせが良好
でない場合を示したフレキシブル基板４の模式的断面図
である。

【００３１】図２１（ａ）に示すように、バンプ５に対
してインナーリード４０１が所要の位置よりも基板１か
ら離れて接する場合、インナーリード４０１が基板１と
接してショートする或いは、基板１の端部で断線する恐
れがある。

【００３２】一方、図２１（ｂ）に示すように、バンプ
５に対してインナーリード４０１が所要の位置よりも基
板１側で接する場合、ベースフィルム４０２が押し上げ
られてインナーリード４０１に引っ張り力が生じて、最
悪の場合には、インナーリード４０１が断線する場合が
ある。

【００３３】また、図１６において、ファイバープレー
ト２から射出される光は拡散光であるからファイバープ
レート２と撮像素子１とのギャップが狭ければ狭いほど
光は拡散せず高品位、高解像度のセンサが実現できる。
従って、インナーリード４０１は薄ければ薄いほどよい
が、位置合わせが良好でない場合はさらに断線しやすか
った。

【００３４】そこで、本発明は、別途有機絶縁層を設け
るという面倒な作業を行うことなく、高品位、高解像度
の撮像装置或いは放射線撮像装置等を提供することを課
題とする。

【００３５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のフレキシブル基板は、外部接続端子に一端
が接続されるインナーリードと、前記インナーリードの
前記基板側を覆うベースフィルムで構成されたフレキシ
ブル基板において、 前記ベースフィルムのうち少なく
とも前記外部接続端子側の先端は前記外部接続端子より
も薄いことを特徴とする。

【００３６】また、本発明の半導体装置は、上記フレキ
シブル基板と、前記外部接続端子が形成された基板と、
を有し、前記ベースフィルムのうち少なくとも前記基板
上に配されている領域は前記外部接続端子よりも薄いこ
とを特徴とする半導体装置。

【００３７】また、本発明の半導体装置は、上記フレキ
シブル基板と、前記外部接続端子が形成された基板と、
を有し、前記基板の外部接続端子の外側の角が面取りさ
れていることを特徴とする。

【００３８】さらに、本発明の撮像装置は、上記フレキ
シブル基板と、前記外部接続端子が形成された基板とを
有し、前記基板が光電変換基板であることを特徴とす
る。

【００３９】さらにまた、本発明の撮像システムは、上
記撮像装置が複数貼り合わされていることを特徴とす
る。

【００４０】また、本発明の放射線撮像装置は、上記撮
像装置と、シンチレータとを備えることを特徴とする。

【００４１】さらに、本発明の放射線撮像システムは、
上記放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号
を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信
号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段から
の信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段
からの信号を伝送するための伝送処理手段とを具備する
ことを特徴とする。

【００４２】さらにまた、本発明の半導体装置の製造方
法は、半導体素子及び外部接続端子が同一面に形成され
た基板と、インナーリード及び前記インナーリードの前
記基板側を覆うフィルムで構成されたフレキシブル基板
とを有する半導体装置の製造方法において、前記フィル
ムの先端と前記基板とを位置合わせする工程と、前記位
置合わせをした状態で接着剤を用いて当該フィルムと前
記基板の側壁とを接着する工程と、前記フィルムと前記
基板の側面とを接着させた後に前記インナーリードを曲
げて当該インナーリードを前記外部接続端子に接続させ
る工程とを含むことを特徴とする。

【００４３】またさらに、本発明の半導体装置は、基板
と、基板上に形成された外部接続端子に一端が接続され
たフレキシブル基板と、を有する半導体装置において、
前記基板の外部接続端子の外側の角が面取りされている
ことを特徴とする。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００４５】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１のフレキシブル基板を搭載した半導体装置の模式的断
面図である。

【００４６】図１において、１は基板、４はインナーリ
ード４０１及びフィルムとしてのベースフィルム４０２
及びカバーフィルム４０３で構成されるフレキシブル基
板、５は外部接続端子としてのバンプである。

【００４７】図１のフレキシブル基板４は、基板１上に
形成されたバンプ５に一端が接続されていて、ベースフ
ィルム４０２のうち基板１上に配されるベースフィルム
４０２をバンプ５のよりも薄くしている。

【００４８】まず、図１に示すフレキシブル基板のベー
スフィルム４０２の基板１側の先端を、基板１に向かっ
て段階的に薄くする具体的な方法について説明する。

【００４９】はじめに、ベースフィルム４０２となるポ
リイミドフィルム上に銅薄膜をスパッタ法により成膜す
る。つぎに、ホトレジストをポリイミドフィルムの両面
に塗布し所望パターンを露光現像により得る。

【００５０】このとき銅箔面には電気配線パターン、非
銅箔面にはポリイミドフィルム形状パターンを形成す
る。そして、めっき法により銅を必要なパターン部のみ
にめっき形成する。

【００５１】つぎに、エッチングによりポリイミドフィ
ルムに穴を形成する。このときのエッチングを一度ハー
フエッチングの段階で止める。そして、エッチングされ
た領域のうち段差形状として残したい領域にホトレジス
トを塗布して所望パターンを露光現象によって得る。

【００５２】そして、再度ポリイミドフィルムをエッチ
ングをすることで、段差形状のベースフィルム４０２が
得られる。最後にレジストを除去し、銅のフラッシュエ
ッチングによりパターンを電気的に分離した後金めっき
でフレキシブル基板とする。

【００５３】本実施形態では、基板１上に配されるフィ
ルム領域を薄くすることで、基板１上にベースフィルム
４０２を配することが可能となった。従って図１８に示
す有機絶縁層１０５は不要となり、製造するうえでの工
程数が削減できる。

【００５４】なお、本明細書において、基板上に配する
とは必ずしも基板１とベースフィルム４０２が接してい
る必要はない。たとえば、ベースフィルム４０２が空間
或いは別の材料を介して基板上に形成されていても配す
ると表する。

【００５５】さらには、バンプ５よりもベースフィルム
４０２が薄いため、基板１の端部でベースフィルム４０
２を曲げてもインナーリード４０１は押し上げられな
い。このためインナーリード４０１は引っ張り力が生じ
ず断線しにくい。

【００５６】なお、ベースフィルム４０２は、たとえば
ポリイミドフィルムを材料としている。カバーフィルム
４０３は、たとえばウレタンやポリイミドを材料として
いる。なお、これらの材料は、上記例に限定されるもの
でなく、曲げやすい柔らかい材料であればよい。

【００５７】また、基板１は、光を信号電荷に変換する
撮像素子を有する光電変換基板であってもよい。その際
は図示されていないが垂直シフトレジスタ、水平シフト
レジスタを有し、基板の材質としてはシリコン基板或い
はアモルファスシリコン基板であって、表面は二次元に
配された複数の画素と、その上部にはシリコン酸化膜等
を利用した層間絶縁層、アルミ等を利用した金属配線、
窒化膜及び／又はポリイミド等を利用した保護層等から
構成される。なお、画素はフォトダイオード及びＭＯＳ
トランジスタ等で構成される。

【００５８】また、本発明のフレキシブル基板は基板上
に形成されたバンプ５に接続させてもよいし、或いは、
予めフレキシブル基板にバンプ５を形成した後に基板と
接続させてもよい。

【００５９】（実施形態２）図２は、本発明の実施形態
２のフレキシブル基板を搭載した半導体装置の模式的断
面図である。

【００６０】図２に示すフレキシブル基板４は、ベース
フィルム４０２が基板上に配されるフィルム領域だけで
はなくベースフィルム４０２全体がバンプ５の厚さより
も薄い点で実施形態１と異なる。

【００６１】具体的には１２μｍ程度のベースフィルム
４０２にめっき法により１８μｍ程度の厚さのインナー
リード４０１を形成している。ちなみに、カバーフィル
ムは１０μｍ程度の厚さになるように印刷法で形成して
いる。

【００６２】また、インナーリード４０１はめっき法に
よって形成することによりベースフィルム４０２とイン
ナーリード４０１間に接着材層が必要なくなりフレキシ
ブル基板そのものを薄くすることができる。

【００６３】なお、従来はめっき法を利用していなかっ
たためにベースフィルム或いはインナーリードを薄くす
ることが困難であった。

【００６４】以上説明したとおり、本実施形態のフレキ
シブル基板４によって、基板１上にベースフィルム４０
２を配することが可能となる。従って図１８に示す有機
絶縁層１０５は不要となり、製造するうえでの工程数が
削減できる。

【００６５】さらには、バンプ５よりもベースフィルム
４０２が薄いため、基板１の端部でベースフィルム４０
２を曲げてもインナーリード４０１は押し上げられな
い。このためインナーリード４０１は引っ張り力が生じ
ず断線しにくい。

【００６６】また、ベースフィルム４０２全体を薄くす
ることで、たとえば図１６に示すように隣接する複数の
基板（撮像素子１）間或いは、撮像装置間をフレキシブ
ル基板４が配する場合、隣接する基板間或いは、撮像装
置間の間隔をより狭めることが可能となり、高品位、高
解像度の撮像装置或いは放射線撮像装置が提供できる。

【００６７】また、本発明のフレキシブル基板は基板上
に形成されたバンプ５に接続させてもよいし、或いは、
予めフレキシブル基板にバンプ５を形成した後に基板と
接続させてもよい。

【００６８】（実施形態３）図３は、本発明の実施形態
３のフレキシブル基板を搭載した半導体装置の模式的断
面図である。

【００６９】図４は、本発明の実施形態３のフレキシブ
ル基板の形成方法を示した模式的断面図である。

【００７０】図４において、４１０はベースフィルム４
０２となるポリイミドフィルム、４１１は銅薄膜、４１
２はホトレジスト、４１３はパターン銅めっき、４１４
はポリイミドフィルム形状パターン、θはテーパー角で
ある。

【００７１】なお、図３，図４において、図１等に示し
た部分と同様の部分には同一符号を付している。

【００７２】図３に示すフレキシブル基板４は、ベース
フィルム４０２の基板側の先端が細くなるような傾斜形
状である。

【００７３】傾斜形状とは、たとえば図３に示されるよ
うにベースフィルム４０２の基板１側の先端が基板１側
に向かって薄く形成されたテーパー形状等である。な
お、図３には、ベースフィルム４０２の基板１側が傾斜
している様子を図示しているが、ベースフィルム４０２
のインナーリード４０１側が傾斜していてもよい。

【００７４】本実施形態においても、実施形態１及び２
と同様に、基板１上にバンプ５の厚さよりも薄いベース
フィルム４０３のフィルム領域を配することが可能とな
った。従って図１８に示す有機絶縁層１０５は不要とな
り、製造するうえでの工程数が削減できる。

【００７５】さらには、バンプ５よりもベースフィルム
４０２が薄いので基板１の端部でベースフィルム４０２
を曲げてもインナーリード４０１は押し上げられないの
で引っ張り力が生じず、インナーリード４０１は断線し
にくい。

【００７６】ここで、本実施形態のフレキシブル基板４
の形成方法の一例として、ベースフィルム４０２の基板
側の先端がテーパー形状であるフレキシブル基板を例に
説明する。

【００７７】まずベースフィルム４０２となるポリイミ
ドフィルム４１０を用意する（図４（ａ））。

【００７８】つぎに、ポリイミドフィルム４１０上に、
銅薄膜４１１をスパッタ法により成膜する（図４
（ｂ））。

【００７９】さらに、ホトレジスト４１２をポリイミド
フィルム４１０の両面一意に銅薄膜４１１を介して塗布
する（図４（ｃ））。

【００８０】こうして、所望パターンを露光現像により
得る（図４（ｄ））。

【００８１】このとき銅薄膜面には電気配線パターン、
非銅薄膜面にはポリイミドフィルム形状パターン４１４
が形成される（図４（ｅ））。

【００８２】つぎにエッチングによりポリイミドフィル
ム４１０に穴を形成する。このときサイドエッチングに
よりポリイミドフィルム４１０の断面がテーパー形状と
なるようにエッチングする（図４（ｆ））。

【００８３】そしてホトレジスト４１２及びポリイミド
フィルム形状パターン４１４を除去する（図４
（ｇ））。

【００８４】銅のフラッシュエッチングによりパターン
を電気的に分離した後に金めっきでフレキシブル基板を
完成させる（図４（ｈ））。

【００８５】以上説明したフレキシブル基板４の形成方
法は、パターニング前にポリイミドフィルム４１０に穴
を形成する方法に比べて配線パターニングが先なのでポ
リイイミドフイルム４１０が薄くてもパターンの形成が
可能である。

【００８６】また、穴加工をエッチングにて行うことで
断面がテーパー形状にできる。さらには、穴と配線パタ
ーンの位置精度が出しやすい。

【００８７】なお、テーパー角θは、バンプ５の厚さま
での傾斜形状を有しているベースフィルム４０２の領域
が長い方が、基板１の端部と傾斜形状を有するベースフ
ィルム４０２とのアライメントマージンが広がるので好
適である。

【００８８】本実施形態では、テーパー角θを約１８°
としている。バンプ５の厚さを２０μｍとすれば、バン
プ５の厚さまでの傾斜形状を有する領域は６０μｍであ
って、アライメントマージンは±３０μｍとなり特殊な
装置がなくても位置合せが可能となる。

【００８９】テーパー角θを制御する方法としては、た
とえば、ポリイミドフィルム４１０とホトレジストとし
てのポリイミドフィルム形状パターン４１４との界面に
進入するエッチング液のスピードで制御する。なお、テ
ーパー角θを制御する方法は上記方法に限定されない。

【００９０】たとえば、ポリイミドフィルム４１０とホ
トレジストの密着度合いを制御することで界面へのエッ
チング液の進入度合いを変更することテーパー角θを制
御できる。

【００９１】一例としては、ホトレジストに配合する密
着強化剤の量を変更したり、ホトレジストのベーク温度
を変更したりするなどである。たとえば、ベーク温度を
さげることにより密着力が低下するのでテーパー角θは
緩やかにできる。

【００９２】さらに、穴をあけたポリイミドフィルムに
銅薄膜を接着剤にて貼り合せていた従来のフレキシブル
基板に比べて、本実施形態の形成方法では接着剤を用い
ないので薄型化、柔軟性の面で好適である。

【００９３】また、本発明のフレキシブル基板は基板上
に形成されたバンプ５に接続させてもよいし、或いは、
予めフレキシブル基板にバンプ５を形成した後に基板と
接続させてもよい。

【００９４】（実施形態４）図５は、本発明の実施形態
４の半導体装置の模式的断面図である。

【００９５】図５に示す半導体装置は、基板１の外部接
続端子の外側の角を面取りしている。

【００９６】このようにすると、基板１の端部でベース
フィルム４０２を曲げて基板１の側面に沿ってフレキシ
ブル基板４を配しても、インナーリード４０１は押し上
げられないので引っ張り力が生じず、インナーリード４
０１が断線しにくい半導体装置となる。

【００９７】なお、本実施形態においてフレキシブル基
板４のベースフィルム４０２の厚さは、バンプ５より厚
くてもよいが、ベースフィルム４０２全体をバンプ５よ
りも薄くすることで、たとえば図１６に示すように隣接
する複数の基板（撮像素子１）間或いは、撮像装置間を
フレキシブル基板４が配する場合、隣接する基板間或い
は、撮像装置間の間隔をより狭めることが可能となり、
高品位、高解像度の撮像装置或いは放射線撮像装置が提
供できる。

【００９８】（実施形態５）図６は、本発明の実施形態
５の半導体装置の製造方法を示した模式的断面図であ
る。

【００９９】図７は、曲げたフレキシブル基板４と基板
１の側面とを接着させる工程をした模式的断面図であ
る。

【０１００】図６において４０５は接着剤としての熱紫
外線硬化型樹脂である。図７において４０６は紫外線源
である。なお、図６，図７において図１等に示した部分
と同様の部分には同一符号を付している。

【０１０１】図６は、ベースフィルム４０２のバンプ５
側の先端と基板１の光入射側とを位置合わせした状態
で、撮像素子１の側面に熱紫外線硬化型樹脂４０５によ
ってベースフィルム４０２を接続してからインナーリー
ド４０１を曲げてバンプ５に接続した様子を示してい
る。

【０１０２】具体的には、本発明の半導体装置の製造方
法は、ベースフィルム４０２のバンプ５に近い方の先端
と基板１とを位置合わせする工程と、位置合わせした状
態で熱紫外線硬化型樹脂４０５を用いてベースフィルム
４０２と基板１の側壁端部とを接着させる工程と、接着
させた後にインナーリード４０１を曲げてバンプ５に接
続させる工程とを含む。

【０１０３】こうすると、ベースフィルム４０２を予め
位置合せできているので、インナーリード４０１と基板
１とがショートすることがながなく、図１８に示す有機
絶縁層１０５は必要ない。また、インナーリード４０１
が断線することもない。

【０１０４】つぎに、基板１とベースフィルム４０２と
の接着工程について図７を用いて具体的に説明する。

【０１０５】まず基板１の裏面側から、熱紫外線硬化型
樹脂４０５をフレキシブル基板４と基板１との隙間に塗
布し、それから熱紫外線硬化型樹脂４０５に紫外線源４
０６から紫外線を照射すると共に加熱して、フレキシブ
ル基板４と基板１の側面とを接着させる。

【０１０６】なお、接着剤を紫外線照射するだけで硬化
するものにすると、フレキシブル基板４と基板１との隙
間には、紫外線が到達しにくく、未硬化接着剤が基板１
に悪影響を及ぼす可能性があることや隙間の接着剤を硬
化させるまでが面倒であるので、上記のように、硬化に
は熱紫外線効果型樹脂の接着剤を用いることが望まし
い。

【０１０７】また、接着剤としては厚みが予め決まって
いる接着剤シート等を用いてもよい。

【０１０８】（実施形態６）図８は、本発明の実施形態
６の放射線撮像装置の模式的断面図である。

【０１０９】図８に示す放射線撮像装置は、実施形態１
〜３で説明したフレキシブル基板のいずれかを搭載して
いる。

【０１１０】図８において、３は放射線としてたとえば
Ｘ線を可視光等の検知可能な波長の光に変換するシンチ
レータとしての蛍光体（波長変換手段）、１０１は光を
電気信号に変換する撮像素子１００を有する光電変換基
板、２は蛍光体３によって変換された光を撮像素子１０
０側へ導くと共に蛍光体３で変換しきれなかったＸ線を
遮蔽する遮蔽材を含む複数の光ファイバからなるファイ
バープレート、７は隣接するファイバープレート２を接
着する接着材７、６はファイバープレート２と光電変換
基板１０１とを接着する透明接着材、４は撮像素子１０
０からの電気信号を外部に出力するフレキシブル基板で
あって複数の光電変換基板１０１間を配してプリント基
板１２と電気的に接続されている。５はフレキシブル基
板４と撮像素子１００とを電気的に接続する外部接続端
子としてのバンプ、１２はフレキシブル基板４が接続さ
れる電荷読み出し手段であるプリント基板、８は蛍光体
３を保護するアルミニウムなどからなる保護シート、１
０は光電変換基板１０１を搭載するベース基板、１１は
ベース基板１０を保持するためのベース筐体、９はベー
ス筐体１１に備えられた筐体カバー、１３は光電変換基
板１０１とファイバープレート２との間に設けられた一
定間隔を保持するためのスペーサ１３、１５は光電変換
基板１０１を外気から遮断する封止樹脂である。

【０１１１】また、光電変換基板１０１とは、光を信号
電荷に変換する撮像素子１００を有する基板である。従
って、図示していないが垂直シフトレジスタ、水平シフ
トレジスタを有し、基板の材質としてはシリコン基板或
いはアモルファスシリコン基板であって、表面は二次元
に配された複数の画素と、その上部にはシリコン酸化膜
等を利用した層間絶縁層、アルミ等を利用した金属配
線、窒化膜及び／又はポリイミド等を利用した保護層等
を備えている。なお、画素はフォトダイオード及びＭＯ
Ｓトランジスタ等で構成している。

【０１１２】なお、本実施形態では放射線撮像装置につ
いて説明しているが、蛍光体３或いは蛍光体３とファイ
バープレート２がない構成の撮像装置であってもよい。

【０１１３】また、本実施形態では複数の光電変換基板
１０１を貼り合せた放射線撮像装置を示しているが光電
変換基板１０１を１つのみ有する放射線撮像装置であっ
てもよい。その際は、フレキシブル基板を曲げて形成す
ることで光の入射面積に対し小さな断面積を有する放射
線撮像装置が形成できる。

【０１１４】又は、蛍光体３或いは蛍光体３とファイバ
ープレート２がない構成であって、光電変換基板１０１
を１つ有する撮像装置であってもよい。その際は、フレ
キシブル基板を曲げて形成することで光の入射方向に対
して小型化された撮像装置が形成できる。

【０１１５】ここで、図８を用いて本発明の放射線撮像
装置としてのＸ線撮像装置の動作について説明する。蛍
光体３側に図示しないＸ線源を設置し、さらに、Ｘ線源
とＸ線撮像装置との間に被写体を位置させた状態で、Ｘ
線源からＸ線を照射すると、そのＸ線は被写体に曝射さ
れる。

【０１１６】すると、Ｘ線は被写体を透過するときに強
度差を有するレントゲン情報を含んでＸ線撮像装置側に
送られる。

【０１１７】Ｘ線撮像装置側では、到達したＸ線のほと
んどが蛍光体３において、Ｘ線の強度に応じた可視光等
の光に変換される。変換されることで得られた光は、フ
ァイバープレート２を通じて光電変換基板１０１へ伝送
される。

【０１１８】このとき、ファイバープレート２と光電変
換基板１０１とが透明接着材６によって接着されている
ため、光は透明接着材６を通過するときに減衰すること
なく撮像素子１００に入射される。

【０１１９】一方、Ｘ線撮像装置側へ到達したＸ線のう
ち、蛍光体３で変換しきれなかったＸ線や、蛍光体３へ
入射しないＸ線は、撮像素子１００で検知できる波長に
変換されないまま、撮像素子１００側へ進行する。

【０１２０】このようなＸ線は、ファイバープレート２
に含まれる遮蔽材によって遮蔽され、撮像素子１００や
プリント基板１２へ入射しない。

【０１２１】また、光は、接着材７にも入射される。接
着材７に入射した光は、吸収又は反射等されて光の透過
率が小さくなる。この光が撮像素子１００の画素上に入
射されるとライン欠陥になるが、上述したように、ファ
イバープレート２の大きさと光電変換基板１０１との大
きさを同じにして、これらを位置合わせすると接着材７
からの光が撮像素子１００の画素に影響を与えにくい構
成とすることができる。

【０１２２】撮像素子１００では、入射された光を、光
の強度に応じた電気信号に変換する。この電気信号は、
図示しない読み出し回路の指示に応じて、バンプ５を介
してフレキシブル基板４に読み出される。フレキシブル
基板４に読み出された電気信号は、図示しない外部回路
基板に送られ、Ａ／Ｄ変換された後に画像処理がされ
る。

【０１２３】ここで、図９、図１０及び図１１を用いて
本発明の放射線撮像装置の製造工程について説明する。

【０１２４】図９は、本発明の実施形態６の放射線撮像
装置の製造工程において、本発明のフレキシブル基板が
搭載された光電変換基板１０１とベース基板との接着工
程を示した模式的断面図である。

【０１２５】図１０は、本発明の実施形態６の放射線撮
像装置の製造工程において、本発明のフレキシブル基板
が搭載された光電変換基板１０１とファイバープレート
との貼り合わせ工程を示した図である。

【０１２６】図１１は、実施形態６の放射線撮像装置の
製造工程において、本発明のフレキシブル基板が搭載さ
れた光電変換基板１０１とファイバープレートとの貼り
合わせ工程を示した図である。

【０１２７】それぞれの工程について説明する。まず、
フレキシブル基板４を備えた複数の光電変換基板１０１
を、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向及びθ（回転）方向に可動するアラ
イメントヘッド及びアライメントカメラを用いて位置合
わせしながらステージ上に載置する。このとき、各光電
変換基板１０１は、ステージに形成されている孔からバ
キューム装置などで吸引されることによってステージ上
に固定される（図９（ａ））。

【０１２８】この状態で、各光撮像素子１００が所要の
動作を行うかどうかの検査を行う。この検査では、検査
治具を用いて、たとえば静電気などによって各撮像素子
１００が破壊されているかどうかなどを調べる（図９
（ｂ））。

【０１２９】そして、検査の結果、撮像素子１００に欠
陥が発見されれば、その光電変換基板１０１の下方のバ
キューム装置をオフして、アライメントヘッドを用いて
交換する（図９（ｃ））。

【０１３０】つづいて、光電変換基板１０１上に、紫外
線硬化型又はシリコン樹脂などの接着材を塗布する（図
９（ｄ））。

【０１３１】そして、ベース基板１０に設けられた長孔
にフレキシブル基板４を挿入し、それから光電変換基板
１０１とベース基板１０とを密着させた後に紫外線を照
射及び／又は加圧することによって接着させる（図９
（ｅ））。

【０１３２】なお、図９（ｅ）に示すように、ファイバ
ープレート２の大きさと光電変換基板１０１との大きさ
を同じにして、これらを位置合わせするとよい。また、
ここでは、ベース基板１０には、光電変換１０１との間
における熱膨張率などを考量して、ガラス又はパーマア
ロイ（鉄＋ニッケル）合金を用いている。

【０１３３】そして、光電変換基板１０１とベース基板
１０とを接着した後に、バキューム装置をオフにして、
ステージなどの治具から光電変換基板１０１及びベース
基板１０を取り外す（図９（ｆ））。

【０１３４】つぎに図１０（ａ）から図１０（ｄ）を用
いて、光電変換基板とファイバープレートとの貼り合わ
せ工程ついて説明する。まずベース基板１０と接着した
各光電変換基板１０１上に、各光電変換基板１０１とフ
ァイバープレート２との間隔を保持できるように、スペ
ーサ１３を配置する（図１０（ａ））。

【０１３５】なお、スペーサ１３は球でも円柱形状でも
よい。つぎに、シール材及び目地うめ接着材を、基板１
上に塗布する（図１０（ｂ））。

【０１３６】目地うめ接着材は光電変換基板１０１間の
隙間を埋めるるために充填されるものである。シール材
は、図１０（ｂ）に示すように一部が開口されており、
後述するように、ここから真空注入の方式を用いて透明
接着材６を充填する。注入する際、真空リークの原因と
ならぬように目地うめ接着材を光電変換基板１０１間の
隙間に充填している。それから、スペーサ１３上に、フ
ァイバープレート２を貼り合わせる（図１０（ｃ））。

【０１３７】さらにファイバープレート２を相互に接着
する接着材７が、各光電変換基板１０１間の隙間若しく
は各画素間の直上に配置されるように行うとより好まし
い。加圧、加熱プレスにより光電変換基板１０１とファ
イバープレートの間隔を均一にし、シール材を硬化させ
る。そして、真空チャンバー内で、ファイバープレート
と各光電変換基板１０１との隙間を真空状態にしたとこ
ろで、透明接着材６を溜めたボートに開口部分をつけ真
空状態を大気圧に戻すことで、透明接着材６が隙間に充
填される。その後、開口部分を封止する（図１０
（ｄ））。

【０１３８】それから、ファイバープレート２とベース
基板１０との間に封止樹脂１５を塗布して、光電変換基
板１０１を外気と遮断できるようにしている。

【０１３９】さらに、たとえばシート上の蛍光体３をフ
ァイバープレート２上に貼りつけることによって、Ｘ線
撮像装置が形成される。

【０１４０】なお、蛍光体３はファイバープレート上に
蒸着する手法や粉末状の蛍光体を結合材に混合させて塗
布することによって設けることもできるが、この場合、
図１０（ｃ）を用いて説明した工程の前に、ファイバー
プレート上に蛍光体３を設けておく。

【０１４１】また、複数のＸ線撮像ユニットからＸ線撮
像装置を製造する場合について図１１（ａ）〜図１１
（ｄ）に示すような工程によって光電変換基板１０１及
びベース基板１０とファイバープレートとを貼り合わせ
ればよい。

【０１４２】すなわち、ファイバープレート２を、光電
変換基板１０１の面積に合わせて研磨し、且つ光入出射
面も両面研磨して平坦化する。そして、ベース基板１０
と接着した各光電変換基板１０１上に、各光電変換基板
１０１とファイバープレート２との間隔を保持できるよ
うに、球や円柱形状などのスペーサ１３を配置する（図
１１（ａ））。

【０１４３】つぎに、シール材１４を、光電変換基板１
０１上に塗布する（図１１（ｂ））。

【０１４４】シール材は、図１１（ｂ）に示すように一
部が開口されており、後述するように、ここから真空注
入の方式を用いて透明接着材６を充填する。注入する
際、真空リークの原因とならぬように目地うめ接着材を
光電変換基板１０１間の隙間に充填している。ファイバ
ープレート２をスペーサ１３上に、位置決めした後にフ
ァイバープレート２と光電変換基板１０１を互いに加
圧、加熱して貼り合わせる（図１１（ｃ））。

【０１４５】そして、真空チャンバー内で、各ファイバ
ープレート２と各光電変換基板１０１との隙間を真空状
態にしたところで、透明接着材６を溜めたボートに開口
部分をつけ真空状態を大気圧に戻すことで、透明接着材
６が隙間に充填される。その後、開口部分を封止する
（図１１（ｄ））。

【０１４６】また、ファイバープレート２の光入射面側
にある蛍光体３は蒸着、塗布、又は印刷により形成さ
れ、その工程はファイバープレート２の研磨後或いは光
電変換基板１０１との貼り合わせ後のいずれかで行う。

【０１４７】（実施形態７）図１２は、実施形態６で説
明した放射線撮像装置を備えた非破壊検査システムの構
成を示す概念図である。図１２には、実施形態１で説明
したＸ線撮像装置１０００と、たとえば電気機器に組み
込まれる非破壊検査対象物である被写体２０００と、被
写体２０００にＸ線を照射するマイクロフォーカスＸ線
発生器３０００と、Ｘ線撮像装置１０００から出力され
る信号を処理する画像処理装置６０００と、画像処理装
置６０００によって処理された画像を表示するモニタ４
０００と、画像処理装置６０００及びモニタ４０００を
操作するコントローラ５０００とを示している。

【０１４８】図１２に示す非破壊検査システムは、マイ
クロフォーカスＸ線発生器３０００によって発生された
Ｘ線を、非破壊検査を行いたい被写体２０００に照射す
ると、被写体２０００の内部における破壊の有無の情報
が、Ｘ線撮像装置１０００を通じて画像処理装置６００
０に出力される。画像処理装置６０００では、出力され
た信号を、前述している各撮像素子１の周辺画素間の画
像信号を処理したり、ダーク補正などを施して、モニタ
４０００に画像として表示する。

【０１４９】モニタ４０００に表示されている画像は、
コントローラ５０００によって指示を入力することで、
たとえば拡大又は縮小したり、濃淡の制御等を行うこと
ができる。こうして、モニタ４０００に表示された画像
を通じて、被写体２０００の内部における破壊の有無を
検査する。そして、被写体２０００に破壊が発見されな
ければ、それを良品とみなして電気機器に組み込む。一
方、被写体２０００に破壊が発見されれば、それを不良
品とみなして製造工程から除外する。

【０１５０】（実施形態８）図１３は、本発明のＸ線撮
像装置を備えたＸ線診断システムの構成を示す概念図で
ある。図１３には、Ｘ線撮像装置１０００を備えたベッ
ドと、被写体２０００にＸ線を照射するためのＸ線発生
装置７０００と、Ｘ線撮像装置１０００から出力される
画像信号の処理及びＸ線発生装置７０００からのＸ線の
照射時期等を制御するイメージプロセッサー８０００
と、イメージプロセッサー８０００によって処理された
画像信号を表示するモニタ４０００とを示している。な
お、図１３において、図１２で示した部分と同様の部分
には、同一の符号を付している。

【０１５１】図１３に示すＸ線診断システムは、Ｘ線発
生装置７０００は、イメージプロセッサー８０００から
の指示に基づいてＸ線を発生させ、このＸ線をベッド上
の被写体２０００に照射すると、被写体２０００のレン
トゲン情報がＸ線撮像装置１０００を通じてイメージプ
ロセッサー８０００に出力される。イメージプロセッサ
ー８０００では、出力された信号を、前述している各撮
像素子１の周辺画素間の画像信号を処理したり、ダーク
補正などを施して、図示しないメモリに格納したり、モ
ニタ４０００に画像として表示する。

【０１５２】モニタ４０００に表示されている画像は、
イメージプロセッサー８０００によって指示を入力する
ことで、たとえば拡大又は縮小したり、濃淡の制御等を
行うことができる。こうして、モニタ４０００に表示さ
れた画像を通じて、医師が被写体２０００を診察する。

【０１５３】また、医師が診察した後の被写体２０００
のレントゲン情報は、本システムの記録手段を設けて、
ディスク状の記録媒体などに記録するようにしてもよ
い。

【０１５４】なお、以上説明した本発明の各実施形態で
は、Ｘ線を用いた場合を例に説明したが、α，β，γ線
等の放射線を用いることができる。また、光は画素によ
り検出可能な波長領域の電磁波であり、可視光を含む。
さらに、たとえば放射線を含む電磁波を電気信号に変換
する電磁波電気信号変換装置にも適用することができ
る。

【０１５５】さらに、各実施形態では光電変換装置等を
例に説明したが、たとえば表示素子基板を複数平面的に
貼り合わせるような大画面の表示装置にも同様に適用す
ることができる。

【０１５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
別途有機絶縁層を設けるという面倒な作業を行うことな
く、高品位、高解像度の撮像装置或いは放射線撮像装置
等を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１のフレキシブル基板を搭載
した半導体装置の模式的断面図である。

【図２】本発明の実施形態２のフレキシブル基板を搭載
した半導体装置の模式的断面図である。

【図３】本発明の実施形態３のフレキシブル基板を搭載
した半導体装置の模式的断面図である。

【図４】本発明の実施形態３のフレキシブル基板の形成
方法を示した模式的断面図である。

【図５】本発明の実施形態４の半導体装置の模式的断面
図である。

【図６】本発明の実施形態５の半導体装置の製造方法を
示した模式的断面図である。

【図７】フレキシブル基板と基板の側面とを接着させる
工程を示した模式的断面図である。

【図８】本発明の実施形態６として、実施形態１、２及
び３で示した本発明のフレキシブル基板を搭載した放射
線撮像装置の模式的断面図である。

【図９】本発明の実施形態６の放射線撮像装置の製造工
程において、本発明のフレキシブル基板が搭載された基
板とベース基板との接着工程を示した模式的断面図であ
る。

【図１０】本発明の実施形態６の放射線撮像装置の製造
工程において、本発明のフレキシブル基板が搭載された
基板とファイバープレートとの貼り合わせ工程を示した
図である。

【図１１】本発明の実施形態６の放射線撮像装置の製造
工程において、本発明のフレキシブル基板が搭載された
光電変換基板１０１とファイバープレートとの貼り合わ
せ工程を示した図である。

【図１２】本発明の実施形態６で説明した放射線撮像装
置を備えた非破壊検査システムの構成を示す概念図であ
る。

【図１３】本発明のＸ線撮像装置を備えたＸ線診断シス
テムの構成を示す概念図である。

【図１４】従来から知られているＸ線撮像装置の概略的
断面図である。

【図１５】別の構成のＸ線撮像装置の従来技術の概略的
斜視図である。

【図１６】図１４及び図１５のＸ線撮像装置の問題を解
決した従来技術のＸ線撮像装置の模式的断面図である。

【図１７】撮像素子１又はファイバープレート２の大き
さなどを基準にしたＸ線撮像装置ユニットの模式的断面
図である。

【図１８】図１６の領域Ｙを拡大した模式的断面図であ
る。

【図１９】図１８に示すバンプとフレキシブル基板との
接続工程を示した模式的断面図である。

【図２０】ベースフィルムとバンプとの位置関係が良好
となるように位置合わせされて形成されたフレキシブル
基板の模式的断面図である。

【図２１】ベースフィルムとバンプとの位置合わせが良
好でない場合を示したフレキシブル基板の模式的断面図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ ファイバープレート ３ 蛍光体（波長変換手段） ４ フレキシブル基板 ５ バンプ ６ 透明接着材 ７ 接着材 ８ 保護シート ９ 筐体カバー １０ ベース基板 １１ ベース筐体 １２ プリント基板 １３ スペーサ １４ シール材 １５ 封止樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ Ｋ (72)発明者 佐藤 浩司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 JJ33 JJ37 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 CB11 FA06 GA09 GA10 HA24 HA27 HA31 5C024 AX12 AX16 CY47 EX25 5E338 AA01 AA12 AA16 BB51 BB63 EE24 EE32 5F044 MM06 MM50 NN01

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部接続端子に一端が接続されるインナ
   ーリードと、前記インナーリードの前記基板側を覆うベ
   ースフィルムで構成されたフレキシブル基板において、 前記ベースフィルムのうち少なくとも前記外部接続端子
   側の先端は前記外部接続端子よりも薄いことを特徴とす
   るフレキシブル基板。
2. 【請求項２】 前記ベースフィルム全体は前記外部接続
   端子よりも薄いことを特徴とする請求項１記載のフレキ
   シブル基板。
3. 【請求項３】 前記ベースフィルムの先端は傾斜形状で
   あることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基
   板。
4. 【請求項４】 前記ベースフィルムの先端は段差形状で
   あることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基
   板。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項記載のフ
   レキシブル基板と、前記外部接続端子が形成された基板
   と、を有し、前記ベースフィルムのうち少なくとも前記
   基板上に配されている領域は前記外部接続端子よりも薄
   いことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 前記基板の外部接続端子の外側の角が面
   取りされていることを特徴とする請求項５記載の半導体
   装置。
7. 【請求項７】 前記外部接続端子はバンプであることを
   特徴する請求項５又は６記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 請求項５記載の半導体装置において、前
   記基板は光電変換基板であることを特徴とする撮像装
   置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の撮像装置が複数貼り合わ
   され、前記フレキシブル基板が前記複数の撮像装置間に
   配されていることを特徴とする撮像装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の撮像装置と、シンチレ
    ータとを備えることを特徴とする放射線撮像装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
    と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録
    手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための
    表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するた
    めの伝送処理手段とを具備することを特徴とする放射線
    撮像システム。
12. 【請求項１２】 半導体素子及び外部接続端子が同一面
    に形成された基板と、インナーリード及び前記インナー
    リードの前記基板側を覆うフィルムで構成されたフレキ
    シブル基板とを有する半導体装置の製造方法において、 前記フィルムの先端と前記基板とを位置合わせする工程
    と、 前記位置合わせをした状態で接着剤を用いて当該フィル
    ムと前記基板の側壁とを接着する工程と、 前記フィルムと前記基板の側面とを接着させた後に前記
    インナーリードを曲げて当該インナーリードを前記外部
    接続端子に接続させる工程とを含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記接着剤は紫外線照射及び／又は加
    熱によって硬化する接着剤であることを特徴とする請求
    項１２記載の半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 基板と、基板上に形成された外部接続
    端子に一端が接続されたフレキシブル基板と、を有する
    半導体装置において、 前記基板の外部接続端子の外側の角が面取りされている
    ことを特徴とする半導体装置。