JPH0625018Y2

JPH0625018Y2 - 密着型イメージセンサ

Info

Publication number: JPH0625018Y2
Application number: JP1988095087U
Authority: JP
Inventors: 善作渡辺; 仁千代間; 国明木田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-07-20
Filing date: 1988-07-20
Publication date: 1994-06-29
Anticipated expiration: 1999-06-19
Also published as: JPH0163148U

Description

【考案の詳細な説明】〔考案の目的〕（産業上の利用分野）本考案は、例えばファクシミリ等に用いられ、原稿など
の画像上方を時系列の電気信号に変換するイメージセン
サに係り、特に、一次元に配列された光電変換素子と、
この光電変換素子を駆動する回路とを同一基板に備え、
原稿を近接させて用いる密着型イメージセンサに関す
る。

（従来の技術）近年、ファクシミリなどに用いられる画像読み取り装置
を小型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛
んである。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所
望の解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接さ
せて画像情報を読み取るイメージセンサである。

通常、密着型イメージセンサは、同一基板上に光電変換
素子を設け、さらにこの光電変換素子を駆動する駆動回
路を設けて構成される。しかしながら、同一基板上に、
光電変換素子を形成し、続いて駆動素子の実装・配線と
順を追って進めることは、光電変換素子が駆動素子の実
装・配線時に基板上に既にあるため実装部の修復が困難
となるなど、歩留りの低下を招いている。この歩留りの
低下を防止した密着型イメージセンサが、特願昭58-208
586号に開示されている。この密着型イメージセンサ
は、光電変換素子を形成する基板と、光電変換素子の駆
動回路を実装・配線する基板とを分割し、光電変換素子
を形成する基板に透光性基板を用い、薄膜で電極および
光電変換素子を形成し、駆動回路を形成する基板をセラ
ミック基板を用いて厚膜スクリーン印刷法によって駆動
素子の配線を形成し、両基板をそれぞれの工程が完了し
た後、黒色の接着剤を用いて裏打ち基板に接着すること
を特徴としたものである。

しかしながら、近年、小型の基板上に高密な配線をし、
密着型イメージセンサを小型化する方向に技術の潮流が
ある。この為、駆動回路部も微細な配線がなされるよう
になり、特願昭58-20856号に示した密着型イメージセン
サの如く駆動回路部を厚膜で形成することは、微細な配
線を行なうことを困難とし、密着型イメージセンサが大
型化する危険がある。

（考案が解決しようとする課題）本考案は上記の事情に鑑みてなされたもので、光検出素
子を形成する基板と、光検出素子の駆動回路を実装・配
線する基板とを分割して設けることにより、歩留りを向
上させ得、かつ廉価にし得る密着型イメージセンサを提
供することを目的とする。

〔考案の構成〕

（課題を解決するための手段）上述の課題を解決するために、本考案の密着型イメージ
センサは、光電変換素子からなるセンサ基体と、この光
電変換素子を駆動する駆動回路からなる駆動基体とに分
割し、この駆動基体上にセンサ基体を配置し、且つこの
センサ基体の共通電極とこの駆動基体の共通電極および
このセンサ基体の個別電極とこの駆動基体の個別電極
は、ボンディングワイヤを介して電気的に接続され、更
にこのボンディングワイヤは、保護部材例えばエンキャ
ップ材により保護されていることを特徴とする。

（作用）上述の手段により、本考案の密着型イメージセンサは、
センサ基体と駆動基体とが分割されているため、駆動回
路等を容易に高密度化することができる。

（実施例）以下、本考案の実施例を説明する前に、図面を参照して
本考案の参考例を詳細に説明する。

第３図及び第４図において、裏打ち基板(7)上には第１
のセラミック基体例えばセラミック基板(1)および第２
のセラミック基体例えばセラミック基板(8)がシリコー
ン樹脂系の接着部材(9)により接着される。この第１の
セラミック基板(1)上には共通電極(2)および個別電極
(5)が形成され、この個別電極(5)上にはＰＩＮ接合の光
電変換素子が薄膜で形成され、さらに、この光電変換素
子(3)および共通電極(2)上には透光性共通電極(4)が形
成される。このようにして、第１のセラミック基板(5)
上にセンサ基板が構成される。一方、第２のセラミック
基板(8)上には光電変換素子(3)を駆動する駆動用ＩＣ
(6)およびこの駆動用ＩＣ(6)にワイヤボンディングされ
た個別電極(501)および共通電極(201)よりなる光電変換
素子駆動回路が薄膜で形成される。このようにして、第
２のセラミック基板(8)上には駆動基板が形成される。
第１のセラミック基板(1)上の共通電極(2)および個別電
極(5)と、第２のセラミック基板(8)上の共通電極(201)
および個別電極(501)とはそれぞれ対応してワイヤボン
ディングされる。

第３図および第４図に示した密着型イメージセンサは、
センサ基板と駆動基板とを別々に形成し、接続するので
歩留りが向上し、密着型イメージセンサ価格の低減が図
れる。さらに、光電変換素子(3)からなる画素が１mm当
たり８個，12個、および16個となる高解像度用の密着型
イメージセンサにおいては、センサ基板上の画素が高密
度化となることに伴い、駆動基板上の駆動回路も高密度
化となる。したがって駆動回路も薄膜で形成することに
より小型の駆動基板にて、高密度配線が可能となる。ま
た、センサ基板、駆動基板とを別々に製作することによ
り、その薄膜工程での半製品の流品は必要最小限の形状
で行なわれるため、その生産性は大幅に向上する。その
上、合体時には、センサ基板，駆動基板の良品のみが用
いられ、その基板間の結線に自由度及び信頼性が高いワ
イヤボンディングを採用することもにより、製品性能の
安定したものが得られる効果もある。これ以外に、ワイ
ヤボンディング時にワイヤボンディングの結線ミスをし
たものは修繕することにより良品化でき、製品の歩留り
をなくし良品を高水準にて生産することができる副次的
効果もある。なお、第１のセラミック基板(1)のかわり
に、裏面に粗面状にしたガラス基板等を用い、接着部材
(9)に黒色接着剤を用いれば、黒色接着剤と裏面の乱反
射処理のため、ガラス基板を使用してもガラス基板裏面
の反射の影響を受けず原稿からの画像情報を精度よく読
みとることができる利点がある。

次に第５図を参照して本考案の他の参考例を説明する。

第５図において、密着型イメージセンサは、センサ基板
(100)と駆動基板(103)とを裏打ち基板(108)に接着部材
を介して構成されている。センサ基板(100)は、第１の
セラミック基板上に薄膜技術により光電変換素子（図示
せず）を高密度で直線状（図の表面から裏面への方向）
にセンサ部薄膜導体(101)の略中央位置に配置して構成
されている。このセンサ部薄膜導体(101)および光電変
換素子（図示せず）上には、透明な接着部材（図示せ
ず）を介して光透過用ガラス板(102)が機械的保護を目
的として配置されている。第２のセラミック基板上に薄
膜技術により駆動回路を形成して、駆動基板(103)は構
成されている。この駆動回路上には、樹脂ペースト（図
示せず）を介して駆動用ＩＣ(104)がマウントされてい
る。駆動回路と駆動用ＩＣ(104)の入出力ボンディング
パッドとは、ボンディングワイヤ(105)により電気的に
接続している。また、(106)はボンディングワイヤ(105)
の保護部材例えば保護用エンキャップ材であり、(107)
は集積回路(104)、ボンディングワイヤ(105)、及び配線
パターンを外部から機械的保護をするための保護カバー
であり、絶縁ペースト（図示せず）を介して駆動基板(1
03)に載置固定される。なお、配線パターン部、駆動回
路(104)載置部、ボンディングパット部、及び外部回路
（図示せず）との入出力部分を除き高温ポリイミド樹脂
等によりパッシベーションを施している。また、センサ
基板(100)と駆動基板(103)とは、ボンディングワイヤ(1
09)により行われている。このボンディングワイヤ(109)
は、エンキャップ材(110)により保護されている。

第５図に示す密着型イメージセンサは、ボンディングワ
イヤ(10)をエンキャップ材(110)により保護しているの
で、第３図及び第４図に示した密着型イメージセンサよ
りも信頼性が向上する。

次に第１図を参照して本考案の実施例を説明する。第１
図において、駆動基板(103)上にセンサ基板(100)を接着
部材（図示せず）を介して接着固定したものである。第
１図に示した密着型イメージセンサは、基板を小型化す
ることと、センサ基板(100)を原稿面（図示せず）に距
離的に近づけることに有効である。なお、保護カバー(1
07)は合体後に接着取付ければ良く、エンキャップ材(10
6),(110)まで保護カバー(107)が延在しているのは集積
回路の光ノイズ防止のためである。

さらに、第２図を参照して本考案の密着型イメージセン
サの回路図を説明する。

第２図において、(301)はガラス基板等の高抵抗基板上
に薄膜技術によって一例に高密度に並べた複数の光電変
換素子で、(302)は光電変換素子(301)からの光電変換信
号に応答し、信号処理回路等からなる光電変換素子駆動
用集積回路、(303)は光電変換素子(301)の一端(310)を
共通接続した共通電極(304)は光電変換素子(301)を集積
回路(302)を通じて選択的に通電し読取をするための入
力信号詳である。またこの光電変換素子(301)のもう一
端(311)は選択的に出力される集積回路(302)の出力端子
(321)に対応するように接続される。(305)は集積回路(3
02)の出力信号用端子、(306)は集積回路(302)への電源
である。このようにして紙幣鑑別装置の読取は所望の光
電変換素子(301)は選択的に通電させ行なわれる。な
お、(331)は光である。

〔考案の効果〕

本考案の密着型イメージセンサは、光電変換素子を配置
したセンサ基体と、この光電変換素子を駆動する駆動回
路からなる駆動基体とに分割し、この駆動基体上にセン
サ基体を配置したことを特徴とする。したがって、駆動
回路等を簡易に高密度化するこが可能となる。また、こ
れにより密着型イメージセンサが小型化することもでき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の密着型イメージセンサの実施例を示す
断面図、第２図は本考案の密着型イメージセンサの回路
を示す模式図、第３図は本考案の密着型イメージセンサ
の参考例を示す一部切欠斜視図、第４図は第３図の一部
切欠断面図、第５図は本考案の密着型イメージセンサの
他の参考例を示す断面図である。 (1)……第１のセラミック基板 (2),(201),(304)……共通電極 (3),(301)……光電変換素子 (4)……透光性共通電極 (5),(501)……個別電極 (6)……駆動用ＩＣ (7),(108)……裏打ち基板 (8)……第２のセラミック基板 (106),(110)……エンキャップ材（保護部材）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者木田国明神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東芝堀川町工場内 (56)参考文献特開昭57−97776（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−13913（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−19803（ＪＰ，Ａ) 特開昭52−93285（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−141767（ＪＰ，Ａ) 実開昭55−79558（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】主材料がガラスからなる第１の高抵抗基板
上に薄膜により形成された共通電極，個別電極および光
電変換素子よりなるセンサ基板と、第２の高抵抗基板上に形成された共通電極，個別電極お
よび駆動回路よりなる駆動基板とを備え、前記駆動基板上に前記センサ基板が配置され、且つ前記センサ基板の共通電極と前記駆動基板の共通電
極および前記センサ基板の個別電極と前記駆動基板の個
別電極は、ボンディングワイヤを介して電気的に接続さ
れ、更に前記ボンディングワイヤは、保護部材により保護さ
れていることを特徴とする密着型イメージセンサ。