JPH03142880A - 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット - Google Patents
半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニットInfo
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- JPH03142880A JPH03142880A JP1280926A JP28092689A JPH03142880A JP H03142880 A JPH03142880 A JP H03142880A JP 1280926 A JP1280926 A JP 1280926A JP 28092689 A JP28092689 A JP 28092689A JP H03142880 A JPH03142880 A JP H03142880A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 abstract description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置およびそれを用いたイメージセン
サ、イメージセンサユニットに関するものである。
サ、イメージセンサユニットに関するものである。
従来の技術
従来、半導体装置は、第３図ａ、ｂに示すように、回路
導体層２を形成した基板ｌ上に、半導体３を導電性接着
剤４により固定し、半導体３の電極と回路導体層２とを
ワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金属細
線５で接続し、さらに、その上からモールド樹脂６によ
って封止する構造をとっていた。
導体層２を形成した基板ｌ上に、半導体３を導電性接着
剤４により固定し、半導体３の電極と回路導体層２とを
ワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金属細
線５で接続し、さらに、その上からモールド樹脂６によ
って封止する構造をとっていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、この様な半導体装置では、金属細線５を
用いるので、その配線作業が複雑で時間を要し、しかも
電極間の小ピツチ化への対応が困難であった。
用いるので、その配線作業が複雑で時間を要し、しかも
電極間の小ピツチ化への対応が困難であった。
また、基板についても、アルミナ基板等の高価で単体−
佃ずつを取り扱わなければならないという欠点があった
。
佃ずつを取り扱わなければならないという欠点があった
。
そこで本発明は金属細線による配線作業を廃止し、又、
基板をフィルムに変更することにより、その作業性を高
めるとともに、低コスト化を実現し、さらに小ピツチ化
への対応も図りやすいものを提供することを目的とする
ものである。
基板をフィルムに変更することにより、その作業性を高
めるとともに、低コスト化を実現し、さらに小ピツチ化
への対応も図りやすいものを提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、表面上に回路導
体層を形成したフィルム基板の表面上に、半導体の電極
が回路導体層に当接する様に、半導体を光硬化型絶縁樹
脂を介してフェイスダウンで直接実装するものである。
体層を形成したフィルム基板の表面上に、半導体の電極
が回路導体層に当接する様に、半導体を光硬化型絶縁樹
脂を介してフェイスダウンで直接実装するものである。
作用
上記本発明によれば、半導体の電極を直接フィルム基板
上の回路導体層に実装するため、実装作業が筒編化され
、低コスト化を実現できると共に、半導体の小ピッチ化
、高密度実装化への対応が可能なものとなる。
上の回路導体層に実装するため、実装作業が筒編化され
、低コスト化を実現できると共に、半導体の小ピッチ化
、高密度実装化への対応が可能なものとなる。
実施例
以下、本発明の第１の実施例を図面を用いて説明する。
第１図ａ、ｂは、本発明の第１の実施例におけるイメー
ジセンサを示したものである。
ジセンサを示したものである。
１１は透明フィルム基板、１２は透明フィルム基板の表
面上に形成された回路導体層、１３は半導体として用い
たイメージセンサチップ、１４は半導体イメージセンサ
チップ１３に設けられている受光素子、１５は半導体イ
メージセンサチップ１３に設けられている電極、１６は
半導体イメージセンサチップ１３を、透明フィルム基板
１１へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂、１７は半
導体イメージセンサチップ１３を保護するための保ＭＦ
）ＩＩである。
面上に形成された回路導体層、１３は半導体として用い
たイメージセンサチップ、１４は半導体イメージセンサ
チップ１３に設けられている受光素子、１５は半導体イ
メージセンサチップ１３に設けられている電極、１６は
半導体イメージセンサチップ１３を、透明フィルム基板
１１へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂、１７は半
導体イメージセンサチップ１３を保護するための保ＭＦ
）ＩＩである。
以上のように構成されるイメージセンサの製造方法を以
下に説明する。
下に説明する。
先ず半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウェ
ハ）上に、フォトトランジスタ又はフォトダイオード等
の受光素子１４とＣＣＤやＭＯＳ。
ハ）上に、フォトトランジスタ又はフォトダイオード等
の受光素子１４とＣＣＤやＭＯＳ。
バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設けた
ものを作る。各電極１５については、２層アルミニウム
配線のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μ
ｍ程度ウェハ表面より突出した構造になっている。その
後このウェハを高ｍｔダイシング技術により切断し、半
導体イメージセンサチップ１３を作る。次にポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
エチレンサルファイド等の透明フィルム基板ｌｌ上に、
銅等の金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、のちにフォトリソグラフィー法によって回路導
体層１２を形成する。この透明フィルム基板１１の所定
の位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１６
をスタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量を塗布
し、その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１
５が所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダ
ウンで配置する。その後、この半導体イメージセンサチ
ップ１３に上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶
縁樹脂１６に透明フィルム基板１１を通して紫外線照射
をして硬化させ、実装を完了する。さらにその上からシ
リコーン等の樹脂をデイスペンサー等で塗布し、保護膜
１７を形成する。
ものを作る。各電極１５については、２層アルミニウム
配線のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μ
ｍ程度ウェハ表面より突出した構造になっている。その
後このウェハを高ｍｔダイシング技術により切断し、半
導体イメージセンサチップ１３を作る。次にポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
エチレンサルファイド等の透明フィルム基板ｌｌ上に、
銅等の金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、のちにフォトリソグラフィー法によって回路導
体層１２を形成する。この透明フィルム基板１１の所定
の位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１６
をスタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量を塗布
し、その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１
５が所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダ
ウンで配置する。その後、この半導体イメージセンサチ
ップ１３に上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶
縁樹脂１６に透明フィルム基板１１を通して紫外線照射
をして硬化させ、実装を完了する。さらにその上からシ
リコーン等の樹脂をデイスペンサー等で塗布し、保護膜
１７を形成する。
このイメージセンサについては、透明フィルム基板１１
及び透明光硬化型絶縁樹脂１６を通して光情報を受光素
子１４が検知し、これを電気信号に変換するようになっ
ている。
及び透明光硬化型絶縁樹脂１６を通して光情報を受光素
子１４が検知し、これを電気信号に変換するようになっ
ている。
次に、本発明の第２の実施例について図面を用いて説明
する。
する。
第２図ａ、ｂは本発明の第２の実施例におけるイメージ
センサユニットを示すものである。
センサユニットを示すものである。
２１は厚さ〜５０μｍ程度の透明フィルム基板、２２は
透明フィルム基板２１の表面上に形成した回路導体層、
２３は透明フィルム基板の表面上にフェイスダウンで実
装した半導体イメージセンサチップ、２４は半導体イメ
ージセンサチップ２３の一側面端近くに設けた受光素子
、２５は同じ透明フィルム基板２１の表面上に実装した
光源の一例である発光ダイオード、２６は半導体イメー
ジセンサチップ２３及び発光ダイオード２５を保護する
保護膜、２７は同じ透明フィルム基板２１の表面上に実
装した入出力回路部品、２８は読み取るべき原稿である
。
透明フィルム基板２１の表面上に形成した回路導体層、
２３は透明フィルム基板の表面上にフェイスダウンで実
装した半導体イメージセンサチップ、２４は半導体イメ
ージセンサチップ２３の一側面端近くに設けた受光素子
、２５は同じ透明フィルム基板２１の表面上に実装した
光源の一例である発光ダイオード、２６は半導体イメー
ジセンサチップ２３及び発光ダイオード２５を保護する
保護膜、２７は同じ透明フィルム基板２１の表面上に実
装した入出力回路部品、２８は読み取るべき原稿である
。
以上のように構成されたイメージセンサユニットについ
て、その動作を説明する。
て、その動作を説明する。
光源である発光ダイオード２５より出た光は、透明フィ
ルム基板２１を通して直接原稿２８を照明する。原稿２
８からの光情報は、同じく透明フィルム基板２１を通し
て受光素子２４へ導かれる。この時透明フィルム基板２
１の厚さは充分薄く〈〜５０μｍ〉しているので、原稿
２８と受光素子２４との距離は充分短く、クロストーク
なく高解像度で光情報は導かれる。受光素子２４に導か
れた光情報は、半導体イメージセンサ２３及び、入出力
回路部品２７により映像出力信号となる。このようにし
て原稿を確実に読み取ることができる。
ルム基板２１を通して直接原稿２８を照明する。原稿２
８からの光情報は、同じく透明フィルム基板２１を通し
て受光素子２４へ導かれる。この時透明フィルム基板２
１の厚さは充分薄く〈〜５０μｍ〉しているので、原稿
２８と受光素子２４との距離は充分短く、クロストーク
なく高解像度で光情報は導かれる。受光素子２４に導か
れた光情報は、半導体イメージセンサ２３及び、入出力
回路部品２７により映像出力信号となる。このようにし
て原稿を確実に読み取ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、金属細線による配線（ワ
イヤーボンド〉作業を行なわず、又基板にフィルムを使
用するため、実装作業が篩網化され、しかも半導体の電
極の小ピッチ化、高密度実装化への対応も可能になり、
さらに機械的振動に対して断線等がないので信頼性の向
上も図れる。
イヤーボンド〉作業を行なわず、又基板にフィルムを使
用するため、実装作業が篩網化され、しかも半導体の電
極の小ピッチ化、高密度実装化への対応も可能になり、
さらに機械的振動に対して断線等がないので信頼性の向
上も図れる。
さらに本発明のイメージセンサユニットによれば、レン
ズ系を不必要とし、光源部と受光部を一体化し、原稿か
らの光情報を完全密着で高品質。
ズ系を不必要とし、光源部と受光部を一体化し、原稿か
らの光情報を完全密着で高品質。
高階調、高解像度で読み取ることを可能にすることがで
きる。
きる。
第１図ａは本発明の第１の実施例の側断面図、同図すは
正断面図、第２図ａは本発明の第２の実施例の側断面図
、同図すは正断面図、第３図ａは従来例の正断面図、同
図すは同要部の平面図である。 １１・・・・・・透明フィルム基板、１２・・・・・・
回路導体層、１３・・・・・・半導体イメージセンサチ
ップ、１４・・・・・・受光素子、１５・・・・・・電
極、１６・・・・・・透明光硬化型絶縁樹脂、１７・・
・・・・保護膜、２１・・・・・・透明フィルム、２２
・・・・・・回路導体層、２３・・・・・・半導体イメ
ージセンサチップ、２４・・・・・・受光素子、２５・
・・・・・発光ダイオード、２６・・・・・・保護膜、
２７・・・・・・入出力回路部品、２８・・・・・・原
稿。 ｔｓ−を服 ２６−−− イ呆 護 ！更 どｆ 第 ３ 図 Ｃ０−） Ｃｂ）
正断面図、第２図ａは本発明の第２の実施例の側断面図
、同図すは正断面図、第３図ａは従来例の正断面図、同
図すは同要部の平面図である。 １１・・・・・・透明フィルム基板、１２・・・・・・
回路導体層、１３・・・・・・半導体イメージセンサチ
ップ、１４・・・・・・受光素子、１５・・・・・・電
極、１６・・・・・・透明光硬化型絶縁樹脂、１７・・
・・・・保護膜、２１・・・・・・透明フィルム、２２
・・・・・・回路導体層、２３・・・・・・半導体イメ
ージセンサチップ、２４・・・・・・受光素子、２５・
・・・・・発光ダイオード、２６・・・・・・保護膜、
２７・・・・・・入出力回路部品、２８・・・・・・原
稿。 ｔｓ−を服 ２６−−− イ呆 護 ！更 どｆ 第 ３ 図 Ｃ０−） Ｃｂ）
Claims (3)
- （１）表面上に回路導体層を形成したフィルム基板と、
このフィルム基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介し
て実装した半導体とを備え、上記半導体は、フェイスダ
ウンで、その電極が上記回路導体層に当接する構造をし
た半導体装置。 - （２）フィルム基板及び光硬化型絶縁樹脂が透明であり
、半導体が下面に受光素子を有する請求項１記載の半導
体装置を用いたイメージセンサ。 - （３）透明フィルム基板の回路導体層を形成した表面に
、光源及び入出力回路部品を共に実装し、他方表面が原
稿密着面となる請求項１記載のイメージセンサを用いた
イメージセンサユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280926A JPH03142880A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280926A JPH03142880A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142880A true JPH03142880A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17631859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1280926A Pending JPH03142880A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142880A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567761A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0677456A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ及びユニット |
| JPH0722652A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 射出成形プリント基板及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207363A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device |
| JPS61222358A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1280926A patent/JPH03142880A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207363A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device |
| JPS61222358A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567761A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0677456A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ及びユニット |
| JPH0722652A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 射出成形プリント基板及びその製造方法 |
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