KR930006988B1 - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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내용 없음.

Description

이미지센서 및 그 제조방법

종래의 이미지센서는, 제7도 (a), (b)에 표시한 바와같이, 회로도체층(72)을 형성한 불투명기판(71)위에 이미지센서칩(73)을 도전성접착제(74)에 의해 고정하고있었다. 그리고 이미지센서칩(73)의 전극(73A)와 회로도체층(72)을 와이어본드법에 의해 금이나 알루미늄 등의 금속세선(75)에 의해서 접속하고 있었다. 또, 그위로부터 투명한 모울드수지(76)에 의해서 봉하여 막는 구조를 취하고 있었다. 또한 이미지센서칩(73)의 전극(73A)측면에는 도시하고있지 않으나, 복수의 수광센서가 배치되어 있다.

그러나, 이와같은 이미지센서에서는, 금속세선(75)을 사용해서 전극(73A)와 회로도체층(72)을 접속하기 때문에, 그 접속작업이 힘들며, 또한 전극(73A)사이의 소피치화에의 대응이 곤란한 것이었다.

발명의 개시

그래서 본 발명은 금속세선에 의한 배선작업을 폐지해서 그 작업성을 높이는 동시에, 소피치화에의 대응도 도모하기 쉬운 것을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

그리고 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 그 상면에 회로도체층을 형성한 투명기판의 상면위에, 하면에 전극과 수광센서를 가진 이미지센서칩을 광경화형 절연수지를 개재해서 접착한 것이다.

그리고 이상의 구성으로하면 이미지센서칩의 전극을 직접 투명기판상의 회로도체층에 실장하기 때문에, 배선작업이 간략화되고, 또한 소피치화에의 대응이 가능한 것이 되는 것이다.

발명을 실시하기 위한 최량의 형태

이하, 본 발명의 제1 실시예를 도면을 사용해서 설명한다.

제1도(a) (b)는 본 발명의 제1실시예의 이미지센서를 표시한 것이다.

(11)은 이미지센서칩(12)을 보호하기위한 보호막이다. (13)은 이미센서칩(12)의 하면에 복수개설치되어 있는 수광센서이다. (14)는 이미지센서칩(!2)의 하면에 복수개 형성한 전극이다. (15)는 이미지센서칩(12)의 전극(14)위에 형성된 도체성의 돌기 형상의 전극이다. (16)은 이미지센서칩(12)을 투명기판(18)의 상면위에 형성한 회로도체층(17)위에 실장하기위한 투명한 광경화형 절연수지이다.

이상과 같이 구성되는 이미지센서의 제조방법을 설명한다.

먼저 반도체프로세스를 사용해서 단결정실리콘기판(웨이퍼)위에 포토트랜지스터나 포토다이오우드 등의 수광센서(13)와 CCD나 MOS, 쌍극성 IC 등의 액세스회로(도시하지 않음)을 설치한것을 만든다. 다음에 각 전극(14)의 부분에, Ti/Pd 등의 배리어메탈을 개재해서 금등의 전극(15)을 도금법 등에 의해서 수 ㎛의 두께로 형성한다. 그후 이 단결정실리콘기판을 고정밀도 다이싱기술에 의해 절단하고, 반도체이미지센서칩(12)을 만든다. 다음에 유리기판 등의 투명기판(18)위에 금이나 은-백금 등의 귀금속을 스크리인인쇄법 또는 박막형성법과 포토링법을 사용해서 회로도체층(17)을 형성한다. 이 투명기판(18)의 소정의 위치에, 아크릴계의 투명한 광경화형 절연수지(16)을 스크리인 인쇄나 디스펜서 등에 의해서 소정량을 도포하고, 그 위에 이미지센서칩(12)을 전극(15)쪽을 아래쪽으로 해서 배치한다. 그후, 이 이미지센서칩(12)에 위쪽으로 부터의 압력을 가하면서 투명한 광경화형절연수지(16)에 아래쪽의 투명기판(18)을 통해서 자외선을 조사하고, 경화시켜서 실장을 완료한다. 또 그위로부터 실리콘 등의 수지를 디스펜서 등에 의해서 도포하여 보호막(11)을 형성한다.

이 이미지센서에 대해서는, 투명기판(18) 및 투명한 광경화형 절연수지(16)을 통해서 광정보를 수광센서(13)가 검지하고, 이것을 전기신호로 변환하도록 되어있다.

이하, 본 발명의 제2실시예에 대해서 도면을 사용해서 설명한다.

제2도 (a), (b)는 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 이미지센서를 표시한 것이다.

(21)은 이미지센서칩(22) 및 발광다이오우드(24)를 보호하기위한 보호막이다.(23)은 이미지센서칩(22)의 하면에 복수개 설치된 수광센서이다. (24)는 동일하게 투명기판(26)의 상면위에 실장한 광원의 일례인 발광다이오우드이다. (25)는 투명기판(26)의 수광센서(23)에 대응한 부분에 형성된 광파이버어레이(렌즈의 일례)이다. (27)은 판독해야할 원고이다.

이상과 같이 구성된 이미지센서에 대해서, 그 동작을 설명한다.

광원인 발광다이오우드(24)로부터 나온 광은, 투명기판(26)을 통해서 직접 원고(27)를 조명한다. 원고(27)로 부터의 광정보는, 투명기판(26)에 채워넣은 직경이 수광센서(23)의 크기보다 충분히 작은 광파이버어레이(25)에 의해서 1대 1의 대응으로, 누화를 일으키지 않고 수광센서(23)으로 인도된다. 렌즈는 광파이버어레이(25)의 외에, 마이크로렌즈를 사용하거나, 도파로를 투명기판(26)에 형성함으로써 형성하여도 된다.

이상과 같이 제1도, 제2도의 실시예에 의하면, 금속세선에 의한 배선작업을 행하지 않기 때문에, 실장작업이 간략화되고, 또한 소피치화에의 대응도 가능해지고, 또 기계적 진동에 대해서 금속세선의 단선 등이 없으므로 신뢰성의 향상도 도모할 수 있다.

제3도는 본 발명에 있어서의 이미지센서의 제조방법의 일례를 설명하기 위하여 사용한 것이다.

제3도(a), (b)에 있어서, (31)은 이미지센서칩(32)을 덮어서 보호하기 위한 보호막이다. (33)은 이미지 센서칩(32)의 하면에 복수개 설치되어 있는 수광센서, (34)는 이미지센서칩(32)의 하면에 복수개 형성되어 있는 전극이다. (35)는 투명기판(37)의 상면에 형성된 회로도체층, (36)은 이미지센서칩(32)을 투명기판(37)에 실장하기 위한 투명한 광경화형 절연수지이다.

이상과 같이 구성되는 이미지센서의 이미지센서칩의 실장방법을 설명한다.

반도체프로세스를 사용해서 단결정실리콘기판(웨이퍼)위에 포토트랜지스터나 포토다이오우드 등의 수광세서(33)와 CCD나 MOS, 쌍극성 IC 등의 액세스회로(도시하지 않음)와 전극(34)을 가진 이미지센서칩을 복수만들고, 이 단결정실리콘기판을 고정밀도 다이싱기술에 의해 절단하고, 각각의 이미지센서칩(32)을 잘라낸다. 다음에 유리기판 등의 투명기판(37)위에 금이나 은-백금 등의 귀금속을 스크리인 인쇄법 또는 박막형성법과 포토링법을 사용해서 회로도체층(35)을 형성한다. 이때 회로도체층(35)의 이미지센서칩(32)의 전극(34)이 직접 접속되는 부분에 있어서는, 폭은 이미지센서칩(32)의 전극(34)의 폭보다 작게(200㎛ 이하), 높이는 수 ㎛로 하였다.

이 투명기판(37)의 소정의 위치에 아크릴계의 투명한 광경화형 절연수지(36)를 스크리인 인쇄나 디스펜서등에 의해서 규정한 양을 도포하고, 그위에 이미지센서칩(32)을, 그 전극(34)을 하면쪽으로해서 하강시키고, 그후 압력을 가해서 전극(34)과 회로도체층(35)을 압착시킨다. 이때, 동시에 외부로부터 회로도체층(35)을 통해서 전압을 걸어서, 실장하고 있는 이미지센서칩(32)이 정상적으로 동작을 하는지를 확인한다. 정상이라고 확인할 수 있으면, 그대로 압력을 가하면서, 투명한 광경화형 절연수지(36)에 투명기판(37)을 통해서 자외선을 조사해서 경화시킨다. 또 이때의 동작확보에서 이상하다면 경화시키지 않고 실장을 다시하거나, 다음의 새로운 이미지센서칩(32)과 교환하여, 전과 동일한 작업을 행한다. 이와같이해서 복수의 이미지센서칩(32)을 정밀도 좋게 일직선상에 배열한다. 최후에 그 위로부터 실리콘 등의 수지를 디스펜서 등에 의해서 도포하여, 보호막(31)을 형성해서 이미지센서가 완성된다.

이 이미지센서에 대해서는, 투명기판(37) 및 투명한 광경화형 절연수지(36)을 통해서 광정보를 수광센서(33)가 수광하고, 이것을 전기신호로 변환하도록되어 있다.

이상과 같이 제3도의 실시예에 의하면, 금속세선의 접속작업이 불필요하기 때문에 실장면적이 작아지고, 또한 실장시의 실장미스나 실장한 이미지센서칩에 불량이 있었을 때에는 곧바로 재실장이나 교환을 간단히 행할 수 있게 된다.

제4도는 본 발명의 제4실시예를 표시한 것이다. 제4도에 있어서, (41)은 이미지센서칩이며, (42)는 이미지센서칩(41)에 형성된 능동소자 또는 수동소자 등의 소자이다. (43)은 수광센서이며, (45)는 소자(42)와 수광센서(43)를 전기적으로 접속한 회로도체층, (44)는 절연층, (46)은 보호층, (47)은 보호층(46) 표면에 형성한 전극이다. (48)은 실장용의 투명기판, (49)는 그 상면위의 회로도체층, (40)은 투명한 광경화형 절연수지이다. 이상과 같이 구성된 이미지센서에 대해서 설명한다.

반도체프로세스를 사용해서 수광센서(43), 소자(42), 회로도체층(45)를 작성한 반도체칩(41)의 보호층(46) 표면에 전극(47)을 형성한다, 다음에 투명기판(48) 위에 회로도체층(49)을 형성한다. 이 투명기판(48)의 소정의 위치에 투명한 광경화형 절연수지(40)을 규정량 도포하고, 그 위에 이미지센서칩(41)을 페이스다운에 의해서 전극(47)과 회로도체층(49)가 접속하도록 눌러붙인다. 그러면 회로도체층(49)의 광경화형 절연수지(40)는, 전극(47)에 밀어젖혀지고, 이것에 의해 회로도체층(49)과 전극(47)은 전기적으로 접속된다. 이때, 외부로부터 회로도체층(49)을 통해서 구동신호를 인가하고, 이미지센서칩(41)이 정상적으로 동작하는 것을 확인한다. 정상이라고 확인했다고 하면, 그대로 압력을 가하면서, 투명기판(48)을 투과시켜서 광경화형 절연수지(40)에 자외선을 조사하여 경화시킨다. 만약 이상하다면, 경화시키지 않고 다음의 새로운 이미지센서칩(41)과 교환하여 전과 동일한 공정을 행한다.

이상의 구성의 이미지센서는, 광정보가 투명기판(48), 광경화형 절연수지(40)를 통해서 수광센서(43)에 인도되면, 전기신호로 변환된다.

또한, 투명기판(48)의 재질을 유리로 했으나, 투광성을 가진 것이면 된다.

또한 제4도에 있어서 전극(47)은 그 수직방향에 있어서 일부, 소자(42), 수광센서(43)에 겹쳐있으나, 이미지센서칩(41)은 투명기판(48)에 가입되기 때문에, 이들 소자(42), 수광센서(43)는 가능한한 전극(47)과는 수직방향에 놓여서 겹치지 않도록 하는 편이 과대한 하중에 의한 손상이 없는 것이 된다.

또 전극(47)은 알루미늄으로 형성하고 있기 때문에 그 표면에 산화막이 형성되기 쉬우나 회로도체층(49)은 금에 프릿을 혼입시켜서 형성하고 있기 때문에 가압압착시에 프릿에 의해서 이 산화막은 없어져서, 확실한 전기적 접속이 이루어진 것이된다.

또 회로도체층(49)은 금제로서 고가이기 때문에, 좁은 것이되나, 전극(47)은 알루미늄으로서 저렴한 가격이기 때문에 넓게할 수 있으므로, 양자의 접속도 행하기쉬운것이 된다.

이상과 같이 본 실시예에서는 이미지센서칩(41)의 전극(47)을, 투명기판(48) 위의 회로도체층(49)에 당접시키기 때문에 작업성이 좋고, 또한 기계적진동에 대한 전기적 접속이 떨어지기 어렵고, 신뢰성이 높은 것이된다.

제5도는 이미지센서칩(51)의 전극(53)에 특징을 가진 본 발명의 다른 실시예를 표시한다. 제5도에 있어서, (51)은 이미지센서칩, (52)는 그 하면에 형성된 알루미늄으로 이루어진 제2전극, (53)은 제2전극(52)의 위에 형성된 금제의 제1전극이다. (54)는 이미지센서칩(51)을 실장하는 투명기판, (55)는 투명기판(54)위에 형성한 회로도체층, (57)은 이미지센서칩(51)과 투명기판(54)의 사이에 도포되어, 이들을 압착고정하기위한 투명한 광경화형수지, (58)은 이미지센서칩(51)의 표면에 형성된 보호층이다. 또한, 본 실시예에서는 제1전극(53)부가 메인이기 때문에, 수광센서를 명기하고 있지 않다.

이상과 같이 구조된 이미지센서의 제조방법에 대해서 설명한다.

먼저 반도체프로세스를 사용해서 단결정실리콘기판(웨이퍼)위에 각종소자를 형성하고(도시하지 않음), 다음에 백수십 ㎛각의 제2전극(52)을 형성한다. 다음에 단결정실리콘기판위를, 제2전극(52)의 주위를 수~십수㎛ 덮이도록 제2전극(52) 이외의 전체면을 보호층(58)인 두께 약 1㎛의 질화막으로 덮어서 보호한다. 다음에 전기도급법 등에 의해, 제2전극(52)위에 금을 수 ㎛의 두께로 형성하고, 제1전극(53)을 만든다. 이때 제2전극(52)위에서, 보호층(58)이 덮여있는 부분의 위에도금이 형성되기 때문에 제1전극(53)의 주위폭수~십수㎛의 부분이 약 1㎛ 정도 환상으로 돌출하는 형상이 된다. 그후 이 단결정실리콘기판을 고정밀도 다이싱기술에 의해 절단하여 이미지센서칩(51)을 만든다. 또 유리등의 투명기판(54)위에, Au나 Ag-Pt 등의 귀금속을 스크리인 인쇄법 또는 박막형성법과 포토링법을 사용해서 회로도체층(55)을 형성한다. 다음에 이 투명기판(54)의 소정의 위치에 아크릴계의 광경화형 절연수지(57)를 스크리인 인쇄나 디스펜서 등에 의해서 소정량을 도포하고, 그위에 앞의 이미지센서칩(51)을 제1전극(53)쪽을 아래쪽으로 해서 배치한다. 그후 이 이미지센서칩(51)에 위쪽으로 부터 소정의 압력을 가하고, 이미지센서칩(51)위의 모든 제1전극(53)이, 투명기판(54)위의 대응하는 회로도체층(55)에 당접하게 한다. 이때, 제1전극(53)이나 회로도체층(55)의 높이의 불균일, 및 이미지센서칩(51)이나 투명기판(54)의 휘어짐 등을 흡수하기 때문에 제1전극(53)의 선단부의 환상이 돌출부가 부서지는 상태가 된다.

다음에 외부로부터 회로도체층(55)을 개재해서 전압을 가하고 이미지센서칩(51)이 정상적으로 동작하는 것을 확인한 후, 투명기판(54)이 유리이면 그 유리를 투과해서, 또 알루미나이면 틈으로부터 자외선 조사를 하여, 광경화형절연수지(57)을 경화하고, 실장을 완료한다. 이와같이 제1전극(53)을, 그 선단부의 주위가 특히 환상으로 돌출되어 있는 형상으로 함으로서, 제1전극(53)의 표면적을 크게해서, 이미지센서칩(51)과 투명기판(54)의 위치맞춤을 용이하게하고, 또한 실장시에 제1전극(53)의 부서지는 면적을 작게해서 실장시의 가압치를 낮게함으로서, 이미지센서칩(51)이나 투명기판(54)에 무리한 힘이 가해지는 것을 해소하고, 이미지센서칩(51)이나 투명기판(54)의 파괴를 없애고, 또 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있어서, 수율을 올리는 것을 실현할 수 있었다. 또한 제1도~제5도의 실시예에 있어서 투명기판(18), (26), (37), (48), (54)는 시이트형상으로 플렉시블한 것을 사용하여도 된다.

제6도(a), (b), (c)는 광파이버어레이부에 특정을 가진 실시예이다.

제6도에 있어서, (61)은 보호막, (62)는 이미지센서칩, (63)은 이미지센서칩(62)에 설치된 복수의 수광센서, (64)는 이미지센서칩(62)의 전극이다. (65)는 유리의 투명기판(67)위에 형성된 회로도체층, (66)은 투명기판(67) 사이에 끼워진 광파이버어레이이다. (68)은 투명기판(67)의 상면 및 하면에 형성한 흑색계막, (69)는 원고(60)를 조명하는 광원이다. 또 제6도(b)는 광파이버어레이(66)의 확대평면도이며, 각 광파이버는 중심부의 코오(66A)와 그 외표면의 클래드(66B)와, 이 클래드(66B)의 외표면에 형성된 흡광체(66C)로 구성되어 있다.

다음에 이상과같이 구성한 이미지센서의 상세부에 대해서 더욱 상세히 설명한다.

제6도(b)에 표시한 바와같이, 직경이 대개 25㎛의 광파이버의 클래드(66B)의 외표면에 두께 2~3㎛의 흡광체를 형성하고, 이 광파이버다수개를 제6도(C)에 표시한 바와같이 2장의 투명기판(67)에 끼워넣고, 양쪽으로부터 압력을 가하면서, 유리의 융점 정도의 열을 가하여 광파이버어레이(66)을 작성한다. 다음에, 이 투명기판(67)의 양면에 흑색계막(68)을 스크리인 인쇄법에 의해서, 조명광이 통과하는 부분이외에 형성한다. 또 이 광파이버어레이(66) 및 투명기판(67)의 한끝표면에, Au나 Ag-Pt 등의 귀금속을 사용해서 스크리인 인쇄법 또는 박막형성법과 포토링법에 의해 회로도체층(65)을 형성한다. 또, 크기 50~100㎛ 각의 수광센서(63)을 일정간격(62.5㎛ 또는 125㎛)으로 다수 병렬로 형성하고 있는 이미지센서칩(62)을, 수광센서(63)가 광파이버어레이(66)이 한끝쪽에 밀착하도록, 페이스다운본딩에 의해서 이미지센서칩(62)의 전극(64)이 회로도체층(65)의 소정의 위치에 접속하도록 실장한다. 또 이 이미지센서칩(62)을 보호하기 위하여 실리콘수지 등의 보호막(61)에 의해 코우팅한다. 이상과 같이 해서 이미지센서가 작성된다.

이 이미지센서를 사용해서, 광파이버어레이(66)의 다른끝쪽에 원고(60)을 밀착시키고 광원(LED 어레이)(69)으로 부터의 광을 투명기판(67)의 상면쪽의 흑색계막(68)이 형성되어 있지 않은 영역으로부터 입사시킨다. 광은 투명기판(67)을 통과하고, 또 광파이버의 흡광체(66C)를 투과해서 광파이버를 통해서 원고(60)을 조명한다. 이때 흡광체(66C)에 관해서는, 어느정도 광이 투과하도록 광의 흡수율을 80% 정도로 하고 있다.

원고(60)로 부터의 광정보는, 흡광체(66C)를 형성한 다수의 광파이버에 의해, 광의 교착(누화)없이, 1 대 1의 대응으로 수광센서(63)에 인도된다. 또 외부로 부터의 불필요한 광은 흑색계막(68)에 의해서 100% 차단되고 있다.

이와같이해서 고해상도(MTF치가 41p/mm이며 약 80%)로 화상을 판독하는 것을 가능하게 하였다.

이상과같이, 본실시예에 의하면, 광파이버를 구성하는 클래드(66B)의 외표면에 흡광체(66C)를 형성하였기 때문에, 광파이버 사이의 광정보의 교착이 없어지고, 이 결과로서 고해상도로 화상을 판독하는 이미지센서를 실현할 수 있다.

산업상의 이용가능성

이상과같이 본 발명은 그 상면에 회로도체층을 형성한 투명기판의 상면위에, 하면에 전극과 수광센서를 가진 이미지센서칩을 광경화형 절연수지를 개재해서 접착하는 것이다.

따라서 본 발명에 의하면 이미지센서칩의 전극과 투명기판의 회로도체층을 직접 접속할 수 있기 때문에, 종래의 금속세선을 사용한 접속에 비교하면 작업성은 극히 높은 것이된다.

본 발명은 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

제1도(a)(b)는 본 발명의 제1실시예의 측면단면도와 정면단면도

제2도(a)(b)(c)는 본 발명 및 제2실시예의 측면단면도와 정면단면도와 일부잘린 평면도

제3(a)(b)는 본 발명의 제3 실시예의 측면단면도와 정면단면도

제4도는 본 발명의 제4실시예의 측면단면도

제5도(a)(b)는 본 발명의 제5실시예의 측면단면도와 분해측면단면도

제6도(a)(b)(c)는 본 발명의 제6실시예의 정면단면도와 일부확대평면도와 측면단면도

제7도(a)(b)는 종래예의 평면도와 정면단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 보호막 12 : 이미지센서칩

13 : 수광센서 14 : 전극

15 : 전극 16 : 광경화형 절연수지

17 : 회로도체층 18 : 투명기판

21 : 보호막 22 : 이미지센서칩

13 : 수광센서 24 : 발광다이오우드

25 : 광파이버어레이 26 : 투명기판

27 : 원고 31 : 보호막

32 : 이미지센서칩 33 : 수광센서

34 : 전극 35 : 회로도체층

36 : 광경화형 절연수지 37 : 투명기판

40 : 광경화형 절연수지 41 : 이미지센서치

42 : 소자 43 : 수광센서

44 : 절연층 45 : 회로도체층

46 : 보호층 47 : 전극

48 : 투명기판 49 : 회로도체층

51 : 이미지센서칩 52 : 제2전극

53 : 제1전극 54 : 투명기판

55 : 회로도체층 57 : 광경화형수지

58 : 보호층 61 : 보호막

62 : 이미지센서칩 63 : 수광센서

64 : 전극 65 : 회로도체층

66 : 광파이버어레이 66A : 코어

66B : 클래드 66C : 흡광체

67 : 투명기판 68 : 흑색계막

69 : 광원 71 : 불투명기판

72 : 회로도체층 73 : 이미지센서칩

73A : 전극 74 : 도전성접착제

75 : 금속세선 76 : 모울드수지

Claims (17)

1. 상면에 회로도체층을 가진 투명기판과, 이 투명기판의 상면에 투명한 광경화형 절연수지를 개재해서 접착한 이미지센서칩을 구비하고, 상기 이미지센서칩은 그 하면쪽에 수광센서와 전극을 가지고, 이 전극은 상기 회로도체층에 당접시킨 이미지센서.
2. 제1항에 있어서, 회로도체층에는 프릿을 혼입시킨 이미지센서.
3. 제2항에 있어서, 칩의 전극과, 회로도체층의 적어도 한쪽에는, 다른쪽을 향해서, 돌출하는 돌출부를 형성한 이미지센서.
4. 제1항에 있어서, 수광센서에 대향하는 투명기판부에는 렌즈를 형성한 이미지센서.
5. 제4항에 있어서, 렌즈로서 광파이버어레이를 형성한 이미지센서.
6. 제5항에 있어서, 광파이버어레이는, 복수의 광파이버를 정렬해서 형성하고, 상기 광파이버는 중심부의 코어와, 이 코어의 외표면에 형성한 클래드와, 이 클래드의 외표면에 형성한 흡광체에 의해 구성한 이미지센서.
7. 제6항에 있어서, 광파이버에는, 광원으로부터의 광을, 그 흡광체로 부터 클래드를 개재해서 코어에 입사시키는 구성으로 한 이미지센서.
8. 상면에 회로도체층을 가진 투명기판과, 이 투명기판의 상면에 광경화형 절연수지를 개재해서 접착한 이미지센서칩들 구비하고, 상기 이미지센서칩은 그 하면에 수광센서와 알루미늄으로 이루어진 전극을 가지고, 이 전극을 상기 상기 회로도체층에 당접시킨 이미지센서.
9. 제8항에 있어서, 수광센서끼리 또는 이 수광센서와 다른 소자를 접속하는 제2회로도체층을 가지고, 이 제2회로도체층에 전극을 접속하고, 이 전극을 투명기판의 회로도체층에 당접시킨 이미지센서.
10. 제9항에 있어서, 회로도체층에는 프릿을 혼입시킨 이미지센서.
11. 제10항에 있어서, 칩의 전극과, 회로도체층의 적어도 한쪽에는, 다른쪽을 향해서 돌출하는 돌출부를 형성한 이미지센서.
12. 제9항에 있어서, 수광센서에 대향하는 투명기판부에는 렌즈를 형성한 이미지센서.
13. 제12항에 있어서, 렌즈로서 광파이버어레이를 형성한 이미지센서.
14. 제13항에 있어서, 광파이버어레이는, 복수의 광파이버를 정렬해서 형성하고, 상기 광파이버는 중심부의 코어와, 이 코어의 외표면에 형성된 클래드와, 이 클래드의 외표면에 형성한 흡광체에 의해 구성한 이미지센서.
15. 제14항에 있어서, 광파이버에는, 광원으로부터의 광을, 그 흡광체로부터 클래드를 개재해서 코어에 입사시키는 구성으로한 이미지센서.
16. 상면에 회로도체층을 가진 적어도 일부가 투명하게 된 기판의 상면에, 광경화형 절연수지이고 형성하고, 다음에 이 기판의 상면에, 하면에 전극을 가진 이미지센서칩을 그 상기 전극과 그것에 대응하는 상기 회로도체층을 당접시키기 위한 이 회로도체층 위의 상기 광경화형 절연수지를 밀어젖혀서 이들 전극과 회로도체층을 당접시키고, 다음에 회로도체층을 개재해서 상기 이미지센서칩에 통전해서, 그 동작확인을 행하고, 다음에 광경화형 절연수지에 광을 조사해서 경화시키는 이미지센서의 제조방법.
17. 제16항에 있어서, 기판으로서 투명기판을 사용하고, 광경화형 절연수지로서 투명한 것을 사용하는 이미지센서의 제조방법.